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《模拟电子技术基础》考试试卷一附答案模电 (2)

模拟电子技术基础试卷一附答案

一．（10分）设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图（b）电路的输出电压V o1。

（a）（b）

解：（a）v i≥0.7V，D导通，v o=0.7V；v i<0.7V，D截止，v o=v i。（4分）输出波形如下：（2分）

（b）D2导通，D1截止，Vo1=（-3+0.7）=-2.3V。（4分）

二.（10分）放大电路如图所示。已知：

R b1=62K，R b2=15K，R s=10K，R c=3K，

R e=1K，R L=3K，C1=C2=10μ，C e=220μ，

V CC=+15V，β=80，V BE=0.7V。

1.说明电路属于何种组态，

画出该电路的直流通路；（5分）

2.计算该电路的静态工作点。（5分）

3.画小信号等效电路，求电压放大倍数，输入

电阻，输出电阻。

4.说明电路属于何种组态，

解：1.共发射极放大电路（2分），直流通路见右图。（3分） 2.Q 点：

V .V R R R V CC b2b1b2B 9221515

6215

=?+=?+≈

（2分）

mA .R V V I I e

B E

C 222=-=≈（1分）

mA .I

I C B 0280=β

=（1分）

V .)(.)R R (I V R I R I V V e c C CC e E c C CC CE 1261322215=+-=+-≈--=（1分） V R R I V R I R I V V 4.8)6.33(115)(e c C CC e E c C CC CE =+?-=+-≈--= (1分)

（3）微变等效电路图

(4)求电压放大倍数A v 、输入电阻和输出电阻; A v =-βR C ∕r be =(50×3)∕1.6=-94

r be =300+(1+β)26（mV ）∕I E (mA)=1.6 ( kΩ) Ri=R b1//R b2// r be =60//24//1.6≈1.6 ( kΩ) R O =R C =3( kΩ)

三.（18分）放大电路如图所示。已知C 足够大，场效应管的参数g m =0.8ms ，R 2=6.8KΩ，三极管的参数β=50，r be =0.5K ，R 3=90KΩ，R 4=10KΩ，R 5=4KΩ，R 6=1.5K Ω，R L =4KΩ。

1.画出其小信号模型等效电路。（4分）

2.计算电路的电压放大倍数A v 、输入电阻R i 和输出电阻R o 。（10分）

3.若R s =10K 时，计算源电压放大倍数A vs ，说明R 6对电路频率响应的影响。（4分）

解：1.小信号模型等效电路（4分）

2.电压放大倍数A v 、输入电阻R i 和输出电阻R o ：第二级的输入电阻为i2R =R 3//R 4//[r be +（1+?）R 6]=8.06K

第一级的电压增益：=v1

A -（R 2//R i2）g m =-3.8*0.8=-2.95（2分）第二级的电压增益：=β++?β-=6

be L 5v2

R )(r )R //R (A 1 -1.3（2分）总的电压增益：v2

v1v A A A ?==3.835（2分）输入电阻R i ：1i

i i R I V

R == =10M （2分）

输出电阻R o ：o R = R 5= 4K （2分）

3.源电压放大倍数A vs ：=?+=+= 3.83510000

1010000A R R R A v

s i i

vs 3.83（2分） R 6引入电流串联负反馈，所以电路的频带会变宽。（2分）

四.（12分）反馈放大电路如图示。

1.判断各电路中级间交流反馈的极性（要求在图上标出反馈极性）。（4分）

2.对于级间交流反馈为负反馈的电路，进一步判断反馈的类型，同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益（写出表达式）。并简单说明电路对输入电阻，输出电阻的影响，对信号源内阻有什么要求？（8分）

（a ）（b ）

解:1.(a)负反馈（2分） (b)正反馈（2分） 2.电压串联负反馈（2分）

o f V V V F =f e e R R R +=11（2分） i

o VF V V A =V 1F =11e f R R +=（1分）使输入电阻增加（1分），输出电阻减小（1分），要求信号源内阻越小越好（1分）。

五.（10分）集成运算放大器构成的运算电路如图示，求电路的输出电压。 1.求出电路（a ）的输出电压。（4分）

2.在电路（b ）中，设t =0时v c =0，此时加入v i =1V ，求t =40ms 时v o =？（6分）

（a ）（b ）解:(a) V )(v R R v )R R (v i f i f o 3110

21010111121=?-?+=-+=（4分）

(b)

V (t)dt v C R 1(t)v R R (t)v i 1i 1f o 310401011020112020363-=???????????+?-=??

????+-=--? （6分）

六.（10分）电路如图所示，试用相位平衡条件判断哪个能振荡，哪个不能振荡（要

求在电路中应标出i V ，o V ，f V 以及它们的瞬时极性）？对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。

（a ）

（b ）

解：

（a ）（b ）

满足相位平衡条件，能振荡（3分）不满足相位平衡条件，不能振荡（3分）振荡频率为：RC

f π21

（4分）

七.（10分）比较器电路如图所示，设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ，并画出比较器的电压传输特性v o =f (v i )。（6分）

2.画出输入为v i =6sin(w t)V 的正弦信号所对应的输出电压波形，并标出输出幅值。（4分）

解：1.门限电压：

V v R R R V o T 3621

212=?=+=

+（2分） V )(v R R R V o T 362

1212-=-?=+=-

（2分）电压传输特性曲线：（2分） 2.输出电压波形（2分），标出幅值（2分）

八.（10分）直流稳压电源如图所示。已知：v i =20sin ωt （V ），V Z =5.3V ，R 2=200Ω，R 3=R 1=400Ω，V BE =0.7V ，C1=2000μf 。求： 1.V1值。（2分） 2.Vo 的输出范围。（5分）

3.试述电路中T1、T2和DZ 的作用。（3分）

解：1.1820/1.42.12V .1V1I ≈?==V （2分）

2.o 3

213

2Z BE2B2V R R R R R V V V ?+++=

103).57.0(400200400

200400)V V (R R R R R V Z BE232321omin =+?+++=+?+++=V （2.5分）

15)3.57.0(400

400

200400)V V (R R R R V Z BE23321omax =+?++=+?++=

V （2.5分）所以，15V V 10V o ≤≤。

3.T1为调整管（1分）；T2构成直流放大，对输出电压取样放大（1分）；

DZ 为放大器提供基准电压（1分）

九.（10分）差动放大电路如图所示。已知：R C =R L =10k Ω，R E =5k Ω，R B1=R B2=4k Ω，+V CC =+12V ，

-V EE =-12V 。设T1、T2的β相等均为50，r be 均为1k Ω。求：

1.画出差模信号和共模信号的交流通路；（4分）

2.求出差模电压放大倍数A vd 和共模电压放大倍数A vc ；（4分）

3.计算K CMR 。（2分）

解：1.差模信号交流通路（2分）共模信号交流通路（2分）

2.差模电压放大倍数A vd ：251)

2(4)

101010

10(

50)

r 2(R )

R //R (A be1B1L C vd

-=++??-

=+β-= （2分）

共模电压放大倍数A vc ：243.0]

R )1(2r R [2)

R //R (A E be1B1L C vc

-=β+++β-= （2分）

3.9.102243.025A A K vc

vd CMR =--== （2分）

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五２、在P 型半导体中,自由电子浓度Ｃ空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于３、本征半导体温度升高以后，Ｃ。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将Ａ。Ａ. 变窄Ｂ．基本不变 C. 变宽 D ．无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在Ｃ。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏Ｂ. 前者正偏、后者反偏Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ．前者反偏、后者正偏８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ．增大 B ．不变 C. 减小 D. 都有可能９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０１0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为Ｄ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是Ｄ器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路１4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是Ｂ。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80 V 则差模输入电压u Id = 20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k ，R B1 120k ， R B2 39k ，R C 3.9k ，R E 2.1k ，R L 3.9k ，r bb’ ，电流放大系数 50，电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

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模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小

一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

模电试题及答案

试题一一、选择题：（每小题2分，共24分）（1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路（4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈（6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和（9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通（11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）（1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。（2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。（3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。

中南大学模电试卷及答案

中南大学模拟电子技术试卷（第1套）一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。 2．在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。 3．在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。 4．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对信号的放大作用无影响，对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝。 5．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ，则此滤波器为滤波器，其通带放大倍数为，截止频率为。 6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。

2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为；其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

模电试卷和答案 (2)

昆明冶金高等专科学校试卷(A) 学院: 专业: 课程: 考试学期: 年季学期考试时间: 分钟试卷类别: 闭卷行政班级: 学生姓名: 学号: 一、填空题(每空1分,共30分) 1. PN结正向 ,反向 ,具有性。 2.三极管按其结构可分为与。 3.三极管的三种工作状态就是、与。 4.三极管处于放大状态的外部工作条件就是。 5.当环境温度下降时,会导致三极管的集电极电流 Ic 。 6.多级放大电路常用的耦合方式有、与。 7.差动放大电路的主要功能就是可以有效抑制。 8.功率放大电路从其静态工作点的设置情况可分为、与三种类型。 9.OTL功放的含意就是。 10.集成运算放大器的输入级常采用电路,中间级常采用电路,输出级常采用电路。11.理想集成运算放大器的两条重要性质就是与。 12.振荡电路能够起振的条件就是与。

13.LC振荡电路的振荡频率为。 14.直流稳压电源主要由、、与四个部分构成。二、判断题(每题1分,共12分) 1.当PN结承受正向电压时,内电场被削弱,空间电荷区变宽。( ) 2.二极管两端承受正向电压时,一定会导通。 ( ) 3.NPN型三极管工作于放大状态时,E极电位最高。 ( ) 4.三极管的Au体现了其电流放大功能。 ( ) 5.开关三极管工作于截止区与饱与区。 ( ) 6.三极管的β值越高越好。 ( ) 7.多级放大电路的总放大倍数等于各级放大倍数之与。 ( ) 8.电压负反馈可以稳定输出电流。 ( ) 9.放大电路的通频带越宽越好。 ( ) 10、单管共射放大电路,输出与输入电压相位差0度。 ( ) 11、共基放大电路,输出与输入电压相位差90度。 ( ) 12、为消除乙类功放的交越失真,应使其工作在甲乙类。 ( ) 三、选择题(每题2分,共10分) 1、能将矩形波转变成三角波的电路就是( ) A、比例运算电路 B、微分运算电路 C、积分运算电路 D、加法电路 2、如要求能放大两个信号的差值,又能抑制共模信号,采用( )方式的电路: A、反相输入 B、同相输入 C、双端输入

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1．已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3．图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4．在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =，相应的电压增益为（）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5．根据不同器件的工作原理，试判断（）可以构成复合管。（A ）（B ）（C ）（D ） 6．在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益

(完整版)模电试卷与答案3

一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分） 1．在一个NPN 管组成的基本共发射极放大电路中，当输入幅度为5mV ，频率为1kHz 的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平失真（1）这种失真是 ( ) A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 交越失真 D. 频率失真（2）为了消除这种失真应 ( ) A. 减小集电极电阻R C B. 减小电源电压U CC C. 增大基极电阻R B D. 减小基极电阻R B 2．放大电路的空载是指 ( ) A. R C ＝0 B. R C ＝∞ C. R L ＝0 D. R L ＝∞ 3．若要增大某放大器的输入电阻和使输出电流稳定，可加入下列负反馈： ( ) A.电流串联 B.电压串联 C.电流并联 D.电压并联 4．甲乙类功率放大器在输入信号整个周期中，管子只导通 ( ) A.一个周期 B.半个周期 C.大于半个周期小于一个周期 5．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 ( ) A.反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C.微分电路 D.积分电路 6．三端稳压电源输出正电源并可调的是（） A ．CW78XX 系列 B ．CW337系列 C ．CW317系列 7．在单相桥式整流电容滤波电路中，则负载上的电压（） A ．U 2 B ．1.2U 2 C ．1.414U 2 D ．2U 2 8．开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是（） A ．调整管工作在开关状态 B ．输出端有LC 滤波电路 C ．可以不用电源变压器 9．有220V 、25W 的电烙铁，其电源控制电路如图所示，烙铁温度最高的是（） A ．S 1、S 2均接通 B ．S 1断开，S 2接通 C ．S 1接通，S 2断开 D ．S 1、S 2均断开 10．若稳压二极管V 1和V 2的稳定电压为6V 和10V ，则下图的输出电压（） A. 10V B. 6V C. 16V D. 4V 11. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV ”的指示值是5μs ，则所测正弦波的频率为（） A ．100kHz B ．50kHz C ．25kHz D ．20kHz 12. 若载波u C (t)=U C cos ωC t,调制信号u Ω(t)= U Ωcos Ωt ，则双边带调幅波的表达式为（） A ．u DSB (t)=U C cos （ωC t ＋m a sin Ωt ） B ．u DSB (t)=U C cos （ωC t ＋m a cos Ωt ） C ．u DSB (t)=U C （1＋m a cos Ωt ）cos ωC t D ．u DSB (t)=kU ΩU C cos ωC tcos Ωt 13. 鉴相的描述是（） A ．调幅信号的解调 B ．调频信号的解调 C ．调相信号的解调 14．下图所示框图能实现何种功能？（）其中u s (t)= U s cos ωc tcos Ωt ， u r (t)= U r cos ωc t A ．振幅调制 B ．检波 C ．混频 D ．鉴频 15. MC1596集成模拟乘法器可以用作（） A ．混频 B ．频率调制 C ．相位调制二、填空题（每空1分，共14分） 1．测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x 、y 、z 对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出分别为三极管的_______极、_______极、________极。 2．已知某放大电路的第一级电压增益为40dB ，第二级电压增益为20dB ，总的电压增益为____________dB 。 3．差动放大电路中共模信号是指。 4．调幅波的几种调制方式是、、和。 5．在图所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成，输出电压最小值的表达式。常州信息职业技术学院学年第学期模拟电子线路课程期末试卷班级姓名学号成绩装订线

模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中频时的( Ｂ）ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ

a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri 6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。 A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1 、rbe1，V2的b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA