MOS管与三级管的判断方法

MOS管与三级管的判断方法

[08-30 00:10:20] 作者：米奇责任编辑：meiqi

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1.MOS管就是场效应管（电压控制型器件）

根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件

一般对于主板上的N沟道的MOS管

G极(控制端)电压＞8V，D(输入端),S（输出端）级完全导通主板上的表现形式如图

2.三极管（电流控制元器件）

其实是两个二极管封装而成是电流控制元器件

半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种

作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点

开关

一般对于主板上的NPN的三级管

B极(基极)电压＞0.7V，C(集电极),E（发射极）级开始导通工作

在主板上一般表现形式为如图

注：以上图片收集网络

场效应管和mos管的区别

功率场效应晶体管MOSFET 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET （Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS 器件为例进行讨论。 功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET 采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2功率MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1 反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 2.3功率MOSFET的基本特性

高中化学分子极性及其判断规律专题辅导

高中化学分子极性及其判断规律 张素琳 一、分类：按照分子的极性，可把分子分为两类。 1. 非极性分子：正负电荷重心重合，分子对外不显示电负性的分子。例如：H O 22、、 N Cl Br CO CS CH CCl BF 22222443、、、、、、、等。 2. 极性分子：正负电荷重心不重合，分子对外显示电负性的分子。例如H O NH 23、、 HCl 、H 2O 2等。 二、掌握常见分子极性及其空间构型：常见分子极性及其空间构型可用下表表示。 三、了解常见分子空间构型及其键角：中学常见分子空间构型及其键角列举如下： （1）H O N 222、、等双原子单质分子为直线形，夹角为180°。 （2）H O 2为平面形，夹角为104.5°。 （3）NH 3为三角锥形，夹角为107°18'。 （4）H 2S 为平面形，夹角为92°。 （5）CH CCl SiH 444()、为正四面体形，夹角为109°28'。 （6）CH Cl CH Cl CHCl 3223()、为四面体形，夹角不确定。 （7）C H 22为直线形，夹角为180°。 （8）C H 24为平面形，夹角为120°。 （9）C H 66为平面形，夹角为60°。

（10）P 4为正四面体形，夹角为109°28'。 （11）CO CS 22()为直线形，夹角为180°。 （12）BF 3为平面形，夹角为120°。 注意：中学常见的四面体物质有①CH 4 ②CH Cl 3 ③CH Cl 22 ④CHCl 3 ⑤ CCl 4 ⑥P 4 ⑦NH 4 ⑧SiH 4 ⑨SiF 4等。其中是正四面体的有①、⑤、⑥、⑦、⑧、 ⑨共6种。 四、分子极性判断规律。 ①双原子单质分子都是非极性分子。如H O N Cl Br 22222、、、、等。 ②双原子化合物分子都是极性分子。如HCl 、HBr 、HI 等。 ③多原子分子极性要看空间构型是否对称，对称的是非极性分子，否则是极性分子。如H 2O 、NH HCl H O CH Cl 3223、、、等是极性分子；CO CH CCl BF 2443、、、等是非极性分子。 ④AB n 形分子极性判断：若A 原子的最外层电子全部参与成键，这种分子一般为非极性分子。如CO CH BF 243、、等。若A 原子的最外层电子没有全部参与成键，这种分子一般为极性分子。如H O NH 23、等。

三极管MOS管原理(很详细)

双极型晶体管
双极型晶体管又称三极管。电路表示符号： Ｂ Ｊ Ｔ 。根据功率的不同具有不同的外形结构。
（ａ ）小功率管 （ｂ ）小功率管 （ｃ ）中功率管 （ｄ ）大功率管
1
双极型晶体管的几种常见外形

一. 基本结构
由两个掺杂浓度不同且背靠背排列的PN结组成， 根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个 PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。
C NPN型 B
基极
集电极
集电极
C P N P E
2
N P N E 发射极
PNP型
B
基极 发射极

C B IB E
IC B IE IB
C
IC
E
IE
NPN型三极管
PNP型三极管
制成晶体管的材料可以为Si或Ge。
3

集电区： 面积较大
C N P N E
集电极
基区：较薄， 掺杂浓度低
基极
B
发射区：掺 杂浓度较高
4
发射极

C N P N E
集电极
集电结
Ｂ Ｊ Ｔ 是非线性元 件，其工作特性与其 工作模式有关： 当Ｅ Ｂ 结加正偏，Ｃ Ｂ 结 加反偏时， Ｂ Ｊ Ｔ 处于放 大模式；
基极
B
发射结 发射极
当Ｅ Ｂ 结和Ｃ Ｂ 结均加正偏时， Ｂ Ｊ Ｔ 处于饱和模式； 当Ｅ Ｂ 结加零偏或反偏、Ｃ Ｂ 结加反偏时， Ｂ Ｊ Ｔ 处于截止 模式。 Ｂ Ｊ Ｔ 主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大， 饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。
5

三极管的判断方法

三极管的判断方法一，三极管类型

1. 先判定基极b(一般中间的就是)：先假定一个管脚是b，把 红表笔接这个b，用黑表笔分别接触另两个管脚，测得或者都是高阻值时，说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极，所以 当测得都是低阻值时，b是N型材料， 两端是P型材料，就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时，b是P型材料， 两端是N型材料，就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b，但另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c 极，红表笔接假设的e极，万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce；之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致，所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e，红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量：先转动开关至晶体管调节 Adj位置上，将红黑测试笔短接，调节欧姆调零电位器，使指针对准300hFE刻度线上，然后转动开关到hFE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内，指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座，P型插入P型插座。 5.

反馈极性的判断方法瞬时极性法

反馈极性的判断方法瞬时 极性法 Last revision on 21 December 2020

反馈极性的判断方法——瞬时极性法 反馈在电技术中应用十分广泛。反馈有正，负之分。负反馈主要用于模拟放大电路中，负反馈既能稳定静态工作点，又能改善放大电路的各种性能。放大电路很少用正反馈。在一定条件下放在电路中的负反馈可转化为正反馈，形成自激振荡，使放大器不能正常工作，这是要避免的一面。正反馈还有有利的一面，就是在波形产生的电路中，人为地把电路接成反馈形式，产生所需的波形。在电子技术实践中，要正确组成反馈放大电路和振荡电路。必须清晰准确地判别正负反馈。如何有效判别正负反馈本文介绍瞬时（变化）极性法。 学习反馈电路，掌握反馈的基本概念和判别方法，必须解决以下问题： （1）什么是反馈反馈就是将放大电路的输出信号的一部分，通过一定电路形式送回到输入回路称为反馈。 （2）反馈元件如何判别既与输出回路相连，又与输入回路相连的器件都是反馈元件；虽仅在输出回路或输入回路，但与反馈支路相连，并对反馈信号大小产生影响的元件也是反馈元件。 （3）如何构成反馈放大器引入反馈的放大电路称为反馈放大电路，即反馈放大器。（见图1） 图1 图中A是基本放大电路，F是反馈网络，两部分构成一个闭环。X’i和x’f分别是输入信号和反馈信号，x’d是净输入信号，三者汇交的节点称为混合环节。X’i、x’f、x’d可以是电压信号，也可以是电流信号，x’i与x’f在节点处可以相加也可以相减。如果是串联反馈x’i和x’f都用电压表示，两个电压在此串联相减。如果是并联反馈，x’i和x’f都用电流表示，两个电流在此并联相减。

三极管与MOS管区别

1.场效应管和三极管输入电阻的差异？ 答：1.场效应管是单极、三极管是双极区别. 2.解决问题方面: 场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些. 3.三极管和场效应管的比较可以归纳以下几点: 一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而场效应管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因. 二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω. 三、场效应管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS 管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射

极一般不能互换使用. 四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关. 五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势. 六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大.七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm 比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到 4.三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但场效应管是电压控制电流源的器件 5.记住四种mos管的特性曲线的方法:只需记住n沟道的emos管的曲线,它的Vgs是大于0的,且曲线呈递增趋势．而p沟道的emos的Vgs是小于0的,且呈现递减趋势．dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n沟道递增,p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了 6.1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件; 2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,

三极管的判断方法

三极管的判断万法三极管类型 集电极C f N 基极珈0—〒 I V ■ >i ■ ? I! N 发射极E jT NP N PN P 区 结 结 区 电 电 区 射 射 集 集 基 岌 发

1. 先判定基极b（一般中间的就是）：先假定一个 管脚是b，把 红表笔接这个b，用黑表笔分别接触另两个管 脚，测得或 者都是高阻值时，说明假定正确。 2. 因为红表 笔实际是表电源的负极，所以 当测得都是低阻值时，b是N型材料，两端是 P型材料，就是PNP型。 3. 所以当测得都是 高阻值时，b是P型材料， N 两端是N型材料，就是NPN型。 4?我们一般可以容易找到基极b，但另外两个电极哪个是集 电极c,哪个是发射极e呢？这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 ⑴对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c P] N—— 1

极，红表笔接假设的e极，万用表打到*1K档测量两极间的电阻Rce ；之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一 1K档 黑表笔一c极一b极一巳极一红表笔b

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察， 总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔 TC极-b极-e极T红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 ⑵对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流 流向一定是：黑表笔—e极—b极—c极—红表笔,其电流流 向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接 的一定是发射 极e,红表笔所 接的一定是集 电极c 黑表笔一e极一b极一c极一红表笔4. 直流放大倍 数的hFE的测量：先转动开关至晶体管调节 Adj位置上，将红黑测试笔短接，调节欧姆调零电位器， 使指针对准300hFE刻度线上，然后转动开关到hFE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内，指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数？值。N型插入N型插座，P型插入P型插座。 5.

如何检测三极管的三个极

如何检测三极管的三个极 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型), 并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧 至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被 测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为 内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。 三极管的管型及管脚的判别 为了迅速掌握测判方法，结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面进行解释。 一、三颠倒，找基极 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管； 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位，红表笔正，黑表笔负。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的

分子极性判断方法.docx

一、共价键的极性判断 化学键有无极性，是相对于共价键而言的。从本质上讲，共价键有无极性取决于共用电子对是 否发生偏移，有电子对偏移的共价键即为极性键，无电子对偏移的共价键即为非极性键。 从形式上讲，一般来说，由同种元素的原子形成的共价键即为非极性键，由不同种元素的原子形 成的共价键即为极性键。 在学习共价键的极性判断时，一定要走出这样一种误区“由同种元素的原子形成的共价键一 定为非极性键”。 对于化合物来说，象H3C-CH3中的“C- C”键、 CH2=CH2中的“ C=C”键、 Na2O2中的“O- O” 键等具有结构对称的分子中同种元素原子间形成的共价键的确是非极性键。但象 CH3CH2OH、 CH3COOH等结构不对称的分子中的“C - C”键却不是非极性键，而是极性键。 对于单质来说，象在H2、O2、N2、P4、C60、金刚石、石墨等共价单质中的共价键的确是非 极性键。但在 O3分子中的“O - O”键却不是非极性键，而是极性键。这是因为O3分子结构呈“V”型（或角型），键长为（该键长正好位于氧原子单键键长148 pm 与双键键长 112 pm 之间），与 SO2结构相似，可模仿 SO2把 O3称作“二氧化氧”，所以 O3分子中的“O - O”键是 极性键，其分子是极性分子。 二、分子的极性判断 分子是否存在极性，不能简单的只看分子中的共价键是否有极性，而要看整个分子中的电荷分布 是否均匀、对称。 根据组成分子的原子种类和数目的多少，可将分子分为单原子分子、双原子分子和多原子分子， 各类分子极性判断依据是： 1、单原子分子：分子中不存在化学键，故无极性分子或非极性分子之说，如He、Ne等稀有气体分子。 2、双原子分子：对于双原子分子来说，分子的极性与共价键的极性是一致的。若含极性键 就是极性分子，如HF、 HI 等；若含非极性键就是非极性分子，如I2 、 O2、 N2等。 3、多原子分子： ⑴以非极性键结合的多原子单质分子，都是非极性分子，如P4等。 ⑵以极性键结合的多原子化合物分子，其分子的极性判断比较复杂，可能是极性分子，也可 能是非极性分子，这主要由分子中各键在空间的排列位置来决定。若分子中的电荷分布均匀， 排列位置对称，则为非极性分子，如CO2、 BF3、CH4等；若分子中的电荷分布不均匀，排列 位置不对称，则为极性分子，如H2O、 NH3、 PCl3等。

三极管和MOS管做开关用时的区别

三极管和MOS管做开关用时的区别 ?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 ?（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

三极管三个管脚识别

三极管三个管脚识别1、由三极管外形判断三个管脚

2、用万用表测量判断 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型),并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型: 将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e: 仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为c 、e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表 测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。

三极管和MOS管的区别

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos 晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 （5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

如何判断三极管的类型和极性

①用数字式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆 挡置"R ×200" 或"R×2k" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把红表笔接在假设的基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将万用表欧姆挡置"R ×200" 或"R ×2k" 处,以NPN管为例,把红表笔接在假设的集电极c 上, 黑表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。万 用表都有测三极管放大倍数（Hfe）的接口。可以估测一下三极管的放大倍数。

己知三极管类型及电极,指针式万用表判别晶体管好坏的方法 如下: ①测 NPN 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 200" 或 "R × 2k" 处,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是 好 的 。 ②测 PNP 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 200" 或 "R ×2k" 处,把黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。 c 、e 的判别电路示意图（一）

CT极性判别方法

判断电压电流互感器极性的新方法 发布日期：2009-5-27 10:53:43 (阅2378次) 关键词: 变压器互感器继电保护 [摘要]应用克希霍夫定律(Kirchhoff''s Current Law)及二次回路接线原理，推导出一种判断电压和电流互感器极性的新方法，经与传统的检测方法进行对比，证明了其优越性和实用性，可供继保专业人员参考和运用。 [关键词]互感器继电保护克希霍夫定律（KCL）极性 引言 变压器和电流互感器在继电保护二次回路中起一、二次回路的电压和电流隔离作用，它们的一、二次侧都有两个及以上的引出端子，任何一侧的引出端子用错，都会使二次侧的相位变化180度，既影响继电保护装置正确动作，又影响电力系统的运行监控和事故处理，严重时还会危及设备及人身安全。因此，正确判断变压器（电压互感器）和电流互感器的极性正确与否是一项十分重要的工作。 1 传统的极性检测方法 1.1直流法 电压和电流互感器的传统极性检测直流法可按图1接好线，使用干电池和高灵敏度的磁电式仪表进行测定。检测极性时，将电池的正极接在一次线圈的K端上，而将磁电式仪表（如指针式电流表或毫伏表）的正极端接在二次线圈的K端上。当开关S瞬间闭合时，仪表指针偏向右转（正方向），而开关S瞬间断开时，仪表指针则偏向左转（反方向），则表明所接互感器一、二次侧端子为同极性。反之，为异极性。

1.2、交流法 按图2所示接线，将互感器一、二次线圈的尾端L2、K2接在一起，在二次线圈上通入1~5V的交流电压，再用10V以下小量程交流电压表分别测量U2、U3，若U3=U1-U2，则L1、K1为同极性，若U3=U1+U2，L1、K1为异极性。 2 新极性检测方法 该方法以KCL和二次接线原理为基本依据，强调注入电流作为引导检测过程的基本手段，将交流安培计的读数作为检测结果，来判断互感器的极性。 2.1原理 根据KCL的描述: 在任何电路中的任意节点上流入该节点的电流总和等于流出该节点的电流总和，即Σi入=Σi出。当某一节点趋于无穷大的极限情况时，KCL可以推广至任意用一闭合面（图3虚线表示与纸平面的相交线）所包围的电路部分。该闭合面S包围了部分电路，并与支路1、2、3相交，应用KCL定律可得i1-i3-i2=0。 下面讨论一种特殊状态，当初始时刻电路中无电流通过时，如果强制性地使某一闭合面包围的部分电路中流入一定量的相对于初始状态额外的电流，由于离开包围部分电路的任一闭合面的各支路的电流的代数和为零，所以必有同量的电流流出那部分电路，则可在流出的闭合面的另一支路上串联一只交流安培计测量。那么，当被包围的部分电路为电压和电流互感器的内部电路时，则其中任两相的同极性或异极性将影响流出包围的互感器内部电路电流的大小，然后结果将体现在交流安培计的读数上。下面以电流互感器的星形和三角形两种连接情况来具体说明。 2.2星形回路检测 在检测之前，须断开一次隔离刀闸，确保电流互感器内部电路处于无电流状态。任选电流互感器的两相（图4所选的是A、B两相）在一次侧线圈的L端同时接地，K端串接一升流装置。在二次侧的中性线n上串接一只交流安培计。用升流装置向其中注入定量的交流电流，电流大小及安培计的量程可由电流互感器的变比确定。数量级约在10-1A至1A之间。同时观察安培计的变化和读数。由于另一单相未注流的原方开路，在二次星形回路中电流继电器线圈阻抗相对很高，所以二次回路的电流I3很小，近似为零。此时若安培计的指针不动或微偏（读数IA也约为零），则说明此两相的二次电路在闭合面包围下其电流近似

三极管的检测及其管脚的判别

三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极（B极）。

图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知，对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，看图3。对于PNP管，当黑表笔（连表内电池负极）在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0.5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数（一般为1）。对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。

图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)

图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了，甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性，我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上，BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母。读数，再把它的另二脚反转，再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E 极。学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速。 图5万用表上的hFE档

三极管的使用方法

1.三极管工作状态的判断方法： 分析电路时，判断三极管的功能，如果能够知道该三极管三个管脚的电压和该三极管起得作用（放大还是开关），。对于NPN而言，如果Uc>Ub>Ue,该管处于放大状态，放大一定的电流，一般是在模拟电路中起了作用（此时Uce之间的电压是不确定的）；如果Ub>Ue, Ub>Uc,该管处于饱和状态，c-e之间导通，其管压降为0.3-0.7V,与截止区相对立，此时该 二极管起到了开关的作用， 如图所示： 般应用在数字电路中。 3.72 12 * 饱和 3. 3 放大区截■ 止 3 区 3 区 对于PNP而言，当Ue>Ub>Uc即集电极反偏、发射极正偏，处于放大状态；当Ue>Ub 且 Uc>Ub（这时候，Uc^ Ue）,即集电极和发射极都正偏，处于饱和状态。 2.三极管的使用方法： 我们经常在单片机系统中连接三极管起到开关的作用，经典电路如下图所示： 如果在单片机系统中出现三极管时，那么该三极管大多数甚至几乎全部情况下都会处于 开-关状态。因为单片机输出的都是数字量，要么是0,要么是1,不可能出现别的情况。因 此对应的三极管也要么开通，要么关断。 在上面电路中，如果按照开始时说的三极管状态的判别方法，是不行的。因为c点得工 作电压是不确定的（实际上在真正的电路中c点电压是确定的，但是从电路图中我们看不出 来）。真正的判断方法如下：当I/0引脚为高电平时，b点基极的电流是一定的，那么c点电 流也是一定的，而且是处在了三极管的饱和区，因此b点的电压为0.7v,三极管导通，贝U c 点的电压与e点压相同（比e点略大，约为0.5v,即为Uce）,即OUT （输出端处于低电平）端为低电平状态。当I/0引脚为低电平时，NPN三极管断开，c-e之间不导通，那么此时 c 点（OUT）电位为高电平即VCC电压。这从而达到了用单片机引脚来控制Vcc的效果。 综上所述：当I/O为高电平，b-e之间有电压，三极管导通，c-e管压降小，OUT为低电平（Q 0.5）;当I/O为低电平时，b-e之间没电压，三极管关断，c-e管压降非常大，OUT为高电平=Vcc; 上面就是NPN的使用方法。我们可以这么理解：在使用NPN时，要尽可能将e端接地，当b 端比e端至少高0.7v时，管子导通；否则管子断开。 同理,我们可以得出PNP三极管的使用电路和方法：

MOS管与三极管做开关用法比较

Kevin pen 1/1 MOS 管（MOSFET ）的压降 是指MOSFET 饱和导通的时候，VDS=I*RDS(on)的电压。VDS 表示场效应管的漏极和源极的电压，G 表示栅极，I 表示流过DS 的电流，RDS(on)表示导通电阻，一般为几百毫欧。 MOSFET 的管压降，一般指的是静态压降。只要知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了。 三极管管压降 三极管的管压降Uce 就是指集电极与发射极的电压。一般情况下，CE 极电压在0.3或者0.3V 以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了，也叫饱和电压。 正常三极管管压降为0.1-0.7V 。 由于管压降Uce 与集电极电流ic 具有非线性的函数关系，Uce 的大小随着Ice 的增大，在一定的范围内增大。 通过Ic 与Uce （饱和压降）的曲线图，就可以清晰的知道Uce 的大小了。 对比应用 通过初步计算，在流过相同的电流（小于100MA ）的情况下，场效应管的管压降要比三极管的管压降略低。一般小于0.1V 。随着电流增大，三极管管压降最大达到0.7V 左右。 下图为三极管的管压降示例图，一般在DATASHEET 中都有给出。 对于场效应管（MOSFET ），VDS 取决于电流和导通电阻RDS(on)。导通电阻一般变化不大，但是与VGS 有关，VGS 大导通程度也大，导通电阻就小。 如果RDS(on)=250M Ω，流过电流为100MA ，管压降VDS=0.025V 。图一为0.05V ，图二为0.03V 。 因此，可以看出，在实际开关应用中，如果要使被控的电压的压降尽量小，MOSFET 比三极管有略微的优势。

三极管的测量方法

三极管的测量方法 判断基极和三极管的类型: 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量, 若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极. 当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP. 判断集电极C和发射极E,以NPN为例: 把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头 C,E电阻值,将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立. 三极管测量方法 2007-04-22 08:40 三极管的管脚必须正确辨认,否则,接入电路不但不能正常工作,还可能烧坏晶体管。己知三极管类型及电极,指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下: ①测 NPN 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或 "R × lk" 处,把黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。 ②测 PNP 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或 "R × lk" 处,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。

当三极管上标记不清楚时,可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型 (NPN 型还是 PNP 型 ),并辨别出e、b、c三个电极。测试方法如下 : ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置 "R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管为 NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置 "R ×100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极 ( 不能使b、c直接接触 ), 通过人体 , 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻 , 如图 5-27(a) 所示。读出表头所示的阻值 , 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小 , 说明原假设成立 , 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大 , 偏置正常。其等效电路如图5-27(b) 所示 , 图中V CC是表内电阻挡提供的电池 ,R为表内阻 ,R m为人体电阻。 用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地

三极管的识别与检测方法(2)

三极管的识别与检测方法（2） 课型：理论+实践 教学目标 1、熟悉三极管外形，图形符号和文字符号； 2、了解三极管的种类与特点； 3、了解三极管的特性与参数； 4、掌握常用三极管的命名方法； 教学重点与难点 1、掌握三极管的外形，图形符号和文字符号； 2、了解三极管的种类与特点； 教学方法 讲授法、演示法 教学安排：2课时 教学过程 一、项目实施 任务一：普通三极管的识别与检测 工作任务： 1.识别不同类别的三极管 2.测量三极管 工作步骤： 1.识别各种三极管(按功率) （1）普通小功率三极管 普通小功率三极管通常采用TO-92封装，如图所示为9013三极管，其引脚顺序为E、B、C（引脚向下，面向元件型号）。 （2）中功率三极管 图所示为NPN型中功率三极管TIP41，其引脚顺序为B、C、E（引脚向下，面向元件型号），中功率三极管通常采用TO-220封装。 （3）金属外壳三极管 如图所示为开关三极管2N2222A，该三极管为NPN型三极管，采用金属外壳封装TO-18或TO-39，其引脚顺序如图所示，引脚向下，从凸起位置依次为E、B、C。

（4）大功率金属外壳三极管 图为大功率金属外壳三极管，其封装形式通常为TO-3,其外壳通常为集电极（C），另外两个引脚分别为基极（B）和发射极（E）。 （5）贴片三极管 图为贴片三极管8550,8550为小功率PNP三极管,其贴片型号为2TY，引脚顺序如图所示。 2、识别各种三极管（按引脚的现状） （1）色点标志 （2）凸形标记 （3）三角排列 （4）三脚等距平面性 （5）带散热片的三极管 3.用指针式万用表测量三极管 步骤一：判断三极管的基极(B) 用万用表R×1K档或R×100档依次测量三极管各极之间的正反向阻值，并将测得阻值填入表中。然后分析表中测得数据，观察哪一个引脚与其他两个引脚之间的测得的阻值均较小，如果符合这一条件，则这个引脚就是三极管的基极（B）。 步骤二：判断三极管的管型(PNP还是NPN) 将万用表置于R×1K档或R×100档，将万用表的黑表笔接三极管的基极，红表笔在其他极，如果阻值均较小，则表明这是一个NPN型三极管。如果是高阻值，改用红表笔接三极管的基极，黑表笔在其他引脚，若阻值均较小，则表明这是一个PNP型三极管。 步骤三：辨别三极管的集电极(C)和发射极（E） 方法一：将万用表置于R×1K档或R×100档，用“鳄鱼夹”夹持管脚，或用两手分别捏住表笔和管脚，然后用舌尖舔基极，利用人体电阻作为基极偏流电阻，也可进行测量。指针偏转较大的那一次，黑表笔所接为集电极（NPN管），红表笔所接为发射极。PNP管正好相反。 方法二：将万用表置于HFE档，将三极管管按假定的E、C插入万用表的“三极管测量