RCA标准清洗步骤

硅片清洗工艺采用RCA方法，这是半导体行业硅片的标准清洗步骤：

1)配制氢氟酸溶液（1：20，本次100ml2000ml）

2)硅片支架清洗、吹干待用

3)取硅片放于支架上，按照顺序放好

4)配3＃液（硫酸：H2O2=3:1，本次660ml：220ml），硫酸最后加，同时另一

容器煮水

5)用3＃液煮洗，15min，加热至250℃，拎起支架稍凉片刻

6)将支架放到热水中，冲水

7)配制1＃液（氨水：H2O2：H2O＝1：1：5-1:1:7），前两者倒入热水中，加

热75～85℃，时间10～20min（时间不可太长，因为氨水对硅有腐蚀作用，利用络合作用去除重金属杂质），取出硅片支架，放入1＃液，15min，取出放到热水中，冲水

8)配制2＃液（HCl：H2O2：H2O＝1：1：5，本次240ml240ml1200ml）前

两者倒入热水中。

9)取出硅片，放入2＃液，15min，取出放热水中，冲水。

10)10％的氢氟酸(1:20，本次100ml2000ml)时间5～10s，去除硅表面氧化层

11)去离子水冲洗时间20min