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意法半导体ST与伟创力Flextronics合作推出全球首款零空载功耗的充电器平台

意法半导体ST与伟创力Flextronics合作推出全球首款零空载功耗的充电器平台
意法半导体ST与伟创力Flextronics合作推出全球首款零空载功耗的充电器平台

意法半导体(ST)与伟创力(Flextronics)合作推出全球首款零空载功耗的充电器平台

意法半导体(ST)与伟创力(Flextronics)合作推出全球首款零空载功耗的充电器平台

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及功率转换芯片领导厂商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM),与致力于为各行业及终端市场提供电子产品设计、工程、制造与物流服务的智能手机和平板电脑电源适配器(adapter)领导厂商,极具创新力的供应链解决方案供应商伟创力(Flextronics),合作开发出一款基于意法半导体多模电源管理控制器的移动产品充电器平台。新平台采用业界最高效的电源管理架构,实现了零空载功耗(zero no-load power consumption)以及优异的动态负载调整(dynamic load regulation)两大设计目标,在充电技术应用领域取得重要突破。

2014年便携设备、手机、平板电脑和台式机销量估计超过24亿台*,假如这些产品在充电结束后未及时拔掉充电器,留在插座上的充电器可能会浪费300MW电能[1],每年浪费的电能将超过25亿度(kWh)。意法半导体和伟创力合作开发的解决方案可以彻底解决这种电能浪费问题,每年可节省至少2亿加仑的石油[2]。

该充电平台基于STCH01控制器,具有很高的功能集成度,是研制微型高功率密

度的智能手机和平板电脑电源适配器理想选择。意法半导体电源管理控制器采用一个创新的架构,能够最大限度降低转换器尺寸,减少外围元器件的需求量,进而降低设备厂商的产品制造成本。

伟创力电源业务部总裁Nate Vince表示:“能够与意法半导体合作开发这款革命性

的零空载功耗充电器平台,我们感到荣幸。伟创力致力于推动产品创新,为客户提供高品质、高能效的电源产品,以帮助他们应对市场的快速变化。”

意法半导体部门副总裁兼工业和功率转换产品部总经理Matteo Lo Presti表示:“这一基于STCH01的解决方案具有前所未有的超高能效,将待机功耗降至新低,是

伟创力的创新架构设计与意法半导体无人匹敌的功率半导体技术的完美组合。这个合作项目突显了意法半导体在与合作伙伴携手解决重大技术难题及开发创新产品的能力。我

们可以利用这款充电器平台,开发我们在节约能源(Energy Conservation)及智能功

率(Smart Power)两大战略性增长市场相符的产品。”

技术细节

意法半导体的STCH01在尺寸精巧的SO16N封装内嵌入一个控制器和两个嵌入式FET功率管,是市场上独一无二的全功能集成解决方案,与其配套的产品是意法半导体独有的空载唤醒(wake-up)控制器STWK01。这两款芯片组合可实现市场上最低的空载功耗,并具有优异的动态负载转换响应(transition response)。

STCH01采用一个创新的功率转换拓扑结构,拥有最高的能效,功率转换器尺寸较工业标准的反激式(flyback)功率转换方案缩减30%,内部智能抖动(jitter)功能

可进一步降低电磁辐射。

STCH01配备全套保护功能,可确保充电器设计的可靠性,并将外部元器件需求最小化,降低材料成本和制造成本,进而提高制造效率。

关于伟创力(Flextronics)

伟创力是一家市场领先的端对端完整供应链解决方案提供商,为各行业和终端设备市场提供创新的设计、工程、制造和物流服务,目标市场包括数据网络、电信、企业计算和数据存储、工业、固定设备、家电、自动化、医疗、汽车、航天和国防、能源、移动设备、计算机及其它电子类产品。伟创力亦是一家市场领先的电子制造服务企业,

其独一无二的设施和创新中心网络覆盖四大洲、30余个国家,为客户提供设计、制造、运输等相关服务,销售收入高达260亿美元。伟创力的服务和垂直集成器件技术有助

于削减产品成本,降低供应链风险,提高设计灵活性,进而加快产品上市时间,为客户提供最优的供应链服务。详情请访问:

关于意法半导体

意法半导体(STMicroelectronics;ST)是全球领先的半导体解决方案供应商,

为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术,到数字信任和数据安全,从医疗健身设备,到智能消费电子,从家电、汽车,到办公设备,从工作到娱乐,意法半导体的微电子器件无所不在,在丰富人们的生活方面

发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活(life.augmented)

的理念。

意法半导体2014年净收入74.0亿美元。详情请访问公司网站。

1按照每个充电器空载状态下平均耗电量0.15W推算的结果。

21度电相当于0.08加仑石油或1.09磅燃煤。资料来源:美国能源信息管理局(US Energy Information Administration)。

*市场研究机构Gartner预测:“2014年全球个人电脑(PC)、平板电脑、Ultramobile 与手机等各类电子设备的总出货量将达24亿台”(4Q2013Update,Gartner,Inc.)

意法半导体(ST)

ROM,提高了产品制造的灵活性,缩短了从设计到制造的准备时间,同时90nm 技术还提高了成本效益。 新的ST21F系列产品使卡制造商能够对飞速变化的手机市场需求做出快速的注重成本效益的反应,然后在制造工序的智能卡个性化阶段自定义应用程序,用一个产品解决多家移动通信网络运营商(MNOs)的要求。因为与一个特定的运营商无关,所以新产品降低了供应链的风险和复杂性。 ST21F384的内核是一个8/16位CPU,线性寻址宽度16MB,典型工作频率21MHz。芯片内置7KB用户RAM存储器,以及128字节页面的384KB闪存,耐擦写能力与早期安全微控制器的EEPROM存储器相当。电流消耗完全符合2G和3G的电源规格,达到了(U)SIM的应用要求。该微控制器含有一个硬件DES (数据加密标准)加速器和用户可以访问的CRC (循环冗余代码)计算模块。 如果采用了这个闪存安全型微控制器,卡制造商将能够缩短在整个制造工序中从设计到投产的准备时间,验证卡上的操作系统(OS)和向运营商提供样片所需的时间会更短。因为可以库存没有编程的空白芯片,所以新产品还有助于缩短产品的量产周期,同时还会大幅度缩短操作功能升级和实现新的MNO要求所需的周期。 由于应用程序保存在闪存内,卡制造商无需再支付ROM掩模成本;此外,因为只需实现最终客户需要的功能,而不必设计一个标准解决方案,应用软件本身可以写得更小。ST的片上闪存装载器提供一个成本低廉的操作系统装载功能。 ST21F384的样片现已上市,定于2007年12月量产。ST的封装能力在业界堪称独一无二,其智能卡IC有两种封装形式:切割过的晶片和先进微型模块,其中模块的集成度和安全性都非常出色。 ST21F384产品分为切割过的晶片或没切割过的晶片,模块封装分为6触点(D17)和8触点(D95)两个规格,符合欧洲RoHS环保标准,触点排列符合ISO 7816-2标准。订购100000颗晶片,每颗0.45美元。

功率半导体器件在我国的发展现状

功率半导体器件在我国的发展现状 MOSFET是由P极、N极、G栅极、S源极和D漏级组成。它的导通跟阻断都由电压控制,电流可以双向流过,其优点是开关速度很高,通常在几十纳秒到几百纳秒,开关损耗小,适用于各类开关电源。但它也有缺点,那就是在高压环境下压降很高,随着电压的上升,电阻变大,传导损耗很高。 随着电子电力领域的发展,IGBT出现了。它是由BJT和MOS组成的复合式半导体,兼具二者的优点,都是通过电压驱动进行导通的。IGBT克服了MOS的缺点,拥有高输入阻抗和低导通压降的特点。因此,其广泛应用于开关电源、电车、交流电机等领域。 如今,各个行业的发展几乎电子化,对功率半导体器件的需求越来越大,不过现在功率半导体器件主要由欧美国家和地区提供。我国又是全球需求量最大的国家,自给率仅有10%,严重依赖进口。功率半导体器件的生产制造要求特别严格,需要具备完整的晶圆厂、芯片制造厂、封装厂等产业链环节。国内企业的技术跟资金条件暂时还无法满足。 从市场格局来看,全球功率半导体市场中,海外龙头企业占据主导地位。我国功率半导体器件的生产制造还需要付出很大的努力。制造功率半导体器件有着严格的要求,每一道工序都需要精心控制。最后的成品仍需要经过专业仪器的测试才能上市。这也是为半导体器件生产厂家降低生产成本,提高经济效益的体现。没有经过测试的半导体器件一旦哪方面不及格,则需要重新返工制造,将会增加了企业的生产成本。

深圳威宇佳公司是国内知名的功率半导体检测专家,专门生产制造简便易用、高精度的设备,让操作人员轻松上手操作,省力更省心。如生产的IGBT动态参数测试设备、PIM&单管IGBT 专用动态设备、IGBT静态参数测试设备、功率半导体测试平台等,均是经过经验丰富的技术人员精心打磨出来的,设备高可靠性、高效率,已在市场上应用超过10年,历经了超过500万只模块/DBC的测试考验。

意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供货

意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供 货 意法半导体今天宣布开始向主要客户提供STM32L 系列微控制器样片,STM32L 系列产品是业界首款来自全球十大半导体供应商之一的超低功耗 ARM Cortex-M3 微控制器。STM32L 系列产品采用意法半导体独有的两大节能技术:130nm 专用低泄漏电流制造工艺和优化的节能架构,提供业界领先的节 能性能。全新STM32L 系列产品属于意法半导体的EnergyLite 超低功耗产品平台,设计人员能够优化终端产品的性能、功能和电池使用寿命,达到相关的 能效标准,如环保型设计目标。意法半导体微控制器产品部总经理Michel Buffa 表示:“在全球半导体公司提供的产品中,STM32L 系列产品实现最佳的 功耗性能比。STM32L 将会成为消费电子、工业应用、医疗仪器或能源计量表 等市场上低功耗应用设计的首选微控制器。”除极高能效外,STM32L 还具备提高数据安全性,促进系统安全操作的诸多安全功能,包括灵活的欠压复位、片 上闪存支持纠错码(ECC)、存储器保护单元(MPU)和JTAG 熔断器。这些 功能被推荐用于所有的需要安全产品特性和高度安全的代码及用户数据管理的 应用。片上集成的USB 2.0 Full Speed 支持模块使STM32L 还能支持移动外设。此外,STM32L 系列微控制器内置的LCD 驱动器,可轻松实现更低廉、更小的应用设计。STM32 系列的产品阵容非常强大,目前拥有超过135 款产品,全系列产品的引脚、软件和外设相互兼容,应用灵活性达到最高水平。作为 STM32 系列的新成员,STM32L 在32MHz 频率下的处理性能达到33DMIPS (最大值),片上闪存密度范围从64KB 到128KB。STM32L 系列样片已经开始交付给主要客户测试。STM32L151 内置64KB 闪存,采用LQFP48 封装;STM32L152 内置128KB 闪存,采用LQFP100 封装。将于2010 年第四季度量

意法半导体发布迄今性能最强的电视系统芯片

意法半导体发布迄今性能最强的电视系统芯片 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、全球领先的数字 电视及机顶盒芯片提供商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)将在2012 中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN)上展出Newman 电视系统芯片(System-on-Chip,SoC)系列的首款产品。新系列产品是意法半导体的业界领先的电视广播互联网服务多功能电视平台的一部分。代号为Newman Ultra 的新产品FLI7680 拥有市场上无与伦比的性能,亦代表了智能电视(Smart TV)系统芯片技术水平的一次巨大飞跃。 随着高价值内容不断演进,除第一代电视广播宽带上网综合服务外,电 视还需要支持全新的增值服务和产业生态系统,例如Google TV。Newman Ultra 系统架构具有市场领先的性能,让电视应用程序具有令人惊喜的反应速度,同时拥有极其出色的视频解码功能,远超市场同类产品。有了这款芯片,消费 者只需通过一台智能电视机即可播放多种视频源,运行大量应用软件。 意法半导体WAVE 产品部总经理Luigi Mantellassi 表示:随着智能电视的概念正在快速演进,对处理性能、功能集成度、设计灵活性和数据安全的要 求不断提高。凭借我们在全球市场的领先地位和机顶盒软件开发能力,Newman Ultra 系统芯片让我们的客户能够扩大品牌价值,研制一个集传统电视广播、视频点播(Video on Demand,VOD)、游戏以及社交网络于一体的终极娱乐平台。 在优化平板电视技术的同时,Newman Ultra 还将继续使用Faroudja 品牌的音视频处理创新技术,为消费者带来无与伦比的视听盛宴。从大屏幕投影影院,到4Kx2K 3D 大屏幕,Faroudja 仍然是市场公认的高品质标杆。

功率器件的发展历程

功率器件的发展历程 IGBT、GTR、GTO、MOSFET、IGBT、IGCT…… 2009-12-08 08:49 引言 电力电子技术包括功率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“龙头”。从1958年美国通用电气(GE)公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子技术的诞生。到了70年代,晶闸管开始形成由低压小电流到高压大电流的系列产品。同时,非对称晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等晶闸管派生器件相继问世,广泛应用于各种变流装置。由于它们具有体积小、重量轻、功耗小、效率高、响应快等优点,其研制及应用得到了飞速发展。 由于普通晶闸管不能自关断,属于半控型器件,因而被称作第一代电力电子器件。在实际需要的推动下,随着理论研究和工艺水平的不断提高,电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展,先后出现了GTR、GTO、功率MOSET等自关断、全控型器件,被称为第二代电力电子器件。近年来,电力电子器件正朝着复合化、模块化及功率集成的方向发展,如IGPT、MCT、HVIC等就是这种发展的产物。 电力整流管 整流管产生于本世纪40年代,是电力电子器件中结构最简单、使用最广泛的一种器件。目前已形成普通整流管、快恢复整流管和肖特基整流管等三种主要类型。其中普通整流管的特点是: 漏电流小、通态压降较高(1 0~1 8V)、反向恢复时间较长(几十微秒)、可获得很高的电压和电流定额。多用于牵引、充电、电镀等对转换速度要求不高的装置中。较快的反向恢复时间(几百纳秒至几微秒)是快恢复整流管的显著特点,但是它的通态压降却很高(1 6~4 0V)。它主要用于斩波、逆变等电路中充当旁路

各公司待遇

这里所说的待遇全部为税前,另外,年薪不是简单的*12,因为有年终奖。而互联网公司的待遇package,都是包含了年终奖的。 以下待遇无特别说明,默认都是硕士,本科的话会特别说明,关注软件的多一些,硬件ic 等行业希望大家继续补充。 1 华为 研发、服务、销售多数岗位本科9k~12k, 硕士10~13k 客户经理不分本硕11~14k 法务硕士12~15k 行政本科6k 但是华为三五年后还是很给力的,这也是华为薪资的策略,好处给那些想长远在华为发展的人,只是一开始三年比较难熬,连续三年考评b+以上(a,b+,b,c,d),那就功成名就了,不过一c败三年…… 2 中兴号称硕士7300,其实是5300的基本工资加上1200的浮动绩效工资加上400补助再加上公司帮你交的400的公积金,注意这400公积金的概念!一切缴费基数是5300,换句话说,华为要是和中兴这样计算工资,北京华为的工资比北京中兴高了1000都不止!西安华为也比中兴高六七百,中兴实习期80%。 3 中兴移动中兴子公司固定工资6800,餐补350,通信费200 其他没了,夏季有高温补贴350一个月,深圳和南京 4 阿里巴巴,阿里今年全国只招150个精英,15k*15,秒杀国内各公司,另外有30w 无息借款,一年内买房买车买老婆,阿里帮你实现梦想,唉,只怪自己没学计算机 5 中电28所双211硕士为起点普通211硕士:税前10w到15w 11所牛逼高校(清华北大北航浙大复旦上交南京东南武大华科西交):15w-20w 博士18w起薪牛逼高校:25w-30w 博士一次性住房补贴10w5 航天科工二院总体设计部硕士15w起 6 苏州记忆科技硕士12w 包含了公积金和餐补的有一次性安家费3000 苏州那边全是电子芯片ic企业,感觉苏州在下一盘很大很大的棋,已经下的差不多了,苏州昆山已有号称八百里电子长廊 7 北京704所航天火箭税前8w--10w 无奖金签三年双人间住一年后两年自己找 8 北京17所税前10w起 9 深圳宏电硕士6k,待遇太低 10 威盛北京硕士9k*14 武汉和上海不详 11 宇龙酷派实习:研发北京深圳研究生八千本科4k5 西安研究生6400 本科5800 转正硕士北京深圳9000 西安8000 本科转正不详

功率半导体器件 LDMOS VDMOS

关于功率MOSFET(VDMOS & LDMOS)的报告 ---时间日期:2009.11.12 ---报告完成人:祝靖1.报告概况与思路 报告目的:让研一新同学从广度认识功率器件、了解功率器件的工作原理,起到一个启蒙的作用,重点在“面”,更深层次的知识需要自己完善充实。 报告内容:1)从耐压结构入手,说明耐压原理; 2)从普通MOS结构到功率MOS结构的发展;(功率MOS其实就是普通MOS结构和耐 压结构的结合); 3)纵向功率MOS(VDMOS)的工作原理; 4)横向功率MOS(LDMOS)的工作原理; 5)功率MOSFET中的其它关键内容;(LDMOS和VDMOS共有的,如输出特性曲线)报告方式:口头兼顾板书,点到即止,如遇到问题、疑惑之处或感兴趣的地方,可以随时打断提问。 2.耐压结构(硅半导体材料) 目前在我们的研究学习中涉及到的常见耐压结构主要有两种:①反向PN结②超结结构(包括); 2.1 反向PN结(以突变结为例) 图2.1所示的是普通PN结的耐压原理示意图,当这个PN结工作在一定的反向电压下,在PN结内部就会产生耗尽层,P区一侧失去空穴会剩下固定不动的负电中心,N区一侧会失去电子留下固定不动的正电中心,并且正电中心所带的总电量=负电中心所带的总电量,如图2.1a所示,A区就是所谓耗尽区。 图2.1b所示的是耗尽区中的电场分布情况(需熟悉了解),耗尽区以外的电场强度为零,Em称为峰值电场长度(它的位置在PN,阴影部分的面积就是此时所加在PN P区和N区共同耐压。图2.2所示的是P+N结的情况,耐压原理和图1中的相同,但是在这种情况中我们常说N负区是耐压区域(常说的漂移区) (a) (b) 图2.1 普通PN结耐压示意图(N浓度=P浓度)图2.2 P+N结耐压示意图(N浓度<

意法ST系列芯片型号

ST(意法半导体)提供全系列具备各种外设的稳定型8位单片机以及高性能32位ARM芯片。ST系列单片机的8位ST6系列一直以来都是面向简单强劲的成本敏感型应用的安全并受到广泛欢迎的选择,其中包括家庭应用、数字消费类设备和电机控制。ST6器件采用16引脚到28引脚封装,内部集成了1到4KB的OTP(一次性可编程)或ROM存储器。 ST62E系列单片机: ST62E01, ST62E01C, ST62E01CF1, ST62E10, ST62E18, ST62E18C, ST62E18CF1, ST62E20, ST62E20B, ST62E20C, ST62E20CF1, ST62E25, ST62E25C, ST62E25CF1, ST62E28CF1, ST62E28C6, ST62E30B, ST62E30BF1, ST62E32BF1, ST62E40BG1, ST62E42BG1, ST62E46BG1, ST62E60B, ST62E60C, ST62E62CF1, ST62E62B, ST62E62C, ST62E65B, ST62E65C, ST62E65CF1, ST62E80B, ST62E80BG1, ST62E85BG1; ST62T系列单片机: ST62T00, ST62T01, ST62T03, ST62T08, ST62T09, ST62T10, ST62T15, ST62T18, ST62T20, ST62T25, ST62T28, ST62T30, ST62T32, ST62T40, ST62T42, ST62T46, ST62T52, ST62T53, ST62T55, ST62T60, ST62T62, ST62T63, ST62T65, ST62T80, ST62T85; ST62系列单片机:ST6200C, ST6201C, ST6203C, ST6210C, ST6220C, ST6225C, ST6260C, ST6262C, ST6265C; ST63E系列:ST63E73 …… ST7系列单片机解密: ST7FOXF1, ST7FOXK1, ST7FOXK2, ST7FOXA0; ST7LITE0, ST7LITE2, ST7LITE49K2, ST7LITE39F2, ST7LITE30F2, ST7LITE35F2, ST7LITE49M, ST7LITE1xB, ST7LITEU09, ST7LITEU05, ST7LITEUS5, ST7LITEUS2; ST72260G, ST72262G, ST72264G, ST72321, ST7232A, ST72321B, ST72321M, ST72325, ST72323, ST72323L, ST72340, ST72344, ST72345, ST72324B, ST72324BL, ST72361, ST72521B, ST72561, ST7260, ST7263B, ST7265, ST7267R8, ST7267C8, ST72681, ST72682; ST72C216 ST7LCRE4U1, ST7LCRDIE6, ST7SCR1R4, ST7SCR1E4; ST7GEME4, ST7LNB0V2Y0, ST72F521, ST72F324L; ST7LNB1Y0, ST7MC1, ST7MC2, ST7DALIF2, ST7SUPERLITE; ST10系列单片机解密: 新ST10闪存系列:ST10F271Z1, ST10F272Z2, ST10F273Z4, ST10F276Z5; ST10传统闪存系列:ST10F168S, ST10F269, ST10F269Z1, ST10F269Z2; ST10 ROMless 系列:ST10R172L, ST10R272L, ST10R167-Q; STR7系列ARM芯片解密: STR750F:STR755FV2, STR755FV1, STR755FV0, STR755FR2, STR755FR1, STR755FR0, STR752FR2, STR752FR1, STR752FR0, STR751FR2, STR751FR1, STR751FR0, STR750FV2, STR750FV1, STR750FV0; STR71x:STR715FR0, STR712FR2, STR712FR0, STR711FR2, STR712FR1, STR711FR1, STR711FR0, STR710RZ, STR710FZ2, STR710FZ1; STR73xF:STR736FV2, STR736FV1, STR736FV0, STR735FZ2, STR735FZ1, STR731FV2, STR731FV1, STR731FV0, STR730FZ2, STR730FZ1; STR9系列ARM芯片解密: STR91xFA:STR912FAZ44, STR912FAZ42, STR912FA W44, STR912FA W42, STR911FA W44, STR911FA W42, STR911FAM44, STR911FAM42, STR910FAZ32, STR910FA W32, STR910FAM32;

半导体器件基础测试题

第一章半导体器件基础测试题(高三) 姓名班次分数 一、选择题 1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。 A、电子; B、空穴; C、三价元素; D、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中,其导电能力的大小的说法正确的是。 A、掺杂的工艺; B、杂质的浓度: C、温度; D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件,下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; C、发射结反偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 4、晶体三极管的截止条件,下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; C、发射结反偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 5、晶体三极管的饱和条件,下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; C、发射结反偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 6、理想二极管组成的电路如下图所示,其AB两端的电压是。 A、—12V; B、—6V; C、+6V; D、+12V。 7、要使普通二极管导通,下列说法正确的是。 A、运用它的反向特性; B、锗管使用在反向击穿区; C、硅管使用反向区域,而锗管使用正向区域; D、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时,下列做法正确的是。 A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转; B、用万用表的R×10K的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转; C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆,红棒接正极,黑棒接负极,指针偏转; D、用万用表的R×10,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转; 9、电路如下图所示,则A、B两点的电压正确的是。 A、U A=3.5V,U B=3.5V,D截止;

功率半导体器件是什么

“power semiconductor device”和“power integrated circuit(简写为power IC或PIC)”直译就是功率半导体器件和功率集成电路。 在国际上与该技术领域对应的最权威的学术会议就叫做International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,即功率半导体器件和功率集成电路国际会议。 “power”这个词可译为动力、能源、功率等,而在中文里这些词的含义不是完全相同的。由于行业的动态发展,“power”的翻译发生了变化。 从上世纪六七十年代至八十年代初,功率半导体器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶体管(GTR)和其后的栅关断晶闸管(GTO)等。它们的主要用途是用于高压输电,以及制造将电网的380V或220V交流电变为各种各样直流电的中大型电源和控制电动机运行的电机调速装置等,这些设备几乎都是与电网相关的强电装置。因此,当时我国把这些器件的总称———power semiconductor devices没有直译为功率半导体器件,而是译为电力电子器件,并将应用这些器件的电路技术power electronics没有译为功率电子学,而是译为电力电子技术。与此同时,与这些器件相应的技术学会为中国电工技术学会所属的电力电子分会,而中国电子学会并没有与之相应的分学会;其制造和应用的行业归口也划归到原第一机械工业部和其后的机械部,这些都是顺理成章的。实际上从直译看,国外并无与电力电子相对应的专业名词,即使日本的“电力”与中文的“电力”也是字型相同而含义有别。此外,当时用普通晶体管集成的小型电源电路———功率集成电路,并不归属于电力电子行业,而是和其他集成电路一起归口到原第四机械工业部和后来的电子工业部。 20世纪80年代以后,功率半导体行业发生了翻天覆地的变化。功率半导体器件变为以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET,常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC,常简写为PIC)为主。 这一转变的主要原因是,这些器件或集成电路能在比以前高10倍以上的频率下工作,而电路在高频工作时能更节能、节材,能大幅减少设备体积和重量。尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip,简写PSOC),它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上,使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能,其优越性不言而喻。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。

2015年功率半导体器件行业简析

2015年功率半导体器件行业简析 一、行业的定义与分类 (2) 二、行业的发展历史和现状 (3) 三、行业规模 (4) 四、行业的周期性 (6) 五、进入本行业的壁垒 (6) 1、技术壁垒 (6) 2、客户服务壁垒 (7) 六、行业风险因素 (7) 1、投入不足 (7) 2、质量意识差 (8) 七、影响行业未来发展趋势的因素 (8) 1、电子元器件微型化 (8) 2、电子元器件集成化 (9) 3、产业政策大力支持 (9)

一、行业的定义与分类 功率半导体器件是进行电能(功率)处理的半导体产品,典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等,是弱电控制与强电运行间的桥梁,其中大部分是既能耐高压也能承受大电流。半导体产业的发展始于分立器件,所谓“分立”,一般是指被封装的半导体器件仅含单一元件(为了产品应用需要,部分分立器件封装实际上包含二个或多个元件或器件),它必须和其它类型的元件相结合,才能提供类似放大或开关等基本电学功能。 从产品结构来分,功率半导体分立器件可分为二极管、三极管、功率晶体管、功率集成电路等几大类产品,其中功率晶体管包括有MOSFET和IGBT等。从功率处理能力来分,功率半导体分立器件可分为四大类,包括低压小功率分立器件(电压低于200V,电流小于200mA)、中功率分立器件(电压低于200V,电流小于5A)、大功率分立器件(电压低于500V,电流小于40A)、高压特大功率分立器件(电压低于2,000V,电流小于40A)。 每个电子产品均离不开功率半导体技术。功率半导体的目的是使电能更高效、更节能、更环保并给使用者提供更多方便。如通过变频来调速,使变频空调在节能50-70%的同时,更环保、更安静、让人更舒适。人们希望便携式电子产品一次充电后有更长的使用时间,在电池没有革命性进步以前,需要更高性能的功率半导体器件进行高效的电源管理。正是由于功率半导体能将“粗电”变为“精电”,因此它是

ST意法半导体代理

意法半导体-万联芯城全国供应,电子元器件采购网,就找万联芯城,万联芯城专售原装进口现货电子元器件,与国内外原厂达成深度合作,坐拥三千平方米现代化仓库,解决终端生产研发物料问题,专为客户节省采购成本。 点击进入万联芯城 意法半导体代理_ST代理是一家法国 - 意大利跨国电子和半导体制 造商,总部位于瑞士日内瓦。它通常被称为意法半导体代理_ST代

理,它是欧洲大的基于收入的半导体芯片制造商。虽然意法半导体代理_ST代理公司总部和EMEA地区总部设在日内瓦,但控股公司意法半导体代理_ST代理 N.V.在荷兰阿姆斯特丹注册。 意法半导体代理_ST代理的美国总部位于德克萨斯州的Coppell。亚太地区总部位于新加坡,日本和韩国业务总部位于东京。大中华区的公司总部位于上海。 意法半导体代理_ST代理成立于1987年,由意大利的半导体公司SGS Microelettronica(SocietàGeneraleSemiconduttori)和法国Thomson的半导体部门Thomson Semiconducteurs合并而成。在合并时,意法半导体代理_ST代理被称为SGS-THOMSON,但在Thomson SA 作为所有者撤回后于1998年5月取得现在的名称-意法半导体代理 _ST代理。 SGS Microelettronica和Thomson Semiconducteurs都是历史悠久的半导体公司。 SGS Microelettronica始于1972年,此前两家公司合并: ATES(Aquila Tubi e Semiconduttori),一家真空管和半导体制造商,总部位于阿布鲁兹市的拉奎拉市,于1961年更名为Azienda

18_功率半导体器件应用教学大纲

《功率半导体器件应用》课程教学大纲 课程编号: 课程名称:功率半导体器件应用/ Applications of Power Semiconductor Devices 课程总学时/学分:48/3.0(其中理论36学时,实验12学时) 适用专业:电子科学与技术专业 一、教学目的和任务 功率半导体器件应用是电子科学与技术本科专业必修的一门专业核心课程。 功率半导体器件应用讲述功率器件(分立的和集成)的结构、功能、特性和特征,在此基础上分析当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括功率晶体管、晶闸管、各类晶闸管及其应用、静电感应功率器件、双极-MOS功率器件,并包含了可靠工作条件,更进一步讲述其重要应用。根据电子科学与技术本科专业的特点和应用需要,在掌握功率半导体器件基本原理的基础上,使学生对功率半导体器件的应用有一个全面而系统的认识,并培养学生在工程实践中的应用能力,提高学生的创新能力。 二、教学基本要求 通过对计算机控制技术课程的学习,要求学生: (1)了解如何使用和选择功率半导体,以及半导体和PN结的物理特性以及功率器件可靠工作的条件。 (2)熟悉功率器件的可靠工作条件以及在电力电子中的应用。 (3)掌握功率晶体管、晶闸管、各类晶闸管及其应用、金属-氧化物-半导体场效应功率晶体管、双极-MOS功率器件的结构、功能及其应用。 (4)掌握功率晶体管、晶闸管、各类晶闸管及其应用、金属-氧化物-半导体场效应功率晶体管、双极-MOS功率器件的结构、功能及其应用。 三、教学内容与学时分配 第一章(知识领域1):功率半导体器件应用概述(2学时)。 (1)知识点:轨道交通系统中的应用;新能源技术中的应用;智能电网中的应用。 (2)重点与难点:重点是轨道交通系统中的应用、新能源技术中的应用和智能电网中的应用。 第二章(知识领域2):双极结型功率晶体管(2学时)。 (1)知识点:双极结型晶体管结构的基本特性;功率晶体管的基本特性;功率晶体管

意法半导体公司产品导购手册

意法半导体 意法半导体 ( ST )公司成立于 1987 年,是意大利 SGS 半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业,公司总部设在瑞士日内瓦。公司创立目标是在亚微米时代挤身于世界一流的半导体公司之列。新公司采纳并实施一个锐意进取的公司发展战略,将大量的资金投入到产品技术的研发活动中,与业绩优异的客户和享誉全球的学术机构建立战略联盟,在主要的经济地区建立集研发、制造和销售于一体的业务网络,力争成为世界上生产效率最高的制造公司之一。 ST 是世界上最大的半导体公司之一, 2006 年净营业收入 98.5 亿美元。 ST 还是多个领域的市场领导者,例如:据初步的工业数据显示, ST 是世界第五大半导体公司,模拟产品、模拟专用集成电路( AASIC )和模拟专用标准产品( ASSP )的销售额居市场领先水平。 ST 是第一大手机相机模块供应商和第二大分立器件供应商,第三大 NOR 闪存供应商,在汽车电子、工业用产品和无线应用领域,市场排名居第三。 ST 同时是全球第一大的机顶盒和电源管理芯片制造商。在中国市场上, ST 是 2005 年第三大半导体供应商。 相关产品 ?S T7单片机 ?S TM8单片机 ?S TM32单片机 ?I GBT ?功率放大器

?L DO ST7单片机 ST7系列单片机的内核是一个8位CPU,CPU中具有6个内部寄存器。ST7系列单片机内部集成低电压检测器(LVD)、看门狗、高抗干扰的电磁兼容电路。通过编程可实现读/写保护、多种低功耗模式等,片上外设包括10位多通道A/D转换器、SCI、SPI、I2C、USB和CAN接口,还有各种8位和16位带PWM功能的定时器。 它的复位和时钟电路可以不用任何外部组件,内部的低电压检测器和一个完整的1% RC振荡器就能确保充分安全地启动单片机工作,从而是其应用成本降至最低。 ST7系列单片机都建立在一个满足通用工业标准的8位CPU之上,具有增强的指令集。ST7系列的闪存具有可逐字节在线编程和在应用中编程的功能。ST7系列单片机有等待、慢速、暂停、掉电等多种低功耗工作模式。 ST7单片机最新报价 产品型号产品描述价格($) ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 0.776 ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 1.903 ST7FLITES5Y0M6 MCU 8BIT 1K FLASH 16SOIC 1.452 ST72F60E1M1 MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 24SOIC 1.848 ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 2.213 ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 3.967 ST7FLIT19BY1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 16DIP 2.555 ST7FLIT19BF1M6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.705 ST7FLIT19BF1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20DIP 2.553 ST7FLITE15F1M6 MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.477 ST7FLITE20F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 3.103 ST7FLITE19F1M6 IC MCU 8BIT 4K 20-SOIC 3.19 ST72F324LJ2T5 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.652 ST7FLITE25F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 2.867 ST72F324BJ2T6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.918

功率器件知识

功率器件知识 功率器件的主要功能是进行电能的处理与变换(比如变压、变流、变频、功放等)。主要应用领域是开关电源、电机驱动与调速、UPS 等等,这些装置都需输出一定的功率给予电器,所以电路中必须使用功率半导体。另一重要应用领域是发电、变电与输电,这就是原本意义上的电力电子。 功率器件的应用领域:消费电子24%,工业控制23.4%,计算机21.8%,网络通信20.5%,汽车电子5.2%。 任何电器设备都需要电源,任何用电机的设备都需要电机驱动。作为目前国际上主流的功率半导体器件,包括VD-MOSFET和IGBT,克服了以前功率半导体器件工业频率低、所需要的配套电感、电容、变压器等体积大、能耗高等缺点,制备工艺使用的设备和工艺线的要求与集成电路基本相同,完全不同于用台面技术和粗放光刻的晶闸管、台面二极管、功率BJT的制造。 全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势。MOSFET等功率器件越来越多地应用到整机产品中。我国用于电机的电能占我国总发电量的60%多。如果全国电机的驱动都采用功率半导体进行变频调速就可以节能大约 1/4 到 1/3,也就是说可节约全国总发电量的15%至20%。功率半导体还是信息产品、计算机、消费电子和汽车这4C产业的基础产品,当前用于4C产业的功率半导体已占功率半导体总量的70%多。

功率器件包括功率IC(半导体元件产品统称)和功率分立器件。 功率分立器件主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT等半导体器件。功率IC和MOSFET的市场份额较大,分别占40.4%和26.0%市场份额,是中国功率半导体市场上最重要两个产品,此外大功率晶体管、达林顿管、IGBT和晶闸管也占有一定市场份额。 功率器件的中国市场结构:电源管理IC 40.4%,MOSFET26.0%,大功率晶体管13.7%,达林顿管5.3%,IGBT4.2%,晶闸管1.8%。 由于下游终端产品很多已向国内转移,其上游的功率器件市场也一直保持较快的发展速度。02-06年中国功率器件市场复合增长率29.4%,未来5年复合增长率19.1%,2011年达1680.4亿元。 国外厂商处于主导地位,国内厂商奋起直追。从功率半导体厂商的类型来看,多数功率芯片厂商是IDM(智能分销管理系统)厂商,Fabless(无生产线的IC设计公司)也占据了一定比例。美国、日本和欧洲功率芯片厂商大部分属于IDM 厂商,而中国台湾厂商则绝大多数属于Fabless厂商。 其中MOSFET在中国目前的市场规模为174.8亿元。MOSFET根据不同的耐压程度,有着不同的应用:耐压20v-应用领域手机、数码相机,30v-计算机主板、显卡,40v-机顶盒和电动自行车,60v-UPS、汽车雨刷、汽车音响、马达控制,80v-LCD TV、LCD 显示器和其他仪器仪表,150-400v-照明、CRT 电视、背投电视、电热水器和洗衣机等,400-800v-发动机启动器、车灯控制、电机控制,嵌入式电源和电源适配器,500-1000v-高压变频器、发电和变电设备。

意法半导体(ST)新的32位系列Cortex-M3内核微控制器重塑MCU市场

意法半导体(ST)新的32位系列Cortex-M3内核微控制器重塑MCU 市场 --STM32 MCU系列大幅度提高了嵌入式系统的性价比和功耗水准 中国,2007年6月11日--世界领先的半导体制造厂商意法半导体(纽约证券交易所:STM)今天推出一个新的32位微控制器系列产品,新产品所用微处理器是ARM公司为要求高性能(1.25 Dhrystone MIPS/MHz)、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM ?Cortex?-M3内核。STM32系列产品得益于Cortex-M3在架构上进行的多项改进,包括提升性能的同时又提高了代码密度的Thumb-2指令集和大幅度提高中断响应的紧耦合嵌套向量中断控制器,所有新功能都同时具有业界最优的功耗水平。ST是Cortex-M3内核开发项目的一个主要合作方,现在是第一个推出基于这个内核的主要微控制器厂商。 以实现出色的性能和能效为设计目标,同时保留开放工业标准的ARM架构和开发环境的优点,STM32系列产品按性能又分成两个不同的系列:STM32F103“增强型”系列和 STM32F101“基本型”系列。增强型系列时钟频率达到72MHz,是同类产品中性能最高的产品;基本型时钟频率为36MHz,以16位产品的价格得到比16位产品大幅提升的性能,是16位产品用户的最佳选择。两个系列都内置32K到128K的闪存,不同的是SRAM的最大容量和外设接口的组合。时钟频率72MHz时,从闪存执行代码,STM32功耗仅36mA,是32位市场上功耗最低的产品,相当于0.5mA/MHz。

Cortex-M3内核主打存储器和处理器的尺寸对产品成本影响极大的各种应用市场,是针对这些市场的低成本需求,专门开发设计的微处理器内核。Cortex-M3内核增强了芯片上集成的各种功能,包括把中断之间延迟降到6个CPU周期的嵌套向量中断控制器、允许在每一个写操作中修改单个数据位的独立位操作、分支指令预测、单周期乘法、硬件除法和高效的 Thumb 2指令集,这些改良技术使Cortex-M3内核具有优异的性能、代码密度、实时性和低功耗。 STM32采用2.0到3.6V电源,当复位电路工作时,在待机模式下最低功耗2μA,因此最适合电池供电的应用设备。其它省电功能包括一个集成的实时时钟、一个专用的32kHz振荡器和四种功率模式,其中实时时钟含有一个电池操作专用引脚。 “直到现在,16位和32位的设计工程师还要面对很多困难的选择,例如,他们必须在性能、成本、功耗等因素之间做出折衷和取舍,决定使用业界标准还是使用某一公司独有的平台,”ST微控制器产品部总经理Jim Nicholas表示,“通过消除这些需要折衷的因素,STM32走在了融合16位和32位微控制器市场的前列。” 在性能方面,STM32系列的处理速度比同级别的基于ARM7TDMI的产品快30%,换句话说,如果处理性能相同,STM32产品功耗比同级别产品低75%。同样地,使用新内核的Thumb 2指令集,设计人员可以把代码容量降低45%,几乎把应用软件所需内存容量降低了一半。此外,根据Dhrystones和其它性能测试结果,STM32的性能比最好的16位架构至少高出一倍。 新产品提供多达128KB的嵌入式闪存、20KB的RAM和丰富的外设接口,包括两个12位模数转换器(1微秒的转换时间)、三个USART、两个SPI(18MHz主/从控制器)、两个I2C、三个16位定时器(每个定时器有4个输入捕获模块/4个输出比较器/4个PWM控制器),以及一个专门为电机控制向量驱动应用设计的内嵌死区时间控制器的6-PWM定时器、USB、CAN和7个DMA通道。内置复位电路包括上电复位、掉电复位和电压监控器,以及一个可用作主时钟的高精度工厂校准的8MHz阻容振荡器、一个使用外部晶振的4-16MHz振荡器和两个看门狗。因为集成度如此之高,除一个电源外,LQFP100封装产品的最小系统只需要7个电容器。 除工业可编程逻辑控制器(PLC)、家电、工业及家用安全设备、消防和暖气通风空调系统等传统应用,智能卡和生物测定等消费电子/PC应用外,新的STM32系列还特别适合侧重低功耗的设备,如血糖和血脂监测设备。 “融低功耗、易用性和低成本于一身的STM32系列克服了现有的阻碍32位微控制器推广应用的全部问题,”Nicholas表示,“我们相信STM32将满足每一个设计人员的期望。未来的STM32系列产品将扩充已有的功能选项,达到512KB闪存和64KB SRAM以及更多的功能。” STM32系列产品配有成套的ST和第三方的开发工具。ST提供一个评估板、USB开发工具包和一个免费的软件库。Hitex、IAR、Keil和Raisonance不久将在经过验证的基于ARM 内核的工具解决方案的基础上推出入门级开发工具。目前,Hitex、IAR、Keil、Raisonance 和Rowley的工具链支持STM32。

13种常用的功率半导体器件介绍

13种常用的功率半导体器件介绍 电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。 1. MCT (MOS Control led Thyristor):MOS控制晶闸管 MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将MOSFET 的高阻抗、低驱动图MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起,形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断,它由无数单胞并联而成。它与GTR,MOSFET,IGBT,GTO 等器件相比,有如下优点: (1)电压高、电流容量大,阻断电压已达3 000V,峰值电流达1 000 A,最大可关断电流密度为6000kA/m2; (2)通态压降小、损耗小,通态压降约为11V; (3)极高的dv/dt和di/dt耐量,dv/dt已达20 kV/s ,di/dt为2 kA/s; (4)开关速度快,开关损耗小,开通时间约200ns,1 000 V 器件可在2 s 内关断; 2. IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors) IGCT 是在晶闸管技术的基础上结合IGBT 和GTO 等技术开发的新型器件,适用于高压大容量变频系统中,是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。 IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 芯片在不串不并的情况下,二电平逆变器功率0.5~ 3 MW,三电平逆变器1~ 6 MW;若反向二极管分离,不与IGCT

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