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SiC为碳源高温高压合成的金钢石的特性

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新型碳源和触媒合成金刚石的研究

%以 Fe-C 化合物为碳源和触煤进行金刚石合成的实验,为了验证程先生理论的正确性,先 验证高温高压下是否可以合成金刚石, 然后降低温度和压强, 在较低的温度和...

附加碳源对SiC单晶生长过程的影响(英文)1

J Crystal Growth[J], 2001, 233: 541 附加碳源SiC 单晶生长过程的影响程基宽,高积强,刘军林,蒋仙,杨建峰,乔冠军 (西安交通大学,陕西 西安 710049) 摘要...

碳源浓度对掺硼金刚石/多孔钛复合材料制备的影响

碳源浓度对掺硼金刚石/多孔钛复合材料制备的影响_电子/电路_工程科技_专业资料。利用热丝化学气相沉积技术,在多孔钛膜上生长重掺硼金刚石薄膜,研究了碳源浓度对复合...