8磁电式传感器习题及解答
第8章磁电式传感器
一、单项选择题
1、下列不属于霍尔元件基本特性参数的是（）。
A. 控制极内阻
B. 不等位电阻
C. 寄生直流电动势
D. 零点残余电压
2、制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些
（）。
A．半导体材料的霍尔常数比金属的大
B．半导体中电子迁移率比空穴高
C．半导体材料的电子迁移率比较大
D．N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
3、磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（）。
A．位移B．速度
C．加速度 D．光强
4、为了提高磁电式加速度传感器的频响范围，一般通过下面哪个措施来实现（）。
A．减小弹簧片的刚度 B. 增加磁铁的质量
C. 减小系统的阻尼力
D. 提高磁感应强度
5、磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（）
A．位移B．速度
C．加速度 D．光强
6、霍尔电势与（）成反比
A．激励电流 B．磁感应强度
C．霍尔器件宽度 D．霍尔器件长度
7、霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（）
A．霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B．半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C．周围环境温度变化
D．激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
二、多项选择题
三、填空题
1、通过将被测量转换为电信号的传感器称为磁电式传感器。
2、磁电作用主要分为和两种情况。
3、磁电感应式传感器是利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端输出
的原理进行工作的。
4、磁电感应式传感器是以原理为基础的。
5、当载流导体或半导体处于与电流相垂直的磁场中时，在其两端将产生电位差，这一现象被称为。
6、霍尔效应的产生是由于运动电荷受作用的结果。
7、霍尔元件的灵敏度与和有关。
8、霍尔元件的零位误差主要包括和。
9、磁电式传感器是半导体传感器，是基于的一类传感器。
10、磁电式传感器是利用原理将运动速度转换成信号输出。
11、磁电式传感器有温度误差，通常用分路进行补偿。
12、霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受作用发生的结果。
13、磁电式传感器是利用而在产生感应电势的原理进行工作的。
14、霍尔传感器的灵敏度与霍尔系数成正比而与成反比。
四、简答题
1、简述变磁通式和恒磁通式磁电传感器的工作原理。
2、磁电式传感器的误差及其补偿方法是什么？
3、根据图（假设控制电流垂直于纸面流进或流出并且恒定），试证明霍尔式位移传感器的输出电势U与位移x成正比关系。除了测量位移外, 霍尔式传感器还有哪些应用?
4、简述霍尔电势产生的原理。
5、A.图2是元件的基本测量电路。
B．图2中各编号名称：
①和②是；
③和④是。
C．图2电路中的被测量是。
6、磁电式传感器与电感式传感器有哪些不同？磁电式传感器主要用于测量哪些物理参数？
7、霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
8、简述霍尔效应及构成以及霍尔传感器可能的应用场合。
9、试分析差动变压器相敏检测电路的工作原理。
10、分析电感传感器出现非线性的原因，并说明如何改善？
11、磁电式传感器与电感式传感器有哪些不同？磁电式传感器主要用于测量哪些物理参数？
12、霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
13、什么是霍尔效应？霍尔电势与哪些因素有关？如何提高霍尔传感器的灵敏度？
14、结合下图说明磁电式传感器产生非线性误差的原因？
15、结合下图说明霍尔式微位移传感器是如何实现微位移测量的？
霍尔元件
16、什么是霍尔效应？为什么说只有半导体材料才适于制造霍尔片？
17、解释霍尔元件常制成薄片形状的原因（要求给出必要的公式推导过程）。
18、为什么说磁电感应式传感器是一种有源传感器？
四、计算题
1、某霍尔元件的l，b，d尺寸分别是1.0cm，0.35cm，0.1cm，沿l方向通以电流I=1.0mA，在垂直lb面的方向加有均匀磁场B=0.3T，传感器的灵敏度系数为22V/（A·T），试求其输出霍尔电动势及载流子浓度。
第8章磁电式传感器
一、单项选择题
1、D
2、D
3、A
4、D
5、C
6、D
7、C
二、多项选择题
三、填空题
1、磁电作用
2、电磁感应；霍尔效应
3、感应电动势
4、电磁感应
5、霍尔效应
6、磁场中洛伦兹力
7、元件的厚度；载流子的浓度
8、不等位电势；寄生直流电动势
9、电磁感应 10、电磁感应；电 11、热磁 12、洛伦兹力；运动
13、导体和磁场发生相对运动；导体两端 14、霍尔片厚度
四、简答题
1、答：恒磁通式传感器是指在测量过程中使导体（线圈）位置相对于恒定磁通变化而实现测量的一类磁电感应式传感器。
变磁通式磁电传感器主要是靠改变磁路的磁通大小来进行测量，即通过改变测量磁路中气隙的大小，从而改变磁路的磁阻来实现测量的。
2、答：磁电式传感器的误差主要有非线性误差和温度误差。
非线性误差的主要原因：当磁电式传感器在进行测量时，传感器线圈会有电流流过，这时线圈会产生一定的交变磁通，此交变磁通会叠加在永久磁铁产生的传感器工作磁通上，导致气隙磁通变化。
补偿非线性误差的方法：在传感器中加入补偿线圈，补偿线圈被通以一定的电流，适当选择补偿线圈的参数，使其产生的交变补偿磁通可以与传感器线圈本身产生的交变附加磁通相互抵消。
温度误差产生的原因主要是受温度变化的影响。
温度误差补偿的方法是在结构允许的情况下，在传感器的磁铁下设置热磁分路。
3、答：霍尔式位移传感器输出电动势U H=K H IB。
在一定范围内，B正比于位移x，又霍尔电动势正比于B，所以U H正比于位于x。
除了测量位移外，霍尔式传感器还可以测量转速、压力等。
4、答：一块半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中，当有电流I 流过时，电子受到洛仑兹力作用而发生偏转。结果在半导体的后端面上电子有所积累。而前端面缺少电子，因此后端面带负电，前端面带正电，在前后端面形成电场，该电场产生的力阻止电子继续偏转当两力相平衡时，电子积累也平衡，这时在垂直于电流和磁场的方向上将产生电场，相应的电势称为霍尔电势U H。
5、答：A.图2是霍尔元件的基本测量电路。
B．图2中各编号名称：
①和②是霍尔电极；
③和④是激励电极（控制电极）。
C．图2电路中的被测量是磁感应强度。
6、答：
a.磁电式传感器是通过磁电作用将被测量转换为电信号的一种传感器。
电感式传感器是利用线圈自感或互感的变化来测量的一种装置。
b.磁电式传感器具有频响宽、动态范围大的特点。而电感式传感器存在交流零位信号，不宜于高频动态信号检测；其响应速度较慢，也不宜做快速动态测量。
c. 磁电式传感器测量的物理参数有：磁场、电流、位移、压力、振动、转速。
7、答：
a.霍尔元件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
b.霍尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
c.温度补偿方法：分流电阻法：适用于恒流源供给控制电流的情况。电桥补偿法
8、答：一块长为l、宽为d的半导体薄片置于磁感应强度为磁场（磁场方向垂直于薄片）中，当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势Uh。这种现象称为霍尔效应。霍尔组件多用N型半导体材料，且比较薄。霍尔式传感器转换效率较低，受温度影响大，但其结构简单、体积小、坚固、频率响应宽、动态范围（输出电势变化）大、无触点，使用寿命长、可靠性高、易微型化和集成电路化，因此在测量技术、自动控制、电磁测量、计算装置以及现代军事技术等领域中得到广泛应用。
9、答：相敏检测电路原理是通过鉴别相位来辨别位移的方向，即差分变压器输出的调幅波经相敏检波后，便能输出既反映位移大小，又反映位移极性的测量信号。经过相敏检波电路，正位移输出正电压，负位移输出负电压，电压值的大小表明位移的大小，电压的正负表明位移的方向。
10、答：A. 原因是改变了空气隙的长度
B. 改善方法是让初始空气隙距离尽量小，同时灵敏度的非线性也将增加，这样的话最好
使用差动式传感器，
20
0002L l l S=1()...l l l ????--++????
其灵敏度增加非线性减少。
11、答：磁电式传感器是通过磁电作用将被测量转换为电信号的一种传感器。
电感式传感器是利用线圈自感或互感的变化来测量的一种装置。
磁电式传感器具有频响宽、动态范围大的特点。而电感式传感器存在交流零位信号，不
宜于高频动态信号检测；其响应速度较慢，也不宜做快速动态测量。
磁电式传感器测量的物理参数有：磁场、电流、位移、压力、振动、转速。
12、答：霍尔组件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
霍尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电
极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
温度补偿方法：
a 分流电阻法：适用于恒流源供给控制电流的情况。
b 电桥补偿法
13、答： 当载流导体或半导体处于与电流相垂直的磁场中时，在其两端将产生电位差，这
一现象被称为霍尔效应。 霍尔电势IB K d IB R ned IB -vBb b E U H H H H =====
霍尔电势与霍尔电场E H 、载流导体或半导体的宽度b 、载流导体或半导体的厚度d 、电
子平均运动速度v 、磁场感应强度B 、电流I 有关。 霍尔传感器的灵敏度ned
1d R K H H -==。为了提高霍尔传感器的灵敏度，霍尔元件常制成薄片形状。又霍尔元件的灵敏度与载流子浓度成反比，所以可采用自由电子浓度较低的材料
作霍尔元件。
14、答：传感器线圈内有电流I 流过时，将产生一定的交变磁通φI ，此交变磁通叠加在永
久磁铁所产生的工作磁通上，使恒定的气隙磁通变化：当传感器向上运动时，φI 与φ方向
相反，减弱了工作磁场的作用， 从而使得传感器的灵敏度随着被测速度的增大而降低；当
线圈的运动速度与图所示方向相反时，φI 与φ方向相同，增加了工作磁场的作用，传感器
的灵敏度增大。其结果是线圈运动速度方向不同时，传感器的灵敏度具有不同的数值，使传
感器输出基波能量降低，谐波能量增加, 即这种非线性特性同时伴随着传感器输出的谐波失
真。传感器灵敏度越高，线圈中电流越大，这种非线性越严重。
15、答：霍尔元件处于中间位置时，同时受到大小相等、方向相反的磁通作用，磁感应强度
B=0， 因此霍尔元件输出的霍尔电势U H ＝0，位移ΔZ =0。若霍尔元件沿Z 向移动，在两磁
铁中产生相对位移，霍尔元件感受到的磁感应强度0B ≠， 0≠?==z K IB K U H H ，其量
值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。
所以，霍尔电势U H 与位移量ΔZ 成线性关系，且霍尔电势的极性反映了霍尔片的移动
方向（位移方向）。磁场变化率越大，灵敏度越高，可测1～2mm 的小位移，动态范围达5mm 。
16、答： 置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上
平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。 霍尔常数R H 等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积，即R H =μρ。若要霍尔效
应强，则希望有较大的霍尔系数R H ，因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。
一般金属材料载流子迁移率很高，但电阻率很小；而绝缘材料电阻率极高，但载流子迁移率
极低，故只有半导体材料才适于制造霍尔片。
17、答：置于磁场中的静止金属载流体产生霍尔效应时，电子受洛伦兹力：
eBv f L = ①
同时金属导体内形成霍尔电场，电子受与L f 反向的电场力：
e b
U eE f H H H =
= ② 平衡状态下：H L f f =, 即：Bv E H = ③
设金属导体单位体积内电子数为n ，则：nebd I v =
④ 把④代入③：nebd
IB E H = ⑤ 把⑤代入②：IB K d
IB R ned IB U H H H === ⑥ ⑥式中霍尔常数ne R H 1=，灵敏度d
R K H H = 由此可见，霍尔电势正比于激励电流和磁感应强度。其灵敏度H K 正比于霍尔系数 H
R （它在金属导体单位体积内电子数固定时为定值），而与霍尔片厚度d 成反比。
∴ 为了提高灵敏度H K ，霍尔元件常制成薄片形状。
18、答：磁电感应式传感器是利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端输出感应电动势的原理进行工作的，它是一种机－电能量变换型传感器，直接从被测物体吸收机械能量并转换成电信号输出，不需提供供电电源，因而属于有源传感器。
五、计算题
1解：3H H U K I B 221.0100.3 6.6mV -=??=???=
3H H U 6.6mV U vBb,vb 2.210V /T B 0.3T
-====? 31932I nevbd,110n 1.610 2.2100.110----=?=??????
203n 2.8410/m =?
传感器实验报告
传感器实验报告（二） 自动化1204班蔡华轩 U2 吴昊 U5 实验七： 一、实验目的：了解电容式传感器结构及其特点。 二、基本原理：利用平板电容C=εA/d 和其它结构的关系式通过相应的结 构和测量电路可以选择ε、A、d 中三个参数中，保持二个参数不变，而只改变其中一个参数，则可以有测谷物干燥度(ε变)测微小位移(变d)和测量液位(变A)等多种电容传感器。 三、需用器件与单元：电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、相敏 检波、滤波模板、数显单元、直流稳压源。 四、实验步骤： 1、按图6-4 安装示意图将电容传感器装于电容传感器实验模板上。 2、将电容传感器连线插入电容传感器实验模板，实验线路见图7-1。图 7-1 电容传感器位移实验接线图 3、将电容传感器实验模板的输出端V01 与数显表单元Vi 相接(插入主控 箱Vi 孔)，Rw 调节到中间位置。 4、接入±15V 电源，旋动测微头推进电容传感器动极板位置，每间隔 记下位移X 与输出电压值，填入表7-1。
5、根据表7-1 数据计算电容传感器的系统灵敏度S 和非线性误差δf。 图（7-1） 五、思考题： 试设计利用ε的变化测谷物湿度的传感器原理及结构，并叙述一 下在此设计中应考虑哪些因素 答：原理：通过湿度对介电常数的影响从而影响电容的大小通过电压表现出来，建立起电压变化与湿度的关系从而起到湿度传感器的作用；结构：与电容传感器的结构答大体相同不同之处在于电容面板的面积应适当增大使测量灵敏度更好；设计时应考虑的因素还应包括测量误差，温度对测量的影响等
六：实验数据处理 由excle处理后得图线可知：系统灵敏度S= 非线性误差δf=353=% 实验八直流激励时霍尔式传感器位移特性实验 一、实验目的：了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理：霍尔式传感器是一种磁敏传感器，基于霍尔效应原理工作。 它将被测量的磁场变化（或以磁场为媒体）转换成电动势输出。 根据霍尔效应，霍尔电势UH=KHIB，当霍尔元件处在梯度磁场中 运动时，它就可以进行位移测量。图8-1 霍尔效应原理
8磁电式传感器习题及解答
第8章磁电式传感器 一、单项选择题 1、下列不属于霍尔元件基本特性参数的是（）。 A. 控制极内阻 B. 不等位电阻 C. 寄生直流电动势 D. 零点残余电压 2、制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、 砷化铟，其原因是这些（）。 A．半导体材料的霍尔常数比金属的大 B．半导体中电子迁移率比空穴高 C．半导体材料的电子迁移率比较大 D．N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件 3、磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（）。 A．位移B．速度 C．加速度 D．光强 4、为了提高磁电式加速度传感器的频响范围，一般通过下面哪个措施来实现（）。
A．减小弹簧片的刚度 B. 增加磁铁的质量 C. 减小系统的阻尼力 D. 提高磁感应强度 5、磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（） A．位移B．速度 C．加速度 D．光强 6、霍尔电势与（）成反比 A．激励电流 B．磁感应强度 C．霍尔器件宽度 D．霍尔器件长度7、霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（） A．霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上 B．半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀C．周围环境温度变化 D．激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配 二、多项选择题
三、填空题 1、通过将被测量转换为电信号的传感器称为磁电式传感器。 2、磁电作用主要分为和两种情况。 3、磁电感应式传感器是利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端输出的原理进行工作的。 4、磁电感应式传感器是以原理为基础的。 5、当载流导体或半导体处于与电流相垂直的磁场中时，在其两端将产生电位差，这一现象被称为。 6、霍尔效应的产生是由于运动电荷受作用的结果。 7、霍尔元件的灵敏度与和有关。 8、霍尔元件的零位误差主要包括和。 9、磁电式传感器是半导体传感器，是基于的一类传感器。 10、磁电式传感器是利用原理将运动速度转换成信号输出。 11、磁电式传感器有温度误差，通常用分路进行补偿。
传感器实验报告
33传感器原理及应用实验报告 实验人：程昌 09327100 合作人：雷泽雨 09327104 理工学院光信息科学与技术 实验时间：2011年5月20日，5月27日 实验地点：1号台 【实验目的】 1．了解传感器的工作原理。 2，掌握声音、电压等传感器的使用方法。 3．用基于传感器的计算机数据采集系统研究电热丝的加热效率。 【实验仪器】 PASCO公司750传感器接口1台，温度传感器1只，电流传感器1只，电压传感器1只，声音传感器1只，功率放大器1台，电阻1只(1k)，电容1只（非电解电容，参数不限），二极管1只（非稳压二极管，参数不限），导线若干。 【安全注意事项】 1、插拔传感器的时候需沿轴向平稳插拔，禁止上下或左右摇动插头，否则易损坏750接口。 2、严禁将电流传感器（Current sensor）两端口直接接到750接口或功率放大器的信号输出 端，使用时必须串联300欧姆以上的电阻。由于电流传感器的内阻很小，直接接信号输出端则电流很大，极易损坏。 3、测量二极管特性时必须串联电阻，因为二极管的正向导通电压小于1V，不串联电阻则电 流很大，容易烧毁，也易损坏电流传感器。 【原理概述】 传感器(sensor或transducer)有时亦被称为换能器、变换器、变送器或探测器，是指那些对被测的某一物理量、化学量或生物量的信息具有感受与检出功能，并使之按照一定规律转换成与之对应的有用输出信号的元器件或装置。为了与现代电子技术结合在一起，通常都转换为电信号，特别是电压信号，从而将各种理化量的测量简化为统一的电压测量，易于进一步利用计算机实现各种理化量的自动测量、处理和自动控制。现在，传感技术已成为衡量一个国家科学技术发展水平的重要标志之一，与信息技术、计算机技术并称为支撑整个现代信息产业的三大支柱。有关传感器的研究也得到深入而广泛的关注，在中国期刊全文数据库中可检索到超过2万篇题目中包含“传感器”三字的论文。因此，了解并掌握一些有关传感器的基本结构、工作原理及特性的知识是非常重要的。
传感器原理与应用实验报告
传感器原理与应用 实验报告 分校： 班级： 姓名： 学号：
实验一 电阻应变式传感器实验 实验成绩 批阅教师 一． 实验目的 1．熟悉电阻应变式传感器在位移测量中的应用 2．比较单臂电桥、双臂电桥和双差动全桥式电阻应变式传感器的灵敏度 3．比较半导体应变式传感器和金属电阻应变式传感器的灵敏度 4．通过实验熟悉和了解电阻应变式传感器测量电路的组成及工作原理 二．实验内容 1．单臂电桥、双臂电桥和双差动全桥组成的位移测量电路， 2．半导体应变式传感器位移测量电路。 三．实验步骤 1．调零。开启仪器电源，差动放大器增益置100倍（顺时针方向旋到底），“＋、－”输入端用实验线对地短路。输出端接数字电压表，用“调零”电位器调整差动放大器输出电压为零，然后拔掉实验线。调零后电位器位置不要变化。 如需使用毫伏表，则将毫伏表输入端对地短路，调整“调零”电位器，使指针居“零”位。拔掉短路线，指针有偏转是有源指针式电压表输入端悬空时的正常情况。调零后关闭仪器电源。 2．按图（1）将实验部件用实验线连接成测试桥路。桥路中R 1、R 2、R 3、和W D 为电桥中的固定电阻和直流调平衡电位器，R 为应变片（可任选上、下梁中的一片工作片）。直流激励电源为±4V 。 图（1） 测微头装于悬臂梁前端的永久磁钢上，并调节使应变梁处于基本水平状态。 3．接线无误后开启仪器电源，预热数分钟。调整电桥W D 电位器，使测试系统输出为零。 1． 旋动测微头，带动悬臂梁分别作向上和向下的运动，以悬臂梁水平状态下电路输出电压为零起点，向上和向下移动各6mm ，测微头每移动1mm 记录一 ＋
个差动放大器输出电压值，并列表。2．计算各种情况下测量电路的灵敏度S。S＝△U／△x 表1 金属箔式电阻式应变片单臂电桥 表2 金属箔式电阻式应变片双臂电桥 表3 半导体应变片双臂电桥
传感器习题第7章 磁电式传感器
第7章 磁电式传感器 1、 某霍尔元件尺寸为l=10mm ，b=3.5mm ，d=1.0mm ，沿l 方向通以电流I=1.0mA ，在垂直 于l 和b 的方向上加有均匀磁场B ＝0.3T ，灵敏度为22V/(A·T)，试求输出的霍尔电势以及载流子浓度。 解： 输出的霍尔电势为： ） （mV IB K U H H 6.63.0100.1223=???==- 由 ne R d R K H H H 1 =，＝ 可得载流子浓度为： 3 203 19/1084.210 1106.12211m ed K n H ?=????=?= -- 第8章 光电式传感器 8－8当光纤的46.11＝n ，45.12＝n ，如光纤外部介质的10＝n ，求光在光纤内产生全反射时入射光的最大入射角c θ。 解： 最大入射角 8.91706.0arcsin 45.146.1arcsin 1arcsin 222 2210 ==-=-=n n n c θ 2、若某光栅的栅线密度为50线/mm ，标尺光栅与指示光栅之间的夹角为0.01rad 。求：所形成的莫尔条纹的间距。 解： 光栅栅距为 mm mm W 02.0/501 =＝ 标尺光栅与指示光栅之间的夹角为 rad 01.0=θ 莫尔条纹的间距为 mm mm W W B H 201.002.02 sin ==≈=θθ ＋＋
＋ － t 1 t 2 A A B B t 0 t 0 3、利用一个六位循环码码盘测量角位移，其最小分辨率是多少？如果要求每个最小分辨率对应的码盘圆弧长度最大为0.01mm ，则码盘半径应有多大？若码盘输出数码为“101101”，初始位置对应数码为“110100”，则码盘实际转过的角度是多少？ 解： 六位循环码码盘测量角位移的最小分辨率为： rad 098.06.52 3606=== α。 码盘半径应为： mm mm l R 1.0098 .001.0== = α 循环码101101的二进制码为110110，十进制数为54； 循环码110100的二进制码为100111，十进制数为39。 码盘实际转过的角度为： 846.515)3954(=?=?-=αθ。 第13章 传感器在工程检测中的应用 P275 15－8 用两只K 型热电偶测量两点温差，其连接线路如图所示。已知t 1=420℃，t 0=30℃，测得两点的温差电势为15.24mV ，试问两点的温差为多少？后来发现，t 1温度下的那只热电偶错用E 型热电偶，其它都正确，试求两点实际温度差。 解： t 1=420℃，t 0=30℃。若为K 型热电偶，查表（15－5）可知： 1(,0)17.241AB e t mV = 0(,0) 1.203AB e t mV = 所以 10(,)17.241 1.20316.038()AB e t t mV =-= 因为 1020(,)(,)15.24AB AB e t t e t t mV -= 所以 20(,)16.03815.240.798()AB e t t mV =-= 所以 2020(,0)(,0)(,) 1.2030.798 2.001()AB AB AB e t e t e t t mV =+=+= 查表可得 250t C ≈ 所以，两点的温差为 2142050370()t t C -=-= 若t 1温度下用的是E 型热电偶，则需查表（15－6）。t 1=420℃，t 0=30℃，则有 mV t e AB 546.30)0,(1=
超声波传感器
超声波传感器的实验报告 一、超声波传感器的定义： 超声波传感器是将超声波信号转换成其他能量信号（通常是电信号）的传感器。超声波是振动频率高于20KHz的机械波。它具有频率高、波长短、绕射现象小，特别是方向性好、能够成为射线而定向传播等特点。超声波对液体、固体的穿透本领很大，尤其是在阳光不透明的固体中。超声波碰到杂质或分界面会产生显著反射形成反射成回波，碰到活动物体能产生多普勒效应。超声波传感器广泛应用在工业、国防、生物医学等方面。 超声波传感器的原理： 二、超声波传感器按其工作原理，可分为 1、压电式 2、磁致伸缩式 3、电磁式 压电式超声波传感器 压电式超声波传感器是利用压电材料的压电效应原理来工作的。常用的敏感元件材料主要有压电晶体和压电陶瓷。 根据正、逆压电效应的不同，压电式超声波传感器分为发生器（发射探头）和接收器（接收探头）两种，根据结构和使用的波型不同可分为直探头、表面波探头、兰姆波探头、可变角探头、双晶探头、聚焦探头、水浸探头、喷水探头和专用探头等。 压电式超声波发生器是利用逆压电效应的原理将高频电振动转换成高频机械振动，从而产生超声波。当外加交变电压的频率等于压电材料的固有频率时会产生共振，此时产生的超声波最强。压电式超声波传感器可以产生几十千赫到几十兆赫的高频超声波，其声强可达几十瓦每平方厘米。 压电式超声波接收器是利用正压电效应原理进行工作的。当超声波作用到压电晶片上引起晶片伸缩，在晶片的两个表面上便产生极性相反的电荷，这些电荷被转换成电压经放大后送到测量电路，最后记录或显示出来。压电式超声波接收器的结构和超声波发生器基本相同，有时就用同一个传感器兼作发生器和接收器两种用途。 典型的压电式超声波传感器结构主要由压电晶片、吸收块（阻尼块）、保护膜等组成。压电晶片多为圆板形，超声波频率与其厚度成反比。压电晶片的两面镀有银层，作为导电的极板，底面接地，上面接至引出线。为了避免传感器与被测件直接接触而磨损压电晶片，在压电晶片下粘合一层保护膜。吸收块的作用是降低压电晶片的机械品质，吸收超声波的能量。
磁电式传感器是利用电磁感应原理
磁电式传感器是利用电磁感应原理，将输入运动速度变换成感应电势输出的传感器。它不需要辅助电源，就能把被测对象的机械能转换成易于测量的电信号，是一种有源传感器。有时也称作电动式或感应式传感器， 只适合进行动态测量。由于它有较大的输出功率，故配用电路较简单；零位及性能稳定；工作频带一般为10～1000Hz 。磁电式传感器具有双向转换特性，利用其逆转换效应可构成力(矩)发生器和电磁激振器等。 根据电磁感应定律，当W 匝线圈在均恒磁场内运动时，设穿过线圈的磁通为Φ，则线圈内的感应电势e 与磁通变化率d Φ/dt 有如下关系： dt d W e φ-= (5-1) 根据这一原理，可以设计成变磁通式和恒磁通式两种结构型式，构成测量线速度或角速度的磁电式传感器。图5.1所示为分别用于旋转角速度及振动速度测量的变磁通式结构。其中永久磁铁1(俗称“磁钢”)与线圈4均固定，动铁心3(衔铁)的运动使气隙5和磁路磁阻变化，引起磁通变化而在线圈中产生感应电势，因此又称变磁阻式结构。 图5.1 变磁通式结构(a)旋转型（变磁阻）； (b)平移型（变气隙） 在恒磁通式结构中，工作气隙中的磁通恒定，感应电势是由于永久磁铁与线圈之间有相对运动——线圈切割磁力线而产生。这类结构有两种，如图5-2所示。图(a)为动圈式，图中的磁路系统由圆柱形永久磁铁和极掌、圆筒形磁轭及空气隙组成。气隙中的磁场均匀分布，测量线圈绕在筒形骨架上，经膜片弹簧悬挂于气隙磁场中。当线圈与磁铁间有相对运动是，线圈中产生的感应电势e 为:
图5.2 恒磁通式结构 (a)动圈式；(b)动铁式 Blv e = (5-2) 式中 B ——气隙磁通密度(T)； ｌ——气隙磁场中有效匝数为W 的线圈总长度(m)为ｌ＝ｌa W （ｌa 为每匝线圈的平均长度)； ν——线圈与磁铁沿轴线方向的相对运动速度(ms -1)。 当传感器的结构确定后，式(5-2)中B 、ｌa 、W 都为常数，感应电势e 仅与 相对速度v 有关。传感器的灵敏度为: Bl v e S == (5-3) 为提高灵敏度，应选用具有磁能积较大的永久磁铁和尽量小的气隙长度，以提高气隙磁通密度B ；增加ｌa 和W 也能提高灵敏度，但它们受到体积和重量、 内电阻及工作频率等因素的限制。为了保证传感器输出的线性度，要保证线圈始终在均匀磁场内运动。设计者的任务是选择合理的结构形式、材料和结构尺寸，以满足传感器基本性能要求。 一.传递矩阵 ㈠.机械阻抗 图5.3(a)所示的质量为m 、弹簧刚度为k ，阻尼系数为c 的单自由度机械振动系统。设在力F 作用下产生的振动速度和位移分别为ν和x ，由此可列出
压电式传感器实验报告
压电式传感器测振动实验 一、实验目的：了解压电传感器的测量振动的原理和方法。 二、基本原理：压电式传感器由惯性质量块和受压的压电片等组成。（观察实验用压电加 速度计结构）工作时传感器感受与试件相同频率的振动，质量块便有正比于加速度的交变力作用在晶片上，由于压电效应，压电晶片上产生正比于运动加速度的表面电荷。三、需用器件与单元：振动台、压电传感器、检波、移相、低通滤波器模板、压电式传感 器实验模板。双踪示波器。 四、实验步骤： 1、压电传感器装在振动台面上。 2、将低频振荡器信号接入到台面三源板振动源的激励源插孔。 3、将压电传感器输出两端插入到压电传感器实验模板两输入端，与传感器外壳相连的接线端接地，另一端接R1。将压电传感器实验模板电路输出端V o1，接R6。将压电传感器实验模板电路输出端V02，接入低通滤波器输入端Vi，低通滤波器输出V0与示波器相连。
3、合上主控箱电源开关，调节低频振荡器的频率和幅度旋钮使振动台振动，观察示波器 波形。 4、改变低频振荡器的频率，观察输出波形变化。
光纤式传感器测量振动实验 一、实训目的：了解光纤传感器动态位移性能。 二、实训仪器：光纤位移传感器、光纤位移传感器实验模块、振动源、低频振荡器、通信接口（含上位机软件）。 三、相关原理：利用光纤位移传感器的位移特性和其较高的频率响应，用合适的测量电路即可测量振动。 四、实训内容与操作步骤 1、光纤位移传感器安装如图所示，光纤探头对准振动平台的反射面，并避开振动平台中间孔。 2、根据“光纤传感器位移特性试验”的结果，找出线性段的中点，通过调节安装支架高度将光纤探头与振动台台面的距离调整在线性段中点（大致目测）。 3、参考“光纤传感器位移特性试验”的实验连线，Vo1与低通滤波器中的Vi相接，低通输出Vo接到示波器。 4、将低频振荡器的幅度输出旋转到零，低频信号输入到振动模块中的低频输入。
磁电式传感器的结构
磁电式传感器的构成 磁电式传感器构成：磁路系统、线圈 1、磁路系统 由它产生恒定直流磁场。为了减小传感器的体积，一般都采用永久磁铁； 2、线圈 由它运动切割磁力线产生感应电动势。作为一个完整的磁电式传感器，除了磁路系统和线圈外，还有一些其它元件，如壳体、支承、阻尼器、接线装置等。 磁电式传感器的原理及特性 （1）工作原理 磁电式传感器的工作原理如图1 所示，它主要由旋转的触发轮（被等分的齿轮盘,上面有多齿或缺齿）和相对静止的感应线圈两部分组成。当柴油机运行时，触发轮与传感器之间的间隙周期性变化，磁通量也会以同样的周期变化，从而在线圈中感应出近似正弦波的电压信号。 （2）输出特性 由磁电式传感器工作原理可知，其产生的交流电压信号的频率与齿轮转速和齿数成正比。在齿数确定的情况下，传感器线圈输出的电压频率正比于齿轮的转速，其关系为 式中，n 为发动机转速，r/ s；z 为触发轮被等分的齿数；f 为磁电式传感器的输出信号频率，Hz 。 磁电式传感器的输出电压不仅与传感器和触发轮间的间隙（ d ）有关,而且与n 有关。为了设计合理的磁电式传感器信号处理模块，本研究在不同的d 以及n 条件下,通过大量的试验测出传感器的输出电压特性。 图2 为不同的n 条件下,7 X 传感器输出峰值电压与d 的关系;图3 为在不同的d 条件下,7 X 传感器输出峰值电压与n 的关系。48 X 传感器输出峰值电压信号特征也如此。从图中可看出,在同一d 条件下,传感器输出的峰值电压随n 升高而增大；在同一n 条件下,d 越小, 其输出峰值电压越高。由此可以拟合出传感器的输出峰值电压特性为式中, V 为传感器输出峰值电压,V；n 为发动机转速,r/ s；d 为传感器与触发轮间的间隙,mm；K 为与传感器有关的参数。 磁电式传感器的实验 一、实验原理： 磁电式传感器是一种能将非电量的变化转为感应电动势的传感器，所以也称为感应式传感器。根据电磁感应定律，ω匝线圈中的感应电动势e的大小取决于穿过线圈的磁通?的变化率：霍尔式传感器是一种磁电传感器，它利用材料的霍尔效应而制成。该传感器是由工作在两个环形磁钢组成的梯度磁场和位于磁场中的霍尔元件组成。当霍尔元件通以恒定电流时，霍尔元件就有电势输出。霍尔元件在梯度磁场中上、下移动时，输出的霍尔电势V取决于其在磁场中的位移量X，所以测得霍尔电势的大小便可获知霍尔元件的静位移。 二、实验所需部件： 直流稳压电源、电桥、霍尔传感器、差动放大器、电压表、测微头。 三、实验步骤： 1．了解霍尔传感器的结构和在实验仪上的位置，熟悉实验面板上霍尔片的符号。霍尔片安装在实验仪的振动圆盘上，两个半圆形永久磁钢固定在实验仪的顶板上，二者组成霍尔式传感器。 2．差动放大器调零。之后关闭电源，放大器增益调到最小。 3．装好测微头，调节它带动振动台位移，使霍尔片置于半圆形磁钢上下正中位置。打开电源，调节WD或微调测微头使电压表示数为0。 4．以此为起点，向上和向下位移测微头，每次0.5mm，记录输出数据，分别填入相应的表格中。 四、注意事项： 1．实验前应检查实验接插线是否完好，连接电路时应尽量使用较短的接插线，以避免引入干扰。 2．接插线插入插孔，以保证接触良好，切忌用力拉扯接插线尾部，以免造成线内导线断裂。 3．稳压电源不要对地短路。所有单元电路的地均须与电源地相连。
压电式传感器实验报告
压电式传感器测振动实验 一、实验目的:了解压电传感器的测量振动的原理与方法。 二、基本原理:压电式传感器由惯性质量块与受压的压电片等组成。(观察实验用压电加速 度计结构)工作时传感器感受与试件相同频率的振动,质量块便有正比于加速度的交变力作用在晶片上,由于压电效应,压电晶片上产生正比于运动加速度的表面电荷。 三、需用器件与单元:振动台、压电传感器、检波、移相、低通滤波器模板、压电式传感 器实验模板。双踪示波器。 四、实验步骤: 1、压电传感器装在振动台面上。 2、将低频振荡器信号接入到台面三源板振动源的激励源插孔。 3、将压电传感器输出两端插入到压电传感器实验模板两输入端,与传感器外壳相连的接线端接地,另一端接R1。将压电传感器实验模板电路输出端V o1,接R6。将压电传感器实验模板电路输出端V02,接入低通滤波器输入端Vi,低通滤波器输出V0与示波器相连。
3、合上主控箱电源开关,调节低频振荡器的频率与幅度旋钮使振动台振动,观察示波器波 形。 4、改变低频振荡器的频率,观察输出波形变化。
光纤式传感器测量振动实验 一、实训目的: 了解光纤传感器动态位移性能。 二、实训仪器: 光纤位移传感器、光纤位移传感器实验模块、振动源、低频振荡器、通信接口(含上位机软件) 。 三、相关原理:利用光纤位移传感器的位移特性与其较高的频率响应,用合适的测量电路即可测量振动。 四、实训内容与操作步骤 1、光纤位移传感器安装如图所示,光纤探头对准振动平台的反射面,并避开振动平台中间孔。 2、根据“光纤传感器位移特性试验”的结果,找出线性段的中点,通过调节安装支架高度将光纤探头与振动台台面的距离调整在线性段中点(大致目测)。 3、参考“光纤传感器位移特性试验”的实验连线,Vo1与低通滤波器中的Vi相接,低通输出Vo接到示波器。 4、将低频振荡器的幅度输出旋转到零,低频信号输入到振动模块中的低频输入。
【实验报告】压电式传感器测振动实验报告
压电式传感器测振动实验报告 篇一：压电式传感器实验报告 一、实验目的：了解压电传感器的测量振动的原理和方法。 二、基本原理：压电式传感器由惯性质量块和受压的压电片等组成。（观察实验用压电加速度计结构）工作时传感器感受与试件相同频率的振动，质量块便有正比于加速度的交变力作用在晶片上，由于压电效应，压电晶片上产生正比于运动加速度的表面电荷。 三、需用器件与单元：振动台、压电传感器、检波、移相、低通滤波器模板、压电式传感器实验模板。双踪示波器。 四、实验步骤： 1、压电传感器装在振动台面上。 2、将低频振荡器信号接入到台面三源板振动源的激励源插孔。 3、将压电传感器输出两端插入到压电传感器实验模板两输入端，与传感器外壳相连的接线端接地，另一端接R1。将压电传感器实验模板电路输出端 Vo1，接R6。将压电传感器实验模板电路输出端V02，接入低通滤波器输入端Vi，低通滤波器输出V0与示波器相连。 3、合上主控箱电源开关，调节低频振荡器的频率和幅度旋钮使振动台振动，观察示波器波形。 4、改变低频振荡器的频率，观察输出波形变化。 光纤式传感器测量振动实验
一、实训目的：了解光纤传感器动态位移性能。 二、实训仪器：光纤位移传感器、光纤位移传感器实验模块、振动源、低频振荡器、通信接口（含上位机软件）。 三、相关原理：利用光纤位移传感器的位移特性和其较高的频率响应，用合适的测量电路即可测量振动。 四、实训内容与操作步骤 1、光纤位移传感器安装如图所示，光纤探头对准振动平台的反射面，并避开振动平台中间孔。 2、根据“光纤传感器位移特性试验”的结果，找出线性段的中点，通过调节安装支架高度将光纤探头与振动台台面的距离调整在线性段中点（大致目测）。 3、参考“光纤传感器位移特性试验”的实验连线，Vo1与低通滤波器中的Vi 相接，低通输出Vo接到示波器。 4、将低频振荡器的幅度输出旋转到零，低频信号输入到振动模块中的低频输入。 5、将频率档选在6~10Hz左右，逐步增大输出幅度，注意不能使振动台面碰到传感器。保持振动幅度不变，改变振动频率，观察示波器波形及锋-峰值。保持频率振动不变，改变振动幅度，观察示波器波形及锋-峰值。 篇二：实验六压电式传感器测振动实验 一、实验目的：了解压电传感器的测量振动的原理和方法。
第七章 磁电式传感器
第七章磁电式传感器 7.1 阐明磁电式振动速度传感器的工作原理，并说明引起其输出特性非线形的原因。 7.2 机械阻抗是什么？用机械阻抗来分析作简谐运动的线形机械系统有 什么好处？ 7.3 什么是位移阻抗、速度阻抗、加速度阻抗、位移导纳、速度导纳和加速度导纳？ 7.4 试述相对测振传感器的工作原理和工作频率范围。 7.5 试分析绝对式磁电测振传感器的工作频率范围。如果要扩展其测量频率范围的下限应采取什么措施;若要提高其上限又可采取什么措施? 7.6 对永久磁铁为什么要进行交流稳磁处理?说明其原理。 7.7 为什么磁电式传感器要考虑温度误差?用什么方法可减小温度误差? 7.8 已知某磁电式振动速度传感器线圈组件(动圈)的尺寸如图P7-1所示: D1=18mm, D2=22mm, L=39mm, 工作气隙宽Lg=10mm ,线圈总匝数为15000匝。若气隙磁感应强度为0.5515T,求传感器的灵敏度。 7.9 某磁电式传感器固有频率为10HZ,运动部件(质量块)重力为2.08N, 气隙磁感应强度Bδ=1T,工作气隙宽度为tg=4mm,阻尼杯平均直径Dcp=20mm,厚 度t=1mm,材料电阻率ρ=1.74×10ˉ? W·mm2/m。试求相对阻尼系数=? 若欲使 =0.6,问阻尼杯壁厚t应取多大? 7.10 某厂试制一电磁式传感器,测得弹簧总刚度为18000N/m,固有频率 60HZ,阻尼杯厚度为1.2mm,相对阻尼系数 =0.4。今欲改善其性能,使固有频率降低为20HZ,相对阻尼系数=0.6,问弹簧总刚度和阻尼杯厚度应取多大? 7.11 已知惯性式磁电式传感器的相对阻尼系数, 传感器-3dB的下限频 率为16HZ,试求传感器的自振频率值。
第6章磁电式传感器解析
学习目的 ?掌握霍尔传感器的工作原理与特性，熟悉霍尔传感器件 ?了解磁敏电阻、磁敏二极管等磁敏元件的工作原理和特性
6.1 概述 6.2 霍尔式传感器的工作原理与特性6.3 磁敏传感器 6.4 磁电式传感器的应用 本章小结 复习思考题 主要内容
6.1 概述 ?磁电感应式传感器是通过磁电转换将被测非电量（如振动、位移、速度等）转换成电信号的一种传感器。 ?1820年奥斯特首次通过实验发现电流的磁效应。1831年英国物理学家法拉第发现电磁感应定律。根据电磁感应定律，在切割磁通的电路里，产生与磁通变化速率成正比的感应电动势。最简单的把磁信号转换为电信号的磁电传感器就是线圈。随着科技发展，现代磁电传感器已向固体化发展，它是利用磁场作用在被测物上，使物质的电性能发生变化的物理效应制成的，从而使磁场强度转换为电信号。 ?磁电式传感器的种类较多，不同材料制作的磁传感器其工作原理和特性也不相同。本章主要介绍霍尔传感器以及磁阻元件、磁敏二极管、磁敏晶体管等常用半导体磁传感器的原理、特性和应用。
?1879 年，美国物理学家霍尔经过大量的实验发现：如果让恒定电流通过金属薄片，并将薄片置于强磁场中，在金属薄片的另外两侧将产生与磁场强度成正比的电动势。这个现象后来被人们称为霍尔效应。但是由于这种效应在金属中非常微弱，当时并没有引起人们的重视。1948 年以后，由于半导体技术迅速发展，人们找到了霍尔效应比较明显的半导体材料，并制成了砷化稼、锑化铟、硅、锗等材料的霍尔元件。 ?用霍尔元件做成的传感器称为霍尔传感器。霍尔传感器可以做得很小（几个平方毫米），可以用于测量地球磁场，制成电罗盘；将它卡在环形铁心中，可以制成大电流传感器。它还广泛用于无刷电动机、高斯计、接近开关、微位移测量等。它的最大特点是非接触测量。其它类型的磁电感应式传感器很多，常用的有磁敏电阻与磁敏传感器等。磁敏电阻一般用于磁场强度、漏磁、制磁的检测或在交流变换器、频率变换器、功率电压变换器、移位电压变换器等电路中作控制元件，还可用于接近开关、磁卡文字识别、磁电编码器、电动机测速等方面或制作磁敏传感器用。磁敏二极管和磁敏晶体管多用于检测弱磁磁场，无触点开关，位移测量，转速测量等。
磁电式传感器习题及解答
一、单项选择题 1、下列不属于霍尔元件基本特性参数的是（）。 A. 控制极内阻 B. 不等位电阻 C. 寄生直流电动势 D. 零点残余电压 2、制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些 （）。 A．半导体材料的霍尔常数比金属的大 B．半导体中电子迁移率比空穴高 C．半导体材料的电子迁移率比较大 D．N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件 3、磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（）。 A．位移B．速度 C．加速度 D．光强 4、为了提高磁电式加速度传感器的频响范围，一般通过下面哪个措施来实现（）。 A．减小弹簧片的刚度 B. 增加磁铁的质量 C. 减小系统的阻尼力 D. 提高磁感应强度 5、磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（） A．位移B．速度 C．加速度 D．光强 6、霍尔电势与（）成反比 A．激励电流 B．磁感应强度 C．霍尔器件宽度 D．霍尔器件长度 7、霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（） A．霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上 B．半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀 C．周围环境温度变化 D．激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配 二、多项选择题 三、填空题 1、通过将被测量转换为电信号的传感器称为磁电式传感器。 2、磁电作用主要分为和两种情况。 3、磁电感应式传感器是利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端输出
的原理进行工作的。 4、磁电感应式传感器是以原理为基础的。 5、当载流导体或半导体处于与电流相垂直的磁场中时，在其两端将产生电位差，这一现象被称为。 6、霍尔效应的产生是由于运动电荷受作用的结果。 7、霍尔元件的灵敏度与和有关。 8、霍尔元件的零位误差主要包括和。 9、磁电式传感器是半导体传感器，是基于的一类传感器。 10、磁电式传感器是利用原理将运动速度转换成信号输出。 11、磁电式传感器有温度误差，通常用分路进行补偿。 12、霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受作用发生的结果。 13、磁电式传感器是利用而在产生感应电势的原理进行工作的。 14、霍尔传感器的灵敏度与霍尔系数成正比而与成反比。 四、简答题 1、简述变磁通式和恒磁通式磁电传感器的工作原理。 2、磁电式传感器的误差及其补偿方法是什么 3、根据图（假设控制电流垂直于纸面流进或流出并且恒定），试证明霍尔式位移传感器的输出电势U与位移x成正比关系。除了测量位移外, 霍尔式传感器还有哪些应用 4、简述霍尔电势产生的原理。 5、A.图2是元件的基本测量电路。
传感器实验报告
实验目录 学号：153921011 姓名：龙艳梅班级：物联网工程 实验一：传感器和技术实验台的使用 实验二：金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 实验三：直流全桥的应用——电子秤实验 实验四：差动变压器的性能实验 实验五：电容式传感器的位移特性实验 实验六：电涡流传器的位移特性实验 实验七：被测体材质对电涡流传感器的特性影响实验 实验一：传感器和技术实验台的使用 一、实验台的组成 CSY2000系列传感器与检测技术实验台由主控台、三源板（温度源、转动源、振动源）、传感器（基本型18个、增强型23个）、相应的实验模板、数据采集卡及处理软件、实验台桌等六部分组成。 （1）主控台部分，提供高稳定的±15V、＋5V、±2V±4V±6V±8V±10V、及＋2V～＋24V可调四种直流稳压电源；主控台面板上还装有电压、气压、频率、转速的3位半数显表及计时表。音频信号源（音频振荡器）1KHZ～10KHZ(可调)；低频信号源（低频振荡器）1HZ～30HZ（可调）；气压源0～20kpa可调；高精度温度转速两用仪表；RS232计算机串行接口；流量计；漏电保护器；其中电源、音频、低频均具有断路保护功能。±2V～±10V电源与其他电源、信号Fin、Vin
部分，不共地。如果与其他电源同时使用时应将其共地。因断路无输出重新开机即可回复正常。调节仪置内为温度调节、置外为转速调节。 （2）三源板：装有振动台1HZ～30HZ（可调）；旋转源0～2400转/分（可调）；加热源常温～150℃（可调）。 （3）传感器：基本型传感器包括：电阻应变式传感器、扩散硅压力传感器、差动变压器、电容式传感器、霍尔式传感器、霍尔式转速传感器、磁电式传感器、压电式传感器、电涡流传感器、光纤传感器、光电转速传感器、集成温度传感器、 100铂电阻、Cu铜电阻、湿敏传感器、气敏传感器K型热电偶、E型热电偶、P t 共十八个。 （4）实验模块部分：普通型有应变式、压力、差动变压器、电容式、霍尔式、压电式、电涡流、光纤位移、温度、移相/相敏检波/滤波十个模块。 二、电路原理 传感器模块电路原理图见模块正面。 三、使用方法 （1）开机前将转速调节旋钮调到中间位置，显示选择旋钮打到2V档，电压选择旋钮打到±2V档，其余旋钮均打到中间位置，计时复位按钮在松开状态。 （2）将220V的电源线插头插入市电插座，接通开关，电源指示灯亮，计时器指示为4个零，数字表显示0.000或-0.000，电压指示灯亮，表示实验台电源工作正常。 （3）每个实验前先阅读实验指导书，每个实验均应在断开电源的状态下按实验线路接好连接线，检查无误后方可接通主电源。 （4）打开调节仪电源开关，调节仪表头PV显示测量值，SV显示设置值。 四、注意事项 （1）在更换接线时，应断开电源，只有在确保接线无误后方可接通电源。 （2）严禁将电源、信号源输出插座和地短接，时间长易造成电路元件损坏。 （3）严禁将主控箱上±15V电源引入模块时接错。 （4）本实验台电源±2V～±10V与电源±15V不共地，所以在同时使用时应将共地。 （5）差动变压器的原边不能接直流电压。 （6）三源板上的电机电源不能超过12V。 （7）做振动实验时振动面板不要碰到传感器。 100做温度标准值与主控箱面板相连（见色标）。 （8）本实验台应采用P t （9）打开调节仪电源开关后等其完成自启动后再做按键操作。 （10）实验完毕后，请将传感器以及电路模块放回原位。 （11）本实验台的各个部分是相配套使用的，请勿调换。 （12）在做实验前务必详细阅读实验指导书。
磁电式传感器
磁传感器是一种发出磁力进行检测的一种传感器，在各种领域都有广泛的应用，全球每年产值大概在10 亿美元。未来，磁传感器凭借其优势性能还将进步扩宽 应用领域。就磁传感器而言，未来将有六大发展方向。 1、高灵敏度。被检测信号的强度越来越弱，这就需要 磁性传感器灵敏度得到极大提高。应用方面包括电流传 感器、角度传感器、齿轮传感器、太空环境测量。2、 小型化、集成化、智能化。要想做到以上需求，这就需 要芯片级的集成，模块级集成，产品级集成。3、温度 稳定性。更多的应用领域要求传感器的工作环境越来越 严酷，这就要求磁传感器必须具有很好的温度稳定性，行业应用包括汽车电子行业。4、抗干扰性。很多领域 里传感器的使用环境没有任何评比，就要求传感器本身 具有很好的抗干扰性。包括汽车电子、水表等等。5、 低功耗。很多领域要求传感器本身的功耗极低，得以延 长传感器的使用寿命。应用在植入身体内磁性生物芯 片，指南针等等。6、高频特性。随着应用领域的推广，要求传感器的工作频率越来越高，应用领域包括水表、汽车电子行业、信息记录行业。 磁电式转速传感器的工作方式决定了它有很强的 抗干扰性，能够在烟雾、油气、水汽等环境中工作。磁电式
转速传感器输出的信号强，测量范围广，齿轮、曲轴、轮辐等部件，及表面有缝隙的转动体都可测量。磁电式转速传感器的工作维护成本较低，运行过程无需供电，完全是靠磁电感应来实现测量，同时磁电式转速传感器的运转也不需要机械动作，无需润滑。磁电式转速传感器的结构紧凑、体积小巧、安装使用方便，可以和各种二次仪表搭配使用。所以未来磁电式传感器还将会广泛的应用，尤其是应用于发动机测速和出租车计价器中。
磁电式传感器结构图分析 各种磁电式传感器介绍
磁电式传感器结构图分析各种磁电式传感器介绍 磁电式传感器是利用电磁感应原理，将输入运动速度变换成感应电势输出的传感器。它能把被测对象的机械能转换成易于测量的电信号，是一种无源传感器。磁电式传感器有时也称作电动式或感应式传感器，它只适合进行动态测量。由于它有较大的输出功率，故配用电路较简单；零位及性能稳定。 磁电式传感器的原理结构 磁电式传感器有时也称作电动式或感应式传感器，它只适合进行动态测量。由于它有较大的输出功率，故配用电路较简单；零位及性能稳定； 利用其逆转换效应可构成力（矩）发生器和电磁激振器等。根据电磁感应定律，当W匝线圈在均恒磁场内运动时，设穿过线圈的磁通为Φ，则线圈内的感应电势e与磁通变化率dΦ/dt有如下关系： 根据这一原理，可以设计成变磁通式和恒磁通式两种结构型式，构成测量线速度或角速度的磁电式传感器。下图所示为分别用于旋转角速度及振动速度测量的变磁通式结构。 变磁通式结构 （a）旋转型（变磁））；（b）平移型（变气隙） 其中永久磁铁1（俗称“磁钢”）与线圈4均固定，动铁心3（衔铁）的运动使气隙5和磁路磁阻变化，引起磁通变化而在线圈中产生感应电势，因此又称变磁阻式结构。 变磁式结构在恒磁通式结构中，工作气隙中的磁通恒定，感应电势是由于永久磁铁与线圈之间有相对运动——线圈切割磁力线而产生。这类结构有两种，如下图所示。 图中的磁路系统由圆柱形永久磁铁和极掌、圆筒形磁轭及空气隙组成。气隙中的磁场均匀分布，测量线圈绕在筒形骨架上，经膜片弹簧悬挂于气隙磁场中。 当线圈与磁铁间有相对运动时，线圈中产生的感应电势e为 式中B——气隙磁通密度（T）； l——气隙磁场中有效匝数为W的线圈总长度（m）为l=laW（la为每匝线圈的平均长度）v——线圈与磁铁沿轴线方向的相对运动速度（ms-1）。
压电式传感器测振动实验报告
压电式传感器测振动实验报告篇一：压电式传感器实验报告 一、实验目的：了解压电传感器的测量振动的原理和方法。 二、基本原理：压电式传感器由惯性质量块和受压的压电片等组成。（观察实验用压电加速度计结构）工作时传感器感受与试件相同频率的振动，质量块便有正比于加速度的交变力作用在晶片上，由于压电效应，压电晶片上产生正比于运动加速度的表面电荷。 三、需用器件与单元：振动台、压电传感器、检波、移相、低通滤波器模板、压电式传感器实验模板。双踪示波器。 四、实验步骤： 1、压电传感器装在振动台面上。 2、将低频振荡器信号接入到台面三源板振动源的激励源插孔。 3、将压电传感器输出两端插入到压电传感器实验模板两输入端，与传感器外壳相连的接线端接地，另一端接R1。将压电传感器实验模板电路输出端Vo1，接R6。将压电传感器实验模板电路输出端V02，接入低通滤波器输入端Vi，低通滤波器输出V0与示波器相连。 3、合上主控箱电源开关，调节低频振荡器的频率和幅度旋钮使振动台振动，观察示波器波形。 4、改变低频振荡器的频率，观察输出波形变化。 光纤式传感器测量振动实验 一、实训目的：了解光纤传感器动态位移性能。 二、实训仪器：光纤位移传感器、光纤位移传感器实验模块、振动源、低频振荡器、通信接口（含上位机软件）。 三、相关原理：利用光纤位移传感器的位移特性和其较高的频率响应，用合适的测量电路即可测量振动。 四、实训内容与操作步骤
1、光纤位移传感器安装如图所示，光纤探头对准振动平台的反射面，并避开振动平台中间孔。 2、根据“光纤传感器位移特性试验”的结果，找出线性段的中点，通过调节安装支架高度将光纤探头与振动台台面的距离调整在线性段中点（大致目测）。 3、参考“光纤传感器位移特性试验”的实验连线，Vo1与低通滤波器中的Vi 相接，低通输出Vo接到示波器。 4、将低频振荡器的幅度输出旋转到零，低频信号输入到振动模块中的低频输入。 5、将频率档选在6~10Hz左右，逐步增大输出幅度，注意不能使振动台面碰到传感器。保持振动幅度不变，改变振动频率，观察示波器波形及锋-峰值。保持频率振动不变，改变振动幅度，观察示波器波形及锋-峰值。 篇二：实验六压电式传感器测振动实验 一、实验目的：了解压电传感器的测量振动的原理和方法。 二、基本原理：压电式传感器由惯性质量块和受压的压电陶瓷片等组成。（观察实验用压电加速度计结构）工作时传感器感受与试件相同频率的振动，质量块便有正比于加速度的交变力作用在压电陶瓷片上，由于压电效应，压电陶瓷片上产生正比于运动加速度的表面电荷。 三、需用器件与单元：振动台、压电传感器、检波、移相、低通滤波器模板、压电式传感器实验模板。双线示波器。 四、实验步骤： 1、压电传感器已装在振动台面上。 2、将低频振荡器信号接入到台面三源板振动源的低频输入源插孔。 压电式传感器性能实验接线图 3、将压电传感器输出两端插入到压电传感器实验模板两输入端，见图7-1，屏蔽线接地。将压电传感器实验模板电路输出端V01（如增益不够大则V01接入IC2,V02接入低通滤波器）接入低通滤波器输入端VI，低通滤波器输出V0与示波器相连。 4、合上主控箱电源开关，调节低频振荡器的频率与幅度旋扭使振动台振动，观察示波器波形。 5、改变低频振荡器频率，观察输出波形变化。
磁电式传感器的整理
第5章磁电式传感器 主要查找 磁电式传感器的原理分类以及少量的应用 基本原理和结构型式 磁电式传感器是利用电磁感应原理，将输入运动速度变换成感应电势输出的传感器。它不需要辅助电源，就能把被测对象的机械能转换成易于测量的电信号，是一种有源传感器。 磁电式传感器有时也称作电动式或感应式传感器，它只适合进行动态测量。由于它有较大的输出功率，故配用电路较简单；零位及性能稳定；工作频带一般为10～1000Hz。 磁电式传感器具有双向转换特性，利用其逆转换效应可构成力(矩)发生器和电磁激振器等。根据电磁感应定律，当W匝线圈在均恒磁场内运动时，设穿过线圈的磁通为Φ，则线圈内的感应电势e与磁通变化率d Φ/dt有如下关系： (5-1) 根据这一原理，可以设计成变磁通式和恒磁通式两种结构型式，构成测量线速度或角速度的磁电式传感器。图5.1所示为分别用于旋转角速度及振动速度测量的变磁通式结构。
图5.1 变磁通式结构 (a)旋转型（变磁））；(b)平移型（变气隙） 其中永久磁铁1(俗称“磁钢”)与线圈4均固定，动铁心3(衔铁)的运动使气隙5和磁路磁阻变化，引起磁通变化而在线圈中产生感应电势，因此又称变磁阻式结构。 在恒磁通式结构中，工作气隙中的磁通恒定，感应电势是由于永久磁铁与线圈之间有相对 运动——线圈切割磁力线而产生。这类结构有两种，如图5-2所示。 图5.2 恒磁通式结构(a)动圈式；(b)动铁式 图中的磁路系统由圆柱形永久磁铁和极掌、圆筒形磁轭及空气隙组成。气隙中的磁场均匀分布，测量线圈绕在筒形骨架上，经膜片弹簧悬挂于气隙磁场中。 当线圈与磁铁间有相对运动时，线圈中产生的感应电势e为