二极管表示符号

电子元件符号大全常用的电子元件符号

普通的二极管

表示符号:D

变容二极管

表示符号:D 双向触发二极管

表示符号:D

稳压二极管

表示符号:ZD,D

稳压二极管注：单

向型TVS瞬态电压

抑制二极管也是这

个符号表示符

号:ZD,D

桥式整流二极管

表示符号:D

肖特基二极管

隧道二极管隧道二极管

光敏二极管或光电接

收二极管发光二极管

表示符号：LED

双色发光二极管

表示符号：LED

NPN型三极管

光敏三极管或光电

接收三极管 表示符号：Q,VT

单结晶体管（双基极二极管）新艺图库 表示符号：Q,VT

复合三极管 表示符号：Q,VT

表示符号：Q,VT

PNP 型三极管 表示符号：Q,VT

PNP 型三极管 表示符号：Q,VT

NPN 型三极管 表示符号：Q,VT

带阻尼二极管NPN 型

三极管 表示符号：Q,VT

带阻尼二极管及电阻NPN 型三极管 表示符号：Q,VT

IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT

带阻尼二极管IGBT

场效应管 表示符号：Q,VT

双向型 TVS 瞬态电压

抑制二极管 838电子

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义

CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二

极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流

(完整版)二极管参数中英文对照表

Cj Junction Capacitance 结电容 ηV Rectification Efficiency 整流效率 If DC Forward Current 正向直流电流 I(AV) Average Forward Rectified Current 正向平均整流电流ID Stand-off Reverse Leakage Current 关态反向漏电流IFSM Peak Forward Surge Current 正向浪涌峰植电流 ITSM Non Repetitive Surge Peak on-state Current 不重复浪涌峰值开态电流 IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流 IFRM Repetitive Peak Forward Current 正向重复峰值电流 IH Holding Current 维持电流 IO Mean Forward Current 正向平均电流 IR Reverse Leakage Current 反向漏电流 Irr Reverse Recovery Current 反向恢复电流 IPPM Maximum peak lmpulse Current 最大脉冲峰值电流 IRM Maximum peak Reverse Current 最大峰值反向电流 IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Current 最大峰值反向恢复电流 IRSM Maximum Non-repetitive recovery Peak Current 最大峰值反向恢复电流 IT On-state Test Current 导通测试电流 I2t Rating for fusing 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分值 PM(AV) Maximum Steady State Power Dissipation 最大稳态功耗 PPM Peak Pulse Power Dissipation 峰值脉冲功耗 Ptot Total Power Dissipation 总功耗 Qrr Recovered Charge 恢复电荷 ROJA Thermal Resistance (Junction to Ambient) 热阻（结到环境）

二极管的符号、判别、参数和分类

二极管符号 二极管（国标） 2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别

一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP1 7等。如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。 无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。 根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R ×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相接，测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的正极。同理，在所测得较大阻值的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻均很大，则说明管子内部开路。在这两种情况下，管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为300～500?，硅管为1k?或更大些。锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500k?以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。 点接触二极管的工作频率高，不能承受较高的电压和通过较大的电流，多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大，但适用的频率较低，多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。 选用整流二极管时，既要考虑正向电压，也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时，要求工作频率高，正向电阻小，以保证较高的工作效率，特性曲线要好，避免引起过大的失真。

各种常用电子元件符号及其名称【全】

各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D

肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT

复合三极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT

带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS

电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT

光敏电阻电容（有极性电容）CDS 表示符号： 电容（有极性电容）可调电容 表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器 表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 电子元器件符号图形

二极管符号大全

二极管符号大全 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流

二极管符号大全

二极管符号大全标准化工作室编码[XX968T-XX89628-XJ668-XT689N]

二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流

二极管的电路符号及图片识别

一：二极管的分类 令狐采学 1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。 2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。 3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 1）整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。 2）检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。 4) 稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。 5）变容二极管变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。 6））瞬态电压抑制器TVS 一种固态二极管，专门用于ESD 保护。TVS 二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。

7）发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 8）肖特基二极管 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 二：二极管的特性 通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能

二极管的主要参数

二极管的主要参数 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 2.常用二极管 （1）整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。 通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。2.常用二极管 （1）整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。 通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。 2）检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。 （3）开关二极管 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。 开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。 4）稳压二极管 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4 稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

常用电子元器件的符号

各种电子元件符号 普通的二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管注：单向型TVS 瞬态电压抑制二极管也是这 个符号表示符号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管隧道二极管 光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极 管 单结晶体管（双基极二极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT

表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号：Q,VT 双向型TVS瞬态电压抑制二 极管 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表电阻电阻器或固定电阻表

示符号：R 示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻 表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT 光敏电阻 CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容器（无极性电容） 表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 半导体放电管（固体放电管）

半导体二极管参数符号

半导体二极管参数符号 CT-势垒电容 Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容 Co-零偏压电容 Cjo-零偏压结电容 Cjo/Cjn-结电容变化 Cs-管壳电容或封装电容 Ct-总电容 CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC-电容温度系数 Cvn-标称电容 IF-正向直流电流（正向测试电流）。 锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）-正向平均电流 IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH-恒定电流、维持电流。 Ii-发光二极管起辉电流 IFRM-正向重复峰值电流 IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)-正向过载电流 IL-光电流或稳流二极管极限电流 ID-暗电流 IB2-单结晶体管中的基极调制电流

IEM-发射极峰值电流 IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM-最大输出平均电流 IFMP-正向脉冲电流 IP-峰点电流 IV-谷点电流 IGT-晶闸管控制极触发电流 IGD-晶闸管控制极不触发电流 IGFM-控制极正向峰值电流 IR（AV）-反向平均电流 IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电 流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM-反向峰值电流 IRR-晶闸管反向重复平均电流 IDR-晶闸管断态平均重复电流 IRRM-反向重复峰值电流 IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp-反向恢复电流 Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk-稳压管膝点电流 IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM-稳压二极管浪涌电流 IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF-正向总瞬时电流 iR-反向总瞬时电流 ir-反向恢复电流

二极管参数中英文对照表

二极管参数中英文对照表

Cj Junction Capacita nee 结电容 nV Rectification Efficie ncy 整流效率 If DC Forward Curre nt 正向直流电流 l(AV) Average Forward Rectified Curre nt 正向平均整流电流 ID Sta nd-off Reverse Leakage Curre nt 关态反向漏电流 IFSM Peak Forward Surge Curre nt 正向浪涌峰植电流 Non Repetitive Surge Peak on-state Curre nt 不重复浪涌峰值开 ITSM 态电流 IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流 IFRM Repetitive Peak Forward Curre nt 正向重复峰值电流 IH Holdi ng Curre nt 维持电流 IO Mea n Forward Curre nt 正向平均电流 IR Reverse Leakage Current 反向漏电流 Irr Reverse Recovery Curre nt 反向恢复电流 IPPM Maximum peak lmpulse Curre nt 最大脉冲峰值电流 IRM Maximum peak Reverse Curre nt 最大峰值反向电流 IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Curre nt 最大峰值反向恢复电流 Maximum Non-repetitive recovery Peak Curre nt 最大峰值反向恢 复电流 On-state Test Curre nt 导通测试电流 Rati ng for fusi ng 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分 值 Maximum Steady State Power Dissipati on 最大稳态功耗 Peak Pulse Power Dissipatio n 峰值脉冲功耗 Total Power Dissipati on 总功耗 IRSM IT I2t PM(AV) PPM Ptot Qrr ROJA

各元器件符号及作用

电子元器件基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别

用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件基础知识（4）——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

二极管参数说明

文字符 号中文English mean foreard current (of diode) mean on-state current non-reetive peak reverse voltage repetive peak reverse voltagenon-repetive peak off-state voltage repetive peak off-state voltage peak forward voltage (of diode) peak on-state voltage maximum virtual junction temperature mounting force repetive peak reverse currentrepetive peak of-state current gate trigger voltage gate trigger current junction-case thermal resistance reverse recovery charge peak on-state current peak forward current (of diode) surge on-state current critical rate of rise of off-state voltage critical rate of rise of on-state current

R.M.S. on-state current bi-directional thyristor) reverse recovery time (of diode) turn on timeIF(AV)正向平均电流(整流管)IT(AV)通态平均电流VRSM反向不重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VDSM断态不重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VFM正向峰值电压(整流管)VTMTjmFI RRMIDRMVGTIGTRjcQrrITMIFMITSM通态峰值电压 最高等效结温 紧固力 反向重复峰值电流 断态重复峰值电流 门极触发电压 门极触发电流 结壳热阻 反向恢复电荷 通态峰值电流 正向峰值电流(整流管) 通态浪涌电流 dv/dt断态电压临界上升率 di/dttgttqIRMS通态电流临界上升率 门极控制开通时间

LED发光二极管技术参数常识

LED发光二极管技术参数常识 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (一)、LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg 的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光)，半导体材料的Eg应在 3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 (二)、LED的特性 1.极限参数的意义 (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2.电参数的意义 (1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长。 (2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时，则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。 (3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. (4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为视角(或称半功率角)。 图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。

二极管的符号

二极管的符号、判别、参数和分类 二极管符号 二极管（国标） 二极管的判别及参数 1.简述 半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体最重要的两种元素是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。 二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。 二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。 常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。

2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别 一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP17等。如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。 无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。 根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相接，测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的正极。同理，在所测得较大阻值的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻均很大，则说明管子内部开路。在这两种情况下，管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为300～500Ω，硅管为1kΩ或更大些。锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500kΩ以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。 点接触二极管的工作频率高，不能承受较高的电压和通过较大的电流，多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大，但适用的频率较低，多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。 选用整流二极管时，既要考虑正向电压，也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时，要求工作频率高，正向电阻小，以保证较高的工作效率，特性曲线要好，避免引起过大的失真。

2极管参数及符号意义

一、半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流

二极管的符号(DOC)

二极管的符号、判别、参数和分类二极管（国标）

二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。 二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。 常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺 母以便固定在散热器上。

2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别 一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7， 2AP11～2AP17等。如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。 无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。 根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡，因为R×

1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相接，测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的正极。同理，在所测得较大阻值的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻均很大，则说明管子内部开路。在这两种情况下，管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为300～500Ω，硅管为1kΩ或更大些。锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500kΩ以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。 点接触二极管的工作频率高，不能承受较高的电压和通过较大的电流，多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大，但适用的频率较低，多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。

二极管的电路符号及图片识别

一：二极管的分类 1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。 2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。 3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 1）整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。 2）检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频 率特性。 3）开关二极管 在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。 4) 稳压二极管 稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。 5）变容二极管 变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。 6））瞬态电压抑制器TVS 一种固态二极管，专门用于ESD 保护。TVS 二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。 7）发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 8）肖特基二极管

基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr 特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 二：二极管的特性 通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。