盖革一米勒计数管的特性及放射性衰变的统计规律
一．实验目的:
（1）了解盖革—米勒计数管的工作原理及特点； （2）学会如何测量其特性参数及确定管子的工作电压；
（3）掌握测量物质吸收系数的方法，并验证核衰变的统计规律。
二．实验原理
l 、G-M 管的结构和工作原理。 G-M 管的结构类型很多，最常见的有圆柱形和钟罩形两种，它们都是由同轴圆柱形电极构成。测量时，根据射线的性质和测量环境来确定选择哪种类型的管子。对于α和β等穿透力弱的射线，用薄窗的管子来探测；对于穿透力较强的γ射线，一般可用圆柱型计数管。
G-M 管工作时，阳极上的直流高压由高压电源供给，于是在计数管内形成一个柱状对称电场。带电粒子进入计数管，与管内气体分子发生碰撞，使气体分子电离，即初电离(γ粒子不能直接使气体分子电离，但它在阴极上打出的光电子可使气体分子发生电离）。初电离产生的电子在电场的加速下向阳极运动，同时获得能量。当能量增加到一定值时，又可使气体分子电离产生新的离子对，这些新离子对中的电子又在电场中被加速再次发生电离碰撞而产生更多的离子对。由于阳极附近很小区域内电场最强，故此区间内发生电离碰撞几率最大，从而倍增出大量的电子和正离子，这个现象称为雪崩。雪崩产生的大量电子很快被阳极收集，而正离子由于质量
大、运动速度慢，便在阳极周围形成一层 “正离子鞘”，阳极附近的电场随着正离子鞘的形成而逐渐减弱，使雪崩放电停止。此后，正离子鞘在电场作用下慢慢移向阴极，由于途中电场越来越弱，只能与低电离电位的猝灭气体交换电荷，之后被中和，使正离子在阴极上打不出电子，从而避免了再次雪崩。在雪崩过程中,由于受激原子的退激和正负离子的复合而发射的紫外光光子也被多原子的猝灭气体所吸收。这样,一个粒子入射就只能引起依次雪崩。
计数管可看成是一个电容,雪崩放电前加有高压,因而在两极上有一定量的电荷存在,放电后电子中和了阳极上一部分电荷，使阳极电位降低。随着正离子向阴极运动，高压电源便通过电阻 R 向计数管充电，使阳极电位恢复，在阳极上就得到一个负的电压脉冲。因此，一次雪崩放电就得到一个脉冲，即一个入射粒子入射只形成一个脉冲，脉冲幅度的大小由高压电源电压和电阻R 决定,与入射粒子的能量和带电量无关。
2、G-M 管的特性
（1） 坪曲线。在强度不变的放射源照射下,G-M 管的计数率n 随外加电压变化的曲线如图1所示。 由于该曲线存在一段随外加电压变化而变化较小的区间即坪区，因此把它叫做坪曲线。坪曲线的主要参数有起始电压、坪长和坪斜。起始电压即计数管开始放电时的外加电压，图中用0V 表示。坪长即坪区的长度，图中为21V V 和之差。坪斜即坪区的坡度，通常用坪区内电压每增加l00V 时计数率增长的百分比表示：
4
211221101
2n n T n n V V -=?+-（）（V ） [单位:%/(l00V)], (1)
式中T 表示坪斜，1n ，2n 分别对应于1V 和2V 时的计数率。
坪曲线是衡量G-M 管性能的重要指标，在使用前必须进行测量，以鉴别计数管的质量并确定工作电压。一般，工作电压选在离坪区起始点1／3～1／2坪长处。
坪曲线的形状可作如下解释：外加电压低于0V 时，加速电场太弱不足以引起雪崩放电，不能形成脉冲，因此计数管没有计数；电压高于0V ,加速电场可使入射的部分粒子产生雪崩，此时虽有计数但计数率较小；随着电压升高，计数率迅速增大；电压超过1V 后，计数率随电压变化很小，这是因为此时无论入射粒子在管内何处发生初电离，加速电场均可使其产生雪崩放电，外加电压的升高只是使脉冲幅度增大而不影响脉冲的个数，所以计数率几乎不变，但因猝灭不完全和负离子的形成造成的乱真放电会随电压的升高而增多，因而产生坪斜。当电压继续升高使猝灭气体失去猝灭作用时，一个粒子入射可引起多次雪崩,是计数率急剧增加，即进入连续放电区，这时管内的猝灭气体会被大量耗损，使管子寿命缩短。使用时应尽量避免出现此种情况，当发现计数率明显增大时，应立即降低高压。
（2）死时间、恢复时间和分辨时间：如前所述，入射粒子进入G-M 管引起雪崩放电后在阳极周围形成的正离子鞘削弱了阳极附近的电场，这时再有粒子进入也不能引起放电，即没有脉冲输出，直到正离子鞘移出强场区，场强恢复到刚刚可以重新引起放电的这段时间称为死时间D t 。从这之后到正离子到达阴极的时间称为恢复时间R t 。在恢复时间内，粒子进入计数管所产生的脉冲幅度低于正常值。
实际上更有意义的是系统的分辨时间τ，因为任何电子线路总有一定的触发阈，脉冲幅
度必须超过触发阈αV 时才能触动记录电路。因此，从第一个脉冲开始到第二个脉冲的幅度恢复到触发阈的这段时间内，进入计数管的粒子均无法记录下来，这段时间称为系统的分辨时间。显然，D R D t t t >>+τ 。三个时间的关系如图 2所示。
为了真实地测量入射粒子的强度，分辨时间越小越好。然而无论如何，分辨时间总
是存在的。若相继进入计数管的两个粒子的时间间隔小于分辨时间，第二个粒子就会漏记，实测计数率将低于实际计数率，为此，需对测量结果作漏计数校正。设n 为单位时间内进入G-M 管的平均粒子数（真计数率），m 为计数系统实测的平均计数率，在分辨时间不变时，单位时间内的总分辨时间为τm ，在τm 时间内进入计数器的粒子数为τnm ，因此，计数率的损失为τnm m n n =-=? 所以, τ
m m n -=
1 (2)
测分辨时间可用示波器测量也可用双源法测量。双源法是利用两个独立源I 和II ，在完全相同的条件下，分别测量各个源的计数率21,m m ,及源 I 、 II 同时存在的计数率12m 。若忽略本底，则由式（2）得其真计数率分别为 τ
1111m m n -=
, τ
2221m m n -= , τ
1212121m m n -=
。
由于实验条件完全相同，则2112n n n +=，即
τ
τ
τ
22111212111m m m m m m -+
-=
- 。
若112<<τm ，可将上式按τm 展开，略去2τ及高次项，整理后即得
2
112
212m m m m m -+=
τ (3)
式中21,n n 分别是源 I 和II 的真计数率，12n 是两源同时存在的真实合计数率。 （3） 计数管的探测效率。计数管的探测效率是指一个粒子进入计数管后引起脉冲输出的概率。对于G-M 计数管，如果工作电压合适并加有漏计数修正，则只要辐射粒子能引起电离就能有脉冲输出，因此，探测效率就是辐射粒子引起初电离的概率。所以，G-M 计数管对带电粒子的探测效率几乎是100％。对于γ光子，由于它不能直接引起电离，必须通过γ与管壁碰撞打出的光电子或康普顿电子才能引起电离，初电离概率小，所以探测效率也低，通常只有1％左右。
（4） 本底。在没有放射源时, G-M 管也能测得计数，这个数称为本底。本底主要来源是周围环境中的微量放射性物质和宇宙射线。实验中测得的计数率必须减去相同条件下的本底计数率才是真正的计数率。
3.β射线的吸收规律。 β射线通过一定厚度的物质后,强度减弱的现象叫β射线的吸收。这是因为β射线进入物质后,与物质中原子的核外电子或原子核发生非弹性碰撞损失能量，使其运动速度变慢，最后某些β射线便终止在物质内部。对于同一种吸收物质，若吸收物质的厚度比β射线的射程小很多，则β射线在物质中的吸收，近似地服从指数衰减规律。若用 I I 和0 分别表示β射线被吸收前后的强度（实验上用计数率表示，单位为1-s ），μ表示物质对β射线的吸收系数，d 表示物质的厚度，则有
d
e μ-I =I 0
两边取对数，得 d μ-I =I 0ln ln (4) 由于0I 和u 不变，从式（4）可以看出，与I ln 成线性关系，即为一直线，如图3所示。直线斜率的绝对值就是β射线在该种物质内的吸收系数，即
1
21
2ln ln d d -I -I =
μ (5)
若式中的d 使用几何厚度（单位为cm ），则μ为线性吸收系
数（单位为1／cm ）。实用中为了避免使用物质的密度，厚度d 通常使用质量厚度（单位为g ／2
cm ），此时μ为质量吸收系数（单位为2
cm ／g ）。
4. 核衰变的统计规律。放射性原子核要发生衰变，但在某一时刻究竟哪些核要发生衰变却并不知道,它们衰变完全是随机独立的。由于任一放射性样品都含有大量的放射性原子核，而大量的随机过程又服从统计分布的，即核衰变服从统计规律。也就是说，在放射性测量中，即使所有测量条件都稳定不变，多次重复测量的结果却各不相同，有时甚至相差很大，但却总是围绕着某一平均值上下涨落。
（1） 泊松分布。大量实验表明,若某时间间隔内的平均计数N 小于10,则某次测量(相同
时间间隔)的计数为N 的概率)(N P 服从不对称的泊松分布
N
N
e
N N PN -=
!
)
( (6)
可以证明，泊松分布的方均根差N
σ
为
N N P N N N N
=??
????-=∑∞
=21
02）（）（σ
（2）
高斯分布(即正态分布)。当20>N 时,泊松分布可用高斯分布来代替,
N
N N e
N
N P 2)(2
21)(--=
π （7）
可以证明，高斯分布的方均根差同徉为N N
=
σ
。
由此看出，无论是哪种分布，其方均根差N
σ
均为N ,这里N 应是无数次反复测量的
平均值。在放射性测量中,由于N 较大, N 与N 相差不多,因此,可用一次计数值N 来代替平均值N 。习惯上,方均根差又称标准差,所以标准差
N N ≈σ (8)
由分布函数可以计算出平均值N 落在N N σ-到N N σ+区间的概率为 68.3％。由式（8）可以看出，标准差N σ 随计数N 增大而增大，但不要误认为N 越大，测量反而越不
精确。事实上，N 越大，测量精确越高。通常测量精度用相对误差来直接反映。按定义，相对误差
N
N
N N
E N
N 1=
≈
=
σ
(9)
所以N 趣大，相对误差越小，测量精度越高。因此，当放射源较弱时，为了保证测量精度,可延长测量时间以增大计数。
设t 时间内测得的计数为N ，则计数率n 为t N n =，所以计数率的标准差N
σ及相对
误差n E 分别为
t
n t
N t
N n =
=
=
2
σ (10)
N
nt
n
t n n
E n n 11=
=
=
=
σ (11)
任何放射性测量总存在本底, 设b t 时间内测得的本底计数为b N ，本底计数率为
s b t n ；时间内测得的样品计数（包括本底）为s N ，计数率为s n ；则净计数率0n 为
b s n n n -=0，所以测得的样品真计数率的结果可表示成
b
b s
s b s n t n t n n n n +
±
-=±）（00σ (12)
三．实验装置
实验装置包括G-M 计数管、计数管探头、自动定标器、铝吸收片和β放射源。计数管
探头是一个前置放大器，用于将计数管产生的脉冲进行放大。自动定标器已集高、低压电源和定标器为一体，计数管所需高压便由自动定标器提供。
四．实验内容
1.测量G-M 管的主要性能——坪曲线和分辨时间。
（1） 测坪曲线。接好线路并检查定标器是否正常工作（用自检档检查），取一放射源置于G-M 计数管旁，慢慢升高电压，找出起始电压0V 。然后从300V 到800V ，以25伏为间隔测量各个电压对应的计数率（每个电压测量3次计数），直到计数率显著增长为止。要求每次测量的相对误差小于2％，测完后将高压降到零。根据记录数据绘出坪曲线，确定
0V ,21V V 及,计算出坪长和坪斜，并选定工作电压。
*（2）用双源法测分辨时间。用上面相同的装置，将高压调到选定的工作电压处。为满足式（3）成立的条件1<<τm ，必须限制源强（可用加吸收片的办法），通常实验室所用的圆柱形G-M 计数管的分辨时间的数量级为s 310-，请计算m 应小于多少。此外，要保证实验条件完全相同，必须使源I 和II 在单独测量及同时测量时的几何位置不变，请考虑测量顺序。要求每个计数值的相对误差小于1％。
2.验证核衰变所遵从的统计规律。
（1）高斯分布。 固定高压、计数时间及源位置，重复测量300次以上计数，记录数据并用计算机作统计，画出分布曲线并求出平均值N 和标准差σ，然后将所求得的N 值代入高斯分布式（7），画出理论图形并与实测分布图比较。
（2）泊松分布。重复测量1秒内的本底计数300次以上，也用计算机画出分布曲线并求出平均值N 和标准差σ。若N 〈l0，则将所求得的N 值代入泊松分布式（6），画出理论图形并与实测分布图比较。
由以上两个实验加深理解核衰变所遵从的统计规律。
五、实验数据与图象
A、测坪曲线
(1)实验数据记录
电压计数率
320 1730
330 2179
340 2277
350 2352
360 2393
370 2612
380 2643
390 2690
400 2771
410 2790
420 2805
430 2893
440 2954
450 3009
460 3035
470 3046
480 3170
490 3149
500 3224
510 3284
520 3454
530 3573
540 3595
550 3743
（2）坪曲线的曲线拟合
整段曲线的描绘
中间段坪曲线的拟合
结果说明：Linear model Poly1:
f(x) = p1*x + p2
Coefficients (with 95% confidence bounds):
p1 = 1 (1, 1)
p2 = -3.515e-014 (-1.707e-013, 1.005e-013)
B、高斯分布
（1）数据记录
28 45 34 23 13 14 20 24 28 14 29 29 30 42 34 26 27 26 24 27 21 21 23 19 37 38 21 24 18 20 23 19 13 18 25 22 26 22 31 23 13 21 26 16 20 26 35 31 20 25 29 18 19 23 26 19 21 32 23 22 33 23 25 25 19 27 25 38 27 37 18 23 25 25 21 27 17 20 29 28 18 23 16 29 24 26 19 26 24 30 31 26 22 22 20 24 18 30 21 24 20 16 22 26 22 15 23 34 17 22 30 33 20 14 20 27 16 20 29 27 16 14 16 15 24 23 22 33 25 28 30 22 24 15 19 24 23 23 22 26 28 18 18 15 23 15 25 26 21 23 26 20 24 32 32 20 17 37 36 20 26 22 19 19 21 14 19 22 30 25 28 30 15 20 30 17 33 28 22 27 23 12 15 19 19 19 26 32 32 32 21 11 25 20 18 38 25 28 25 18 22 18 19 14 27 21 13
（2）高斯分布实测图
高斯分布实测图
结果解释：Distribution: Normal
Log likelihood: -15923.4
Domain: -Inf < y < Inf
Mean: 25.1601
V ariance: 39.8179
Parameter Estimate Std. Err.
mu 25.1601 0.0903016
sigma 6.31014 0.0638627
Estimated covariance of parameter estimates:
mu sigma
mu 0.00815438 -1.61424e-018
sigma -1.61424e-018 0.00407844
（3）高斯分布理论图
高斯分布理论图
C、泊松分布
（1）数据记录
1 0 3 3 1 0 1 3
2 2 1 1
3 2 2 3 2 1 3 3 3 1 1 0 3 0
4 2 1 2 1 3 1
5 1 1 0 3 1
2 4 2 0 1 1 2 2 2 1 2 2 4 2 0 4 0 0 1
3 2 1 1 2 0 2 1 2 0 2 1 1 2 3 1 2 2 2 1
3 0 1 0 3 1 0 0 6 1 1 2 3 1 1 1 2 0 3 2 0 1 0 0 2 1 1 1 3 2 2 2 2 0 1 0 2 0
4 1 0 3 2 0 0 1 2 2 1 0 1 1 1 1 3 1 2 1 1 0 1 1 0 2 1 3 1 1 2 1 4 0 2 1 4 3 2 1
5 0 3 5 4 1 2 2 3 1 0 4 0 3 2 2 0 0 2 2 0 0 1 4 2 4 4 1 0 0 1 3 1 3 1 2 1 0 2
1 2 1 1 3 4 2 0 0 4 0 4 1 3 2 0 3 1 3 0 0 4 2 0 1 1 1 0 1 2 1 2 6 1 5 2 2 1 3
2 2 1 0 2 2 2 2 1 2 5 4 0 2 1 0 5 5 2 0 1 2 2 0 2 2 2 2 0 1 1 1 0 0 2 4 4 1 2
3 3 3 2 2 2 3 0 1 1 1 3 1 1 1 0 2 2 3 0 0 0 2
4 1 2 1 1 1 2 4 2 2 3 1 2 3 1 0 2 1 1 2 0 2 2 1 3 3 0 1 1 3 2 1 1 1 1 1 2 2 2 2 1 0 1 1 1 2 2 2 1 0 1 2 1 1 0 2 2 41 1 2 1 2 2 4 1 3 0 0 0 0 0 2 0 1 2 0 6
（2）泊松分布实测图
泊松分布实测图
结果说明：Distribution: Poisson
Log likelihood: -1021.68
Domain: 0 <= y < Inf
Mean: 2.61779
V ariance: 2.61779
Parameter Estimate
lambda 2.61779
（２）泊松分布理论图
泊松分布理论图
六、思考与讨论
1.计数管在什么情况下出现连续放电？出现连续放电时怎徉处理？如何延长计数管
的使用寿命？
当电场强度大到一定程度时，由于放大后的次级离子数足够多，电离电荷所产生的电场抵消一部分外加电场，即所谓空间电荷效应，这时气体放大系数不是恒定的，而与原电离有关。区域Ⅴ为G-M区，进入该区后，离子倍增更加猛烈，空间电荷效应越来越强，此时电离电流强度不再与原电离有关，反映在曲线上是α和β两根曲线重合，并且随电压的变化较小。
工作在该区的气体探测器是G-M计数管。当工作电压超过
V继续升高时，计数率将急剧上
2
升，这时计数管已进入“连续放电区”。
计数管经过一次连续放电，就会使猝熄气体大量分解。使用时，要小心避免发生连续放电。升高电压时，应该特别注意其计数情况，如发现计数率剧增，要立刻降低电压！
计数管每计数一次，就有部分猝熄气体分子被分解(每次约1010个)，从而失去猝熄作用，所以G-M计数管有一定的寿命。在正常条件下，有机管约为89
次计数。卤素气
1010
体分解后有可能重新复合，因此尽管含量少，但计数寿命可达910
次计数。G-M计数
1010
管必须在一定温度范围内才能正常工作。温度太低时，部分猝熄气体会凝聚，使猝熄作用减弱，坪长缩短直至完全丧失猝熄能力而连续放电。一般有机管的工作温度约为0～40℃，卤素管约为-10～50℃。
2.G-M计数管的计数与哪些因素有关？能否用它来测量能量和区分射线种类？
与坪曲线、分辨时间、探测效率和寿命等因素有关。
在一定的外加电压下，不论射线在计数管内打出多少正负离子对，最后形成的正离子鞘总是一样的。因此，G-M计数管不能区分不同种类，不同能量的粒子，只要射入的粒子引起电离，就可以被记录。
3.分辨时间的存在对计数有什么影响？ 能否克服？ 如何用示波器来测量分辨时间？ 一般情况下，G-M 计数管的分辨时间在100μs ～400μs 之间。由于分辨时间较长，故G-M 计数管不能进行快速计数。由于存在分辨时间τ，每次计数后的τ时间内进入计数管的射线粒子就会被漏计，从而影响测量的准确性，对此可进行如下修正。若单位时间内共计数n 次，每次计数后有τ时间漏计，则单位时间内有n τ时间漏计。设没有漏计情况下单位时间内的计数应为n0，则n τ时间内应有计数n0n τ，也就是说单位时间内漏计数n0-n ＝n0n τ，于是得到计数率修正公式01n n n τ
=
-
4.放射性测量中的统计误差由什么决定？ 有哪些途径可以减小统计误差？
放射性测量中统计误差决定于测量的总计数N 的大小，计数N 越大，测量的绝对误差
越大而相对误差却越小，测量的精确度就越高。 在单次测量中延长测量时间和在多次测量中增加测量次数，都可以提高测量精确度，当总计数相等时，其效果一样。一般在核幅射测量中，根据误差的要求，来确定一次测量所需用的时间或总计数。
5.测量β射线的吸收系数时，为什么选用钟罩形G-M 计数管？ β射线的穿透能力比较小，因此选用端窗式钟罩形有机G-M 计数管合适，其窗材料为聚酯薄膜，对射线吸收很少。
教师评语：
签字：备注：
实验四 核衰变的统计规律与放射性测定的实验数据处理
实验四 核衰变的统计规律与放射性测定的实验数据处理 学生： 学号：同组： 一、实验目的 1. 验证核衰变所服从的统计规律 2. 熟悉放射性测量误差的表示方法 3. 了解测量时间对准确度的影响 4. 学会根据准确度的要求选择测量时间 二 、实验原理 实验证明,在对长寿命放射性物质活度进行多次重复测量时，即使周围条件相同，每次测量的结果仍不相同。然而，每次结果都围绕某一平均值上下涨落，并且，这种涨落是服从一定的统计规律的。假如在时间间隔t 内核衰变的平均数为n ，则在某一特定的时间间隔t 内，核衰变为n 的出现机率P(n)服从统计规律的泊松分布： ()()! n n n P n e n -= （2-4-1） 图一表示n =的泊松分布曲线。泊松分布在平均数n 较小的情况下比较适用；如果值相当大，计算起来十分复杂，实际应用对泊松分布利用斯蒂令近似公式： !2n n n n n e π-≈?? （2-4-2） 化为高斯分布，得： 2()2()2n n n P n e n π--= （2-4-3） 高斯分布说明，与平均值的偏差()n n -对于n 而言具有对称性，而绝对值大的偏差出现的几率小。 放射性衰变并不是均匀地进行，所以在相同的时间间隔内作重复的测量时测量的放射性粒子数并不严格保持一致，而是在某平均值附近起伏。通常把平均值n 看作是测量结果的几率值，并用它来表示放射性活度，而把起伏带来的误差叫做测量的统计误差，习惯用标准误差n ±来表描述。实验室都将一次测量的结果当作平均值，并作类似的处理而计为N N ±。 图 1泊松分布曲线 图 2 高斯分布曲线
计数的相对标准误差为： = （2-4-4） 它能说明测量的准确度。当N 大时，相对标准误差小，而准确度高。反之，则相对标准误差大，而准确度低。为了得到足够计数N 来保证准确度，就需要延长测量时间t 或增加相同测量的次数m 。根据计算可知，从时间t 内测的结果中算出的计数率的标准误差为： t ± == （2-4-5） 计数率的相对标准误差E 用下式表示： E == （2-4-6） 若实验重复进行m 次，则平均计数率的标准误差等于： （2-4-7） 考虑本底后，标准误差为： σ== （2-4-8） N c 为t c 时间内源加本底的计数，n b 为t b 时间内本底的计数，n c 为源加本底的计数率，n b 为本底的计数率。 放射性测量的相对标准误差： 12()c b c b c b n n t t E n n +=±- （2-4-9） 过长测量时间并不有利，因此可合理地分配测定源加本底和本底计数的时间，可利用下列关系式： c b t t = （2-4-10） 究竟需要选择多长的测量时间，要根据对测量准确度的要求而定，即： c a t = （2-4-11） 式中a c b n n n =-为放射源的计数率 当本底与放射率的计数率之比小于给定的准确度（b a n E n <）的情况下，上式可近似写为：
第一章放射性及其衰变规律
第一章放射性及其衰变规律 Radioactivity and discipline of disintegrating 学时：io学时 基本内容： ①基本概念：半衰期、衰变常数、放射性核素、放射性、照射量率 ②基础知识：a衰变、B衰变、丫衰变、铀系衰变特点、钍系衰变特点、锕铀系衰变特点、单个放射性核素的衰变规、掌握两个放射性核素的衰变规律及其应用、放射性活度与比活度 的单位、放射性辐射剂量单位、放射性测量的标准源和标准模型。 重点、难点：a衰变、丫衰变、铀系的衰变、单个放射性核素的衰变规律的推导、两个 放射性核素的衰变规律、放射性的测量单位及标准源。 教学思路：先介绍原子核的结构与原子核衰变的有关知识，然后重点讲解三种常见的衰 变类型和三大放射性系列以及放射性的标准源和标准模型。其中，衰变类型和三大放射性系 列等部分详细讲解。 主要参考书： ①程业勋、王南萍等编著，《核辐射场与放射性勘查》，地质出版社，2005. ②吴慧山主编《核技术勘查》，原子能出版社，1998. 复习思考题： 1、1g 238U在一秒钟内放出1.24 104个a粒子，计算238U得半衰期。 2、在一个密封玻璃瓶内，装入1g镭。放置一个氡的半衰期，瓶内积累多少氡？ 3、氡衰变成RaA，现有10毫居里（mCi）氡密封于容器中，经过50h后，氡和RaA各有多少，以活度（Bq）表示。 4、为什么3射线能量是连续谱？ 5、什么是放射性系平衡？什么是放射性动平衡？ 2 22 2 2 2 6、Rn的半衰期是3.825d，试求Rn的衰变常数？每1mg在每秒内放出多少a粒子？合多少贝可？ 7、从镭源中收集氦，假定Ra与各子体达到放射性平衡，而Ra的活度为 10 3.7 10 Bq ,试计算一年内产生多少氦？