半导体专业用语
金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（W PLUG）
钝化层（Passivation）
acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸
actuator激励
ADI After develop inspection显影后检视
AEI After etching inspection蚀科后检查
AFM atomic force microscopy 原子力显微
ALD atomic layer deposition 原子层淀积
Align mark(key)：对位标记
Alignment 排成一直线，对平
Alloy：合金
Aluminum：铝
Ammonia：氨水
Ammonium fluoride：NHF
Ammonium hydroxide：NHOH
Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）amplifier 放大器
AMU 原子质量数
Analog：模拟的
analyzer magnet 磁分析器
Angstrom：A（E-m）埃
Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）Antimony(Sb)锑
arc chamber 起弧室
ARC：anti-reflect coating 防反射层
Argon(Ar)氩
Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷
Arsenic(As)砷
Arsine(AsH)
ASHER 一种干法刻蚀方式
Asher：去胶机
ASI 光阻去除后检查
ASIC 特定用途集成电路
Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）A TE 自动检测设备
Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Backside Etch 背面蚀刻
Backside 晶片背面
Baseline：标准流程
Beam-Current 电子束电流
Benchmark：基准
BGA ball grid array 高脚封装Cassette 装晶片的晶舟
CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室
Chart 图表
Child lot 子批
chiller 制冷机
Chip (die) 晶粒
Chip：碎片或芯片。
clamp 夹子
CMP 化学机械研磨
Coater 光阻覆盖（机台）
Coating 涂布，光阻覆盖
Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。Contact Hole 接触窗
Control Wafer 控片
Correlation：相关性。
Cp：工艺能力，详见process capability。
Critical layer 重要层
CVD 化学气相淀积
Cycle time 生产周期
Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。Defect 缺陷
DEP deposit 淀积
Depth of focus（DOF）：焦深。
Descum 预处理
Developer 显影液；显影（机台）
developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液Development 显影
DG dual gate 双门
DI filter 离子交换器
DI water 去离子水
Diffusion 扩散
disk 靶盘
disk/flag faraday 束流测量器
Doping 掺杂
Dose 剂量
Downgrade 降级
DRC design rule check 设计规则检查
Dry Clean 干洗
Due date 交期
Dummy wafer 挡片
E/R etch rate 蚀刻速率
EE 设备工程师
ELS extended life source 高寿命离子源enclosure 外壳
Bipolar：双极
Boat：扩散用（石英）舟
BPSG 含有硼磷的硅玻璃
Break 中断，stepper机台内中途停止键cassette 晶片盒
End Point 蚀刻终点
e-shower 中性化电子子发生器
ET etch 蚀刻
Exhaust 排气（将管路中的空气排除）Exposure 曝光
extrantion electrode 高压吸极
FAB 工厂
fab：常指半导体生产的制造工厂。
FIB focused ion beam 聚焦离子束
Field Oxide 场氧化层
filament 灯丝
film：薄膜，圆片上的一层或
多层迭加的物质。
flat aligener 平边检测器
flat：平边
flatband capacitanse：平带电容
flatband voltage：平带电压
Flatness 平坦度
flow coefficicent：流动系数
flow velocity：流速计
flow volume：流量计
flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数Focus 焦距
forbidden energy gap：禁带
Foundry 代工
four-point probe：四点探针台
FSG 含有氟的硅玻璃
functional area：功能区
Furnace 炉管
gate oxide：栅氧
glass transition temperature：
玻璃态转换温度
GOI gate oxide integrity 门氧化层完整性gowning：净化服
gray area：灰区
gyro drive 两方向偏转
hard bake：后烘，坚烘,soft bake (软烘) HCI hot carrier injection 热载流子注入HDP：high density plasma
高密度等离子体
heat exchange 热交换机
High-V oltage 高压ICP inductive couple plasma
感应等离子体
ID 辨认，鉴定
IGBT 绝缘门双极晶体管
images：去掉图形区域的版
implant 注入
Implant 植入
impurity n 掺杂
impurity：杂质
inductive coupled
plasma(ICP)：感应等离子体
inert gas：惰性气体
initial oxide：一氧
insulator：绝缘
isolated line：隔离线
junction 结
junction spiking n 铝穿刺
kerf 划片槽
landing pad n PAD
Layer 层次
LDD lightly doped drain
轻掺杂漏
liner drive 直线往复运动
lithography n 制版
loadlock valve 靶盘腔装片阀
Local defocus 局部失焦因机
台或晶片造成之脏污
LOCOS local oxidation
of silicon 局部氧化
Loop 巡路
Lot 批
LP(低压)淀积多晶硅（LPPOLY）
mainframe 主机
maintainability, equipment
设备产能
maintenance n 保养
majority carrier n
多数载流子
Mask (reticle) 光罩
masks, device series of n
一成套光刻版
material n 原料
matrix n 矩阵
mean n 平均值
measured leak rate n 测得漏率
median n 中间值
memory n 记忆体
Merge 合并
metal n 金属
Metal Via 金属接触窗
MFG 制造部
Mid-Current 中电流
Module 部门
nanometer (nm) n ：纳米
nanosecond (ns) n ：纳秒
NIT SiN 氮化硅
nitride etch n ：氮化物刻蚀
nitrogen (N ) n：氮气，一种双原子
气体
Non-critical 非重要
NP n-doped plus(N+) N型重掺杂
n-type adj ：n型
NW n-doped well N阱
OD oxide definition 定义氧化层
ohms per square n：欧姆每平方方
块电阻
OM optic microscope 光学显微镜
OOC 超出控制界线
OOS 超出规格界线
orientation n：晶向，一组晶列所指
的方向
Over Etch 过蚀刻
Over flow 溢出
overlap n ：交迭区
Overlay 测量前层与本层之间曝光
的准确度
OX SiO 二氧化硅
P poly 多晶硅
PA; passivation 钝化层
Parent lot 母批
Particle 含尘量/微尘粒子
PH photo 黄光或微影
phosphorus (P) n ：磷，一种有毒
的非金属元素
photomask n ：光刻版，用于光刻的
版
photomask, negative n：反刻
photomask, positive n：正刻
Pilot 实验的
PVD 物理气相淀积
PW p-doped well P阱
quad rupole lens 磁聚焦透镜
quartz carrier n 石英舟。
Queue time 等待时间
内层介电层（ILD）、
内金属介电层（IMD）
host：主机
Hot bake 烘烤
hot carriers：热载流子hydrophilic：亲水性hydrophobic：疏水性
pn junction n：pn结
Pod 装晶舟与晶片的盒子Polymer 聚合物
POR Process of record
post accel 后加速器Plasma 电浆PMD premetal dielectric 电容
PP p-doped plus(P+) P型重掺杂PR Photo resisit 光阻
PR photo resist 光阻
pure water n 纯水。
半导体生产中所用之水。
PVD 物理气相淀积
PW p-doped well P阱
quad rupole lens 磁聚焦透镜quartz carrier n 石英舟。
Queue time 等待时间
QTIME-DUMMY：从此步骤到
下一个步骤一共停留的时间范
围（超出范围会出问题）
显影前烘焙(PEB)：降低或消除驻波效应
R/C runcard 运作卡
SOG是一种相当简易的平坦化技术。因为介电层材料是以溶剂的形态覆盖在硅片表面，因此
SOG对高低起伏外观的“沟
填能力”非常好，可以避免纯粹
以CVD法制作介质层时所面
临的孔洞问题
Spacer ：SPACER工艺是通
过LPTEPS ETCH BACK ，
在PLOY侧壁形成两个侧壁
突出的工艺，用于源漏区注
入的自对准和减少由于源
漏横向扩散形成的沟道效应。
LPTEOS主要用于SPACER及
电容氧化层。
TEOS = Si（O C2H5）4
名称：正硅酸乙脂，又称BIST,Built-in Self Test 内建的自测试
Bus Route 总线布线
Carbide碳
circuit diagram 电路图
Circuit 电路基准
Clementine 专用共形开线设计
Cluster Placement 簇布局
CM 合约制造商
COF Chip On FPC 将IC固定于柔性线路板上
COG Chip On Glass 将芯偏固定于玻璃上
Common Impedance 共模阻抗
component video - 分量视频
Composite video - 复合视频
Concurrent 并行设计
Constant Source 恒压源
Cooper Pour 智能覆铜
Crosstalk 串扰
CRT Cathode Radial Tude 阴极射线管
DC Magnitude 直流幅度
Delay 延时
Delays 延时
Design for Testing 可测试性设计
Designator 标识
DOF焦深Depth Of Focus，区分IDOF、UDOF
前者只有中心，后者包括四角
DFC,Design for Cost 面向成本的设计
DFR,Design for Reliability 面向可靠性的设计
DFT,Design for Test 面向测试的设计
DPI Dot Per Inch 点每英寸
DSM,Dynamic Setup Management 动态设定管理
DVI Digital Visual Interface （VGA）数字接口
Dynamic Route 动态布线
Electro Dynamic Check 动态电性能分析
Electromagnetic Disturbance 电磁干扰
Electromagnetic Noise 电磁噪声
EMC,Elctromagnetic Compatibilt 电磁兼容
EMI,Electromagnetic Interference 电磁干扰
Emulation 硬件仿真
Ensemble 多层平面电磁场仿真
ESD 静电释放
Expansion膨胀
Fall Time 下降时间
False Clocking 假时钟
FEP 氟化乙丙烯
FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里叶变换
Float License 网络浮动
Frequency Domain 频域
Ground Bounce 地弹反射
GUI,Graphical User Interface 图
形用户界面
Harmonica 射频微波电路仿真
HFSS 三维高频结构电磁场仿真
HMDS (六甲基二硅胺)：涂胶前
处理，增加圆片衬底与光刻胶的
粘附性
IC Integrate Circuit 集成电路
Image Fiducial 电路基准
Impedance 阻抗
In-Circuit-Test 在线测试
Initial V oltage 初始电压
Input Rise Time 输入跃升时间
Inverter - 逆变器
Jumper 跳线
LCD Liquid Crystal Display 液晶
显示
LCM Liquid Crystal Module 液
晶模块
LED Light Emitting Diode 发光
二极管
Linear Design Suit 线性设计软件
包
Local Fiducial 个别基准
manufacturing 制造业
MCMs,Multi-Chip Modules 多芯
片组件
MDE,Maxwell Design
Environment
Merge 合并
MFG 制造部
Nonlinear Design Suit 非线性设
计软件包
NVT：N MOS 调阈值电压
ODB++ Open Data Base 公开数
据库
OEM 原设备制造商
OLE Automation 目标连接与嵌
入
On-line DRC 在线设计规则检查
ONO：氧化层-氮化层-氧化层介
质；用作电容介质
Optimetrics 优化和参数扫描
OSD On Screen Display 在屏上
显示Overshoot 过冲
PAC感光化合物
Panel fiducial 板基准
四乙氧基硅烷
Si（O C2H5）4 →
SiO2 +4C2H4 +2H2O
它的设备结构和LPSi3N4
基本类似。
Under Etch 蚀刻不足
USG undoped 硅玻璃
vacuum 真空。
vaporizer 蒸发器
W (Tungsten) 钨
watt(W) 瓦。能量单位。
WEE 周边曝光
well 阱。
wet chemical etch 湿法化学腐蚀。wrench 扳手
专业术语
A/D [军] AnalogDigital, 模拟/数字
AC Magnitude 交流幅度
AC Phase 交流相位
Accuracy 精度
"Activity Model
Activity Model 活动模型"
Additive Process 加成工艺
Adhesion 附着力
Aggressor 干扰源
Analog Source 模拟源
AOI,Automated Optical Inspection
自动光学检查
ASIC特殊应用集成电路
Assembly V ariant 不同的
装配版本输出
Attributes 属性
AXI,Automated X-ray
Inspection 自动X光检查
Backlight - 背光
PDP Plasma Display Panel 等离子显示屏Period 周期
Periodic Pulse Source 周期脉冲源Phase Alrernating Line
PAL制式（逐行倒相制式）
Physical Design Reuse 物理设计可重复PI,Power Integrity 电源完整性
Piece-Wise-linear Source 分段线性源POD 装晶舟和晶片的盒子TM top mental 顶层金属层
Undershoot 下冲
Uniform Distribution 均匀分布
V ariant 派生
VDMOS( V ertical conduction Double scattering Metal Oxide Semiconductor)垂直导电双扩散型晶体管
VGA Video Graphic Anay 视频图形陈列
VIA-V endor Integration Alliance 程序框架联盟
Victim 被干扰对象
Video On Demand 视频点播
Virtual System Prototype 虚拟系统原型
WEE 周边曝光
Wizard 智能建库工具,向导
Yield 良率
Trichloromethane (TCA)(CLCCH) 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光谱
Acceptance testing (WA T wafer acceptance testing)
ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统
Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）
Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值
AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
Contact：孔。在工艺中通常指孔，即连接铝和硅的孔。
Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
Preview 输出预览
PSG 硼硅玻璃
Pulse Width 脉冲宽度
Pulsed V oltage 脉冲电压
Quiescent Line 静态线
Radial Array Placement
极坐标方式的元件布局
Reflection 反射Refractive折射
Reticle 光罩Reuse 实现设计重用
Rise Time 上升时间
Rnging 振荡,信号的振铃
Rounding 环绕振荡
Rules Driven 规则驱动设计
Runcard 运作卡
Sax Basic Engine 设计系统中嵌入
Scratch 刮伤
SDE,Serenade Design Environment
SDT,Schematic Design Tools
电路原理设计工具
SDG：源漏栅，
如SDG曝光，就是经过一次性曝光
得到源漏栅
Setting 设置
Settling Time 建立时间
Shape Base 以外形为基础的无网格布线
Shove 元器件的推挤布局
SI,Signal Integrity 信号完整性
Simulation 软件仿真
Sketch 草图法布线
Skew 偏移Slew Rate 斜率
Solvent 溶剂
SPC,Statictical Process Control 统计过程控制
Spin 旋转
Split/Mixed Layer 多电源/地线的自动分隔
Sputter 溅射SSO 同步交换
Strip 湿式刻蚀法的一种
Symphony 系统仿真
TCP Tape Carrier Package 柔性线路板
TFT Thin Film Transistor 薄膜晶体管
Time domain 时域
Timestep Setting 步进时间设置
Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
Depletion width：耗尽宽度。中提到的耗尽层这个区域的宽度。
Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
diborane (BH)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
dichloromethane (CHCL)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
disilane (SiH)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
ESD electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤
etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
grazing inc idence interferometer：切线入射干涉仪
heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
high-current implanter：束电流大于ma的注入方式，用于批量生产
hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉%的大于um的颗粒
HMDS Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称HMDS oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
PE process engineer; plasma enhance 、工艺工程师、等离子体增强
pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺
pocked bead n：麻点，在X下观察到的吸附在低压表面的水珠
polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
polycide n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构
polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>E）的硅，能导电。
prober n 探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。
process control n 过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。
proximity X-ray n 近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。quantum device n 量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。
rapid thermal processing (RTP) n 快速热处理(RTP)。
recipe n 菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
scanning electron microscope (SEM) n 电子显微镜(SEM)。
SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜
semiconductor n 半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
sheet resistance (Rs) (or per square) n 薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。
silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer外延是蓝宝石衬底硅的原片
small scale integration(SSI)小规模综合，在单一模块上由到个图案的布局。
source code原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。
spectral line 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
spin webbing 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
sputter etch 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。
stacking fault堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的次空间错误。
steam bath蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
step response time瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。
stress test 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。
surface profile表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。
symptom征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
tack weld间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。
temperature cycling温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。
TEOS –(CHCHO)Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO的原料。又指用TEOS 生长得到的SiO层。
testability易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。
thermal deposition热沉积，在超过度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。
thin film超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
toluene(CHCH) 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。
total fixed charge density(Nth) 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。
trench 沟道，深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。
tungsten hexafluoride(WF) 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
vapor pressure 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。
via 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。
wafer flat 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。
wafer process chamber(WPC) 对晶片进行工艺的腔体。
window 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。
CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷阴极荧光灯
COB Chip On Board 通过绑定将IC裸偏固定于印刷线路板上
CVT,Component V erification and Tracking 元件确认与跟踪
DFM,Design for Manufacturing 面向制造过程的设计
DFX,Design for X 面向产品的整个生命周期或某个环节的设计
Duty - 占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率137********
EDIF,The Electronic Design Interchange Format 电子设计交互格式
EIA,Electronic Industries Association 电子工业协会
EL Elextro Luminescence 电致发光。EL层由高分子量薄片构成
Engineering Change Order 原理图与PCB版图的自动对应修改
FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于STN，用于单色显示
IBIS,Input/Output Buffer Information Specification 模型
ICAM,Integrated Computer Aided Manufacturing 在ECCE项目里就是指制作PCB
IEEE,The Institute of Electrical and Electronic Engineers 国际电气和电子工程师协会
IGES,Initial Graphics Exchange Specification 三维立体几何模型和工程描述的标准
IPC,The Institute for Packaging and Interconnect 封装与互连协会
IPO,Interactive Process Optimizaton 交互过程优化
ISO,The International Standards Organization 国际标准化组织
LVDS Low V oltage Differential Signaling 低压差分信号
NTSC National Television Systems Committee NTSC制式。全国电视系统委员会制式
SEquential Couleur A vec Memoire SECAM制式（顺序与存储彩色电视系统）
SPI,Signal-Power Integrity 将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具
SPICE,Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 集成电路模拟的仿真程序
STEP,Standard for the Exchange of Product Model Data
STN Super Twisted Nematic 超级扭曲向列。约～度扭曲向列
S-video - S端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输
TMDS Transition Minimized Differential Singnaling
TN Twisted Nematic 扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转度
UHDL,VHSIC Hardware Description Language 硬件描述语言
VST,V erfication and Simulation Tools 验证和仿真工具
polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象
由于铜的电阻值比铝还小，因此可在较小的面积上承载较大的电流，让厂商得以生产速度更快、电路更密集，且效能可提升约30-40％的芯片。亦由于铜的抗电子迁移（electro-migration）能力比铝好，因此可减轻其电移作用，提高芯片的可靠度。