模电测试题1
模电测试题A
班别：姓名：学号：
一、填空题（每空1分，共24分）
1、晶体管放大电路常采用分压式电流负反馈偏置电路,因为它具有稳定静态工作点的作用。
2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数__为1____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗__低___,
3、三种不同耦合方式的放大电路分别为:___直接耦合__、___阻容耦合__和__变压器耦合__，其中__直接耦合__能够放大缓慢变化的信号。
4、三端集成稳压器CW7912的输出电压为____-12____ V，而CW7809的输出电压则为
5、如图所示是一个共射单管放大器的输出电压波形,假定晶体管是PNP
型,则该信号的削波属于____饱和_______失真,将偏流电阻Rb调__大
______可以消除失真。
6、图中二极管为理想器件，V1工作在_截止_ 状态；
V2工作在____导通_______ 状态；UA为____-3_______ V。
7、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为40dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为_60__d B，总的电压放大倍数为_____1000_______。
8、在典型的差动放大电路是,Re对_共模信号呈现很强的负反馈作用,而对__差模___信号则无负反馈作用.
9、差动放大电路，若两个输入信号u I1 = u I2，则输出电压，u O = 0；若u I1 = 80 μV，u I 2 = 20 μV则差摸电压u Id =30μV；共摸电压u Ic = 50μV。
10、有一负反馈放大器，在闭环时，当输入电压为0.1V时，输出电压为2V，而在开环时，对于0.1V的输入电压其输出电
压则有4V。该反馈的深度等于__2_____，反馈系数等于____0.025____。
二、选择题（把正确答案的序号填入下表内，每题2分,共36分）
1、二极管两端加上正向电压时( )。
A．一定导通 B．超过 0.3V 才导通C．超过死区电压才导通 D．超过 0.7V 才导通
2、若要提高放大器带负载能力，并对信号源的影响小，可采用的反馈组态为（）。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
D. 电流并联负反馈
3、集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。
A.增大放大倍数 B．减小温漂 C．提高输入电阻 D.提高稳定性
4、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ，则负载两端的平均电压是（）。
A.100V
B.90V
C.45V
D.141V
5、工作在反向击穿状态的二极管是( )。
A．一般二极管 B．稳压二极管 C．发光二极管 D 光敏二极管
6、放大电路采用负反馈后，下列说法不正确的是( )。
7、如图所示电路中集成运算最大输出电压为±10V，则输出电压Uo=（）。
A.0V；
B.5V；
C.+10V；
D. -10V
8、理想集成运放工作在线性区时有（）。
A. U + = U ?
B. U + > U ?
C. U + < U ?
D. 无法确定
9、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。
A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器
10、测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA,而IB=40uA时,Ic=3mA,则该管的交流电流放大系数为_____
A. 80
B. 60
C. 75
D. 100
11、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。
A.增加一倍
B.为双端输入时的一半
C.不变
D.不确定
12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，10V，9.3V，则这只三极管是( )。
A ．NPN 型硅管
B ．NPN 型锗管
C ．PNP 型硅管
D ．PNP 型锗管
13、杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。 A ．温度 B ．掺杂工艺 C ．掺杂浓度 D ．晶体缺陷 14、电路如图所示,两稳压管的稳压值Uz 均为6.3V,正向导通电压UD=0.7V,其输出电压为（ ） A. 6.3V B. 0.7V C. 7V D. 14V
15、一个三极管放大电路，IB =60μA ，IC = 2mA,β值50，这个三极管在（ ）状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿
16、共模抑制比KCMR 是（ ）之比.因此,KCMR 越大表明电路抑制温漂的能力越强 A.差模输入信号与共模输入信号; B.输入量中差模成分与共模成分; C.差模放大倍数与共模放大倍数; D.交流放大倍数与直流放大倍数; 17、整流滤波后的直流电压不稳定的原因是( )
A.电网电压波动
B.负载电流变化
C.电网电压波动和负载电流变化两方面 18、处于放大状态的NPN 型晶体管，U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是( ) A. U B ?U C>U E B. U B
D. U C>U B>U E 三、分析计算题：
（共40分）
1、(13分)电路如图所示，集成运放的最大输出电压为±10V ，电阻R1=1k Ω，Rf =5k Ω，输入电压Ui=100mV 。问：（1）正常情况下，集成运放工作在哪个区域，输出电压Uo=？；（2）电阻R1开路时，输出电压Uo=？（3）电阻Rf 开路时，集成运放工作在哪个区域，此时输出电压Uo=？
U i
图3.2
o
2、（13分）已知下图所示电路中晶体管的β ＝100，r be =1k Ω。 （1）现已测得静态管压降U CEQ ＝6V ，估算Rb 约为多少千欧；
（2）若测得i U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧？
3、(14分)图示运算放大电路中，已知u 1 = 10 mV ，u 2 = 30 mV ，求u O = ？
模电测试题B
班别： 姓名： 学号：
一、填空题、（每空1分，共22分）
1、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO 和VI 的波形，则VO 和VI 的相位差为_π_____；当为共集电极电路时，则VO 和VI 的相位差为__0__。
2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数_接近1_____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗___低__,
3、半导体二极管的主要特性是 _单向导电性__________________________ 。
4、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V ， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是__硅__管（材料），_ NPN ___ 型的三极管，该管的集电极是a 、b 、c 中的基极 发射极 集电极____。
5、在差动放大电路中,双端输出时,其电压放大倍数和单管放大电路的电压放大倍数___一样_________。
6、当环境温度变化时对差动大电路来说,相当于输入一组__共模____信号.
7、产生正弦波振荡的幅值平衡条件是__|FA|=1_________________ ，相位平衡条件是_____Pu+Pf=2n π_________________ 。 8、有一负反馈放大器，其开环增益A=100，反馈系数F=1/10，问它的反馈深度为__11__________；闭环增益为_____9.1_______。
9、、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为20dB 和60dB, 则该放大电路总的对数增益为_80______dB ，总的电压放大倍数为___10000_________。
10、在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压 ?U I1 = ?U I2，则输出电压 ?U o = 。若 ?U I1 = +1500 μV ，?U I2 = +500 μV ，则可知差动放大电路的输入差模电压 ?U Id = ，差模输入信号分别为 ?U Id1 = +500uA ，?U Id2 = -500uA ，共模输入信号 ?U Ic = +1000uA 。 二、选择题（把正确答案的序号填入横线上，每空2分,共34分）
u I2
1、能将正弦波变成方波的电路为（ ） A.比例运算电路 B.微分电路 C.积分电路 D.比较电路
2、电压负反馈对放大电路的影响是（ ）
A.放大倍数减小
B.放大倍数增大
C.放大倍数减小了,而放大倍数更稳定了
D.不确定 3、三极管工作在放大状态时,它的两个PN 结必须是（ ）
A.发射结和集电结同时正偏
B.发射结和集电结同时反偏
C.集电结正偏发射结反偏
D.集电反偏发射结正偏 4、一个单管放大器电源电压6V ，发射结正向偏置后，若V c 约为0.6V ，Ve 为0.4V,若V b 为1.1V,则该放大器的三极管可能处于____状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿
5、集成运算放大器的最主要特点之一是( )。 A ．输入电阻很大 B ．输入电阻为零 C ．输出电阻很大
6、单相桥式整流电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为20V ，若某个二极管开路，则负载电阻上电压为（ ）。
A.20V
B.18V
C.24V
D.9V
7、若输入量、反馈量、净输入量、输出量之间的关系为 U’i = U i ? U f ，且 U f ∝ I o （正比）,则可判断放大器引
入了（ ）。 A. 电压串联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 8、集成运算电路级间耦合方式采用（ ） A.阻容耦合 B.变压器耦合 C.直接耦合 9、本征半导体中掺入五价元素后成为( )。 A ．P 型半导体 B ．N 型半导体 C ．PN 结
10、两个晶体管的电流放大倍数分别为 50 和 60，则由其组成的复合管的理论电流放大倍数为( )。 A ．110 B ．≥3000 C ．10 D. ≤3000
11差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ ）。 A.增加一倍 B.为双端输入时的一半 C.不变
12.如图所示的电路中,已知稳压管VDz 的稳定电压为7V, 则回路中的电流等于（ ）. A.零 B.10mA C.25mA D.5.75mA
13、工作在放大区的三极管，当IB 从20μA 增大至40μA 时，IC 从1mA 变为2mA ，其β值约为______。 A.50 B.100 C.500 D.1000
14、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ）。 A 、20倍 B 、-20倍 15、在典型的差动放大电路中,RE 的作用是（ ） C 、-10倍 D.0.1倍
A.对差模信号构成负反馈以提高放大电路的稳定性
B.对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力
C.A 和B 16、共模抑制比KCMR 是差模放大倍数与共模放大倍数之比.因此,KCMR 越大表明电路（ ）
A.放大倍数越稳定;
B.交流放大倍数越大;
C.抑制温漂的能力越强;
D.输入信号是差模成分越大. 17、 某一NPN 管组成的单管共射放大电路，输入为正弦波时， 输出波形如图所示，该输出波形属于（ ）。 A.截止失真； B.饱和失真； C.频率失真； D.交越失真 三、分析题计算题：（共44分）
1、（9分）电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。
2、（9分）判断反馈类型并说明其对放大电路的影响与作用。
电流并联负反馈 电压串联负反馈 电流并联负反馈 3、（13分）、已知下图所示电路中晶体管的β ＝50，r be =1.6k Ω,R b =300k Ω，Rc=4k Ω，U CC =12V ，三极管为硅管。
(１)计算电路的静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；
(２)计算电压放大倍数A u 、输入电阻Ri 和输出电阻R o; (３)若输出端接上负载R L (4k Ω)，则A u 如何变化？
4、（13分）电路如图4.2所示，设A1、A2均为理想集成运算放大器，（1）A1、A2工作在哪个区域？（2）试求U o1、U o2的值。
R R f1
U o2
图4.2
+-A 2+Ωk 100Ω
3k 30.8V
模电试卷+9道经典题型
15-16学年第1学期模拟电子技术A期末试卷（B）一、判断题 1.直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，但是不能放大交流信号。 2.从能量控制和转换的角度看，功率放大器和电压放大器没有本质的区别。 3.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 4.在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。 5.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。 6.任何单管放大电路的输入电阻都与负载电阻无关。 7.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。 8.当OCL电路的最大输出功率为1W时，功率管的集电极最大耗散功率应大于1W。 二、单项选择题 1.P型掺杂半导体的多数载流子是（） A.空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 2.场效应管本质上是一个（） A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 3.测得某放大电路中某晶体管三个电极对地电位分别为-1.4V、-0.7V和 -6.7V，则该三极管的类型为（） A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 4.下列四图为NPN管共射基本放大电路输出电压u o波形，则截止失真的波形和消除失真的主要措施均正确的是（） A.增大V BB B.减小V BB C.减小V BB D.增大V BB 5.制作频率为2MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应采用（） A.LC正弦波振荡电路 B.RC正弦波振荡电路 C.石英晶体正弦波振荡电路 D.多谐振荡器 6.要求将电流信号转换成与之成稳定关系的电压信号，应引入（） A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 7.差分放大器中，若u I1=2.02V，u I2=l.98V，则u Id、u Ic分别为（） A.2V、0.02V B.2V、4V C.0.04V、2V D.0.02V、0.04V 8.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用（） A.共漏电路、共射电路 B.共源电路、共射电路 C.共基电路、共漏电路 D.共源电路、共集电路 9.反应场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导 10.互补输出级采用共集形式是为了使（） A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D.交越失真小 11.为防止50Hz的电网电压干扰，可以在电路中加一个（） .. ..
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可 选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系 数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模拟电路期末考试题A卷
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.
路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.
2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.
模电期末考试题
《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。
模电试卷及答案
《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院： 电气 课程号：15012335 考试日期： 2010-12-30 考试方式：开卷闭卷 其他 考试时间： 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分) 1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是（ ） A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为（ ）功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。 (a ）正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共 10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。( ) + - 命 题人： 熊兰 组题人： 审题人： 命题时间： 教务处制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密
模拟电路试卷(总集)
苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模电考试试题
模电考试试题 Revised by Jack on December 14,2020
选择 1、半导体二极管加正向电压时，有（A） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、三极管工作于放大状态的条件是(A ) A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（B） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 4、共模抑制比KCMR越大，表明电路（C） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 5、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（A） A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 填空 1、N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 2、集成运算放大器采用直接耦合方式放大，理想条件Rid为无穷大，R0为0
5、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 6、电流源电路特点，直流等效电阻小，交流等效电阻大 7、直流稳压电源一般由电源变压器、滤波电路、整流电路和稳压电路组成 计算 1、放大电路如图1所示,若VCC=12V，Rc=Ω，Rb=400kΩ，Re1=100Ω， Re2=2kΩ，RL=kΩ，=50, r bb=300欧 (1)、求静态工作点； (2)画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri和Ro。 解（1） I BQ== I CQ=βI BQ= VCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)= （2）画出简化h参数等效电路如图 (3)、rbe=[300+(1+β) ]=
模电试卷题库含答案
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大 一、判断。 1由于集成运放是直接耦合放大电路，因此只能放大直流信号，不能放大交流信号。（） 2理想运放只能放大差模信号，不能放大共模信号。（） 3不论工作在线性放大状态还是非线性状态，理想运放的反相输入端与同相输入端之间的电位差都为零。（） 4不论工作在线性放大状态还是非线性状态，理想运放的反相输入端与同相输入端均不从信号源索取电流。（） 5 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）6电路只要满足│AF│=1，就一定会产生正弦波振荡。 ( ) 7负反馈放大电路不可能产生自激振荡。 ( ) 8为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。（） 9输入电压在单调变化的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变一次。 ( ) 10单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高（） 二、选择。 1所谓放大器工作在闭环状态，是指（） A. 考虑信号源内阻 B. 有反馈通路 C. 接入负载 D. 信号源短路 2差分放大电路的差模信号是两个输入信号的（）共模信号是两个输入端信号的（）。 A、差 B．和 C．平均值 3在输入量不变的情况下，若引人反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大 D．净输入量减小 4直流负反馈是指（）。 A直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大直流信号时才有的负反馈 C．在直流通路中的负反馈 5为了实现下列目的，应引入 A．直流负反馈 B．交流负反馈 ①为了稳定静态工作点，应引入（）； ②为了稳定放大倍数，应引入（）； ③为了改变输入电阻和输出电阻，应引入（）； ④为了抑制温漂，应引入（）； ⑤为了展宽频带，应引入（）：6.利用基本放大电路的微变等效电路只可求该放大电路的（） A. 电压放大倍数 B. 输入电阻和输出电阻 C. 静态工作点 D. 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 7.如图一所示电路，输入电压v I = 5mV，输出电压v O = 40mV，则反馈电阻R f为（） A. 80kΩ B. 40 kΩ C. 50 kΩ D. 70 kΩ 8.NPN型和PNP型三极管的区别是（） A. 由两种不同的材料硅或锗构成 B. 掺入的杂质不同 C. P区和N区的位置不同 D. 所加的正负电源不同 9.如图二所示负反馈放大电路的类型是：（） A. 电压并联负反馈电路 B. 电压串联负反馈电路 C. 电流并联负反馈电路 D. 电流串联负反馈电路 10.在单管共射放大器中（） A. i o与v i反相 B. v o与i o同相 C. v o与v i同相 D. v o与v i反相 三.填空题。 ⒈集成运放的输入级电路通常是一个⑴，输出级电路通常是⑵。 ⒉在反馈放大电路中，根据反馈量的引入对净输入量的影响的不同，可将反馈分为⑶和⑷两种类型。 ⒊在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号⑸；大小相等、极性或相位相反的两个输入信号称为信号⑹。 ⒋金属—氧化物——半导体场效晶体管简称MOS管，按其导电沟道中用来导电的载流子的类型，可将其分为⑺和⑻两种。 ⒌工作于线性区的理想运放，其净输入端有两个特点：即净输入电压v di = 0和净输入电流i di = 0通常称为⑼和⑽。 图二 《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，模电题库及答案.doc
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