分子束外延 (MBE) 技术---基质加热器

MBE 组件

完全按照操作标准加工，旨在提供高度可靠、灵活的性能。Veeco 提供了一套完整的 MBE 系统组件，包括专为 MBE 工艺开发的先进的加热器、电源、设备控制器、布线和软件包。

1. 基质加热器 适用于特定温度和生长环境

Veeco 提供适用于特定应用领域、专为特定温度和生长环境条件而制造的基底加热器。标准设计使用 PBN 扩散器板和高级线丝，可提供优异的跨区一致性并降低了能耗。

? 优异的热均匀性 ? 低能耗 ? 清洁操作 ? 提供多丝材料

? 适合于特定应用领域的设计和材料 ? 延长了氧和氨环境下的寿命 ? 提供双丝加热器

?

适用于所有标准 MBE 系统

2. MBE 线性移动快门

动作更快、寿命更长

借助 Veeco 线性移动快门可替代整体快门来控制分子束外延 (MBE) 系统中的射束流量，从而实现更快的动作。该快门带阻尼设计，实现了更长的使用寿命（>1 百万次），活动部件由波纹管密封并由气压驱动，而且轴受到保护可防止气动启动器阻塞。

? 可靠、耐用、动作快速（50 ms 即可打开或关闭），因此可替代整体快门来控制 MBE 系统中的射束流量

? 带阻尼设计的快门受到的冲击与振动降低 - 设计使用寿命 >1 百万次

? 活动部件由波纹管密封并由气压驱动

? 轴受到轴壳保护，可防止凝结的蒸发物阻塞启动器 ? 气动启动器可避免干扰 RHEED 或其他敏感设备 ?

适用于所有标准 MBE 系统

3. 气体源交付系统

用于 Veeco MBE 气体源精确控制

Veeco 的气体源传送系统 (GSDS) 提供对气体的精确控制、互锁和监测惰性气体、有害气体和/或可燃气体。Molly ? ECS1 生长控制软件可轻松与您的现有系统实现集成。

提供各种组合选项以符合您的需求及预算。所有组合均附带每条管路的手动气管切断阀、气体过滤净化器、质量流量控制器和气动控制运行排气阀。

? 对 Veeco MBE 气体源实现高效、安全的气体控制 ? 便捷的操作和监测流程

?

三种模型配置以满足特定应用和预算

4. 磷回收系统

高效、安全的捕获及中和白磷的方法

由于白磷极易与氧气发生反应，Veeco 磷回收系统 (PRS) 提供了一种在为 MBE 系统通风以进行维护和/或源重新装载之前捕获及中和生长模块中白磷的安全高效方法。该过程受 Veeco Molly? 生长扩展软件的控制和严密监测。

为适应小批量制造环境或大批量制造环境，Veeco PRS 有两种型号可供选择。

? 高效、安全的磷中和方法

? 利用 Molly 生长控制软件可轻松地操作和监测流程 ?

与所有 MBE 系统兼容

5. CBr4 气体流量控制系统 碳掺杂的最终控制解决方案

Veeco 多孔 CBr 4 气体流量控制系统配合 Veeco 低温气体源使用时可在利用 CBr 4 气体作为碳掺杂源时控制 CBr 4 气体向超高真空 (UHV) 环境的引入过程。采用了闭环压力控制和一系列气动开关阀，该系统可最大限度地发挥调节气体的能力。联锁的采用可避免潜在的设备损坏并确保最佳的真空系统性能。 该系统还包括用于将 H 2 气体引入 Veeco 原子氢源从而将其转化为原子氫的可选独立管线系统。此方法可在基底清洁过程中降低氧化物脱附温度，并在薄膜生长过程中充当表面活化剂以提高原子表面迁移率。

Veeco CBr 4 气体流量控制系统为选择的系统状态提供了两种模式：本地和远程。MBE 自动系统上的远程状态需要 ECS1 版本的 Molly 生长控制软件来控制系统生长。

? 将 CBr 4 气体引入 UHV 环境这一方法不仅高效而且安全 ?

可选的独立管线系统可将 H 2 气体转化为原子氢以便于基底清洁

6. 磷阀式裂解器温度控制器 准确、稳定地控制流量不稳定性

Veeco 磷阀式裂解器温度控制器可以与以前版本和当前版本的 Veeco 磷阀式裂解器协同工作。该控制器可轻松确保白色区域温度精确、稳定，消除生长期间的流量不稳定性。

? 将磷白色区域温度保持在 ±0.05°C 内，将流量保持在 <±1% 内

? 与所有 Veeco 磷阀式裂解器兼容

?

消除由于水温、空气温度和气流造成的磷流量不稳定性

7. 阀门自动定位器

流量控制精确、可重现且可自动实现

Veeco SMC-II 系列阀门自动定位器配合 Veeco 阀式裂化器使用可通过源针阀提供精确且可重现的流量控制。阀门由远程自动控制或本地手动控制的伺服电机驱动。由于易于与生长控制软件进行集成，SMC 可在无人职守的情况下自行运行。

? 成本低且适合于许多种不同的分子束外延应用

? 配合 Veeco 阀式裂化器使用可通过源针阀提供精确且可重现的 MBE 流量控制

? 阀门可由远程自动控制或本地手动控制的伺服电机驱动 ?

由于易于与现有的 MBE 生长控制软件进行集成，它可在无人职守的情况下自行运行

8. 生长阶段定位器 精确、准确且可重现的定位

Veeco SMC-II 系列生长阶段定位器 (GSP) 配合 Veeco 控制器使用可利用光学编码位置反馈实现对基底位置和旋转非常精确、可重复的闭环运动控制。可通过远程自动控制或本地手动控制实现对基底控制操作的控制。由于易于与生长控制软件进行集成，GSP 可在无人职守的情况下自行运行。

? 成本低且适合于许多种不同的分子束外延应用

? 配合 Veeco 控制器使用可实现精确且可重复的基底定位和旋转 ?

可通过远程自动控制或本地手动控制的伺服电机加以驱动

由于易于与现有的 MBE 生长控制软件进行集成，它可在无人职守的情况下自行运行

9. UNI-Bulb RF 等离子源自动调节器 自动 MBE 等离子源优化解决方案

借助可自动调整和保持最佳等离子源状态的 Veeco UNI-Bulb 等离子源自动调节器，可实现 MBE 等离子源的自动操作 -- 即使您的操作条件经常更改。此调节器可直接替换常用的 Veeco 手动调节器，并可与现有电源配合使用，由于 UNI-Bulb 在稳定性、可再现性和能效方面的优点，此调节器已成为氧化物和氮化物应用领域的极佳材料提供系统。

? 支持自动 MBE 操作 -- 自动调整和保持最佳等离子源状态 ? 在实验过程中不再需要手动调整；适合于操作条件经常更改的应用场合

? 经验证的常用 Veeco RF 等离子源的自动化版本 ?

适用于氧化物和氮化物的极佳材料提供系统 -- 良好的稳定性、可再现性和能效

10. 适用于 MBE 系统的生长控制和计划软件 流程控制的完整解决方案

借助 Veeco 推出的全面集成 Molly ? 生长控制软件和批量 Manager TM 计划软件，可实现精确的配方控制和监测并实现生长流程自动化。本软件控制解决方案旨在通过将批量 Manager 配合 Molly 使用来为研究和生产分子束外延 (MBE) 系统实现晶片传送控制自动化。

? 针对研究和生产 MBE 系统的全面集成软件控制解决方案

? 凭借 EpiTrend “始终开启”的数据归档器和显示屏可比较当前数据和历史数据，因此，Molly 生长控制软件是研究应用的理想之选。

? 批量 Manager 使用高度灵活的批量和运行表控制自动化生产 MBE 系统； ? 可配置为自动控制滚筒传输以及启动用户定义的生长配方 ? 扩展脚本语言可实现更加精确的控制

?

配方检查和诊断有助于最大限度地降低停机时间和报废率

11. 结合 PID 温度控制器的直流电源 多用途 MBE 功率和温度控制

Veeco 推出的用于分子束外延 (MBE) 的直流电源系列包括集成 PID 温度控制器，可实现源和基底加热器的操作准确、可靠。通过使用闭环温度或功率反馈，该电源可提供极佳的流量稳定性，并且能够以独立

或堆叠的方式使用。Veeco 的直流电源与 Veeco 的所有泻流室都兼容。

? 完整的直流电源系列包括集成 PID 温度控制器，可实现 MBE 源和基底加热器的操作准确、可靠

?

通过使用闭环温度或功率反馈可提供极佳的流量稳定性

?

可用作独立电源，也可以堆叠的形式使用以满足对功率的更高要求

?

与 Veeco 的所有泄流室兼容增加了灵活性和适用性

经证明符合所有主要的法规遵从标准；提供 4 年部件和人工保修 12. MBE 坩埚

针对各种应用的 PBN 解决方案

借助 Veeco 推出的用于分子束外延 (MBE) 泄流室的一套完整的 PBN 坩埚（包括专门用于 Veeco 的 SUMO 室的坩埚）可增加主要源的电荷携带量。Veeco PBN 坩埚设计为适合于双丝室、改进型丝室、标

准型丝室、低温室、掺杂室和 SUMO 室。

? 一套完整的 MBE 坩埚产品

? 独一无二的 SUMO 室坩埚可增加主要源的电荷携带量

?

非常适合于在双丝室、改进型丝室、标准型丝室、低温室、掺杂室和 SUMO 室中使用

?

Veeco 坩埚几乎可满足任何 MBE 应用

13. MBE 加热式视口

控制和监测效果是传统视口无法比拟的。

Veeco 推出的加热式视口可防止在分子束外延 (MBE) 系统中的光学端口上形成涂层 - 通过使用传统视口

所无法比拟的原位监测技术可对晶体生长实现连续、实时的反馈控制。加热式视口使实验室能够避免传统视口上不得不进行的操作：为系统通风以清除从砷源升华而来并涂覆在传统视口上的 As4。

? Veeco 加热式视口可防止在 MBE 系统中的光学端口上形成涂层，通过使用原位监测技术可对晶体生长实现连续、实时的反馈控制

? 比传统非加热式视口更加可靠，传统视口会被砷源升华出来的 As4 涂覆 ? 无需为系统通风以清除视口上的涂层 ? 视口可由室温加热至 >500°C

? 配备了半机架或全机架安装套件的可选台式直流电源适合更灵活的应用 ?

电源配有 7m 完全耐烘烤电缆

14. MBE 源法兰

适合于 UHV 反应器中的沉积制程

您可利用 Veeco 源法兰为超高真空 (UHV) 反应器增加分子束外延 (MBE) 类型的沉积能力。法兰可与多种 MBE 源和应用兼容，并且有各式各样的源法兰可供选择，包括当今最常用的样式。各式各样的选件增

加了灵活性

? 允许用户向 UHV 反应器增加高品质 MBE 类型的沉积能力 ?

法兰可与多种 MBE 源兼容，有助于生长多种类型的外延薄膜 - 适合

多种实验室或生产需求

?

有各式各样的源法兰可供选择，包括最常用的样式（“源到基底”距离 ~4"-10"/102mm-254mm ）

有一系列产品选件可供选择 - 用户可以选择所需外径的主法兰、室端口数量以及气源到基底的距离 15. MBE 系统电缆 与清洁室兼容，具有高温特性

用 Veeco 推出的完整系列的系统电缆将室与控制器相连，可实现较高的电荷携带量和较高的工作温度，进而可确保分子束外延 (MBE) 泄流室的运行安全、可靠。由经 Teflon? 涂层处理的较粗电线和屏蔽式热电偶扩展组件制成的电缆，可提供与清洁室完全兼容的有效解决方案。电缆的耐烘烤温度达 200°C ，因

此无需在加热前将电缆移开。

? 用于连接控制器和 MBE 泄流室的完整电缆系列 - 适合于各种应用 ? 较高的电荷携带量和工作温度，运行安全、可靠 ?

与清洁室完全兼容

?

电缆的耐烘烤温度达 200oC - 无需在加热前将电缆移开

16. UNI-Block MBE 基质承载座

更灵活，颗粒生成更少

利用 Veeco UNI-Block ? 基底承载座可更快地将全部或部分基底安装在同一承载环中，最大程度地减少了颗粒生成。不需要安装线或夹卡，系统设计减少了颗粒污染。提供了适合于部分晶片和扩散器板的配置，并提供了可看到晶片背面的透光度，UNI-Block 基底承载座几乎可用于所有分子束外延 (MBE) 系统。

? 实现在同一承载环中快速安装全部或部分基底，最大程度地减少了颗粒生成

?

快速安装最大程度地减少了基底暴露在环境中的机会 ?

系统设计减少了颗粒污染

? 适合于部分晶片和扩散器板的配置，或可看到晶片背面的透光度 ?

几乎可用于所有 MBE 系统

17.氧压控制系统

Efficient, safe means of controlling oxygen in MBE oxide applications

With increasing interest in oxygen applications, Veeco's Oxygen Pressure Control System enables the precise control of the amount of oxygen inside the MBE growth module.Through time-saving automation, the control system works to comparatively monitor oxygen pressure feedback and operator-entered values for pressure setpoint and ramp rate to derive a signal variable that directs the open/close manipulation of a piezoelectric valve to emit the desired amount of oxygen into the growth module.

The Veeco Oxygen Pressure Control System is available for all Veeco MBE systems integrated with

Molly ECS1 Growth Control Software.

?Efficient, precise means of controlling oxygen in MBE oxide

applications

?Easy integration and monitoring using Molly Growth Control

Software

?Compatible with all MBE systems integrated with ECS1 Version of

Molly Growth Control Software

分子束外延

分子束外延（英文名称；Molecular Beam Epitaxy） 1、定义：分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为MBE。其 方法是将半导体衬底放置在超高真空腔体中，和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中（也在腔体内）。由分别加热到相应温度形成蒸汽，经小孔准直后形成分子束或原 子束直接喷射到上述衬底上，同时控制分子束对衬底的扫描， 就可以生长出极薄的（可薄至单原子层水平）单晶体和几种物质交替的超晶格结构。 2、研究对象：分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶 体和超晶格的生长。 3、MBE的一般结构： 目前最典型的MBE系统是由进样室、预备分析室、和外延生长室串连而成。 进样室：进样室用于换取样品，是整个设备和外界联系的通道，也可同时放入多个衬底片。 预备分析室：对衬底片进行除气处理，对样品进行表面成分、电子结构和杂质污染等分析。通常在这个真空室配置AES、SIMIS、XPS、UPS等分析仪器。 外延生长室：是MBE系统中最重要的一个真空工作室，用于样品的分子束外延生长。配置有分子束源、样品架、电离记、高能电子衍射仪和四极质谱仪等部件。

监测分子束流有以下几种： ●（1）石英晶体常用于监测束流，束流屏蔽和冷却适当，可得满 意结果。但噪音影响稳定性。几个 m后，石英晶体便失去了线性。调换频繁，主系统经常充气，这不利于工作。 ●（2）小型离子表，测分子束流压，而不是测分子束流通量。由 于系统部件上的淀积而使其偏离标准。 ●（3）低能电子束，横穿分子束，利用所探测物种的电子激发荧 光。原子被激发并很快衰退到基态产生UV荧光，光学聚焦后荧光密度正比于束流密度。可做硅源的反馈控制。不足之处：切断电子束，大部分红外荧光和背景辐射也会使信噪比恶化到不稳定的程度。它只测原子类，不能测分子类物质。 生长室结构：

word完整版史上最全的半导体材料工艺设备汇总推荐文档

小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。 1、单晶炉 设备名称：单晶炉。

设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。主要企业（品牌）： 国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec 公司、美国QUANTUM DESIG公司、德国Gero公司、美国KAYEX 公司。 国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。 2、气相外延炉 设备名称：气相外延炉。 设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。 主要企业（品牌）： 国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex 公司、美国科特?莱思科（Kurt J.Lesker ）公司、美国Applied Materials 公司。 国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。

3、分子束外延系统( MBE，Molecular Beam Epitaxy System ) 设备名称：分子束外延系统。 设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备 单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。 主要企业(品牌)： 国际：法国Riber 公司、美国Veeco 公司、芬兰DCA Instruments 公司、美国SVTAssociates 公司、美国NBM公司、德国Omicron 公司、德国MBE-Komponenten公司、英国Oxford Applied Research (OAR 公司, 国内：沈阳中科仪器、北京汇德信科技有限公司、绍兴匡泰仪器设备有限公司、沈阳科友真空技术有限公司。 4、氧化炉( VDF) 设备名称：氧化炉。 设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不

半导体工艺主要设备大全

清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。 净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统,组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广泛用于微电子医院\制药\生化制品\食品卫生\精细化工\精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用,防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP为游离磨料CMP。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合

半导体工艺要点(精)

半导体工艺要点 1、什么是集成电路 通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能 2、集成电路设计与制造的主要流程框架 设计-掩模板-芯片制造-芯片功能检测-封装-测试 3、集成电路发展的特点 特征尺寸越来越小 硅圆片尺寸越来越大 芯片集成度越来越大 时钟速度越来越高 电源电压/单位功耗越来越低 布线层数/I/0引脚越来越多 4、摩尔定律 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸(多晶硅栅长)倍，这就是 摩尔定 5、集成电路分类 6、半导体公司 中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC） 上海华虹(集团)有限公司 上海先进半导体制造有限公司 台积电(上海)有限公司 上海宏力半导体制造有限公司TI 美国德州仪器 7、直拉法生长单晶硅 直拉法法是在盛有熔硅或锗的坩埚内，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制温度场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，晶体便在籽晶下按籽晶的方向长大。

1.籽晶熔接: 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击 2.引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引晶”，又称“下种”。“缩颈”是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm 3.放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。在放肩时可判别晶体是否是单晶，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征—棱的出现可帮助我们判别，<111>方向应有对称三条棱，<100>方向有对称的四条棱。 4.等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。 5.收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。 8、直拉法的两个主要参数：拉伸速率，晶体旋转速率悬浮区熔法 倒角是使晶圆边缘圆滑的机械工艺 9、外延层的作用 EpitaxyPurpose 1、Barrier layer for bipolar transistor 2、Reduce collector resistance while keep high breakdown voltage. 3、Improve device performance for CMOS and DRAM because much lower oxygen, 4、carbon concentration than the wafer crystal Epitaxy application,bipolar transistor Epitaxy application, CMOS

分子束外延技术(MBE)的原理及其制备先进材料的研究进展

分子束外延技术（MBE）的原理 及其制备先进材料的研究进展 XX （XXXX大学材料学院，西安710000） 摘要：分子束外延(MBE)是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的,是为了满足在电子器件工艺中越来越高的要求.MBE是一个动力学过程，而不是一个热力学过程.与其它外延薄膜生长技术相比，MBE具有许多特点,如生长速率低、衬底温度较低等.在超薄层材料外延生长技术方面，MBE的问世使原子、分子数量级厚度的外延生长得以实现，开拓了能带工程这一新的半导体领域.半导体材料科学的发展对于半导体物理学和信息科学起着积极的推动作用.MBE是制备新型器件较为有用的方法，但是有其缺点.未来的发展趋势是结合其他生长技术不断改进MBE，如MBE与VPE并用、气态源分子束外延(GSMBE)、激光分子束外延（LaserMBE）等. 关键词：分子束外延；薄膜；生长技术；半导体 The principle of Molecular Beam Epitaxy (MBE) and the research progress in the preparation of advanced materials XX (Department of Materials,XXX,Xian 710000) Abstract:Molecular Beam Epitaxywas developed forthe preparation of semiconductor thin film materials by vacuumevaporationtechnique in the 50's，which aims to meet the requirements ofthe electronic devices in the process of higher and higher.MBE is a dynamic process, not a thermodynamic process.MBE has many characteristics whencomparing with other epitaxial thin film growth techniques , such as low growth rate, low substrate temperature and so on.The advent of MBE letthe thicknessof order of magnitudeof atomic, molecular of epitaxial growth be achieved in ultrathin layer epitaxial growth technique, that has opened upBand Engineering,anew field of semiconductors.The development of semiconductor materials science plays an active role in the development of semiconductor physics and information science.MBE is a more useful way to prepare new devices, but there areshortcomings.In the future,the development trend is to continuous improving MBE with the combination of other growth techniques,such as combining MBE with VPE,Gas Source Molecular Beam Epitaxy,Laser Molecular Beam Epitaxy etc. Key words:Molecular Beam Epitaxy;thin film;growth techniques;semiconductor

激光分子束外延系统LMBE

激光分子束外延系统（LMBE） 1主要技术参数与要求 (1) 主腔体： 1. 腔体材料采用优质304不锈钢，全金属密封连接，腔体直径16英寸 （圆柱形设计）； 2. 观察窗采取保护措施（加装含铅玻璃）以防止辐射，腔体预留仪器升 级窗口； 3. 真空系统采用德国普发分子泵（Hipace700），分子泵需配有数据接 口以实现软件控制，抽速为650L/s，并配合使用爱德华涡旋式干泵（dry pump，减少返油污染），抽速5.4 m3/hr，本底极限真空度优于5×10-9mbar （烘烤后）。分子泵与腔体之间采用软连接（配有Damper），以减小分子泵震动对RHEED的影响。 4. 主腔体配备两套不同的真空计，一套组合pirani/Bayard-Alpert（真空 计类型）真空计，量程5×10-10 mbar 到1 bar，用于测量真空度； ★5. 另外配置一套精确的Baratron（真空计类型）真空计，量程10-4到 1 mbar，专门用于精确控制生长时的工艺压力。 (2) 快速进样室： 1. 进样室配备单独的分子泵（普发Hipace80），可软件控制，抽速为 70L/s，配前级隔膜泵，本底真空优于5×10-5 mbar； 2. 能够通过磁力杆方便地传递样品以及靶材，与主腔体之间采用 DN100CF插板阀隔离； 2. 配备Pirani/capacitive（真空计类型）真空计，量程5×10-5 mbar 到 1bar； 3. 进样室配有观察窗； (3) 加热系统： 1. 电阻式加热器，最高加热温度900°C，温度稳定性 1°C，容纳样品尺 寸1英寸，对于1英寸的加热区域温度均匀性为3%； ★2．加热器为插拔式设计，即整个加热器（包括加热丝）可通过磁力杆

液相外延和分子束外延

液相外延 液相外延【liquid phase epitaxy】由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方法。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种，其中倾斜法是在生长开始前，使石英管内的石英容器向某一方向倾斜，并将溶液和衬底分别放在容器内的两端；垂直法是在生长开始前，将溶液放在石墨坩锅中，而将衬底放在位于溶液上方的衬底架上；滑舟法是指外延生长过程在具有多个溶液槽的滑动石墨舟内进行。在外延生长过程中，可以通过四种方法进行溶液冷却：平衡法、突冷法、过冷法和两相法。 与其他外延方法相比；它具有如下的优点：1）生长设备比较简单，；2）有较高的生长速率；3）掺杂剂选择范围广；4）晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低；5）晶体纯度高，生长系统中没有剧毒和强腐蚀性的原料及产物，操作安全、简便等。 LPE的不足在于，当外延层与衬底晶格常数差大于1%时，不能进行很好的生长。其次，由于分凝系数的不同，除生长很薄的外延层外，在生长方向上控制掺杂和多元化合物组合均匀性遇到困难。再者LPE的外延层表面一般不如气相外延好。 分子束外延 Molecular Beam Epitaxy 内容 分子束外延的英文缩写为ＭＢＥ，这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子阱微结构材料。 特点 （1）生长速率极慢，大约1um/小时，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭的异质结构等。实际上是一种原子级的加工技术，因此MBE特别适于生长超晶格材料。（2）外延生长的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。（3）由于生

碲镉汞分子束外延材料生长工序简介

碲镉汞分子束外延材料生长工序简介 碲镉汞（HgCdTe）分子束外延（MBE）材料即在分子束外延系统中生长的HgCdTe薄膜材料。全世界商用的分子束外延系统有多个公司的多种型号，但基本配置大同小异。这里介绍法国Riber公司的RIBER 32P 3英寸分子束外延系统，该套系统主要由一个预处理室、一个过渡室、一个生长室组成。预处理室用于完成衬底的进样和预先除气；过渡室用于样品的传递或暂存；在生长室中则主要完成样品的高温脱氧、缓冲层的生长和HgCdTe薄膜材料的外延。进样室和过渡室采用溅射离子泵，真空度可以达到10-10Torr。由于Hg材料的特殊性质，生长室的真空靠低温泵和冷阱来维持，外延生长时真空度保持在10-9Torr 的水平。 生长室的装置如图1所示，主要包括束源炉、液氮冷却系统、衬底加热装置、真空检测系统以及束源炉和衬底的温度监测控制系统。样品架具有旋转机构，以保证外延材料组分和厚度的均匀性，其中心位置装有非接触式测温热电偶，另外在样品架的对面装有红外辐射测温仪用的窗口。在生长过程中主要依靠热电偶和红外测温仪进行精确的衬底温度测量。样品的装片方式采用3英寸无In衬底架，由于衬底为红外透明材料，测温仪受到衬底加热器的热辐射干扰，无法获得衬底材料表面的真实温度，这时介于样品和加热器之间的热电偶测量信号将发挥重要的温度测量和指导温度控制的作用。生长所用的主要源材料为高纯的Hg(7N)，Te (7N)，CdTe(7N)。超高真空环境结合高纯源材料，保障 2 了其他材料杂质含量较少，避免了引入不必要的杂质掺杂。 图1 生长室装置示意图

HgCdTe外延材料的生长工艺 分子束外延生长工艺按时间顺序可以主要分为三个部分：衬底的预处理，装片工艺，HgCdTe生长条件的控制，后道工艺和材料评价。每一部分又由许多道更小的工序步骤组成。 ●衬底处理工艺 一般包括衬底的选片、抛光、清洗、腐蚀等环节，根据衬底材料的不同其处理方式也有一定区别。如Si衬底材料：Si衬底由于其反应性较强，与空气中的气体作用会在衬底表面产生杂质，从而将阻止正常的单晶生长并成为外延层内缺陷的主要起因。因此外延生长前，必须经过高温脱氧将衬底表面吸附的原子级杂质去除干净，才能继续外延生长。Si表面的原子级杂质主要是氧化层和碳化层，Lander 和Morrison报道了当Si衬底加热至800 ～1000℃时氧化层可完全去除，而去除碳化层的温度却要高达1200℃以上。这样的高温将引起杂质的互扩散，改变Si衬底中的掺杂浓度，除此之外还将增加晶体缺陷如位错和层错，在衬底中产生滑移线，而且RIBER 32P MBE的衬底加热能力有限，如何通过衬底前道清洁处理工艺把Si脱氧温度降到900℃以下，是首先要解决的问题。以Ishizaka方法为基础，通过改变人工氧化层生长方法以及HF腐蚀时间，降低脱氧温度的合适衬底制备工艺：（1）有机清洗，去油脂（2）化学方法对Si进行多次循环的氧化、去氧化，以完全去除Si表面的碳化层和氧化层（3）Cl原子进行Si表面钝化，防止Si与空气中的O、C原子发生反应（4）干燥后进行进样前的衬底筛选检验。 ●装片工艺 衬底的装片模式现在主要采用无In装片方式，即将3英寸衬底直接装配在无In钼环上。其装片方式，由图2可见，衬底在衬底架内自由放置，依赖于背后加热器的辐射加热，无热应力问题，并可保证衬底材料的横向温度均匀性。 图2 衬底的加热和旋转示意图

分子束外延

分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为MBE。其方法是将半导体衬底放置在超高真空腔体中，和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中（也在腔体内）。由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在上述衬底上生长出极薄的（可薄至单原子层水平）单晶体和几种物质交替的超晶格结构。分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度，但系统复杂，生长速度慢，生长面积也受到一定限制。 分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超晶格器件，扩展了半导体科学的新领域，进一步说明了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响。分子束外延的优点就是能够制备超薄层的半导体材料；外延材料表面形貌好，而且面积较大均匀性较好；可以制成不同掺杂剂或不同成份的多层结构；外延生长的温度较低，有利于提高外延层的纯度和完整性；利用各种元素的粘附系数的差别，可制成化学配比较好的化合物半导体薄膜 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy）技术是在真空沉积法和1968年阿尔瑟(Arthur)对镓砷原子与GaAs表面相互作用的反应动力学研究的基础上，由美国贝尔实验室的卓以和在70年代初开创的。它推动了以超薄层微结构材料为基础的新一代半导体科学技术的发展。分子束外延（MBE）是一种灵活的外延薄膜技术，可以表述为在超高真空环境中通过把热蒸发产生的原子或分子束投射到具有一定取向、一定温度的清洁衬底上而生成高质量的薄膜材料或各种所需结构。晶体生长受分子束相互作用的动力学过程支配，而异于常规的化学气相淀积(VPE)和液相外延(LPE)中的准热力学平衡。随着MBE技术的发展，出现了迁移增强外延技术（MEE）和气源分子束外延（GS-MEE）技术，近年来又出现了激光分子束外延技术。 作为国防创新实验室的重要部门，材器中心现拥有两台MBE设备，分别为RIBER 32P和RIBER EPINEAT，均用于碲镉汞（HgCdTe）材料的制备。RIBER 32P作为早期研究型的设备在材器中心已经运行十多年，从早期在ZnCdTe衬底到后来在异质衬底(GaAs、Si、Ge) 上均做过很多Ⅱ-Ⅵ材料外延研究工作，参与了很多工程项目。RIBER EPINEAT作为生产型设备，自2004年引进材料组以来目前主要

石墨烯及范德瓦尔斯异质结的分子束外延生长

目录 摘要 (i) ABSTRACT ......................................................................................................... i i 第一章绪论 (1) 1.1 二维材料 (1) 1.2 范德瓦尔斯异质结 (3) 1.3 本论文的研究思路 (4) 第二章实验仪器与原理 (6) 2.1 超高真空技术（UHV） (6) 2.2 分子束外延（MBE） (8) 2.3 扫描隧道显微镜（STM） (9) 2.4 X射线光电子能谱仪（XPS） (11) 第三章石墨烯的外延生长研究 (12) 3.1 Ru(0001)基底上石墨烯的外延生长 (12) 3.2 6H-SiC(0001)基底上石墨烯的外延生长 (16) 第四章二维材料及范德瓦尔斯异质结的分子束外延生长 (19) 4.1 Graphene/SiC基底上Bi2Se3的MBE生长 (20) 4.2 Graphene/SiC基底上Bi2Te3的MBE生长 (25) 4.3 Graphene/SiC基底上MoSe2的MBE生长 (27) 4.4 Graphene/SiC基底上MoTe2的MBE生长 (31) 第五章结论与展望 (37) 5.1 本论文主要工作 (37) 5.2 后续研究展望 (37) 致谢 (39) 参考文献 (40) 作者在学期间取得的学术成果 (45)

图目录 图1.1 二维材料家族 (1) 图1.2 部分常见二维材料的带隙[8] (1) 图1.3 部分常见二维材料的晶格结构[2,51] (2) 图1.4 范德瓦尔斯异质结[1] (3) 图1.5 定向图样再生长过程示意图[16] (4) 图1.6 定点转移过程示意图[17] (4) 图2.1 超高真空分子束外延—X射线光电子能谱—扫描隧道显微镜系统 (6) 图2.2 机械泵、分子泵、离子泵和钛泵 (7) 图2.3 MBE示意图 (8) 图2.4 RHEED示意图 (8) 图2.5 薄膜生长的过程[26] (9) 图2.6 STM结构及原理示意图 (10) 图2.7 XPS示意图 (11) 图3.1 外延石墨烯的STM图像及其（12×11）模型 (13) 图3.2 改变扫描偏压引起的石墨烯摩尔条纹变化 (14) 图3.3 连续多个循环氩刻、退火处理后样品不同位置的STM图像 (15) 图3.4 外延石墨烯的RHEED条纹与STM图像 (16) 图3.5 多层石墨烯交界处原子分辨的STM图像 (17) 图3.6 单双层石墨烯交界处的STM图像与示意图[40] (18) 图4.1 Bi-Se的二元合金相图 (20) 图4.2 Si(111)表面生长Bi薄膜的RHEED条纹 (21) 图4.3 Si(111)-7×7重构及生长40min Bi薄膜后STM图像 (22) 图4.4 Si(111)表面Bi薄膜两种相的示意图[65] (22) 图4.5 MBE生长Bi2Se3的RHEED条纹与STM形貌 (23) 图4.6 退火后的Bi2Se3薄膜表面 (24) 图4.7 原子分辨的STM图像 (24) 图4.8 Bi2Se3的XPS谱 (25) 图4.9 Bi-Te的二元合金相图 (26) 图4.10 Bi2Te3的RHEED条纹与STM图像 (26) 图4.11 Bi2Te3的XPS谱 (27) 图4.12 Mo-Se的二元合金相图 (28) 图4.13 MBE生长MoSe2的RHEED条纹与STM形貌 (28)

有机分子束外延技术与研究进展

第20卷　第4期 物　理　学　进　展Vol.20,No.4　2000年10月PRO GRESS IN PH YSICS Oct.,2000文章编号:1000Ο0542(2000)04Ο0395Ο12 收稿日期:2000Ο05Ο24;修改日期:2000Ο07Ο17 基金项目:国家自然科学基金和中国科学院“九五” 重大基础研究基金的资助有机分子束外延技术与研究进展 周淑琴　刘云圻　邱文丰　朱道本 (中国科学院化学研究所有机固体室,北京　100080) 摘　要:　本文介绍了超高真空分子束外延生长有机薄膜的技术及其研究进展,讨论了外延材料的纯化过程和杂质对外延薄膜结构的影响;从理论和实验观点评论了薄膜的生长性质和膜的有序结构。超高真空有机分子束外延技术是一种多用途的高技术,可以生长有机、无机、有机/无机混和的薄膜结构。这种薄膜结构是未来光学和电子器件有希望应用的新一类工程材料。 关键词:　 有机分子束外延;超高真空;有机薄膜;分子器件中图分类号:　484.1 文献标识码:　A 0　引　言 薄膜科学始终是一门发展迅速、内容丰富、极其有意义的独立学科。随着分子电子学的发展,薄膜技术特别是有序薄膜技术,在微观电子学和纳米电子学方面深受重视。在过去的十年,超薄的有机分子薄膜和具有特殊光、电、磁功能的多层结构膜的研究有了惊人的进展。完成这种有序超薄有机膜的一个重要方法之一是分子束外延生长技术。这种技术的主要特点是使用超高真空(U HV )技术。如果化合物的纯度很高,结构完整,那么就能够很好的控制单分子有机膜的外延生长[1～3]。多年来,这种有机单分子膜的控制是采用众所周知的LB 膜沉积技术[4]。近年来,一种分子自组装技术也能完成单分子膜的制备[5]。但这两种薄膜技术,都要求对成膜分子进行化学修饰,使其带有特定的基团,从而限制了分子材料的研究范围。超薄有机分子薄膜真空生长技术也称为有机分子束沉积(OMBD )技术,或有机分子外延(OMB E )技术,它的优点在于无需对材料进行修饰,外延层的厚度可控,基片及环境的清洁度可达到原子级,在沉积超薄膜的过程中能够原位实时地监控膜的结构生长情况。OMB E 技术为了解超薄有机膜系统的基础结构和光、电、磁性质提供了全新的可行性操作。 超薄有机分子薄膜在分子电子学或纳米电子学领域具有广泛的实际应用前景,目前,

分子束外延 (MBE) 技术---基质加热器

MBE 组件 完全按照操作标准加工，旨在提供高度可靠、灵活的性能。Veeco 提供了一套完整的 MBE 系统组件，包括专为 MBE 工艺开发的先进的加热器、电源、设备控制器、布线和软件包。 1. 基质加热器 适用于特定温度和生长环境 Veeco 提供适用于特定应用领域、专为特定温度和生长环境条件而制造的基底加热器。标准设计使用 PBN 扩散器板和高级线丝，可提供优异的跨区一致性并降低了能耗。 ? 优异的热均匀性 ? 低能耗 ? 清洁操作 ? 提供多丝材料 ? 适合于特定应用领域的设计和材料 ? 延长了氧和氨环境下的寿命 ? 提供双丝加热器 ? 适用于所有标准 MBE 系统 2. MBE 线性移动快门 动作更快、寿命更长 借助 Veeco 线性移动快门可替代整体快门来控制分子束外延 (MBE) 系统中的射束流量，从而实现更快的动作。该快门带阻尼设计，实现了更长的使用寿命（>1 百万次），活动部件由波纹管密封并由气压驱动，而且轴受到保护可防止气动启动器阻塞。 ? 可靠、耐用、动作快速（50 ms 即可打开或关闭），因此可替代整体快门来控制 MBE 系统中的射束流量 ? 带阻尼设计的快门受到的冲击与振动降低 - 设计使用寿命 >1 百万次 ? 活动部件由波纹管密封并由气压驱动 ? 轴受到轴壳保护，可防止凝结的蒸发物阻塞启动器 ? 气动启动器可避免干扰 RHEED 或其他敏感设备 ? 适用于所有标准 MBE 系统 3. 气体源交付系统 用于 Veeco MBE 气体源精确控制 Veeco 的气体源传送系统 (GSDS) 提供对气体的精确控制、互锁和监测惰性气体、有害气体和/或可燃气体。Molly ? ECS1 生长控制软件可轻松与您的现有系统实现集成。 提供各种组合选项以符合您的需求及预算。所有组合均附带每条管路的手动气管切断阀、气体过滤净化器、质量流量控制器和气动控制运行排气阀。 ? 对 Veeco MBE 气体源实现高效、安全的气体控制 ? 便捷的操作和监测流程 ? 三种模型配置以满足特定应用和预算

史上最全的半导体材料工艺设备汇总

史上最全的半导体材料工艺设备汇总 ? 据中国半导体工业协会（CSIA）的数据，2013年中国半导体销售额2508亿元，同比增长%，其中设计亿元，增长%；制造亿元，增长%；封装亿元，增长%，而进口半导体芯片为2313亿美元。 根据安邦半导体产业顾问莫大康提供的数据，在2013年中国半导体前10大制造商中，外商占4家，包括如SK、Hynix、Intel、TSMC及和舰，不包括在成都的德州仪器。总销售额为亿元，其中4家外资为亿元，占比贡献为%。在2013年中国前10大封装制造商中，外商占7家（未计及西安的美光），总销售额为亿元，其中外资为亿元，占比贡献为%。半导体业如此巨大的市场，半导体工艺设备为半导体大规模制造提供制造基础，摩尔定律，给电子业描绘的前景，必将是未来半导体器件的集成化、微型化程度更高，功能更强大。Source:中研网Source：微迷网小编为您解读半导体生产过程中的主要设备的概况。1、单晶炉设备名称：单晶炉。设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。主要企业（品牌）：国际：德国PVATePlaAG公司、日本Ferrotec 公司、美国QUANTUMDESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX 公司。国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、

中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司。2、气相外延炉设备名称：气相外延炉。设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。主要企业（品牌）：国际：美国CVDEquipment 公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（）公司、美国AppliedMaterials公司。国内：中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。3、分子束外延系统（MBE，MolecularBeamEpitaxySystem）设备名称：分子束外延系统。设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。主要企业（品牌）：国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCAInstruments公司、美国SVTAssociates 公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten 公司、英国OxfordAppliedResearch（OAR）公司。国内：沈阳中科仪器、北京汇德信科技有限公司、绍兴匡泰仪器设备有限