随堂练习题

1、从一个基类派生出的各个类的对象之间（）

A、共享所有数据成员，每个对象还包含基类的所有属性

B、共享部分数据成员，每个对象还包含基类的所有属性

C、不共享任何数据成员，但每个对象还包含基类的所有属性

D、共享部分数据成员和成员函数

2、下列对派生类的描述中错误的说法是（）

A、派生类至少有一个基类

B、派生类可作为另一个派生类的基类

C、派生类所继承的基类成员的访问权限保持不变

D、派生类除了包含它直接定义的成员外，还包含其基类的成员

3、C++的继承性允许派生类继承基类的（）

A、部分特性，并允许增加新的特性或重定义基类的特性

B、部分特性，但不允许增加新的特性或重定义基类的特性

C、所有特性，并允许增加新的特性或重定义基类的特性

D、所有特性，但不允许增加新的特性或重定义基类的特性

4、派生类的成员函数可以直接访问基类的（）成员

A、所有

B、私有

C、保护和私有

D、公有和保护

5、在定义一个派生类时，若不使用保留字显式地规定采用何种继承方式，则默认为（）方

式。

A、私有继承

B、保护继承

C、公有继承

D、非私有继承

6、当保护继承时，基类的（）在派生类中成为保护成员，在类作用域外不能够通过派生类

的对象来直接访问该成员。

A、私有成员

B、保护成员

C、公有成员和保护成员

D、任何成员

7、对于公有继承，基类中的私有成员在派生类中将（）

A、变成派生类的私有成员

B、仍然是基类的私有成员

C、能有通过成员运算符访问

D、能够直接使用成员名访问

8、对于公有继承，基类中的公有和保护成员在派生类中将（）成员。

A、全部变成公有

B、全部变成保护

C、全部变成私有

D、仍然相应保持为公有和保护

9、派生类的对象对其基类中（）可直接在类外访问。

A、私有继承的公有成员

B、公有继承的公有成员

C、公有继承的保护成员

D、公有继承的私有成员

10、派生类的成员函数可以直接访问基类的（）成员，不能直接访问基类的（）成员。

11、当保护继承时，基类的（）成员在派生类中成为保护成员，派生类对象在类外不能

直接访问基类的（）成员。

金工实习思考题和习题集

金工实习思考题和习题集 吉林农业大学机制教研室、实习工厂 2006年5月9日

目录 金工实习复习思考题 ．钳工复习思考题 ．车工复习思考题 ．刨工复习思考题 ．铣工复习思考题 ．磨工复习思考题 ．铸造复习思考题 ．锻压复习思考题 ．焊接复习思考题

钳工复习思考题 l、钳工工作的性质与特点？它包括哪些基本操作？ 2、什么是划线基准？选择划线基准的原则是什么？ 3、划线的目的是什么？ 4、划线工具有哪些？划线工具有几类？ 5、錾子一般用什么材料制造？刃口和头部硬度为什么不一样？ 6、粗、中、细齿锯条如何区分？怎样正确选用锯条？ 7、锯齿的前角、楔角、后角各约多少度？锯条反装后，这些角度有什么变化？对锯割有什么影响？ 8、锉刀的构造？锉刀的种类有哪些？根据什么原则选择锉刀的齿纹粗细、大小和截面形状？ 9平面锉削时常用的方法有哪几种？各种方法适用于哪种场合？锉削外圆弧面有哪两种操作方法？ 10、麻花钻的构造及各组成部分的作用？ 11、钻头有哪几个主要角度？标准顶角是多少度？ 12、钻孔时，选择转速和进给量的原则是什么？ 13、钻孔、扩孔和铰孔三者各应用在什么场合？ 14、什么叫攻螺纹？什么叫套螺纹？试简述丝维和板牙的构造？ 15、攻螺纹前的底孔直径如何确定？套螺纹前的圆杆直径如何确定？ 16刮削有什么特点和用途？刮削工具有哪些？如何正确使用？ 17、怎样检验刮削后的刮削质量？ 18、钳工常用錾子分哪几种？錾子的握法分哪几种？ 19、研磨的特点？ 2O、为什么套螺纹前要检查圆杆直径？圆杆直径大小应怎样确定？为什么圆杆要倒角？ 21、铰孔后，绞刀退刀时应 ---------。（ 1、正转； 2、反转； 3不转） 22、在某40钢制工件上欲加工一螺纹盲孔，尺寸为M12×1深30mm，应钻底孔直

英语随堂反馈答案

英语随堂反馈答案 篇一：牛津英语九年级上册Unit 7英语随堂反馈提高卷(含答案) 9上Unit 7英语随堂反馈提高卷 （整卷满分为90分） Class ____________Name ____________ 一、单项填空 (15分) ( ) 1. Guilin is ___ attractive city. It’s ____ nice place that many tourists go there every year. A. an; so aB. a; a soC. a; a suchD. an; such a ( ) 2. When you get the paper back, pay special attention to what _______.A. has marked B. has been marked C. had marked D. had been marked ( ) 3. Mr Wu is considered _______ our model. He puts all his effort _______ his career.A. to; to B. as; into C. as; to D. like; to ( ) 4. _____ the sun was not up yet, many people were already taking exercise in the square.A. As B. If C. ThoughD. Because ( ) 5. —I haven’t been to Shanghai for years. —You really need to pay a visit, and you’ll find changes there are _______ imagination (想象). A. beyondB. withC. withoutD. for ( ) 6. Paul is really considering _______ himself to _______ those children in the earthquake-hit area.A. to devote, teaching B.

软件工程随堂练习(习题)

软件工程随堂练习 一、选择题 1.软件工程是（）。 A、是结构化程序设计的指导方法 B、是软件开发技术和软件工程管理学为内容的学科 C、是指导计算机软件开发和维护的工程学科 D、是指导软件开发的工程方法。 2.软件工程中的各种方法是完成软件工程项目的技术手段，它们支持软件工程的（）阶段。 A.各个 B. 前期 C.中期 D.后期 3.原型方法是用户和设计者之间的一种交互过程，选用于（）系统。 A. 需求确定的 B. 需求不确定性较高的 C. 管理信息 D. 决策支持 4.要将一个复杂的系统分析清楚，常用方法是结构化分析方法，结构化分析方法就是（）。 A、面向数据流自顶向下逐步求精的方法 B、由内向外进行分析的方法 C、先局部后整体的分析方法 D、使用IPO图形工具分析的方法 5.概要设计过程是（） A. 先确定系统的实现方案，然后在结构设计阶段中确定软件的模块结构 B. 确定软件的模块结构，再设计出系统的所有程序和数据文件 C. 设计出系统的HIPO 图并对所有模块进行描述 D. 规划出系统的后期设计总体结构 6.程序的三种基本结构是（）。 A、过程，子程序，分程序 B、顺序，选择，循环 C、递归，堆栈，队列 D、调用，返回，转移 7.结构化程序设计的一种基本方法是（）。 A、筛选法 B、递归法 C、归纳法 D、逐步求精法 8.软件维护的四类维护活动是：（） A.改正性维护，适应性维护，完善性维护和预防性维护。 B.适应性维护，完善性维护，抢救性维护和辅助性维护。 C.改正性维护，适应性维护，完善性维护和辅助性维护。 D.适应性维护，完善性维护，抢救性维护和预防性维护。 9.软件开发瀑布模型中的软件定义时期各个阶段依次是：（） A.可行性研究，问题定义，需求分析。 B.问题定义，可行性研究，需求分析。 C.可行性研究，需求分析，问题定义。

思考题集

第六章电力系统的无功功率和电压调整 1）无功功率电源有哪些？哪些可以平滑调节？ 无功功率电源：发电机、电容器、调相机、静止补偿器。 可以平滑调节：调相机、静止补偿器 2）限制冲击负荷电压波动的措施是什么？ （a）设置串联电容器、（b）设置调相机和电抗器、（c）设置静止补偿器 3）什么是电力系统的逆调压、顺调压、常调压？ 逆调压：在高峰负荷时升高中枢点电压、低谷负荷时降低中枢点电压的电压调整方式。 在高峰负荷时将中枢点电压升高至105%UN，低谷负荷时将中枢点电压降为额定电压UN。顺调压：在高峰负荷时允许中枢点电压略低，而低谷负荷时却允许中枢点电压略高的调压方式。 采用顺调压，高峰负荷时中枢点电压允许不低于102.5%U N，低谷负荷时中枢点电压允许不高于107.5%U N。 常调压：任何负荷下保持中枢点电压为一基本不变的数值。 适用于负荷变动小、线路上电压损耗小的情况。常调压方式，电压保持为(102%-105%)U N。4）选择变压器分接头进行调压的特点是什么？ 系统中无功功率必须充足才有效，否则必须用其他措施；不需要附加设备。 5）电力系统的电压调节有几种主要措施？ 借改变发电机端电压调压；借改变变压器变比调压；借补偿设备调压；组合调压。 第五章电力系统的有功功率和频率调节 （1）负荷变动规律有几种，如何调整？ 有功负荷随时间变动规律分解为三种。 第一种变动：幅度小、周期短。无法预测(随机)，靠发电机调速器调整，称一次调整。自动进行。 第二种变动：幅度较大、周期较长。冲击性负荷。靠发电机调频器调整，称二次调整。可手动、自动。 第三种变动：幅度最大、周期最长。可预测，生产、生活引起，称三次调整。优化分配负

集成电路工艺原理(考试题目与答案_广工版)

1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？ 答：包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。 2、切片可决定晶片的哪四个参数/ 答：切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。 3、硅单晶研磨清洗的重要性。 答：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率 45、什么是低K材料？ 答：低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料 46、与Al 布线相比，Cu 布线有何优点？ 答：铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。 4、硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？清洗顺序？ 答：被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型 清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干 5、硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀，腐蚀的方法有哪些？ 答：工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染 腐蚀方式：喷淋及浸泡 6、CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些过程？ 答：包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光 7、SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属于哪一类？ 答：二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO2为非结晶态。 8、何谓掺杂？ 答：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。 9、何谓桥键氧，非桥键氧？它们对SiO2密度有何影响？ 答：连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。桥联的氧原子数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松 10、氧化硅的主要作用有哪些？ 答：1、作为掩膜，2、作为芯片的钙化和保护膜，3、作为电隔离膜，4、作为元器件的组成部分。 11、SiO2中杂质有哪些类型？ 答：替代式杂质、间隙式杂质 12、热氧化工艺有哪些？ 答：有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化 13、影响氧化速率的因素有？ 答：温度、气体分压、硅晶向、掺杂 14、影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型？降低这些电荷浓度的措施? 答：1）可动离子电荷（Qm）：加强工艺卫生方可以避免Na+沾污；也可采用掺氯氧化，固定Na+离子；高纯试剂 2）固定离子电荷Qf ：（1）采用干氧氧化方法（2）氧化后，高温惰性气体中退火

三年级上册思考题集有答案

三年级上册思考题集有 答案 集团文件版本号：（M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988）

（1）相邻两棵树之间的距离相等，小红从第一棵跑到第16棵树，共跑了150米，小华从第7棵树跑到第29棵树，小华共跑了多少米。 答案： 从第1棵跑到第16棵实际跑15个“株距”（相邻两棵树之间的距离），所以： （1）两棵树之间的距离： 150÷（16－1）=10（米） （2）从第7棵树跑到第29棵树： 10×（29－7）=220（米） 答：小华共跑了220米。 （2）下面算式中的“数”、“学”、“俱”、“乐”、“部”这五个汉字各应该代表什么数字？ 1 数学俱乐部 × 3 数学俱乐部 1 数=（）学=（）俱=（）乐=（）部=（） 答案： 从个位上看，3乘一个数积出现1的只有3×7=21，所以部=7，向十位进2，十位上“乐×3＋2”的结果出现7，乐=5； 向百位进1，百位上“俱×3＋1“的结果出现5，俱=8；向千位进2，千位上“学×3＋2”结果出现8，学=2；万位上“数×3”结果是2，数=4；向十万位进1，刚好十万位上“1×3＋1=4”，符合题目要求。因此： 数=（ 4）学=（ 2）俱=（ 8）乐=（ 5）部=（7）（3）小红剪一个窗花要4分钟，每剪好一个后，她会休息1分钟，她剪好10个窗花要用多长时间？

答案： 每剪一个窗花加休息需要（4＋1）分钟，但第10个窗花剪好后结束就完成任务了，所以第10个窗花不用算休息时间，所以： 方法一：每个窗花加休息： 4＋1=5（分钟） 一共： 5×9＋4=49（分钟）方法二：剪10个窗花 4×10=40（分钟） 一共（需要休息9次）： 40＋9=49（分钟） 方法三：每个窗花加休息： 4＋1=5（分钟） 10个窗花一共： 5×10=50（分钟） 最后一个窗花不用休息： 50－1=49（分钟） （4）四（1）班有49本书，分给三个小组，第一组比第二组多4本，第二组比第三组多6本，第三组分得（）本。 答案： 三组”了，这样除以3就能知道第三组有多少本。 49－（6＋4）－6=33（本） 33÷3=11（本） （5）有五个人，每两个人通一次电话，一共要通 （ （6）王老师带了32个同学一起玩激流勇进，每条船最多坐4人，至少要租多少条船？

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无 侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

企业战略管理随堂练习题

盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人。 ziyequma 第一章 单选 1．科学管理创始人( )强调，要通过计划工作，挑选，培训和组织工人，以便增加产量。 A、法约尔B．泰勒C，安索夫D、波特 【答案：B】 2．经典战略理论缺陷之一是忽视了对企业竞争环境进行分析与选择，在一定程度上弥补这一缺陷的是（） A．钱德勒B．安索夫C．波特D．安德鲁斯 【答案：C】 3．在战略管理系统设计的模式中，由企业的高层管理决定整个企业的经营方向，并对整个事业部或各个部门提出如何达到这个方向的具体指导的模式属于（）A．自下而上的模式B．自上而下的模式C．上下结合的模式D．小组计划模式 【答案：B】 4.在企业战略管理中，负责向外界诸如社会公众、新闻媒体、政府等传播企业的内部信息的高层管理者发挥的是（）角色？ A．领导者B．监督者C．发言人D．企业家 【答案：C】 5.一个企业的战略可划分为三个层次，其中不包括以下（）层次？ A．公司战略B．经营（事业部）战略 C．业务战略D．职能战略 【答案：C】 多选 6．优秀战略就是适应战略，具体讲就是战略要与( )相适应。 A.竞争对手 B．环境 C资源 D．文化 E．组织 【答案：BCE】

7.企业战略管理特征有（） A．高层次性 B．整体性 C．竞争性 D．动态性 E．长远性 【答案：ABD】 8.战略管理对管理者所要求的三种基本能力有（） A技术能力 B思维能力 C人际关系能力 D应用能力 E逻辑能力 【答案：ABC】 9．企业宏观环境主要包括( )等宏观因素。 A政治法律 B，经济 C．财政货币政策 D．技术 E．社会文化 【答案：ABDE】 判断 10. 战略管理是一种全面的管理过程。 【答案：X】 11．从实践考察企业战略管理的演进，大致经历了三个阶段。 【答案：X】 12．世界著名战略管理权威安索夫提出了行业中的竞争存在五种基本竞争力量。【答案：X】 第二章 单选 13.政府贷款和补贴对某些行业的发展也有着积极的影响，这种影响应该属于下列哪种因素？（） A.经济因素 B.技术因素 C.法律和政治因素 D. 文化因素 【答案：C】 14．没有进入及退出市场障碍的是（） A.产品同质性高 B.产品差异性高 C.市场集中度高 D.转换成本高 【答案：A】 15．在《竞争战略》一书中( )提出了著名的五种竞争力量模型。 A、波特B．钱德勒 C、魁因D．安索夫 【答案：A】 16．迈克尔·波特教授提出了著名的“五种力量模型”，这五种基本竞争力量是

机械设计思考题集讲解

机械设计思考题集 第一章机械设计总论 1.机械设计的基本要求？机械设计的准则？常用的机械设计方法有哪些？ 2.什么叫机械零件的失效？机械零件失效的形式有哪些？机械零件失效的原因？ 3.表面损伤失效的分类，及其成因以及避免措施？表面强化？表面强化深度的影响因素，如何控制其强化深度？ 4.什么是标准化、系列化、和通用化？机械设计中“三化”有什么意义？ 第二章机械零件的强度 1.作用在机械零件上的变应力有哪几种类型？如何区分它们？ 2.何为工作载荷、名义载荷、和计算载荷？名义载荷与计算载荷有和关系？ 3怎样区分表面挤压应力和表面接触应力？试说明两圆柱体接触应力计算公式中各符号的意义。 4.什么是静载荷、变载荷、和变应力？试举出两个机械零部件在工作时受静载荷作用而产生变应力的例子？ 5．什么是稳定变应力和非稳定变应力？双向稳定变应力下机械零件的疲劳强度计算如何进行？ 6.什么是材料的疲劳极限？试根据材料的疲劳曲线（σ-N曲线），说明什么叫循环基数Ν0、条件疲劳极限N rN和疲劳极限σr，并根据疲劳曲线方程导出N rN 的计算公式。 极限应力线图有何用处？ 7.影响机械零件疲劳强度的主要因素有哪些？原因是什么？为什么影响因素中的Kσ、εσ、β只对变应力的应力幅部分有影响？如何提高机械零件的疲劳强度？ 8.疲劳破坏与静强度破坏的区别？试述金属材料疲劳断裂的过程？ 摩擦与润滑 9.何谓摩擦？常见润滑方式有哪几种？各有何特点？ 10.何谓磨损？按机理不同，磨损可分为哪几类？各有何特点？减轻磨损的途径有哪些？

11.零件的正常磨损分为几个阶段？每阶段各有何特点？试画出正常磨损过程中磨损量随时 间变化的曲线图？ 12.润滑油、润滑脂各有何主要性能指标？如何理解黏度的概念？ 13.润滑有何作用？常用润滑剂有哪几类？各适用什么场合？ 14.润滑剂黏度对摩擦的影响？温度压力变化对润滑油粘度的影响？ 15．在进行机械零件有限寿命的疲劳强度计算时，需将材料的疲劳曲线修正成零件的疲劳曲线。有几种修正方法？各有何优缺点? 第三章螺纹连接 0.常用螺纹分类？各有什么特点？其应用场合是什么？ 1.螺纹连接的主要失效形式有哪些？ 2.螺栓组连接受力分析的目的是什么？在进行受力分析时，通常要做哪些假设条件？螺栓柱 连接结构设计应考虑哪些方面的问题？ 3提高螺纹连接强度的措施有哪些？ 4.受拉伸载荷作用的紧螺栓联接中，为什么总载荷不是预紧力和拉伸载荷之和？ 对于受轴向变载荷作用的螺栓，可以采取哪些措施来减小螺栓应力σa？ 5.在螺纹连接中，螺纹牙间载荷分布为什么会出现不均匀现象？常用哪些结构可使螺纹牙间 载荷分布趋于均匀？ 6.什么是螺栓的预紧？螺纹预紧的目的是什么？列举常用的预紧的方法？ 7.为什么对重要联接要控制预紧力大小？控制预紧力大小的方法有哪几种？ 8.螺纹的防松？为什么螺纹连接需要防松？防松的实质是什么？有哪几类防松措施？ 9.在重要的紧螺栓联接中，为什么尽可能不用小于 M12～M16 的螺纹？ 10．提高螺栓疲劳强度的措施有哪些？为什么增大被连接件刚度或减小螺栓刚度能提高螺栓联接强度？并画出被连接件刚度改变后的力——变形图。 降低螺栓刚度C b及增大被连接件刚度C m的措施有哪些？ 11.为改善螺纹牙上载荷分配不均现象，常采用悬置螺母或内斜螺母，是分析其原因？ 12.偏心载荷对螺栓连接强度有什么影响？常采用哪些措施防止偏心载荷出现？ 13.紧螺栓连接强度计算公式中系数1.3的含义是什么？

牛津译林版九年级英语下册9BUnit 2随堂反馈提高卷(含答案)

Unit 2随堂反馈提高卷 一、单项填空(15分) ( ) 1. Do you know _______ man, whose son is _______ astronaut? A. the; an B. a; an C. /; the D. the; / ( ) 2. Bernard Shaw was a great English writer who died _______. A. at his age of 94 B. at age of 94 C. in the age of 94 D. at the age of 94 ( ) 3. The boy had already lived in England for a year, _______ he had a big advantage _______ the other students. A. so; on B. but; on C. so; over D. and; over ( ) 4. In order _______ for the meeting, my sister forced herself to get up early this morning. A. not to be late B. not being late C. to be late D. being late ( ) 5 —I wonder when you _______ the new watch. —Well, I _______ it for two weeks. A. have bought; have had B. bought; have bought C. bought; have had D. have bought; have bought ( ) 6. What do you think _______ him _______ his mind? A. make; change B. makes; change C. make; to change D. makes; to change ( ) 7. —_______ do you know about Columbus? —Oh, he is the great man who discovered America. A. How B. Who C. What D. Which ( ) 8. Not only the twins but also their cousin Jim _______ been to Japan, but _______ of them can speak Japanese. A. have; neither B. have; none C. has; neither D. has; none ( ) 9. The number of people who _______ English as a second language _______ more than 750 million. A. learns; are B. learn; is C. learns; is D. learn; are ( ) 10. —A new shop _______ for a week nearby. Let’s have a book to read there. —Good idea. But it doesn’t _______ on Mondays. A. opened; opened B. has been opened; open C. has opened; opened D. has been open; open ( ) 11. —Who do you think _______ as the new chairperson of our students’ union? —I’ve no idea. A. to choose B. will choose C. will be chosen D. to be chosen ( ) 12. Mary’s brother _______ the navy in 2011 and _______ the navy since then. A. joined; has been in B. joined in; has joined in C. joined in; has been in D. joined; has joined ( ) 13. —_______ you _______ the Beatles’ story? —Yes. And their songs are popular. A. Did; hear B. Do; listen to C. Have; heard of D. Have; listened ( ) 14. The test is _______ difficult _______. A. so; that few of us can pass B. so; that few of us can pass it C. too; for any one of us to pass it D. too; for anyone of us to pass ( ) 15. —Bob, can you spare me a few minutes right now? I have to ask you some questions. —_______. A. It’s a pleasure B. Ask, please C. Help yourself D. Yes, go ahead 二、完形填空（10分） Granny Sarya lived outside Moscow. Her only son 1 to Afghanistan (阿富汗) and was killed in action there. Soon after that, her husband lost his job. The old man was always 2 food and clothes. And on a winter night he went out alone when Sarya was asleep. The next morning he was 3 dead in a cold lake. And his worn-out coat was hung in a tree not far away. Sarya was so 4 that she nearly took her own life. Things got worse and worse after that. She always lived in hunger and cold. She had hoped that the government could help her but she 5 . It was a cold windy night. The old woman couldn’t fall asleep at all. She had to get up. She decided to

通用技术思考题集

1、反思总结通用技术课程的学习过程，思考并完成下列两组任务 第一组：任务1说明你关注的第一个重要问题，任务2说明自己对该问题的认识或观点 第二组：任务1说明你关注的第二个重要问题，任务2说明自己对该问题的认识或观点 答：第一组 任务1：技术更新对设计产生重要影响，技术的发展离不开设计，但技术条件的限制，往往制约着设计的发展，而技术的更新发展，才为设计创新提供了条件 任务2：当今信息社会，电脑已逐渐普及，现在市场上的一些笔记本电脑特别是上网本，体积和我们的书本一样大，但功能且相当丰富，回想老师跟我们讲的第一台电脑，它有十间房子大，重30吨，这简直是天壤之别，然而，正式超大规模集成电路技术发展，才使得今天设计的电脑体积越来越小、功能越来越强。第二组 任务1：我们希望某一事物按照自己的医院发展就要对其进行干预，这种根据自己的目的，通过一定的方法使事物沿着某一确定的方向发展，就形成了控制。 任务2：在日常生活中，我们都在有意无意地进行控制，骑自行车时，如果觉得车速太快，我们会使用刹车时车速正常，当感觉室内亮度不够时，我们就会打开电灯，使屋内明亮，当我们的学习成绩不够理想时，我们就会增加学习时间或改进学习方法，以提高学习成绩。 2、反思总结通过技术课程的学习过程，思考并完成下列两组任务 第一组：任务1说明你关注的第一个重要收获，任务2说明该收获对自己的意义第二组：任务1说明你关注的第二个重要收获，任务2说明该收获对自己的意义答：第一组 任务1：弄清了科学与技术的关系，科学是从各种事物和现象中去发现规律，并给与验证的知识体系：技术是人类为了满足自身的需要和愿望对大自然进行的改造 任务2：科学与技术既有区别，又有紧密联系。科学的任务是认识世界，力求有所发现，回答为什么的问题，技术的任务是改造世界，力求有所发明，解决怎么办的问题，比如嫦娥奔月活动从任务上讲是对月球进行科学探索，而从过程上讲，他是航天技术的发展和应用。技术来源于实践经验的总结和科学原理的指导，二者联系紧密，可以说，科学促进了技术的发展，技术推动了科学的发展，我们今天要好好学习科学文化，将来才有更多的家属创新。 第二组 任务1：弄清了常见结构的分类，根据物体结构形态在受力时承受和传递力的方式的差别，，一般可将结构分成3种基本类型，实体结构、框架结构和壳形结构 任务2： 实体结构：利用自身来承受自身的荷载，主要承受压力 框架结构：通过条状物体的连接来承受荷载，即可承受压力又能承受拉力 壳形结构：通过壳形来传递力和承载荷载，特别是当壳顶受到压力时，它能将力均匀扩散 3、反思总结通过技术课程的学习过程，思考并完成下列两组任务

《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程 试题2016

一、填空题（30分=1分*30）10题/章 晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。19．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。 淀积 20．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 21．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。 22．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 23．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。

初二随堂练习试卷.doc答案

初二语文随堂练习 姓名： 班级： 一、积累与运用（46分） 1、写字能力的培养非一朝一夕之间，但我们坚持的脚步不能停下。请大家拿出自己 最好的状态，认真书写下面的一段话。（3分） 没有名著的民族是可悲的，它意味着文明的短暂和浅薄；拥有名著却远离名著的青少 荒mi ù 杀l ù 绥靖 锐不可d āng 击溃 屹 立 肃m ù 发xi è 埋z àng 阻è 3、解释词语（8分） ①诎右臂支船 ②无论魏晋 ③男有分 ④故人不独亲其亲 ⑤寻病终 ⑥惟吾德馨 ⑦无丝竹之乱耳 ⑧矜寡孤独 4、根据上下文或特定要求填写古诗文句。（13分） ① ，恨别鸟惊心。②会当凌绝顶， 。 ③天明登前途， 。④少壮不努力， 。 ⑤周敦颐《爱莲说》中，比喻君子不同流合污的语句是 ， 最能概括莲花高贵品质的句子 ， 。 ⑥刘禹锡《陋室铭》中，点明主旨的句子 ， 。 ⑦《望岳》中由望岳而产生登岳愿望，同时又是化用孔子的“登泰山而小天下”的诗 句是 ， 。 ⑧ ， ，有良田美池桑竹之属。 5．从上下文连贯的要求看，下面句子的横线上应填入的一项是（ ）（3分） 我快乐，是因为我喜欢幻想。所有的石头上都开满了花朵， ，幻想 已如此丰茂，我有什么理由感到沉重的悲哀呢？ A ．荒芜处都长满了无数的植物 B 。无数的植物都长满在荒芜处 C ．植物都长满在所有的荒芜处 D 。所有的荒芜处都长满了植物 6 A 《秋词》的作者刘禹锡是唐代人，《秋思》的作者马致远是元代人。 B “我言秋日胜春朝”的大致意思是：我认为秋天的景致胜过明艳美丽、万物更新的

春景。C《秋词》中“排云上”的鹤矫健凌厉、奋发有为，这一形象冲破了秋天的肃杀之气；《秋思》中“枯藤老树昏鸦”等形象，则写尽了秋天的肃杀之气。 D这两首诗词同是咏秋之作，所写之景虽不同，但均没有摆脱“悲秋的情调”。读完后，使人悲情顿生。 7．根据文意，依照划线句⑴的句式在横线上填写语句正确的一项是：（）（3分）阅读古典诗词，你可以一一品味诗人们的思想感情，继而有所思，有所悟。⑴读王维、孟浩然，你懂得了什么叫寄情山水；⑵，你懂得了什么是忧民情结； ⑶，你明白了什么是爱国情怀。读着，品着，渐渐地，你已经和诗人融为一体了，不知不觉中提高了自己的思想修养和审美情趣。 A⑵读李白、白居易；⑶读李清照、陆游B⑵读李白、白居易；⑶读陆游、苏轼C⑵读杜甫、白居易；⑶读陆游、辛弃疾D⑵读杜甫、杜牧；⑶读苏轼、辛弃疾8．根据所给语言材料，运用对偶知识对出下联。（3 分） 春天时，湖水涨满，湖天一色，船行湖中，如行天上； 秋日里，山色斑斓，山景如画，人游山中，如行画中。 上联：春水船如天上行下联： 二、阅读理解（54分） （一）阅读《苏武牧羊》，完成1—4题。（18分） 律（汉人，后降匈奴）知武终不可胁，白（报告）单于。单于愈益欲降之，乃幽武，置大窖中，绝（断绝）不饮食。天雨雪，武卧啮雪，与毡毛并咽之，数日不死，匈奴以为神。乃（1）徙武北海上无人处，使牧羝（音同底，公羊），羝乳乃（2）得归。别其官属常惠（人名）等，各置他所。武既至海上，廪食不至，掘野鼠去（jù,藏）草实而食之。杖汉节（古代使节所持，以作凭证）牧羊，卧起操持，节旄（装饰的牦牛尾巴）尽落。 1、解释划线词语（6分） ①匈奴以为神②乃（1）③乃（2） ④各置他所⑤既至海上⑥草实而食之 2、把下列句子翻译成现代汉语（6分） ①单于愈益欲降之 ②天雨雪，武卧啮雪 ③卧起操持，节旄（装饰的牦牛尾巴）尽落。 2、这篇短文一共写了哪几件事情？（2分） 4、说说你读了苏武的故事受到了什么教育？（不少于100字）（4分） （二）阅读《走进森林》一文，完成1-7题。（共16分） ①森林是以树木为主体的许许多多生物组成的生物群落。森林里蕴藏着丰富的资源，森林资源按自然属性可划分为生物资源和非生物资源两大类。其中生物资源又可分为植物资源、动物资源和微生物资源三类。植物资源包括林木资源（乔木、灌木和竹子）和非林木资源（藻类、地衣、苔藓、厥类和其他种子植物等）；动物资源主要包括哺乳动物、爬行动物、森林昆虫、鸟类和鱼类等；微生物资源主要包括各种菌类、支原体、衣原体等。非生物资源主要是指支撑森林生物资源的林地土壤、水分等资源。可见森林是地球上一个丰富多彩的大资源库，而且其主要部分即森林生物资源部分，是可以持续利用的可再生资源。 ②森林资源是人类赖以生存的基础资源。同时，森林还具有维护地球生命、改善人类生存环

物理实验思考题答案

光学实验思考题集 一、 薄透镜焦距的测定 ⒈远方物体经透镜成像的像距为什么可视为焦距 答：根据高斯公式v f u f '+＝1，有其空气中的表达式为'111f v u =+-，对于远方的物体有u ＝－，代入上式得f′＝v ，即像距为焦距。 ⒉如何把几个光学元件调至等高共轴粗调和细调应怎样进行 答：对于几个放在光具座上的光学元件，一般先粗调后细调将它们调至共轴等高。 ⑴ 粗调 将光学元件依次放在光具座上，使它们靠拢，用眼睛观察各光学元件是否共轴等高。可分别调整： 1) 等高。升降各光学元件支架，使各光学元件中心在同一高度。 2) ； 3) 共轴。调整各光学元件支架底座的位移调节螺丝，使支架位于光具座中心轴线 上，再调各光学元件表面与光具座轴线垂直。 ⑵细调（根据光学规律调整） 利用二次成像法调节。使屏与物之间的距离大于４倍焦距，且二者的位置固定。移动透镜，使屏上先后出现清晰的大、小像，调节透镜或物，使透镜在屏上成的大、小像在同一条直线上，并且其中心重合。 ⒊能用什么方法辨别出透镜的正负 答：方法一：手持透镜观察一近处物体，放大者为凸透镜，缩小者为凹透镜。方法 二：将透镜放入光具座上，对箭物能成像于屏上者为凸透镜，不能成像于屏上 者为凹透镜。 ⒋测凹透镜焦距的实验成像条件是什么两种测量方法的要领是什么 答： 一是要光线近轴，这可通过在透镜前加一光阑档去边缘光线和调节共轴等高来实现；二是由于凹透镜为虚焦点，要测其焦距，必须借助凸透镜作为辅助透镜来实现。 物距像距法测凹透镜的要领是固定箭物，先放凸透镜于光路中，移动辅助凸透 镜与光屏，使箭物在光屏上成缩小的像（不应太小）后固定凸透镜，记下像的坐标位置（P ）；再放凹透镜于光路中，并移动光屏和凹透镜，成像后固定凹透镜（O 2），并记下像的坐标位置（P′）；此时O 2P ＝u ，O 2P′＝v 。 用自准法测凹透镜焦距的要领是固定箭物，取凸透镜与箭物间距略小于两倍凸 透镜的焦距后固定凸透镜（O 1），记下像的坐标位置（P ）；再放凹透镜和平面镜于O 1P 之间，移动凹透镜，看到箭物平面上成清晰倒立实像时，记下凹透镜的坐标位置（O 2），则有f 2 ＝O 2P 。 ⒌共轭法测凸透镜焦距时，二次成像的条件是什么有何优点 @ 答：二次成像的条件是箭物与屏的距离D 必须大于4倍凸透镜的焦距。用这种方 法测量焦距，避免了测量物距、像距时估计光心位置不准所带来的误差，在理 论上比较准确。 6．如何用自准成像法调平行光其要领是什么 答：固定箭物和平面镜，移动箭物与平面镜之间的凸透镜，使其成清晰倒立实像于

集成电路工艺原理试题总体答案

目录 一、填空题（每空1分，共24分） (1) 二、判断题（每小题1.5分，共9分） (1) 三、简答题（每小题4分，共28分） (2) 四、计算题（每小题5分，共10分） (4) 五、综合题（共9分） (5) 一、填空题（每空1分，共24分） 1.制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。 2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。 3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。 4.高纯硅制备过程为氧化硅→粗硅→ 低纯四氯化硅→ 高纯四氯化硅→ 高纯硅。 5.直拉法单晶生长过程包括下种、收颈、放肩、等径生长、收尾等步骤。 6.提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底 片。 7.常规的硅材料抛光方式有：机械抛光，化学抛光，机械化学抛光等。 8.热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括干氧氧化、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。 9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、磷、砷（As）、锑（Sb）等元素具有掩蔽作用。 10.在SiO2内和Si- SiO2界面存在有可动离子电荷、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。 11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。 12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足余误差函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表 面源扩散过程中，杂质在体内满足高斯分布函数分布。 13.离子注入在衬底中产生的损伤主要有点缺陷、非晶区、非晶层等三种。 14.离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。 15.真空蒸发的蒸发源有电阻加热源、电子束加热源、激光加热源、高频感应加热蒸发源等。 16.真空蒸发设备由三大部分组成，分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。 17.自持放电的形式有辉光放电、弧光放电、电晕放电、火花放电。 18.离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有反射、产生二次电子、溅射、注入。 19.溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、偏压溅射、磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）等。 20.常用的溅射镀膜气体是氩气（Ar）,射频溅射镀膜的射频频率是13.56MHz。 21.CVD过程中化学反应所需的激活能来源有？热能、等离子体、光能等。 22.根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：气相外延、液相外延、固相外延。 23.硅气相外延的硅源有四氯化硅（SiCl4）、三氯硅烷（SiHCl3）、二氯硅烷（SiH2Cl2）、硅烷（SiH4）等。 24.特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括高分辨率、高灵敏度的光刻胶、低缺陷、精密的套刻对准、对大尺寸硅片 的加工等五个方面。 25.常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、 去胶等。 26.光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有溶解度、温度、甩胶时间、转速。 27.控制湿法腐蚀的主要参数有腐蚀液浓度、腐蚀时间、腐蚀液温度、溶液的搅拌方式等。 28.湿法腐蚀Si所用溶液有硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液、KOH溶液等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是HF溶液，腐蚀 Si3N4常用的腐蚀剂是磷酸。 29.湿法腐蚀的特点是选择比高、工艺简单、各向同性、线条宽度难以控制。 30.常规集成电路平面制造工艺主要由光刻、氧化、扩散、刻蚀、离子注入（外延、CVD、PVD）等工 艺手段组成。 31.设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要埋层光刻、隔离光刻、基区光刻、发射区光刻、引线区 光刻、反刻铝电极等六次光刻。 32.集成电路中隔离技术有哪些类？ 二、判断题（每小题1.5分，共9分） 1.连续固溶体可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体（×） 2.管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。（√） 3.当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错，如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错（√） 4.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。（×） 5.热氧化生长的SiO2都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密，SiO2中有离子键成份，氧空位表现为带正