IC制造前段制程名词解释和作用

IC制造前段制程名词解释和作用（二）

11. SiN remove: 為求保險, 常在H3PO4前增加DHF; SiN remove後若仍有remaining SiN, 則有可能是reverse STI mask該開未開

12. clean/sacrificial oxide: 早期LOCOS製程中以SAC oxide來解決Kooi effect並作為imp的screen oxide, 由於STI的Kooi effect已不存在, SAC oxide可以刪除, 目前僅做imp的screen oxide

13. well formation: 純為imp

(1) 常用B, P, As因為這三者對Si具有最佳的固態溶解度; ie, 最易溶於Si, 或說與Si形成最佳鍵結及最少的晶格缺陷

(2) 偶而採用Ge, 通常是為拉大Si表面的晶格常數; ie在固定長度的channel length 內會電子電洞遇到較少晶格碰撞(or crystal scattering), 提升mobility

(3) B, P擴散率佳, annel後具均勻profile; 常用於well-imp; 若用於Vt-imp, 需考慮散失於外的imp loss或擴散入gate oxide造成oxide degrade

(4) As擴散率差, anneal通常只是為修復imp-damage, 與Si形成良好鍵結; As常用於S/D等不希望因thermal造成過度diffusion之製程; 另需考慮擴散率差, 勢必導致局部doping concentration較高, breakdown voltage勢必下降; As亦常用於define PMOS的buried channel

(5) Well-imp: 最好能有SIMS, simulation或imp table; 必須知道每道imp的目的; 例如0.13IFX imp profile出現兩個peak, 而在深度3500A處出現凹陷, 遇高壓將有leakage issue, 因此在HV device處補打channel-stop; 同樣問題出在doping濃度愈濃, 愈容易有breakdown; 兩者需trade-off

(6) 通常在well-imp中就打Vt: 以B調高NMOS的Vt或調降buried-channel PMOS 的Vt, 另以P調高PMOS Vt(較少用As, for breakdown issue)

(7) 通常會tile幾度打imp, for channeling effect; screen oxide目的亦同

(8) N+poly/PW與P+poly/NW屬於surface-channel device, N+poly/NW與

P+poly/PW則為buried channel device; 由於NP/NW與PP/PW很難在surface inversion, 故需doping形成內部的channel, 形成punch-through式的導通, 因此不適於做small device, 可用於IO的large device; 前述中以As定義PMOS的buried-channel: 因為PMOS buried-channel是以B形成, B很會跑, 故以As擋在上方, 避免B跑到surface影響Vt 14. RCA/dual GOX:

(1) RCA是關鍵製程, 直接影響surface condition, Q-time over時未必能re-work; 需視RCA造成wafer表面micro-scratch..等情況而定

(2) thin oxide: 用於core, Vt較低, 咚闼俾矢? 當gate oxide逐漸scaling down至無法達成的厚度時(<7A), 常需氮化以提升k值維持quality與performance; quality所指為避免B穿透, performance則是維持相同Cox(Id中重要參數); 因為C=k*A/t, scaling down

t2

(3) thick oxide: 用於IO, Vt高, thicker Gox會有較高的gated breakdown voltage; 適用於HV device

15. poly formation:

(1) N+poly imp: 使NMOS具有N+poly, PMOS在S/D imp後亦成為P+poly, 二者均為surface-channel device; 但因P+poly濃度不足, 容易造成poly depletion, 因此PMOS 的electric(or inversion) oxide thickness較NMOS厚; 另外缺點為N+poly的etching rate 較快, 這是因為poly遇到N-type dopant時產生較大grain之故, 另外因imp使dopant集中於poly中央高度, etching時poly常於中央處凹陷(etching rate較快), profile控制不易; 另外PMOS於etching為Upoly, 使N, PMOS的poly CD及profile出現差異; 可以OPC修補

(2) In-situ N+poly dep: 好處是N, PMOS 均為N+poly, 條件一致, 蝕刻易於控制;

缺點是PMOS必須考慮做成buried-channel device

(3) Poly-etching: 除了profile外, 最大問題是在over-etching, 因為gate-oxide一旦擋不住, substrate將被吃出trench(因為原本就是吃poly的程式)

(4) 由於N-, P- poly profile的差異, 可能造成CDSEM與TEM不同的offset, 這並非

　造成取點的誤差

來自CDSEM不夠sensitive, 而是來自其咚愎?

(5) Re-oxidation: 有時在P1-etching後加入re-oxidation, 這是為P1-etching時造成的oxide damage做修補, 避免在poly-corner造成gated breakdown

16. offset spacer: 目的在於提高gated breakdown voltage以及增加channel-length, SiN-spacer的adhesion

17. LDD-pkt imp: LDD是為抑制hot electron, tile 30度角的pocket (or halo) imp則是anti-punch-through; 在Vt調定後, 常以LDD, pkt-imp微調: 加重LDD可提升Ion, 加重pkt-imp可抑制Ioff

18. SiN spacer: 目的在於提高gated breakdown voltage同時避免因contact

mis-align造成contact-to-poly breakdown; SiN-spacer完成後才是真正的channel-length; SiN-spacer蝕刻後的remain oxide是重要參數, 因為後續S/D imp深度極? 過薄的remain oxide使S/D imp太深, 形成的CoSi將造成contact Rc升高; 反之, 若remain oxide太厚, S/D imp太? CoSi將消耗大部分的doping物質, 使metal(contact中的W)未經由理想的P-N junction阻隔直接接觸well形成junction leakage

19. S/D: 0.13以下常用兩道imp, 較湹?E15為主要的S/D, 另一道較深的1E14則是讓doping profile不致過於abrupt; 因為伴隨device scaling-down, channel愈來愈短, source-drain punch愈嚴重, 則須較濃的halo-imp(1E13); 高濃度halo遇到高濃度的S/D極易造成junction breakdown, 因此降低S/D junction concentration以提升breakdown voltage

20. SiO2: 將欲形成CoSi處打開, 其餘遮住; 需考慮active旁的STI-oxide loss, CoSi 將由sidewall形成, 深入diffusion底部, 消耗doping物質, 形成junction leakage

21. CoSi salicide (self-align silicide):

(1) 有些製程會在CoSi之前加打imp, 用以形成理想的(線性低阻值)Ohmic contact; 若在salicide之後加打imp, 則可能造成metal damage, 反而提高阻值

(2) Co sputter/RTP1: 形成高阻值的CoSix

(3) Clean: 去除多餘Co

(4) RTP2: 形成理想的CoSi

22. ILD: 常用PSG或BPSG

(1) 以SiN作為contact etching的stop-layer

(2) PSG即是在SiO2中加入P, 目的是為Ca, Na等離子的gettering

(3) BPSG是以往為平坦化的製程, 因device形成後, 表面高低不平, 須以aneal”溶解”使film流動以達平坦化目的, 稱為re-flow; B即是為降低re-flow的溶解溫度; 如今多採ILD-CMP製程, BPSG可以捨棄; 但對部分DRAM產品, 因為需求不如logic的high speed, 可接受較高的thermal budget(沒有imp-profile飄掉的問題), 仍可採用re-flow方式

23. contact

(1) 需考慮etching stop on poly or diffusion (main etching時間不同)

(2) border-less contact(diffusion-overlay-contact=0) or sharing contact(兩contact距離過近, 不做contact hole而是做成跨過STI的條狀contact): 容易造成S/D旁STI oxide loss, ie, 電流將於S/D sidewall處流入, 而未經由理想的Ohmic contact, 而由高阻值的

M-S contact直接進入well, 形成junction leak; 因此除CD, profile外, 重點在於

over-etching

24. Ti/TiN/W: Ti/TiN做為sidewall barrier, 但不知何者為主要barrier layer, W特性亦未study(是否具高擴散率? 會擴散進入ILD? 與SiO2的Adhesion差? I don’t know)

工程材料名词解释答案 2

习题集名词解释 1.冲击韧性：材料抵抗冲击载荷而不破坏的能力称为冲击韧性，以在冲击力作用下材料破坏时单位面积所吸收的能量a k表示。 2.布氏硬度：是压入法硬度试验之一，所施加的载荷与压痕表面积的比值即为布氏硬度值。 3.洛氏硬度：是压入法硬度试验之一，它是以压痕深度的大小来表示硬度值。 4.韧脆转变温度：材料的冲击韧性随温度下降而下降，在某一温度范围内a k值发生急剧下降的现象称为韧脆转变，发生韧脆转变的温度范围称为韧脆转变温度。 5.工艺性能：表示材料加工难易程度的性能。 6.金属键：金属离子通过正离子和自由电子之间引力而相互结合，这种结合键称为金属键。 7.晶格：为了研究方便，将构成晶体的原子抽象为平衡中心位置的纯粹几何点，称为结点或阵点。用一些假想的空间直线将这些点连接起来，构成一个三维的空间格架，称为空间点阵，简称为晶格或点阵。 8.晶胞：反映晶格特征的最小几何单元来分析晶体中原子排列的规律，这个最小的几何单元称为晶胞。 9.致密度：晶胞中原子本身所占有的体积与晶胞体积之比称为致密度。 10.晶体和非晶体：原子在三维空间作有规律的周期性重复排列的物质称为晶体，否则为非晶体。 11.空位：空位是指在正常晶格结点上出现了空位，空位的产生是由某些能量高的原子通过热振动离开平衡位置引起的。 12.间隙原子：间隙原子是指个别晶格间隙中存在的多余原子。间隙原子可以是基体金属原子，也可以是外来原子。 13.位错：当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体沿某一晶面发生局部滑移时，滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称为位错。 14.各向异性：晶体中，由于各晶面和各晶向上的原子排列的密度不同，因而同一晶体的不同晶向和晶面上的各种性能不同，这种现象称为各向异性。 15.晶粒和晶界：多晶体中每个外形不规则的小晶体称为晶粒，晶粒之间的交界面就是晶界。 16.合金：合金是指由两种或两种以上金属元素、或金属元素与非金属元素组成的具有金属特性的物质。 17.相：金属或合金中，凡成分相同、结构相同，并与其他部分有界面分开的均匀组成部分称为相。 18.固溶体：合金的组元之间相互溶解，形成一种成分及性能均匀的、且结构与组成元素之一的晶体结构相同的固相称为固溶体。 19.固溶强化：随溶质含量增加，固溶体的强度、硬度增加，塑性、韧性下降的现象称为固溶强化，这是金属强化的重要方法之一。 20.凝固和结晶：物质从液态到固态的转变过程称为凝固。材料的凝固分为两种类型:一种是形成晶体，我们称之为结晶；另一种是形成非晶体。 21.过冷和过冷度：实际结晶温度低于理论结晶温度的现象称为过冷。理论结晶温度T0与实际结晶温度T1之差称为过冷度。 22.非自发形核：结晶过程中，依靠液体中存在的固体杂质或容器壁形核，则称

材料工艺名词解释

名词解释 铝热焊：焊接时，预先把待焊两工件的端头固定在铸型内，然后把铝粉和氧化铁粉混合物（称铝热剂）放在坩埚内加热，使之发生还原放热反应，成为液态金属（铁）和熔渣(主要为Al2O3)，注入铸型。液态金属流入接头空隙，形成焊缝金属，熔渣则浮在表面上。 砂型铸造：在砂型中生成铸件的铸造方法，基本原料：铸造砂，型砂粘结剂，铸型由外砂型和型芯组合而成。为了提高铸件的表面质量，常在砂型和型芯表面刷一层涂料。涂料的主要成分是耐火度高、高温化学稳定性好的粉状材料和粘结剂。 注射成型：塑料在注塑机加热料筒中塑化后，由柱塞或往复螺杆注射到闭合模具的模腔中形成制品的塑料加工方法。此法能加工外形复杂、尺寸精确或带嵌件的制品，生产效率高。屈服强度：大于此极限的外力作用，将会使零件永久失效，没法恢复。这个压强叫做屈服强度。 退火：将金属构件加热到高于或低于临界点，保持一定时间，随后缓慢冷却，从而获得接近平衡状态的组织与性能的金属热处理工艺。 回火：将淬火后的钢，在AC1以下加热、保温后冷却下来的热处理工艺。 Q195：是一种碳素结构钢。屈服强度195MPA。 45：优质碳素结构钢，平均含碳量为0.45% 9CrSi：含碳量为0.9%，铬、硅含量均小于15%的合金工具钢 胶合板：是由木段旋切成单板或由木方刨切成薄木，再用胶粘剂胶合而成的三层或多层的板状材料，通常用奇数层单板，并使相邻层单板的纤维方向互相垂直胶合而成。 纤维板：采用木材加工的废料或植物纤维做原料，经过破碎、浸泡、制浆、成型、干燥和热压等工序制成的一种人造板材。 熔模铸造又称失腊法。通常是指在易熔材料制成模样，在模样表面包覆若干层耐火材料制成型壳，再将模样熔化排出型壳，从而获得无分型面的铸型，经高温焙烧后即可填砂浇注的铸造方案。 压力铸造：实质是在高压作用下，使液态或半液态金属以较高的速度充填压铸型(压铸模具)型腔，并在压力下成型和凝固而获得铸件的方法。 金属型铸造：又称硬模铸造，它是将液体金属浇入金属铸型，以获得铸件的一种铸造方法。特点：铸型一般由金属制成，铸件重量和形状都会有所限制。 点焊：是焊件在接头处接触面的个别点上被焊接起来。点焊要求金属要有较好的塑性。碳化焰：在燃烧过程中，可燃气体乙炔过量，火焰中有黑烟。游离的碳会渗入到熔池，增加焊孔的含碳量。如果有过多的氢气进入熔池会产生气孔裂纹。 中性焰：在燃烧过程中，氧量的供给量恰好等于气体完全燃烧的需氧量，燃料后的产物中既没有多余的氧气也没有因缺氧而生成的一氧化碳等还原性气体的火焰。 脱模斜度：也就是拔模斜度，是为了方便出模而在模膛两侧设计的斜度。脱模斜度的取向要根据塑件的内外型尺寸而定。 加强筋：在结构设计过程中，可能出现结构体悬出面过大，或跨度过大的情况，在这样的情况下，结构件本身的连接面能承受的负荷有限，则在两结合体的公共垂直面上增加一块加强板，俗称加强肋（在工程上念JIN筋），以增加结合面的强度。 榫结合：材料设计成互相扣紧的凹凸，不需要钉子胶水等连接，只需敲打。 胶结合：是木制品常用的一种结合行式，主要用于实木板的拼接及榫头和榫孔的胶合，其特点是制作简便、结构牢固、外形美观，产品形式不受手工工艺的局限。

工程材料名词解释答案

习题集名词解释 1.30. 奥氏体：碳在γ-Fe中的间隙固溶体称为奥氏体。 2.52. 奥氏体化：将钢加热到临界温度以上使组织完全转变为 奥氏体的过程。 3. B 2.布氏硬度：是压入法硬度试验之一，所施加的载荷与压 痕表面积的比值即为布氏硬度值。 4. B 3 5.变质处理：变质处理又称孕育处理，是一种有意向液 态金属中加入非自发形核物质从而细化晶粒的方法。 5. B 43.变形织构：由于塑性变形的结果而使晶粒具有择优取 向的组织叫做“变形织构”。 6. B 53.本质晶粒度：在规定条件下（930±10℃，保温3～8h） 奥氏体的晶粒度称为奥氏体本质晶粒度，用以评定刚的奥氏体晶粒长大倾向。 7. C 1.冲击韧性：材料抵抗冲击载荷而不破坏的能力称为冲击 韧性，以在冲击力作用下材料破坏时单位面积所吸收的能量ak表示。 8. C 54.残余奥氏体：多数钢的Mf点在室温以下，因此冷却到 室温时仍会保留相当数量未转变的奥氏体，称之为残余（留）奥氏体，常用′或A′来表示。 9. C 57.淬火：所谓淬火就是将钢件加热到Ac3（对亚共析钢） 或Ac1（对共析和过共析钢）以上30～50℃，保温一定时间后快速冷却（一般为油 10.冷或水冷）以获得马氏体（或下贝氏体）组织的一种工艺操 作。 11.C 59.淬透性：指钢在淬火时获得淬硬层（也称淬透层）深 度的能力。 12.C 60.淬硬性：淬硬性是指钢淬火后所能达到的最高硬度， 即硬化能力。它主要取决于马氏体的硬度和马氏体、碳化物和残余奥氏的相对量及其组织形态。马氏体的硬度取决于马氏体的含碳量。 13.D 58.等温淬火：将加热的工件放入温度稍高于Ms点的硝盐 浴或碱浴中，保温足够长的时间使其完成贝氏体转变，获得下贝氏体组织。 14.E 70二次硬化：含W、Mo和V等元素的钢在回火加热时由 于析出细小弥散分布的碳化物以及回火冷却时残余奥氏体 转变为马氏体，使钢的硬度不仅不降低，反而升高的现象。 15.E 33.二次渗碳体：从奥氏体中析出的渗碳体，称为二次渗碳 体。二次渗碳体通常沿着奥氏体晶界呈网状分布。 16.F 22.非自发形核：结晶过程中，依靠液体中存在的固体杂质 或容器壁形核，则称为非自发形核，又称非均匀形核。17.G 26.杠杆定律：即合金在某温度下两平衡相的重量比等于 该温度下与各自相区距离较远的成分线段之比。在杠杆定律中，杠杆的支点是合金的成分，杠杆的两个端点是所求的两平衡相（或两组织组成物）的成分。这种定量关系与力学中的杠杆定律完全相似，因此也称之为杠杆定律。 18.G 28.共晶转变：在恒温下一定成分的液体同时结晶出两种 成分和结构都不相同的固相的转变过程。 19.G 82.固溶处理：经加热保温获得单一固溶体，再经快速冷

材料制备工艺与设备_名词解释

谢建军材料制备工艺与设备 名词解释（未收录各种成型工艺的定义） 材料工艺：材料的生产工艺就是把天然原料（包括人造原料）经过物理和化学变化而变成工程上有用的原材料的工艺技术。（将任何一种材料从原料到成品的整个过程称为材料工艺过程） 材料工艺过程：任何一种材料从原料→成品的整个过程。 材料设备？ 材料：人类赖以生存的物质基础。人类社会生产力水平的标志。 材料工艺任务：通过改变和控制材料的外部形态和内部结构把材料加工成人类社会所需的各种部件和成品。 材料的加工性能：即材料被加工的能力。 单晶材料液相法：直接从气体凝固或利用气相化学反应制备单晶体的方法 单晶材料固相法：在固态条件下，使异常晶粒不断长大吞并其他小晶粒而得到单晶的方法。 材料工艺性能：是指材料适应工艺而获得规定性能和外形的能力。 工艺性能的表征方法——相关法：将材料的工艺性能与一些简单的物理、化学、力学参量联系起来。 热工：就是指关于热（加热、保温和降温制度）的工程技术。 无机非金属材料：是以某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、卤素化合物、硼化物以及硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、硼酸盐等物质组成的材料。 材料科学：就是研究有关材料的组成、结构与工艺流程对于材料性能与用途的影响。 水泥磨：水泥磨是指在水泥熟料中添加石膏（调节水泥的硬化时间和硬化强度）、混合料（火山灰、粉煤灰等）后进行混合均匀的简单球磨过程。 喷火口：是挡火墙与燃烧室上部窑墙之间的空间。 陶瓷（广义）：用陶瓷生产方法制造的的无机非金属固体材料和产品的通称。 陶瓷（狭义）：以粘土、长石、石英为主要原料，经过粉碎、混炼、成型、煅烧等工艺过程制得的产品。 普通（传统）陶瓷：以粘土及其他天然矿物（长石、石英等）为原料经粉碎、混合、成型、焙烧等工艺过程而制得的制品。

材料名词解释

1．刚度材料抵抗弹性变形的能力。 2．抗拉强度材料抵抗最大均匀塑性变形的能力。3．屈服强度材料抵抗微量塑性变形的能力；或材料在屈服（开始产生明显塑性变形）时的应力。 4．塑性断裂前材料产生塑性变形的能力。5．疲劳（疲劳断裂）工件在交变应力作用下，其工作应力往往低于屈服强度，所产生的脆性断裂现象。 6．硬度材料表面抵抗局部微量塑性变形的能力。 晶体结构 1．晶胞晶胞是能代表晶格中原子排列规律的最小几何单元。 2．晶格晶格是描述晶体中原子排列规律的空间格子。 3．致密度晶胞中原子体积与晶胞体积的比值。4．多晶体多晶体是由许多晶格方位彼此不同的小晶体（晶粒）组成的晶体。5．晶体各向异性晶体中不同晶面或晶向上的原子密度不同，从而造成晶体不同方向上的性能不同的现象。 合金 1．．同素异构转变固态金属的晶格结构随温度改变而改变的现象。 2．过冷度理论结晶温度与实际结晶温度之差。3．相在合金中，具有同一化学成分、同一晶体结构，且有界面与其它部分分开的均匀组成部分。 4．固溶体溶质原子溶入溶剂晶格中所形成的固相。 5．间隙固溶体溶质原子溶入溶剂晶格的间隙中形成的固溶体。 6．置换固溶体溶质原子代替溶剂晶格结点上的某些原子所形成的固溶体。 7．间隙相D非/D金小于0.59，具有简单晶格的金属化合物。 8．晶内偏析（枝晶偏析）固溶体合金冷速较快时，形成在一个晶粒内化学成分不均匀的现象。9．相图（平衡图）相图是表示不同成分的合金在不同温度下各相之间平衡存在的关系图解。 10．固溶强化通过溶入溶质元素形成固溶体，从而使材料的强度、硬度提高的现象，称为固溶强化。 11．细晶强化金属的晶粒愈细小，其强度、硬度愈高，这种现象称为细晶强化。塑性变形 1．滑移在切应力作用下，晶体中的一部分沿着一定晶面、晶向相对于另一部分的滑动。 2．滑移系晶体中的一个滑移面及其上的一个滑移方向构成一个滑移系。3．加工硬化金属经冷塑性变形后，强度、硬度升高，塑性、韧性降低的现象。4．再结晶冷变形金属加热到再结晶温度以上，通过形核长大，使畸变晶粒变成 无畸变等轴晶粒的过程 5．形变织构金属 经大量塑性变形后，由于晶体转 动造成各个晶粒中的某些位向 大致趋向一致的现象。 6．热加工纤维组织金属 中的夹杂物及枝晶偏析经塑性 变形后沿变形方向分布，呈纤维 状，这种组织称纤维组织 7．热（压力）加工金属 在再结晶温度以上进行的压力 加工。 8．冷（压力）加工金属 在再结晶温度以下进行的压力 加工。 铁碳相图 1．铁素体碳溶 于α铁中形成的间隙固容体 2．渗碳体具有 复杂晶格的间隙化合物。 3．奥氏体碳溶 于γ－Ｆｅ中的间隙固溶体。 4．珠光体由铁 素体与渗碳体两相组成的片层 状机械混合物。 5．高温莱氏体由奥 氏体与渗碳体两相组成的机械 混合物。 6．热脆性钢中 FeS与Fe 形成的低熔点共晶体 （在Ａ晶界上）在锻压时熔化而 导致钢材沿晶界开裂的现象。 7．冷脆性磷溶 入铁素体中,产生固溶强化的同 时急剧降低钢室温下的韧性和 塑性的现象. 9．碳钢含碳量 小于2.11%,并且含少量硅,锰,磷, 硫等杂质元素的铁碳合金. 热处理 1．奥氏体的实际晶粒度在 具体加热条件下（温度、时间） 奥氏体的晶粒大小。 2．过冷奥氏体当 奥氏体冷至临界点以下，尚未开 始转变的不稳定的奥氏体。 3．残余奥氏体过 冷奥氏体向马氏体转变时，冷至 室温或Mf点，尚未转变的奥氏 体。 4．索氏体是 过冷奥氏体在A1 ~ 650℃之间 形成的，由铁素体与渗碳体两相 组成的细片状机械混合物。 5．屈氏体是 过冷奥氏体在650~600℃之间 形成的，由铁素体与渗碳体两相 组成的极细片状机械混合物。 6．马氏体由 过冷奥氏体在Ms~Mf 间形成 的，碳在α－Ｆｅ中的过饱和固 溶体。 7．退火将 钢加热至适当温度、保温后，缓 慢冷至室温，以获得接近平衡状 态组织的热处理工艺。 8．正火将 钢加热至Ac3或Accm以上， 保温后空冷的热处理工艺。 9．淬火将 钢加热至Ac3或Ac1以上,保温 后以>Vk的速度快冷，使过冷 Ａ转变成Ｍ的热处理工艺。 10．回火将 淬火钢加热至A1以下某一温 度，保温后一般空冷至室温的热 处理工艺。 11．回火马氏体淬 火马氏体经低温回火形成的，由 已分解的马氏体与分布其上的 细小片状ε碳化物组成的混合 物。 12．回火屈氏体由 马氏体经中温回火得到的铁素 体与极细粒状碳化物组成的两 相混合物。 13．回火索氏体由 马氏体经高温回火得到的铁素 体与细粒状碳化物组成的两相 混合物。 14．调质处理淬 火＋高温回火工艺的总称。 15．冷处理淬 火钢冷至室温后继续冷却至 -70~-80℃或更低的温度,使更多 的奥氏体转变成马氏体的热处 理工艺. 16．时效硬化经 固溶处理（淬火）的合金在室温 停留或低温加热时，随时间延长 强度、硬度升高的现象。 17．钢的淬透性在 规定条件下，钢在淬火时获得淬 硬层（或称淬透层）深度的能力。 18．钢的淬硬性钢 在淬火后（马氏体组织）所能达 到的最高硬度。 19．临界（淬火）冷却速度临 界淬火速度（临界冷却速度）获 得全部马氏体组织的最小冷却 速度。 20．表面淬火仅 将钢件表层快速加热至奥氏体 化，然后迅速冷却，不改变心部 组织的淬火方法。 21．渗碳向 低碳钢表面渗入碳原子，增加其 表层含碳量的化学热处理工艺。 1．合金钢为 了改善钢的某些性能，在炼钢 时，有意加入合金元素所炼制的 钢叫合金钢。 2．第二类回火脆性对 含有锰、铬、镍等元素的合金调 质钢，淬火后在450~650℃回火, 保温后缓冷时钢的韧性下降的 现象. 3．回火稳定性（回火抗力）淬 火钢在回火过程中抵抗硬度下 降的能力，或称抗回火软化的能 力。 4．二次硬化含 有强碳化物形成元素的高合金 钢，淬火后较高温度回火，由于 析出弥散的特殊碳化物使其硬 度升高的现象。 5．固溶处理将 合金加热至高温单相区恒温保 持，使过剩相充分溶解到固溶体 中后快速冷却，以得到过饱和固 溶体的工艺。 铸铁 1．铸铁的孕育处理浇 注前往铁水中加入孕育剂，促进 石墨化，细化石墨，以提高铸铁 的机械性能。 2．可锻铸铁白 口铸铁通过石墨化（可锻化）退 火，使渗碳体分解成团絮状石 墨，而获得的铸铁。

材料成型及机械制造工艺基础简答题[1]

1、什么叫刀具的前角？什么叫刀具的后角？简述前角、后角的改变对切削加工的影响。答：前角是刀具前面与基面间的夹角，在正交平面中测量； 后角是刀具后面于切削平面间的夹角，在正交平面中测量。 前角大，刀具锋利，这时切削层的塑性变形和摩擦阻力减小，切削力和切削热降低； 但前角过大会使切削刃强度减弱，散热条件变差，刀具寿命下降，甚至会造成崩刀。增大后角，有利于提高刀具耐用度，但后角过大，也会减弱切削刃强度，并使散热条件变差。 2、试述常用的手工造型有哪些？ 答：整模造型，分模造型，挖砂造型，活块造型，刮板造型，三箱造型。 3、切削热是怎样产生？它对切削加工有何影响 答：在切削过程中，切削层金属的变形及刀具的前面与切屑、后面与工件之间的摩擦所消 耗的功，绝大部分转变成切削热。切削热由切屑、刀具、工件及周围介质传出，其中传入切屑和周围介质的热量对加工无直接影响。传入刀具的热量是切削区的温度升高，刀具的温度升高，磨损加剧，会影响刀具的使用寿命。切削热传入工件，工件温度升高，产生热变形，将影响加工精度。 4 工件在锻造前为什么要加热？什么是金属的始锻温度和终锻温度？若过高和过低将对锻件产生什么影响？ 答：金属坯料锻造前，为了提高其塑性，降低变形抗力，使金属在较小的外力作用之下产生较大的变形，必须对金属坯料进行加热。金属在锻造时，允许加热到的最高温度称为始锻温度，始锻温度过高会使坯料产生过热、过烧、氧化、脱碳等缺陷，造成废品；金属停止锻 造的温度叫做终锻温度，终锻温度过低，塑性下降，变形抗力增大，当降到一定温度的时候，不仅变形困难，而且容易开裂，必须停止锻造，重新加热后再锻。 5、常见的电弧焊接缺陷有哪些？产生的主要原因是什么？

设计材料工艺学名词解释 大题

一、名词解释 1、比强度材料的抗拉强度与材料比重之比叫做比强度。比强度的法定单位为牛/特（N/tex） 2、韧度物体抗磨损、抗拉伸、抗压入等的能力，也可叫做抗破裂的能力。所谓韧度高，即表示物体难于破裂。这是一个物理指标。 3、低熔点合金是指熔点低于232℃(锡的熔点)的易熔合金；通常由铋、镉、铅、锡等低熔点金属元素组成。 4、原木原木是原条长向按尺寸、形状、质量的标准规定或特殊规定截成一定长度的木段，这个木段称为原木。 5、颜料着色法（复合材料） 1、橡胶提取橡胶树、橡胶草等植物的胶乳，加工后制成的具有弹性、绝缘性、不透水和空气的材料。 2、合成木材又称仿木材塑料。可用以代替木材的硬质低发泡塑料。一般用价格较低的烯类树脂如聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯等通过低发泡的特殊加工，提高刚性制得。 3、湿敏陶瓷电阻随环境湿度而变化的一类功能陶瓷。 4、熔模铸造在由易熔材料制成的模样上涂敷耐火材料形成型壳，熔出模样，注入液态金属冷却后，获得铸件的方法。 5、纳米材料纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1-100nm)或由它们作为基本单元构成的材料，这大约相当于10~100个原子紧密排列在一起的尺度。 1、各向异性材料在各方向的力学和物理性能呈现差异的特性。 2、钢材Q235-B Q235B是普通碳素结构钢。Q就是“屈”的字母。235表示屈服强度为235N/mm2。B是钢材的等级 3、感光玻璃在适当波长光的辐照下改变其颜色，而移去光源时则恢复其原来颜色的玻璃。 4、上釉在烧制陶、瓷器时首先应该烧制毛胚烧好后拿出来上釉然后再烧 5、镀层被覆镀(如电镀)在金属底子上面的极薄的通常为贵金属的表层 1、ABS 丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物 2、化妆土装饰把较细的陶土或瓷土，用水调和成泥浆涂在陶胎或瓷胎上，器物表面就留有一层薄薄的色浆。颜色有白、红和灰等 3、非氧化物陶瓷氮化物、碳化物、硼化物等工程陶瓷用。多用于制造发动机部件、汽车部件、电视机、吹风机、火灾警报器、高温挤型模具等 4、生态环境材料生态环境材料是指那些具有良好的使用性能和优良的环境协调性的材料。良好的环境协调性是指资源、能源消耗少，环境污染小，再生循环利用率高

工艺名词解释(1)

工艺名词解释 1、水化：一种物质从无水状态变成含水状态的过程称为水化。 2、石灰饱和系数：指熟料中全部氧化硅生成硅酸钙所需的氧化钙含量与全部氧化硅生成硅酸三钙所需氧化钙最大含量的比值。以KH表示。也表示熟料中氧化硅被氧化钙饱和形成硅酸三钙的程度。 3、固相反应：各物料间凡是以固相形式进行的反应称为固相反应。 4、粘散料：物料不易烧结，在烧成带料子发粘，冷却时料发散，产生很多砂子状的细粉，这种熟料称为粘散料，又称为飞砂料。 5、烧成过程：水泥生料在煅烧过程中经过一系列的原料脱水、分解、各氧化物固相反应，通过液相C2S和CaO反应生成C3S，温度降低，液相凝固形成熟料，此过程为烧成过程。 6、阿利特：是硅酸盐水泥熟料中的主要矿物，是硅酸三钙中含有少量的其它氧化物的固溶体。 7、f-CaO: 在熟料中没有被吸收的以游离状态存在的氧化钙称为游离氧化钙，记作f-CaO。 8、完全燃烧：燃料燃烧时其中的可燃物质完全氧化生成CO2、水蒸气、SO2等称为完全燃烧。 9、白火焰：回转窑内燃料从着火燃烧至燃烧基本结束的一段流股为燃料与空气中氧气激烈化合的阶段，此时产生强列的光和热辐射，形成一定长度白色发亮的高温火焰称为白火焰。 10、熟料的单位热耗：指生产每千克熟料消耗的热量。 11、烧流：当烧成温度高时，液相粘度很小，像水一样流动，这种现象在操作上称为烧流。 12、荷重软化点：指耐火材料在高温下对压力的抵抗性能。 13、硅酸率：表示水泥熟料中氧化硅含量与氧化铝、氧化铁之和的质量比，

也表示熟料中硅酸盐矿物与熔剂矿物的比例。通常用字母n或SM表示，其计算式如下： SiO2 SM（n）= Al2O3+Fe2O3 14、生料制备过程：石灰质原料、粘土质原料与少量校正原料经破碎后，按一比例配合，磨细，并调配为成分合适、质量均匀的生料，此过程称为生料制备过程。 15、回转窑的筒体：是回转窑的躯干，用钢板事先做成一段段的圆筒，然后把各段铆接或焊接而成。筒体外面套有几道轮带，座落在相对应的托轮上，为使物料能由窑尾逐渐向窑前运动，因此筒体一般有3%-5%的斜度，向前倾斜，为了保护筒体，内砌有100-230mm厚的耐火材料。 16、支承装置：是回转窑的重要组成部分。它承受着窑的全部质量，对窑体还起定位作用，使其能安全平稳进行运转，支承装置由轮带、托轮、轴承和挡轮组成。 17、窑外分解窑：亦称为预分解窑，是一种能显著提高水泥回转窑产量的煅烧工艺设备，其主要特点是把大量吸热的碳酸钙分解反应从窑内传热速率较低的区域移到悬浮器与窑之间的特殊煅烧炉（分解炉）中进行。18、普通硅酸盐水泥：凡由硅酸盐水泥熟料，6%-15%混合材料和适量石膏磨细制成的水硬性胶凝材料称为普通硅酸盐水泥。 19、最低共熔温度：物料在加热过程中，两种或两种以上组分开始出现液相的温度称为最低共熔温度。 20、实用易烧性：所谓“实用易烧性”是指在1350℃恒温下，在回转窑内煅烧生料达到CaO≤2%所需的时间。 21、硅酸盐水泥：凡由硅酸盐水泥熟料、0-5%石灰石或粒化高炉矿渣、适量石膏磨细制成的水硬性胶胶凝材料，称为硅酸盐水泥。

IC封装制程

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

材料工程基础名词解释

金属充型能力：液态金属充填铸型型腔，获得形状完整、轮廓清晰铸件的能力称为金属充型能力。 顺序凝固：为了避免铸件产生缩孔、缩松缺陷；所谓顺序凝固是指通过在铸件上可能出现缩孔的厚大部位安装冒口等工艺措施，使铸件上远离冒口的部位先凝固，然后是靠近冒口的部位凝固，最后是冒口本身凝固。按照这样的凝固方式，先凝固区域的收缩由后凝固部位的金属液来补充，后凝固部位的收缩由冒口中的金属液来补充，从而使铸件各个部位的收缩都能得到补充，而将缩孔移至冒口中。冒口为铸件上多余的部分，在铸件清理时将其去除。为了实现顺序凝固，在安放冒口的同时，还可以在铸件某些厚大部位放置冷铁，以加大局部区域的凝固速度。 砂型铸造：指用型砂制备铸型来生产铸件的铸造方法。生产过程包括技术准备、生产准备和工艺过程三个环节。 压力加工：指在不破坏金属自身完整性的条件下，利用外力作用使金属产生塑形变形，从而获得有一定形状、尺寸和机械性能的毛坯或零件的加工方法。由于这种加工方法主要依靠金属具有的塑形变形能力对金属进行加工，故又称塑形加工。 锻造：将固态金属加热到再结晶温度以上，在压力作用下产生塑形变形，把坯料的某一部分体积转移到另一部分，从而获得一定形状、尺寸和内部质量的铸件的工艺方法。 热处理：将金属工件以一定的速度加热到预定的温度并保持预定的时间，再以预定的冷却速度进行冷却的综合工艺方法。在对金属进行热处理的过程中，金属工件的形状没有发生变化，但在加热和冷却的过程中，其内部组织或相发生了变化，因此，相应的性能也发生了变化。固态相变：固态材料在温度压力改变时，其内部组织或结构发生从一种相态到另一种相态的转变，导致合金特性发生变化，称之为固态相变。 退火：将钢加热到一定温度进行保温，缓慢冷却到600℃以下，再空冷至室温的热处理工艺称为退火。 正火：将钢加热到临界点温度并保温，出炉空冷至室温的热处理工艺称为正火。 淬火：吧钢件加热到临界点以上，经保温后快速冷却，使奥氏体转变称为马氏体的热处理工艺。 回火：把淬火冷却后的钢件，重新加热到临界点以下某一温度，经保温后空冷至室温的热处理工艺。 马氏体：碳融于α铁所形成的一种过饱和间隙固溶体。 奥氏体：铁溶于γ铁所形成的间隙固溶体。 钢的化学热处理：指将工件放在一定的化学介质中，经加热保温，使介质中分解出的一种或几种元素的活性原子被钢件表面吸收并向表层扩散，从而改变表层化学成分、组织和性能的一种热处理工艺方法。 渗碳：把钢件置于渗碳介质中加热、保温，使活性炭原子渗入工件表层的过程。 渗氮：向钢件表面渗入活性氮原子，在钢件表面获得一定深度的富氮硬化层的化学热处理工艺称为渗氮。 钢的形变热处理：将变形和热处理强化结合起来的形变热处理工艺称为形变热处理。 固溶与时效处理：是通过热处理过程在一个塑形较好的金属固溶体基体中形成弥散分布的细小沉淀颗粒。沉淀颗粒可以阻碍位错的运动，从而使合金得到强化。 焊接：指通过加热、加压等方法，依靠金属原子间的结合力或扩散作用，使相互分离的金属工件永久性牢固连接的一种工艺方法。 金属可焊性：指被焊金属材料在采用一定的工艺方法、工艺材料、工艺参数及一定结构形式的条件下，获得优质焊接接头的难易程度。

工程材料名词解释

工程材料名词解释 Revised as of 23 November 2020

工程材料名词解释 1.片状珠光体：渗碳体为片状的珠光体 2.球状珠光体：在铁素体上分布着颗粒状渗碳体组织? 3.渗碳：是指将钢件置于渗碳介质中加热并保温目的：是提高钢件表层的含 碳量。 4.氮化：在一定温度下，使活性氮原子渗入工件表面的化学热处理工艺称为 渗氮。目的：是提高零件表面的硬度、耐磨性、耐蚀性及疲劳强度。 5.过冷奥氏体：冷却到A1线以下而又尚未转变的奥氏体 6.残余奥氏体：马氏体转变不能完全进行到底，冷却到MS线以下转变停止时 仍未能转变的奥氏体。 7.钢的化学热处理：钢放在一定的化学介质中，使其表面与介质相互作用， 吸收其中某些化学元素的原子（或离子）并通过加热，使该原子自表面向内部扩散的过程称钢的化学热处理? 8.淬透性：在规定条件下，钢在淬火冷却时获得马氏体组织深度的能力。 9.淬硬性：钢在理想的淬火条件下，获得马氏体后所能达到的最高硬度。 10.奥氏体稳定化：奥氏体的稳定化是指奥氏体的内部结构在外界因素作用下 发生某种变化而使奥氏体向马氏体的转变呈迟滞现象。 11.片状马氏体：铁基合金中的一种典型的马氏体组织，常见于淬火高，中碳 钢及高Ni的Fe-Ni合金中，其空间形态呈凸透镜片状，也称为透镜片状马氏体。 12.板条马氏体：低碳钢，中碳钢。马氏体时效钢和不锈钢等合金中形成的一 种典型的马氏体组织，其光学显微组织是有成群的板条组成故称为板条马

氏体? 13.正火:将钢材或钢件加热到Ac3（或Accm）以上适当温度，保温适当时间后 在空气中冷却，得到珠光体类组织的热处理工艺； 14.正火目的：改善钢的切削加工性能；细化晶粒，消除热加工缺陷；消除过 共析钢的网状碳化物，便于球化退火；提高普通结构零件的机械性能。15.退火:将组织偏离平衡状态的金属或合金加热到适当的温度，保持一定的时 间，然后缓慢冷却以达到接近平衡状态组织的热处理工艺。工艺有：扩散退火、完全退火、不完全退火、球化退火、再结晶退火和消除应力退火。 16.退火目的：均匀钢的化学成分及组织；细化晶粒；调整硬度，改善钢的成 形及切削加工性能；消除内应力和加工硬化；为淬火做好组织准备3淬火目的：大幅度提高钢的强度与硬度。 17.淬火:状态的马氏体或下贝氏体组织的热处理工艺方法称为淬火。 18.淬火目的：大幅度提高钢的强度与硬度。 19.回火：淬火的钢在A1以下温度加热使其转变为稳定的回火组织，并以适当 的方式冷却的工艺过程。 20.淬火钢回火的目的：得到所需要的组织与性能通过适当回火可改变淬火组 织，调整和改善钢的性能。稳定工件尺寸回火使不稳定的淬火组织转变为稳定组织。消除或减少淬火内应力。 21. 22.晶体：构成原子或离子、分子在三维空间呈现出周期性规则堆积排列的固 体称为晶体； 23.非晶体：呈现无规则排列的固体为非晶体。

材料制备工艺与设备名词解释.doc

学习必备欢迎下载 谢建军材料制备工艺与设备 名词解释（未收录各种成型工艺的定义） 材料工艺：材料的生产工艺就是把天然原料（包括人造原料）经过物理和化学变化而变成工程 上有用的原材料的工艺技术。（将任何一种材料从原料到成品的整个过程称为材料工艺过程） 材料工艺过程：任何一种材料从原料→成品的整个过程。 材料设备？ 材料：人类赖以生存的物质基础。人类社会生产力水平的标志。 材料工艺任务：通过改变和控制材料的外部形态和内部结构把材料加工成人类社会所需的 各种部件和成品。 材料的加工性能：即材料被加工的能力。 单晶材料液相法：直接从气体凝固或利用气相化学反应制备单晶体的方法 单晶材料固相法：在固态条件下，使异常晶粒不断长大吞并其他小晶粒而得到单晶的方法。 材料工艺性能：是指材料适应工艺而获得规定性能和外形的能力。 工艺性能的表征方法——相关法：将材料的工艺性能与一些简单的物理、化学、力学参量联系起来。 热工：就是指关于热（加热、保温和降温制度）的工程技术。 无机非金属材料：是以某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、卤素化合物、硼化物以及硅酸 盐、铝酸盐、磷酸盐、硼酸盐等物质组成的材料。 材料科学：就是研究有关材料的组成、结构与工艺流程对于材料性能与用途的影响。 水泥磨：水泥磨是指在水泥熟料中添加石膏（调节水泥的硬化时间和硬化强度）、混合料（火山灰、粉煤灰等）后进行混合均匀的简单球磨过程。 喷火口：是挡火墙与燃烧室上部窑墙之间的空间。 陶瓷（广义）：用陶瓷生产方法制造的的无机非金属固体材料和产品的通称。 陶瓷（狭义）：以粘土、长石、石英为主要原料，经过粉碎、混炼、成型、煅烧等工艺过 程制得的产品。 普通（传统）陶瓷：以粘土及其他天然矿物（长石、石英等）为原料经粉碎、混合、成型、 焙烧等工艺过程而制得的制品。

工程材料名词解释

1.刚性：抵抗弹性变形的能力指标。 2.同素异构转变：金属在固态下发生晶格形式的转变称为同素异构转变. 3.模锻: 是使金属坯料在冲击力或压力作用下，在锻模模膛内变形，从而获得锻件的工艺方法。 4.缩孔和缩松: 铸件凝固结束后常常在某些部位出现孔洞，大而集中的孔洞称为缩孔，细小而分散的孔洞称为缩松。 5、分型面: 两半铸型相互接触的表面 6.硬度：材料软硬程度。 7.加工硬化：大量位错互相缠结，在晶界处塞积，使位错运动困难，阻碍塑 性变形。再要继续变形，就要更大的外力作用，这种现象称加工硬化（形变强化）。 8 .固溶体：以合金的某一组元为溶剂，在其晶体点阵中溶入其它组元原子（溶质）所组成的异类原子混合的结晶相，结构保持溶剂元素的点阵类型，其实质是固态溶液。 9.枝晶偏析：实际在生产条件下，由于结晶过程很快，原子扩散不可能充分进行，达不到平衡状态，也就是说原子扩散尚未进行就又继续冷却下来，偏离平衡的结晶条件，造成各相内成分不均匀，这种偏离平衡条件的结晶，称为不平衡结晶。 10.钎焊是利用熔点比焊件低的钎料作为填充金属，加热时钎料熔化而将焊件连结起来的焊接方法。 11.第二相强化或弥散强化化合物即第二相，化合物呈细小颗粒弥散分布在基体相中，会使合金产生显著的强化作用，称第二相强化或弥散强化。 12.残余应力:金属材料经塑性变形后残留在内部的应力称为残余应力。 13、固溶体 异类元素（溶质）的原子溶解在固体金属（溶剂）中所形成的新相叫做固溶体。 14、起始晶粒度： A形成刚结束，其晶粒边界刚刚相互接触时的晶粒大小。与A长大倾向性有

关，还与化学成分有关。 15、细晶强化 通过增加过冷度和变质处理细化晶粒，使强度、硬度和塑性、韧性得到提高。 16、分模面 铸模上模与下模的分界面 17,疲劳强度：金属材料在重复或交变应力作用下，于规定的应力循环次数N内不发生断裂时的最大应力，称为疲劳强度。 18、胎模锻是在自由锻设备上使用胎模生产模锻件的工艺方法。 19、塑性变形：外力去处后，不能恢复的变形，即残余变形称塑性变形. 20、疲劳强度：材料抵抗无限次应力(107)循环也不疲劳断裂的强度指标，交变负荷σ-1＜σs为设计标准。 21、加工硬化 大量位错互相缠结，在晶界处塞积，使位错运动困难，阻碍塑性变形。再要继续变形，就要更大的外力作用，这种现象称加工硬化（形变强化）。 22.蠕变 金属在高温长时间应力作用下，即使所加应力小于该温度下的屈服强度，也会逐级产生明显的塑性变形直至断裂。 23.本质细晶粒钢 奥氏体在加热时，晶粒长大倾向小的钢，称为本质细晶粒钢。 24.淬硬性 钢在理想条件下进行淬火硬化所能达到的最高硬度的能力称为淬硬性。 25、共晶相图 由两个组元在液态下无限互溶，固态下有限互溶，并发生共晶反应的合金系所构成相图。 26、热硬性（红硬性） 工具在高温度下保持高硬度的能力。

IC 封装制程简介-1

半导体的产品很多，应用的场合非常广泛，图一是常见的几种半导体组件外型。半导体组件一般是以接脚形式或外型来划分类别，图一中不同类别的英文缩写名称原文为 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 虽然半导体组件的外型种类很多，在电路板上常用的组装方式有二种，一种是插入电路板的焊孔或脚座，如PDIP、PGA，另一种是贴附在电路板表面的焊垫上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 从半导体组件的外观，只看到从包覆的胶体或陶瓷中伸出的接脚，而半导体组件真正的的核心，是包覆在胶体或陶瓷内一片非常小的芯片，透过伸出的接脚与外部做信息传输。图二是一片EPROM组件，从上方的玻璃窗可看到内部的芯片，图三是以显微镜将内部的芯片放大，可以看到芯片以多条焊线连接四周的接脚，这些接脚向外延伸并穿出胶体，成为芯片与外界通讯的道路。请注意图三中有一条焊线从中断裂，那是使用不当引发过电流而烧毁，致使芯片失去功能，这也是一般芯片遭到损毁而失效的原因之一。 图四是常见的LED，也就是发光二极管，其内部也是一颗芯片，图五是以显微镜正视LED的顶端，可从透明的胶体中隐约的看到一片方型的芯片及一条金色的焊线，若以LED二支接脚的极性来做分别，芯片是贴附在负极的脚上，经由焊线连接正极的脚。当LED通过正向电流时，芯片会发光而使LED发亮，如图六所示。 半导体组件的制作分成两段的制造程序，前一段是先制造组件的核心─芯片，称为晶圆制造；后一段是将晶中片加以封装成最后产品，称为IC封装制程，又可细分成晶圆切割、黏晶、焊线、封胶、印字、剪切成型等加工步骤，在本章节中将简介这两段的制造程序。

中密度纤维板工艺参数名词解释

中密度纤维板工艺名词解释 1．含水率 有相对含水率和绝对含水率，通常工厂里讲的含水率多指相对含水率。计算公式及两者的换算关系如下：湿重－绝干重 相对含水率：W相＝———————×100％ 湿重 湿重－绝干重 绝对含水率：W绝＝———————×100％ 绝干重 W相 W绝 换算关系： W绝＝————×100％ W相＝————×100％ 1－W相 1＋W绝

2．施胶量 指绝干胶的重量比绝干纤维的重量，对液体胶计算施胶量公式为： 液体胶容积×比重×浓度 施胶量＝————————————×100％ 绝干纤维重 我们平常所指的施胶量为10％，即指100Kg绝干纤维施入10Kg重的绝干胶。 3．施蜡量 指固体石蜡重量比绝干纤维的重量，若使用熔化石蜡，则 用去容积×比重 施蜡量＝————————×100％ 绝干纤维重量 中纤板生产中石蜡作为防水剂，施加量为0.7～1.2％，已能满足成品板的吸水膨胀指标。4．干燥机的进、出口温度

4.1干燥机的进口温度指冷空气经散热器加热后进入干燥管道，与湿纤维接触前的热空气温度(干燥介质温度)，生产中该温度为：120℃～170℃，据纤维的产量和含水率，管道内的洁净程度，外界气温、湿度而变，该温度不得长时间超过170℃，否则若风管内有积料，会将该纤维烤焦后易引起风管内着火、燃烧。 4.2出口温度指湿纤维经干燥风管干燥后，用旋风分离器将纤维和空气分离出来，在旋风分离器排气管上安装测温度计，仪表显示该处的湿热空气温度，干燥介质的出口温度在生产中为：63℃～78℃。据纤维的产量，干燥后要求的纤维含水率，风管内的实际风量而变。在纤维产量，干燥风量不变的情况下，该出口温度恒定就表示干燥后的纤维的含水率恒定，温度升高就表示纤维含水率降低，温度降低表示纤维含水率变大。 5．预压机的线压力 指加压辊两个油缸产生的总压力除以预压机皮带宽度。单位以Kg/cm，本公司预压机的线压力设计为：200Kg/cm，实际生产时约调整到130～160Kg/cm，即能满足预压后板坯的强度和厚度，便于输送进压机。 6．热压机的总压力 指热压机的若干油缸在液压系统供的最高设计压力时，所产生的压力。以吨计，例如：对4’×8’热压机，4个ˉ400油缸，压机的总压力为：1300吨；6个ˉ360油缸，压机的总压力为：1550吨。 7．热压时的单位压力

IC封装制程简介

半导体的产品很多应用的场合非常广泛图一是常见的几种半导体组件外型半导体组件一般是以接脚形式或外型来划分类别图一中不同类别的英文缩写名称原文为 PDID Plastic Dual Inline Package SOP Small Outline Package SOJ Small Outline J-Lead Package PLCC Plastic Leaded Chip Carrier QFP Quad Flat Package PGA Pin Grid Array BGA Ball Grid Array 虽然半导体组件的外型种类很多在电路板上常用的组装方式有二种一种是插入电路板的焊孔或脚座如PDIP PGA另一种是贴附在电路板表面的焊垫上如SOP SOJ PLCC QFP BGA 从半导体组件的外观只看到从包覆的胶体或陶瓷中伸出的接脚而半导体组件真正的的核心是包覆在胶体或陶瓷内一片非常小的芯片透过伸出的接脚与外部做信息传输图二是一片EPROM组件从上方的玻璃窗可看到内部的芯片图三是以显微镜将内部的芯片放大可以看到芯片以多条焊线连接四周的接脚这些接脚向外延伸并穿出胶体成为芯片与外界通讯的道路请注意图三中有一条焊线从中断裂那是使用不当引发过电流而烧毁致使芯片失去功能这也是一般芯片遭到损毁而失效的原因之一 图四是常见的LED也就是发光二极管其内部也是一颗芯片图五是以显微镜正视LED的顶端可从透明的胶体中隐约的看到一片方型的芯片及一条金色的焊线若以LED二支接脚的极性来做分别芯片是贴附在负极的脚上经由焊线连接正极的脚当LED通过正向电流时芯片会发光而使LED发亮如图六所示 半导体组件的制作分成两段的制造程序前一段是先制造组件的核心─芯片称为晶圆制造后一段是将晶中片加以封装成最后产品称为IC封装制程又可细分成晶圆切割黏晶焊线封胶印字剪切成型等加工步骤在本章节中将简介这两段的制造程序

(完整word版)材料成型工艺基础复习题

一、名词解释 1、铸造：将液态金属浇注到与零件的形状相适应的铸型型腔中冷却后获得铸件的方法。 2、热应力：在凝固冷却过程中，不同部位由于不均衡的收缩而引起的应力。 3、收缩：铸件在液态、凝固态和固态的冷却过程中所发生的体积缩小的现象，合金的收缩 一般用体收缩率和线收缩率表示。 4、金属型铸造：用重力浇注将熔融金属注入金属铸型而获得铸件的方法。 5、流动性：熔融金属的流动能力，近于金属本身的化学成分、温度、杂质含量及物理性质 有关，是熔融金属本身固有的性质。 二、填空题 1、手工造型的主要特点是（适应性强）（设备简单）（生产准备时间短）和（成本低），在 （成批）和（大量）生产中采用机械造型。 2、常用的特种铸造方法有（熔模铸造）（金属型铸造）（压力铸造）（低压铸造）和（离心 铸造）。 3、铸件的凝固方式是按（凝固区域宽度大小）来划分的，有（逐层凝固）（中间凝固）和 （糊状凝固）三种凝固方式。纯金属和共晶成分的合金是按（逐层）方式凝固。 4、铸造合金在凝固过程中的收缩分三个阶段，其中（液态收缩和凝固收缩）是铸件产生缩 孔和缩松的根本原因，而（固态）收缩是铸件产生变形、裂纹的根本原因。 5、铸钢铸造性能差的原因主要是（熔点高，流动性差）和（收缩大）。 6、影响合金流动性的内因有（液态合金的化学成分），外因包括（液态合金的导热系数） 和（黏度和液态合金的温度）。 7、铸造生产的优点是（成形方便）（适应性强）和（成本低），缺点是（铸件力学性能较低） （铸件质量不够稳定）和（废品率高）。 三、是非题 1、铸造热应力最终的结论是薄壁或表层受拉。错 2、铸件的主要加工面和重要的工作面浇注时应朝上。错 3、冒口的作用是保证铸件的同时冷却。错 4、铸件上宽大的水平面浇注时应朝下。对 5、铸造生产特别适合于制造受力较大或受力复杂零件的毛坯。错 6、收缩较小的灰铸铁可以采用定向（顺序）凝固原则来减少或消除铸造内应力。错 7、相同的铸件在金属型铸造时，合金的浇注温度应比砂型浇注时低。错 8、压铸由于熔融金属是在高压下快速充型，合金的流动性很强。对 9、铸件的分型面应尽量使重要的加工面和加工基准面在同一砂箱内，以保证铸件精度。对 10、采用震击紧实法紧实砂型时，砂型下层的紧实度小于上层的紧实度。错 11、由于压力铸造具有质量好、效率高、效益好等优点，目前大量应用于黑色金属的 铸造。错 12、熔模铸造所得铸件的尺寸精度高，而表面光洁度较低。错 13、金属型铸造主要用于形状复杂的高熔点难切削加工合金铸件的生产。错 四、选择题 1、形状复杂的高熔点难切削合金精密铸件的铸造应采用（B） A 金属型铸造 B 熔模铸造 C 压力铸造 2、铸造时冒口的主要作用是（B） A 增加局部冷却速度 B 补偿热态金属，排气及集渣 C 提高流动性 3、下列易产生集中缩孔的合金成分是（C） A 0.77%C B 球墨铸铁 C 4.3%C