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新型晶体管特性图示仪扫描信号发生器电路设计

张廷锋马楚仪

(华南理工大学电子与信息学院广州510640)

特性图示仪是电子测量常用仪器之一，日前通用的晶体管特性图示仪的扫描信号和阶梯信号由50 Hz工频市电变换而来，扫描频显示的特性曲线闪烁严重，稳定性差；X轴扫描为正弦脉冲，线性度差，在显示晶体管特性曲线时亮度不均匀(前亮后暗)，而且波电路复杂。本文介绍一种基于555定时器的晶体管特性图示仪扫描信号发生器设计方法。通过555定时器产生同步的X轴扫描锯Y轴扫描阶梯波，其扫描频率不受工频市电限制，扫描信号同步性能好，显示波形稳定。

信号发生器设计

体管特性测量原理

晶体管输出特性测量原理，需测量的2个物理量是晶体管的集电极电流Ic和集电极电压Uce。待测管的集电极和基极分别接入锯阶梯波扫描信号。集电极输出接示波管X轴输入，发射极输出接示波管Y轴输入，Rc为集电极功耗限制电阻，Re为集电极电流阻。

齿波产生电路

由555定时器组成的多谐振荡器同时产生锯齿波和阶梯波的触发脉冲，以保证锯齿波和阶梯波的同步。图1中由电阻R1、R2构C1的充电回路，其中R2略大于2R1，由555定时器内置的放电三极管构成电容的放电回路。接通电源时，电源通过R1、R2 C1充电，电容C1两端电压线性上升，当充电至555定时器2、6脚的电压大于2／3Vcc时，555定时器3脚由“1”跃变为“0”，55定时器内置的放电三极管导通，电容通过三极管迅速放电至0 V。由于R2略大于2R1，此时555定时器2、6脚的电压略小于cc，555定时器3脚由“0”跃变为“1”，同时555定时器内置的放电三极管截止，电容C1进入下一个充、放电周期，555定时器7锯齿波，3脚获得占空比接近1的同步方波。锯齿波的幅值由式(1)计算，得：

率可由式(2)计算，得：

锯齿波的输出电压幅值为1／2cc，大于一般555多谐振荡器的1／3Vcc，且波形线性度优于一般555多谐振荡器，电容从0 V开至1／2Vcc，起始扫描电压满足扫描信号的要求。该锯齿波通过电压跟随器U1输入到同相比例运算放大器U2进行电压放大，调可以改变锯齿波幅度，通过后置功率放大后输入到待测晶体管集电极。同时，该信号作为X轴扫描信号输入到示波管的X轴偏转

梯波产生电路

时器3脚输出的方波作为计数器CD4518的计数脉冲接入CD4518的CP端，计数输出端Q1～Q4分别接到由运算放大器U1构相加法器的输入端，反相加法器的输入电阻R3：R4：R5：R6=8：4：2：1，则反相加法器的输出电压可由式(3)表示为：

A=Rp1／R3

当计数输出端Q1～Q4以4位二进制计数方式从0～9依次递增时，从反相加法器的输出端uo可以得到反向递增的阶梯波。该反波经运算放大器U2进行反相比例运算得到正向的阶梯波，调节Rp1可以改变锯齿波的级数，调节Rp2可以改变锯齿波的级高。3用于阶梯波的高频干扰信号，该阶梯波通过后置功率放大后输入到待测晶体管基极。集电极电流经取样电阻Re取样后，输入到的Y轴偏转系统。

结果及分析

扫描信号发生器的阶梯波和锯齿波，锯齿波上升沿近乎直线，线性度良好。锯齿波下降沿与阶梯波上升严格同步。

1电路原理，以数字示波器为显示终端测试NPN晶体管的输出特性曲线，如图3所示，波形显示稳定。作为参照，以CRT示波示终端显示波形，与通用晶体管特性图示仪(SAKO HZ4832型晶体管特性图示仪)比较，具有如下优点：

形显示亮度均匀：这是由于该电路的水平扫描电压为线性度良好的锯齿波；

形没有闪烁现象：由于该电路的水平扫描频率达到1 700 Hz，而对照的通用晶体管特性图示仪的水平扫描频率仅为100 Hz，显示在闪烁现象，当显示的Ic级数较多时尤为明显。

形没有抖动：由于该电路锯齿波和阶梯波均由同一个555多谐振荡器产生，存在严格的同步关系，而对照的通用晶体管特性图示仪

波由水平扫描的正弦脉冲触发产生，触发电压存在一定误差，使显示波形存在一定的抖动现象。

语

描信号采用555定时器同时作为阶梯波和锯齿波发生器，电路结构简单，信号同步性能好，扫描频率可按需要设置，在扫描系统要的转换开关及波段开关，就可以实现对不同类型的二极管、三极管的各种性能指标的测量。

本文摘自《国外电子测量技术》

XJ4810型半导体管特性图示仪测试使用说明

晶体管特性图示仪的使用晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特

性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡IC标值×0.1，同时指示灯14亮. 16. Y轴增益：校正Y轴增益。 17. X轴增益：校正X轴增益。 18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是： ⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。 ⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。 19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。 22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。

XJ4810晶体管特性图示仪说明书

XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡I C标值×0.1，同时指示灯14亮. 16. Y轴增益：校正Y轴增益。 17. X轴增益：校正X轴增益。 18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是： ⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。 ⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。 19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。 22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。 23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。 24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。 25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。 26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。 27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被

各国电子管特点

一、各厂牌电子管风格特点 1国产电子管（1）曙光中庸平和，解析力一般，音场稍小，一致性较好。（2）南京产品一致性略差，放大管声音通透，音场较大，音质不够、精致，整流管音乐味较好。（3）北京音乐味好但解析力不够。（4）桂光声音平衡，控制力好，一致性略差，未煲透前声音特别僵直生硬。 2、进口电子管（1）日本 ①日本产电子管音质大多清淡、平庸，但有极少量日本工厂的OEM制品音质特好，甚至优于大多数英国制品。（2）俄罗斯 ①OTK/Sovtek/EH(Electro-Harmonix) 1959年以前（含部分1959年制品）的大把脚管为金属底箍，声音甜润、凝聚、平衡，1959年改为胶木座后的定位很好，但声音干燥，听起来易使人紧张。灯丝电压略降低些会有所改善，现在的EH管这方面略好。 ②Svetlana 与EH走向类似，但稍光滑、圆润些。（3）欧洲 ①Philips（飞利浦）甜美婉转，解析力一般，低频量感略欠（也有人认为恰到好处）。经常见到的是荷兰和美国的制品。荷兰的偏向于音乐性而美国的偏向于音响性，大多数人认为前者好于后者。 ②RT 法国产，近似于荷兰Philips，但稍清淡些。 ③Mullard（大盾）各国OEM的制品很多，共性是音乐味较好至很好，尤以英国早期制品为最，乐音凝聚、洗炼传神，有点收不住，高频能量感也不足。 ④Tungsram（汤司兰）匈牙利产，音乐味尚好但声音有点“蒙”，透明度不够。 ⑤RFT/WF 前东德产，音场较大而坚实，控制力不错，细腻度稍欠，音乐味一般。 ⑥Telefunken(德律风根) 德国产，小电流工作特性好，中频饱满凝聚，高频光滑细腻，延伸自然，能量感和穿透力好，独具其特有的“贵气”，低频线条感好而量感略欠，产品一致性非常好。型号中含有3位数字的更是其中的佼佼者，如ECC188、EF800、ECC801、ECC802、ECC803等。 ⑦Valvo(伏尔乌、富豪) 德国产，很Telefunken但高频延伸稍欠，中频更显厚实，贵气略逊于Telefunken。 ⑧Siemens(西门子) 解析力高，定位和高频延伸好，几乎无音染，胆味最淡的胆。

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。三、实验原理（一）半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。

1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。

805电子管特性及其电路设计简析

805电子管特性及其电路设计简析 ——版权所有：HIFIDIY论坛Juline 805电子管是一种灵敏度高，性价比高的大功率电子管，容易制成20W以上输出功率的单管A类放大器。因此有不少玩家参与尝试制作，也产生了大量试制电路。但是，往往出现的问题是，频响不宽，音色不平衡，功率不大。本文就805管的本身特性展开一些简易分析，供大家设计制作参考。 1，805电子管特性概述。 805电子管原形是一款丙类发射用电子管，屏耗 Pa = 125W 放大系数 u = 50 内阻 Ri = 10K，其屏栅特性曲线见图： 2，按照常用线路的工作点分析：现在常见电路工作点往往是：屏压Ua = 1050V 屏流Ia = 100mA 负载阻抗RL = 7~10K

就此工作点，在屏栅特性曲线上简易作图，得：对805动态工作情况简易分析如下: 805静态工作点， Ug1 = +18V，此时有栅流大致12mA 左右 Ua = 1050V Ia = 100mA 假设推动电压为对称正弦波当805电子管动作点移动到负半周某点A处： Ug1 = +45V Ua = 300V Ia = 168mA 此时如果要输出完整对称的正弦波，正半周A'点，根据特性曲线应当为：Ug1= －9V Ua = 1630V Ia = 40mA 输出功率根据负半周，大致为 Po = 0.5(1050 - 300)/(168 - 100)*1000 = 25W 此时栅极动作范围是Ug1 从－9V ~ 45V 栅流变化范围是0mA ~ 40mA （粗略值）以上要说明的是，805在Ug1 = 0V ~ －9V 区间内，基本是无栅流的。此时，805输入阻抗近似趋向无穷大（实测在10K左右）

半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数

用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为： b be b b E V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加

在晶体管的集电极和发射极之间。晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。晶体管特性图示仪便是按照上述原理设计的，它包括阶梯电压发生器（供基极或发射极阶梯波）、锯齿波电压发生器（供集电极扫描电压）、x轴放大器、y 轴放大器、示波管系统等组成，其单元作用如图4所示。作用在垂直偏转板上的除I c（实际上是I c R c）外，还可以是基极电压、基极电流、外接或校正电压。由于x轴和y轴作用选择的不同，在示波器荧光屏上显示出的特性就完全不同。例如：若x轴作用为集电极电压，y轴作用选择集电极电流，得到晶体管的输出特性曲线；若x轴作用为基极电流，y轴作用选择集电极电流，得到晶体管的电流增益特性（即β特性）；若y轴作用为基极电流，x轴作用是基极电流，得到晶体管的输入特性曲线。图3 阶梯波和锯齿波信号图4 图示仪的原理方框图三、晶体管特性图示仪的使用方法为了不使被测晶体管和仪器损坏，在测试前必须充分了解仪器的使用方法和晶体管的规格，测试中，在调整仪器的各个选择开关和转换量时，必须注意使加于被测晶体管的电压、电流（并配合功耗电阻）从低量程漫漫提高，直到满足测量要求。

微型电子管6C6B的特性及应用

微型电子管6C6B的特性及应用一、概述微型电子管6c6B是电子管家族中的小兄弟，又称超小型电子管或“毛毛管”，直径8mm，高33mm，重2g。由于体积小重量轻，故广泛应用于氢气球气象探空仪中携带的微波发射机，将探空仪所探测到的高空温度、湿度等气象资料数据，转口成微波讯号发送回地面，通过地面雷达站接收，处理还原出所探测到的气象资料数据，为天气预报提供依据。用6c6B 制作小型音响，体积小重量轻，耗电少，既能用交流亦能用直流供电，便于在移动场台使用。因而受到胆机爱好者的青睐。二、应用举例 1双声道单管放大器图1为单管立体声小功率放大器，由v1、V2分别担任左、右声道放大，并分别从输出变压器B1、B2输出100mw音频功率推动一对32Ω的立体声耳机Rj放音。电源采用直流电源供电。甲电Ea为一只6V 10Ah的铅酸蓄电池，为灯丝供电乙电Eb为34只3.6V 2.6Ah 锂电池串接成122V，给屏极供电。充次电可连续放音24小时。 2阴极输出放大嚣图2是采用3只6c6B组成的小功率放大器，其中v1担任电压放大，V2、V3为阴极输出器构成的推挽电路。音频讯号电压从V1栅极输入，经v1放大后从其屏极输出的音频电流，经输入变压器RB初级绕组，在次级两个绕组上感应出两个音频电压分别加到v1、V2管的栅极。这两个电压大小相等方向相反，即被倒相了。经V2、V3作推挽放大后从接在阴极电路中的输出变压器cB输出0.4w的音频功率推动喇叭Y发音。Y是一只8Ω0.5W的电脑小音箱。输出变压器CB绕成自耦变压器，喇叭直接从电子管回路中吸取音频功率，放音效果更好，效率更高。输入变压器次级绕组不再沿用通常的一个线圈带中心抽头接地的方式，而改用由两个独立绕组分别接两功放管阴极与栅极的交连方式。这种方式避免了从输出变压器的

QT2晶体管图示仪使用操作方法

QT2晶体管图示仪使用操作方法 [说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书本文来自: 中国计量论坛作者: yilihe 查看3098 次QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（调节W ）；5、阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零；调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”，置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“”的重合即完成了调零步骤；6、电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；7、集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。三、测试：1 ⑴、若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。①根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”；②被测管的；③将Y电流/度置于IC合适档级，X电压/度置于UC合适档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合； ⑥选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；⑦选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要求进行选择；⑧观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；（2）、其发射极IB-IC特性：①根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；②被测管的CBE按规定进行连接；③将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“”的档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节）；⑥将Y。Y方式开关““调节零点位置；⑦选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；⑧对所显示的IB-IC曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算NFE 值：NFE=IC/IB IC=示波管刻度×档次读数IB=幅度/级×级数⑵、①反压特性测试及二极管特性测试：本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：VCBO集电极基极间电压（发射极开路）VEBO发射极与基极间电压（集电极开路）VCEO集电极与发射间电压（基极开路）VCER集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）VCES集电极与发射间电压（基极与发射极短）①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位置时，集电极电压为（=）极性；②被测管的CBE接上表的连接方法进行连接；③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA 度档级）；④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；⑤将功

QT2晶体管图示仪操作技巧

QT2晶体管图示仪操作指引一、晶体管图示仪测三极管的调试方法：耐压测试:500V以上的用高压档“5000V”.三极管C极接二极管测试座“＋”极,E极接二极管测试座“—”极,注意:用高压档测试必须按住“测试”键不放才可以调节峰值电压..测试没有固定的档位，所有的档位都能测只是低档位测试相对准确。高档位测试误差大。测试HFE值,以IB电流来定IC电流(即调节级族或档位,使IC电流达到规定值.)然后再计算。β=I C/IB，即：（Y轴格数×档位读数）/（级族×级族档位数值）。 1、13005 测条件：晶体管图示仪设定。 C—E极间耐压VCEO:≥400V.Y=10MA. X=100V, 功耗电阻:10K 以上，输出电压:5000V. 零电流 E—B极间耐压VEBO:≥9V .Y=1MA. X=5V, 功耗电阻:10K以上, 输出电压50V. 零电流饱和压降VCES≥0.5V,Y=200MA ,X=200MV, 幅度/级200MA, 输出电压10V , 功耗电阻:2Ω以下. 放大陪数HFE: Y=200MA ,X=1V 幅度/级=10MA , 级/族=5 , 功耗电阻:2Ω以下. 2、13007 测条件：晶体管图示仪设定。 C—E极间耐压VCEO:≥400V. Y=10MA. X=100V, 功耗电阻:100K , 输出电压:5000V. 零电流E—B极间耐压VEBO:≥9V .Y=1MA. X=2V, 功耗电阻:10K以上, 输出电压50V. 零电流饱和压降VCES≥0.5V,Y=500MA ,X=200MV, 幅度/级50MA, 输出电压10V , 功耗电阻:2Ω以下. 放大陪数HFE: Y=200MA ,X=1V 幅度/级=10MA , 级/族=10, 功耗电阻:2Ω以下.

JT-1型晶体管特性图示仪

3.6 JT－1型晶体管特性图示仪 JT－1型晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。通过仪器的标尺刻度可直接读被测晶体管的各项参数；它可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流I CBO、I CEO、I EB0和各种击穿电压BU CBO、BU CEO、BU EBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。一、主要技术指标（l）Y轴编转因数：集电极电流范围：0.01～1000毫安／度，分十六档，误差≤±3％；集电极电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3％；基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％；基极电流或基极源电压：0.05V／度，误差≤±3％；外接输入：0.1V／度，误差≤±3％；（2）X轴偏转因数：集电极电压范围：0.01～20V／度，分十一档，误差≤±3％；基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％；基极电流或基极源电压：0.5V／度，误差≤±3％；外接输入：0.1V／度，误差≤±3％。（3）基极阶梯信号：阶梯电流范围：0.001～200mA／度，分十七档；阶梯电压范围：0.01～0.2V／级，分五档；串联电阻：10Ω～22KΩ，分24档；每族级数：4～12连续可变；每秒级数：100或200，共3档；阶梯作用：重复、关、单族，共三档；极性：正、负两档；误差≤±5％．（4）集电极扫描信号：峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调；电流容量：0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）；功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5％；（5）电源：交流220V ±10％，50Hz±20Hz。功耗：260V A．环境温度：－10 ℃～＋40℃ 相对湿度：≤80％

电子管特性参数

电子管特性参数 Document number：PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998

EL34电子管特性参数表下表是EL34的主要应用特性。由表可知，EL34作单端A类放大时，屏极负载阻抗2kΩ下最大输出功率为l 1 w(失真率10％)。当它作推挽放大时，屏一屏负载阻抗Ω下的最大输出功率可达36W(失真率5％)。电子管EL34管脚图 EL34胆管参数热丝加热 UH…………………………… V IH……………………………1.5 A 极限额定值阳极电压……………………… 800 V 第二栅极电压………………… 500 V 第一栅极电压………………… -100 V 阳极耗散功率………………… 25 W 第二栅极耗散功率…………… 8 W 阴极电流………………………150 mA 第一栅极自偏压时………………………0.7 MΩ 固定偏压时……………………0.5 MΩ 热丝阴极间电压………………±100 V 玻壳温度………………………250 ℃ 极间输入电容…………………… PF 输出电容…………………… PF 跨路电容…………………… PF 第一栅极热丝间电容……… PF 热丝阴极间电容…………… 10 PF 静态参数 Ua…………………………… 250 V

Ug2……………………………250 V Ug3…………………………… 0 V -Ug1………………………… V Ia…………………………… 100 mA Gm…………………………… 11 mA/V ri…………………………… 15 kΩ μg1-g2 (11) 推荐工作状态（参考值）单管A1类放大（固定偏压） Ua(b) …………………… 265 265 V Ua……………………………250 250 V Ug2……………………… Rg2=2k Rg2=0 Ug3……………………………0 0 V -Ug1……………………… V Ia(0) ………………………70 100 mA Ig2(0) …………………… 10 mA Gm…………………………… 9 11 mA/V ri……………………………18 15 kΩRL…………………………… 3 2 kΩPout………………………… 8 11 W Dtot…………………………10 10 % 推挽B1类放大（固定偏压）Ua……………………………375 400 V ▲Rg2………………………… 600 800 ΩUg3………………………… 0 0 V -Ug1………………………… 33 36 V Ia(0) …………………2×30 2×30 mA Ia(maxsig) ………2× 2× mA Ig2(0) ………………2× 2× mA Ig2(maxsig) ………2× 2×23 mA Rl(a-a) ……………… kΩ ü(g1-g1) ……… 50 V Pout……………………48 54 W

用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数

用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数一．实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。二．实验设备（1）XJ4810晶体管特性图示仪（2）QT 2晶体管图示仪（3）3DG6A 3DJ7B 3DG4 三．实验原理 1．双极型晶体（以3DG4NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理（1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即＝常数CE V B BE i I V R ??= （1.1）它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。各旋扭位置为峰值电压% 80% 峰值电压范围 0～10V 功耗电阻 50Ω X 轴作用基极电压1V/度 Y 轴作用阶梯选择 μ20A/极级/簇 10 串联电阻 10K 集电极极性正（+）把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。这样可测得图1.2：

V CE V B BE i I V R 10=??= （1.2）根据测得的值计算出i R 的值图1.1晶体管接法图1.2输入特性曲线（2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h 在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数FE h 。晶体管接法如图1.1所示。旋扭位置如下：峰值电压范围 10V 峰值电压% 80% 功耗电阻 250Ω X 轴集电极电压1V/度 Y 轴集电极电流2mA/度阶梯选择 μ20A/度集电极极性正（+）得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出V V CE 5=时第2、4、6三根曲线对应的C I ，B I 计算出交流放大系数B C I I ??=β （1.3） FE h >β主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。这种曲线可直接观察β的线性好坏。 C B E

晶体管特性图示仪.

晶体管特性图示仪晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。通过仪器的标尺刻度可直接读被测晶体管的各项参数；它可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流I CBO、I CEO、I EB0和各种击穿电压BU CBO、BU CEO、BU EBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。一、主要技术指标（l）Y轴编转因数：集电极电流范围：0.01～1000毫安／度，分十六档，误差≤±3％；集电极电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3％；基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％；基极电流或基极源电压：0.05V／度，误差≤±3％；外接输入：0.1V／度，误差≤±3％；（2）X轴偏转因数：集电极电压范围：0.01～20V／度，分十一档，误差≤±3％；基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％；基极电流或基极源电压：0.5V／度，误差≤±3％；外接输入：0.1V／度，误差≤±3％。（3）基极阶梯信号：阶梯电流范围：0.001～200mA／度，分十七档；阶梯电压范围：0.01～0.2V／级，分五档；串联电阻：10Ω～22KΩ，分24档；每族级数：4～12连续可变；每秒级数：100或200，共3档；阶梯作用：重复、关、单族，共三档；极性：正、负两档；误差≤±5％．（4）集电极扫描信号：峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调；电流容量：0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）；功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5％；（5）电源：交流220V ±10％，50Hz±20Hz。功耗：260V A．环境温度：－10 ℃～＋40℃ 相对湿度：≤80％

XJ4822型半导体管特性图示仪

XJ4822型半导体管特性图示仪使用说明书上海新建仪器设备有限公司

1.概述 XJ4822型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。与其它同类型图示仪相比，主要区别在于采用了微机控制技术，引入了字符显示，光标测量功能，使半导体管的各种静态参数，包括β（hfe）、Gfs(gm) 均可光标测量、数字读出, 给用户带来更多方便。 1.1 本仪器由下列几部分组成 X轴、Y轴放大器阶梯信号发生器集电极电源二簇电子开关低压电源供给高频高压电源及示波管控制电路 CRT读测微机电路过流报警电路 1.2 仪器的特点 1.2.1 本仪器由于采用微机控制, 数字插入技术，引入字符显示, 光标测量功能, 面板上增添了六个操作键,CRT屏幕上实时显示Y(电流) 、X（电压）、S（阶梯）开关档位（位标）量、通过主光标［+］操作,能直接显示测得的I(电流) 、U(电压) 测量值，辅光标［×］配合操作, 能自动计算显示, 读出β（hfe）、Gfs(gm) 等器件的参数。 1.2.2 通过配合高压测试台, 使反向电压U R可达3000V。 1. 2. 3 由于使用了VMOS器件作为电子开关管, 扩大了测试电流, 使测试电流不再受IB＞0.1mA的限制。 2技术参数 Y轴偏转系数 2.1.1 集电极电流偏转系数 a) 范围(Ic)： 10μA/div～1A/div； b) 分档： 1、2、5进制共16档； c) 误差：±3％。

2.1.2 漏电流(I R) a) 范围： 0.2μA/div～5μA/div； b) 分档： 1、2、5进制共5档；误差：见表1。表1 2.1.3 基极电流或基极源电压 a) 电压： 0.1V/div； b) 误差：不超过±3％。 2.1.4 倍率 a) 范围：×10； b) 误差：±5％±10nA 。 2.2 X轴系统 2.2.1 集电极电压偏转系数 a) 范围： 0.05V/div～50V/div； b) 分档： 1、2、5进制10档； c) 误差：不超过±3％。 2.2.2 基极电压偏转系数 a) 范围： 0.05V/div～1V/div； b) 分档： 1、2、5进制5档； c) 误差：不超过±3％。 2.2.3 基极电流或基极源电压 a) 偏转系数： 0.05V/div； b) 误差：不超过±3％。 2.2.4 二极管反向电压

晶体管图示仪使用方法

审核/日期----- 版次A/O 批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次1/4 QT2晶体管图示仪使用方法一、晶体管图示仪测试范围：三极管/二极管/场效应管/可控硅等。二、使用方法： 1、先将图示仪电源开关打开，十分钟后便可开始检测。 a、反向击穿电压的检测： Vcbo 集电极/基极间电压（发射极开路） Vebo 发射极/基极间电压（集电极开路） Vceo 集电极/发射极间电压（基极开路） Vcer 集电极/发射极间电压（基极与发射极间电阻连接） Vces 集电极/发射极间电压（基极与发射极间短路） 2、根据被测三极管的极性选择NPN/PNP 。被测的BCE各极按照上表所示进行连接（开路可直接悬空） 3、Y偏转放大器的电流/度（集电极电流）开关至于较小挡，无特殊要求一般置于100/uA度挡级。 4、X偏转放大器的电压/度U0根设定合适的挡。 5、无特殊要求将集电极功耗电阻至于10K~100K之间的任意挡级。 6、集电极电压至于合适的档级（根据被测管的参数而定），峰值电压初始为0 ，测试时按顺时针方向适当的加大。 7、读出数值并记录、比较，要求所测值必须大于晶体管额定值。

审核/日期------ 版次A/O 批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次2/4 QT2晶体管图示仪使用方法 b、V CE----I C特性测试:(集、射极电压/集电极电流) 1、根据集电极、基极的极性选择开关置于NPN/PNP，并将开关置于常态。如基极需要反相时可置于“倒置”。 2、按照被测管的管脚CBE的排列对应插入测试盒中。 3、查看被测管的参数，将Y电流/度置于I C合适的档级，X电压/度置于 U C合适档级。 4、选择A/B测试盒,并将开关置于所要测试的一边。 5、调整光标的位置，使其停在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点开始。 6、选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级的某一挡（一般至于较小挡级，再逐渐加大致要求值）。 7、选择合适的集电极功耗电阻，电阻值的确定可根据负载线的要求或保护被测管的要求选择。 8、对所显示的V CE----I C的曲线读数并记录比较，要求该数值必须在晶体管额定值范围之内。

XJ4810晶体管特性图示仪操作指南

XJ4810晶体管特性图示仪的操作指导晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。