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集成电路期末考试知识点答案

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1、哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？

1947贝尔实验室肖克来波拉坦巴丁发明了晶体管 1956获诺贝尔奖

2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一年为此获得诺贝尔奖？Jack kilby 德州仪器公司1958年发明 2000获诺贝尔奖

3、什么是晶圆？晶圆的材料是什么？

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅

4、目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2016 年能实现量产的特征尺寸是多少？主流0.18um 22nm

5、晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？英寸12英寸

6、摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？英特尔芯片上晶体管数每隔18个月增加一倍

7、什么是SoC？英文全拼是什么？片上系统 System On Chip

8、说出Foundry、Fabless 和Chipless 的中文含义。代工无生产线无芯片

9、一套掩模一般只能生产多少个晶圆？1000个晶圆

10、什么是有生产线集成电路设计？电路设计在工艺制造单位内部的设计部门进行

11、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式？设计制造和封装都集中在半导体生产厂家内进行

12、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式？只设计电路而没有生产线

13、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容？

器件的SPICE参数、版图设计用的层次定义、设计规则和晶体管电阻电容等器件以及通孔焊盘等基本结构版图，与设计工具关联的设计规则检查、参数提取、版图电路图对照用的文件。14、设计单位拿到PDK 文件后要做什么工作？

利用CAD/EDA工具进行电路设计仿真等一系列操作最终生成以GDS-II格式保存的版图文件，然后发给代工单位。

15、什么叫“流片”？

像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片。

16、给出几个国内集成电路代工或转向代工的厂家。

上海中芯国际上海宏力半导体上海华虹NEC 上海贝岭无锡华润华晶杭州士兰常州柏玛微电子

17、什么叫多项目晶圆(MPW) ？MPW 英文全拼是什么？

将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，完成后每个设计可以得到数十片芯片样品Multi-Project-Wafer

18、集成电路设计需要哪些知识范围？系统知识，电路知识，工具知识，工艺知识

19、对于通信和信息学科，所包括的系统有哪些？

程控电话系统，无线通信系统，光纤通信系统等；信息学科：有各种信息处理系统。

20、RFIC、MMIC 和M3IC 是何含义？射频电路微波单片集成电路毫米波单片集成电路

21、著名的集成电路分析程序是什么？有哪些著名公司开发了集成电路设计工具？

SPICE程序Cadence、Synopsis和Mentor Graphics等公司

22、从事逻辑电路级设计和晶体管级电路设计需要掌握哪些工具？

逻辑：掌握VHDL或Verilog HDl等硬件语言描述及相应的分析和综合工具晶体管：掌握SPICE 或类似的电路分析工具。

23、为了使得IC 设计成功率高，设计者应该掌握哪些主要工艺特征？

从芯片外延和掩膜制作，光刻，材料淀积和刻蚀，杂质扩散或注入，到滑片封装的全过程。24、SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI 的中文含义是什么？英文全拼是什么？

SSI（small-scale integration）小规模集成电路；MSI(Middle-scale integration)中规模集成电路；LSI（large-scale integration）大规模集成电路；VLSI（very-large-scale integration）甚大规模集成电路ULSI（Ultra-large-scale integration）超大规模集成电路。

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1、电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪几类？导体半导体绝缘体

2、集成电路制造常用的半导体材料有哪些？硅、砷化镓、磷化铟

3、为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用？

集成电路通常制作在半导体衬底材料上，集成电路的基本元件是依据半导体特性构成。

4.半导体材料得到广泛应用的原因是什么？

参杂、温度、光照都可以改变半导体导电能力，以及多种由半导体形成结构中，注入电流会发射光（发光二极管）

5、Si、GaAs、InP 三种基本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？最低的是哪种？GaAs Si

6、在过去40 年中，基于硅材料的多种成熟工艺技术有哪些？

双极性晶体管（BJT）、结型场效应管（J-FET）、P型场效应管（PMOS）、N型场效应管（NMOS）、互补型金属-氧化物-半导体场效应管（CMOS）和双极性管CMOS（BiCMOS）等

7、硅基最先进的工艺线晶圆直径已达到多少？0.13umCMOS 工艺制成的CPU 运行速度已达多少？12英寸 2Ghz

8、为什么市场上90%的IC 产品都是基于Si 工艺的？原料丰富、技术成熟、价格低

9、与Si 材料相比，GaAs 具有哪些优点？

1.GaAs中非平衡少子饱和漂移速率大约是Si的4倍，

2.在GaAs中，电子和空穴可直接复合，而Si不行。

3. GaAs中价带与导带之间的禁带为1.43eV，大于Si的1.11eV

10、GaAs 晶体管最高工作频率fT 可达多少？而最快的Si 晶体管能达到多少？

150Ghz 几十GHz

11、基于GaAs 的集成电路中有哪几种有源器件？MESFET、HEMT和HBT三种有源器件。

12、为什么说InP 适合做发光器件和OEIC？InP中电子与空穴的复合是直接进行的

13、IC 系统中常用的几种绝缘材料是什么？SiO2、SiON、Si3N4

14、什么是欧姆接触和肖特基接触？

在半导体表面制作金属层后，如果参杂浓度较高，隧道效应抵消势垒的影响形成欧姆接触：如果参杂浓度较低，金属和半导体结合面就形成肖特基接触。

15、多晶硅的特点？多晶硅是单质硅的一种形态、特性随结晶度与杂质原子而改变、应用广泛

16、在MOS 及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？

栅极、源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结的扩散源、高值电阻等

17、什么是材料系统？

由一些基本材料，如在Si, GaAs或InP制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。

18、半导体材料系统？是指不同质的几种半导体(GaAs与AlGaAs,Si与SiGe等)组成的层结构

19、异质半导体材料的主要应用有哪些？

制作异质结双极性晶体管HBT、高电子迁移率晶体管HEMT、高性能的LED及LD。

20、什么是半导体/绝缘体材料系统？半导体与绝缘体相结合的材料系统

21、晶体和非晶体的区别？晶体具有一定几何外形如硅和锗，非晶体无固定形状如玻璃、橡胶

22、什么是共价键结构？

.最外层的价电子不仅受到自身原子核的作用，还要受到相邻原子核的作用，这样每个价电子就不局限于单个原子，可以转移到相邻的原子上去，这种价电子共有化的运动就形成了晶体中的共价键结构。

23、什么是本征半导体和杂质半导体？

征半导体是一种纯净的、结构完整的半导体晶体。在本征导体中参入微量的杂质，就形成了杂质半导体（N、P）

24、本征半导体有何特点？

电子浓度与空穴浓度相同，热力学零度没有自由电子，载流子少、导电性差、温度稳定性差25、杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？

在本征半导体中掺入少量的3价元素，如硼、铝或铟，有3个价电子，形成共价键时，缺少1个电子，产生1个空位。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。在本征半导体中掺入少量的5价元素，如磷、砷或锑，有5个价电子，形成共价键时，多余1个电子。电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

26、什么是扩散运动？什么是漂移运动？

扩散运动：由于PN结交界面两边的载流子浓度有很大的差别，载流子就要从浓度大的区域向浓度小的区域扩散。漂移运动：进入空间电荷区的空穴在内建电场作用下向P区漂移，自由电子向N区漂移。

27、PN 结的主要特点是什么？单向导电性

28、双极型三极管三个区有什么不同？

发射区的掺杂浓度远远高于基区和集电区，基区做的很薄，集电结的面积大于发射结的面积。

29、双极型三极管有几种工作状态？每个状态PN 结偏置情况如何？

发射结正偏集电结反偏时为放大工作状态、发射结正偏集电结也正偏时为饱和工作状态、发射结反偏集电结也反偏时截止工作状态、发射结反偏集电结正偏为反向工作状态。

30、在放大状态下，三极管内部载流子传输过程是怎样进行的？

发射结的注入、基区中的输运与复合和集电区的收集

31、为什么晶体管的反向工作状态一般不用，尤其是在集成电路中更是如此？

由于晶体管的实际结构不对称，特别是在集成电路中，发射区嵌套在基区内，基区嵌套在集电区内，发射结比集电结小很多反向电流放大倍数βR比βF小很多

32、MOS 管的核心结构是什么？导体、绝缘体与衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起构成

33、根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS 管有几种类型？NMOS和PMOS

34、简述PMOS 管的具体结构。

半导体部分的结构包含由两个P型硅的扩散区隔开的N型硅区域，这层型硅区域之上覆盖了由一个绝缘层和一个栅极的导电电极构成的夹层结构，两个P型硅的扩散区分别通过与金属导体的欧姆接触，形成源极和漏极。

35、简述MOS 管的导电沟道是如何形成的？N反型层与源漏两端的N型扩散层连通

36、什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？

引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压V T 。往往用离子注入技术改变沟道区的掺杂浓度，从而改变阈值电压。夹断电压。

37、对NMOS 晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？P型杂质增加、N型杂质降低。

38、根据阈值电压不同，常把MOS 器件分为几种？增强型和耗尽型

39、在CMOS 电路里，MOS 管一般采用何种类型？增强型

40、为什么说MOS 晶体管是一种电压控制器件？

当栅源电压V GS等于开启电压V T时，器件开始导通，当源漏间加电压V DS且V GS=V T时，由于源漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水平和垂直分量的作用，沿着沟道就出现了导电。源漏电压（V DS>0）所产生的电场水平分量起着使电子沟道向漏极运动的作用。随着源漏电压的增大，沿沟道电阻的压降会改变沟道的形状。

41、MOS 管的IDS 大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率

42、一个MOS 管的正常导电特性可分为几个区域？

夹断、线性、饱和

43、说明MOS 管“线性区”沟道及漏极电流特点。弱反型区漏极电流随栅压的增大而线性增大

44、说明MOS 管“饱和区”沟道及漏极电流特点。沟道强反型，漏极电流与漏极电压无关

45、用什么参数衡量MOS 器件的增益？用gm衡量MOS 器件的增益

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1、外延生长的目的是什么？外延生长的方法有哪几种？

用同质材料形成具有不同的掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。液态生长、气相外延生长、金属有机物气相外延生长、分子束外延生长。

2、什么是卤素传递生长法？它属于4 种生长方法中的哪一种？

把至少一种外延层组成元素以卤化物形式通过衬底并发生卤素析出反应从而形成外延层的过程，它属于气相外延生长法。

3、液态生长有什么优缺点？

最简单最廉价但其外延层的质量不高

4、金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？

它是一种冷壁工艺，只要将衬底控制到一定温度就行了

5、分子束外延生长有什么特点？

只能在超真空中进行且量产较低、在GaAs基片上生长无限多外延层、可以控制参杂的深度和精度到纳米级

6.什么是掩模？掩模与集成电路制造有什么关系？制做掩模的数据从哪儿来？

掩膜是涂有特定图案的铬薄层（60~80nm）的均匀平坦的石英玻璃薄片、一层掩膜对应一块IC 的一层材料的加工、版图。

7、掩模制作方法有哪些？

图案发生器方法、X 射线制版、电子束扫描法

8、什么是整版接触式曝光？

掩模尺寸和晶圆尺寸相同，并直接与光刻胶胶层接触进行曝光。

9、什么是光刻？光刻的作用是什么？光刻的主要流程有哪些？

光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定部分去除的工艺。作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件结构。流程有晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干。

10、负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

特点：光刻胶都对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏。区别：负性光刻胶使用时，未感光部分被适当的溶剂刻蚀，而感光部分留下，所得图形与掩膜版图形相反；正性光刻胶所得图形与掩膜板图案相同。

11、光刻的曝光方式有几种？各有何特点？

接触和非接触两种，非接触分为接近式和投影式接触式：精确度高，但掩膜易磨损，消耗大非接触式：接近式：解决了磨损问题，但分辨率下降。投影式：分辨率高，不存在掩膜磨损问题，但生产量不高

12、接触曝光方式的关键技术有哪些？它的主要优缺点是什么？

需要一股很粗的光束、一个很大的透镜，以及一套良好的光学系统；精确度较高但非理想接触导致LSI 芯片合格率不高，掩膜和晶圆每次接触都会产生磨损，掩膜消耗大.

13、什么是非接触曝光方式？掩膜与晶圆不接触的光刻方式，分为接近式和投影式两种

14、氧化的目的是什么？利用硅独有的特性制造薄到几十埃（只有几个原子层）的栅氧化层

15、为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？

氧化层的厚度决定了晶体管的电流驱动能力和可靠性，其精度必须控制在几个百分点以内。

16、淀积的主要作用是什么？生成器件制造所需的材料

17、什么是刻蚀？什么是湿法刻蚀？湿法刻蚀有什么缺点？

刻蚀即光刻腐蚀，就是通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其他方式实现腐蚀以处理掉所需除去的部分;湿法刻蚀首先要用含有可以分解表面薄层的反应物的溶液浸润刻蚀面；抗蚀剂中的小窗口会由于毛细作用而使得接触孔不能被有效浸润、被分解的材料不能被有效从反应区中清除。

18、什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？

用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。

分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀等类型19、掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？

改变半导体的导电类型，形成N型层或P型层，以形成双极型晶体管及各种二极管的PN结，或改变材料电导率；掺杂可与外延生长同时或者其后进行；热扩散掺杂和离子注入法两种20、离子注入法有哪些优点？

掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确控制杂质分布，可进行小剂量和极小深度的掺杂较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛

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1、说明用硅材料采用CMOS 工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模？

可形成D、N/P-MOS、R、C、L元件、可以形成CMOS或SCL电路形式、可达到ULSI和GSI 的电路规模

2、集成电路特别是逻辑集成电路技术的类型有哪些？

以双极性硅为基础的ECL技术、PMOS技术、NMOS技术，双极性硅或硅锗异质结晶体管加CMOS的BiCMOS技术和GaAs技术

3、为什么说速度和功耗是每一种工艺两个最重要的特性？

功耗越低越省钱，速度越快越省时

4、在各种工艺中，哪种工艺的速度最高？哪种工艺的功耗最小？

GaAs速度高CMOS功耗小

5、双极型硅工艺的特点是什么？有哪些主要应用？

高速度、高跨导、低噪声及阈值易控制低噪声高灵敏度放大器、微分电路、复接器、振荡器6、典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题？

由于B-E结与基极接触孔之间的P型区域而形成较大的基区体电阻；集电极接触孔下N区域导致较大的集电极串联电阻；因PN结隔离而形成较大的集电极寄生电容。

7、双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素？

通过基区到集电极耗尽层的少数载流子的传输速度、主要器件电容、向寄生电容充放电的电流大小

8、超高频Si 双极型晶体管的截止频率f T 已达多少？40GHz

9、什么是异质结？按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为哪些类型？异质结形成的条件是什么？制造异质结的技术通常有哪些？

两种不同的半导体相接触所形成的的界面区域，按照材料的导电类型分为同型异质结和异型异质结，两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数，利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术

10、异质结有什么特点？它适宜于制作哪些器件？量子效应，迁移率变大、奇异的二度空间特性、人造材料工程学；发光组件、镭射二极管、异质结构双极晶体管、高速电子迁移率晶体管

11、晶体管的两个重要参数是什么？各代表什么意义？

12、为什么GaAs 同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT 的性能？

它的空穴迁移率低于硅的空穴迁移率

13、为什么采用AlGaAs/GaAs 异质结结构制造的双极型晶体管(HBT)具有好的性能？

异质结双极性晶体管的发射极效率主要由禁带宽度差决定，几乎不受掺杂比的限制

14、InP/InGaAs HBT 具有什么特点？高速度、低功耗

15、目前，III/V 族化合物构成的高速HBT 可达到那些性能？

它们的f T和fmax已分别超过150Ghz和200GHz

16、Si/SiGe 材料系统的HBT 工艺取得了那些长足进步？

截止频率大于100GHz的SiGe HBT已成功实现；已经开发出包含fmax=60GHz的SiGe HBT和0.25μm的CMOS器件的SiGe BiCMOS。

17、HBT 的主要优点是什么？适于何种应用？

HBT具有很强的电流驱动能力；适用于模拟信号的功率放大和门阵列逻辑的输出缓冲电路设计。

18、MESFET 的有源层是如何形成的？它的导电沟道是如何控制的？

有源层可以采用液相外延、气相外延、分子束外延和离子注入形成。在栅极上加电压，内部的电势就会被增强或减弱，从而使沟道的深度和流通的电流得到控制。

19、为什么说栅长是MESFET 的重要参数？

对MESFET的控制主要作用于栅极下面的区域

20、进一步提高MESFET 性能的措施是什么？改进有源层的导电能力

21、高电子迁移率晶体管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

器件在晶体结构中存在着类似于气体的大量可高速迁移电子，即二维电子气。

22、二维电子气是如何形成的？

当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，就会积累起大量的电子23、亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？

把0.35-0.8μm及以下称为亚微米级0.25um及其以下为深亚微米0.05um及其以下称为纳米级

24、什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T 型栅极？栅长小于0.3um

25、什么是赝晶或赝配HEMT ？

因为In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs与GaAs或AlGaAs层之间存在着晶格不匹配的现象

26、由Si/SiGe 材料系统研制的HEMT 取得了哪些进展？

在300K和77K温度下，N沟道HEMT的跨导分别达到400mS/mm和800mS/mm；P沟道HEMT 的跨导达到170mS/mm或300mS/mm

27、HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？

HEMT有源层中，没有施主与电子的碰撞毫米波电路和光纤通信的超高速电路

28、与Si 三极管相比，MESFET 和HEMT 存在哪些缺点？

1）跨导相对低; 2）阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度；3）驱动电流小4）阈值电压变化大

29、MOS 工艺包括有哪几种？MOS 工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？

PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS 沟道载流子特性、栅极材料、金属层数、特征尺寸工艺可以实现的平面结构的最小尺寸

30、铝栅MOS 工艺的缺点是什么？制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤，不容易对齐

31、铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅MOS 工艺的缺点，但还存在哪些缺点？

CGS、CGD都增大了；栅极增长，管子尺寸变大，集成度降低。

32、什么是自对准技术？将两次MASK步骤合为一次，让D，S和G三个区域一次成形

33、硅栅工艺有哪些优点？

自对准无需重叠设计减小了电容提高了速度减小了栅、源、漏极尺寸增加集成度；增加电路可靠性

34、为什么NMOS 工艺优于PMOS 工艺？N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍

35、给出FET 的不同分类方法。

按衬底材料有Si, GaAs, InP 按场形成结构有J/MOS/MES 按载流子类型有 P/N 按沟道形成方式区分有E/D

36、CMOS 工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的？阱有几种类型？每种类型可制作什么类型的场效应管？

NMOS晶体管是P型硅衬底上的，而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的，通过在硅衬底上制作一块反型区域就能将两种晶体管做在同一个硅衬底上两种类型N阱和p阱NMOS管和PMOS管

37、CMOS 包括哪几种具体工艺？

P阱CMOS工艺，N阱CMOS工艺和双阱CMOS工艺

38、什么是BiCMOS ？BiCMOS 的特点是什么？

BiCMOS工艺技术是将双极型与CMOS器件制作在同一芯片上。

BiCMOS 的特点是结合了双极型器件的高跨导、强驱动和CMOS 器件高集成度、低功耗的有优点，使它们互相取长补短，发挥各自优点，从而实现了高速、高集成度、高性能的超大规模集成电路 39、BiCMOS 有几种类型？每种类型有什么特点？

以CMOS 工艺为基础的BiCMOS 工艺和以双极工艺为基础的BiCMOS 工艺

以CMOS 工艺为基础的BiCMOS 工艺对保证CMOS 器件的性能比较有利

以双极工艺为基础的BiCMOS 工艺对提高保证双极器件的性能有利。

40、哪种 BiCMOS 工艺用的较多？为什么？

双极工艺为基础的BiCMOS 工艺用的多影响BiCMOS 器件性能的主要部分是双极部分。 41、以 P 阱 CMOS 工艺为基础的 BiCMOS 工艺存在哪些缺点？

由于NPN 晶体管的基区在P 阱中，所以基区的厚度太大，使得电流增益变小

集成电路的串联电阻很大，影响器件性能

NPN 管和CMOS 管共衬底，使得NPN 管只能接固定电位，从而限制了NPN 管的使用 42、以 N 阱 CMOS 工艺为基础的 BiCMOS 工艺有哪些优缺点？

工艺中添加了基区掺杂的工艺步骤，这样就形成了较薄的基区，提高了NPN 晶体管的性能制作NPN

管的N 阱将NPN 管和衬底自然隔开，这样就使得NPN 晶体管的各极均可以根据需要进行电路连接，增加了NPN 晶体管应用的灵活性

缺点：NPN 管的集电极串联电阻还是太大，影响双极型器件的驱动能力

43、分别画出标准 P 阱 CMOS 工艺和 N 阱 CMOS 工艺为基础的

BiCMOS 工艺实现器件结构剖面图，并说明各自优缺点。

P 阱CMOS-NPN 结构剖面图 B C E N +N +P +

P +PMOS

P-SUB NMOS N +N +P

N 阱

N 阱纵向NPN

N 阱CMOS-NPN 体硅衬底结构剖面图

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1、集成电路中，有源器件是指哪些种类的晶体管？

BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT

2、什么是CMOS 工艺？

同时制造出包含互补的P型和N型两种MOS原件的一种工艺过程

3、MOS 管的实际组成是什么？基本参数是什么？

由两个PN结和一个MOS电容组成的，基本的参数是Lmin、Wmin和tox L：MOS工艺的特征尺寸(feature size) ，W：栅极的宽度、tox:为MOS电容的厚度

4、给出MOS 管的伏安特性曲线。

5、为什么说MOS 电容的组成复杂？

MOS管有多层介质：在栅极电极的下面有一层SIO2介质SIO2下面是P型衬底，衬底比较厚衬底电极同衬底之间必须是欧姆接触。

6、给出MOS 电容与外加电压变化关系的曲线。

7、按MOS 沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS 器件？

耗尽型：在VGS=0时导电沟道已经存在增强型：当VGS正到一定程度才会导通。

8、阈值电压VT 与衬底掺杂浓度是什么关系？采取什么方式或手段以调整VT 大小？影响VT 的其它因素有哪些？

MOS管的阈值电压VT与衬底的掺杂浓度Na密切相关，掺杂浓度越大，VT的值越大。用离子注入的方法可以控制Na,从而调整必要的VT的值材料的功函数之差、SIO2层中的可移动的正离子、氧化层中固定电荷、界面势阱

9、什么是MOS 管的体效应？

衬底接地，但是源极未接地，将而影响Vt值

10、MOS 管的哪些参数随温度变化？如何变化？

沟道中载流子的迁移率μ和阈值电压VT随温度所以T升高g

m降低阈值电压的绝对值同

样是随着温度的升高而减小。

11、MOS 管的主要噪声是什么？分别是如何产生的？如何减小？

热噪声、闪烁噪声热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成闪烁噪声由沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电而引起增加MOS的栅宽和偏置电流可以减小期间的热噪声，增加栅长可以减小闪烁噪声。

12、MOS 管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？

减小L和tox提高MOSFET的电流控制能力减小W将减小输出功率和电流控制能力同时减小Ltox和W将保持Ids不变和提高电路集成度

13、阈值电压VT 的功能是什么？降低VT 的措施有哪些？

功能：在栅极下面的SI区域中形成反型层和克服二氧化硅介质上的压降。措施：采用高电阻率的衬底降低衬底中的杂质浓度和减小二氧化硅介质的厚度tox

14、MOS 管的动态特性是什么？受哪些因素影响？尺寸缩小对动态特性的影响是什么？

动态特性即速度受电流源Ids的驱动能力即跨导的大小、RC时间常数、充放电的电源电压的高低决定影响：器件速度提高

15、按比例缩小的三种方案是什么？采用恒电场缩减方案，缩减因子为α时的优点是什么？恒电场、恒电压、准恒电压优点：电路密度增加到1/a^2、功耗降低1/a^2、器件时延降低a 倍即器件速率提升a倍、线路上延迟不变、优值增加a^2倍

16、器件产生二阶效应的原因有哪些？二阶效应的主要表现有哪些？

原因：器件尺寸减小，但电源电压还保持原值（5V或3.3V），平均电场强度增加。管子尺寸很小时，管子边缘相互靠近将产生非理想电场表现：L和W变化迁移率退化沟道长度调制效应短沟道效应引起阈值电压的变化窄够到效应引起的阈值电压的变化

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1、建立器件模型的目的是什么？

进行电路模拟

2、建立器件模型的方法有哪些？各有什么特点？

建立在器件物理原理基础上的模型(如SPICE)。特点：必须知道器件的内部工作原理。模型参数与物理机理密切相关，故参数适应范围较大；但参数的测定和计算通常比较麻烦。

根据输入、输出外特性来构成的模型(IBIS)。特点：只需了解电路的工作原理，不必了解具体器件的内部机理。模型参数可通过直接测量获得。缺点是模型参数适用的工作范围窄，并且与测试条件有关。

3、SPICE 模型是如何建立的？其优缺点是什么？

SPICE模型是建立在电路基本元器件的工作机理和物理细节上优点：可以精确的在电路器件一级仿真系统测试工作特性和验证系统逻辑功能、能精确计算出静态和动态工作特性而用来进行系统级的信号完整分析缺点：SPICE模型是晶体管一级的模型，对于大规模集成电路，仿真速度必然很慢SPICE涉及到许多集成电路设计方面的细节，一般的集成电路厂商都不愿意提供而限制其广泛使用。

4、SPICE 的英文全拼是什么？最初是由谁开发的？何时成为美国国家工业标准的？主要用于哪方面？

SPICE ：Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 。最初由美国加州伯克利分校开发的；1988年被定为美国国家工业标准；主要用于IC ，模拟电路，数模混合电路，电源电路等电子系统的设计和仿真

5、比较常见的其它版本的仿真软件有哪些？哪些公司开发的Spice 最为著名？比较常见的Spice 仿真软件有Hspice 、Pspice 、Spectre 、Tspice 、SmartSpice 、IsSpice 等；其中以Synopsys 公司的Hspice 和Cadence 公司的Pspice 最为著名。

6、集成电路中的无源器件有哪些？

互联线、电阻、电容、电感、传输线等

7、各种互连线设计应注意哪些方面？减小损耗和电路面积赢缩短互连线为提高集成度互连线应以制造工艺提供的最小宽度设计在连接线要传输大电流时，应估计其电流容量并保留足够的裕量制造工艺提供的多层金属能有效地提高集成度在微波和毫米波范围内，应注意互联线的趋肤效应和寄生参数在某些情况下，可有目的地利用互连线的寄生效应

8、集成电路中形成电阻有几种种方式？各种电阻有什么特点？晶体管结构中不同材料层的片式电阻：能实现从10欧姆到十几千欧姆范围，但是电阻值随温度和工艺变化较大

专门加工制造的高质量高精度电阻：通常将镍和铬金属共同蒸发形成的薄膜电阻，电阻值通常有镍铬层的宽、长和方块电阻确定，范围是20到2000欧姆可以用互连线的传导电阻实现相对较低的电阻：高频时必须考录电阻寄生参数有源电阻：在实际的应用中，根据接入方法的不同，以及节点信号变化的关系不同，将表现出不同特性。

9、高频时电阻的等效电路是什么？每个等效元件有什么含义？

C 1和C 2代表欧姆接触孔对地的电容。C p 代表两个欧姆接触孔间的电容

10、什么是有源电阻？哪些器件可担当有源电阻？

采用晶体管进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直流导通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用双极性晶体管和MOS 晶体管

11、用MOS 管作有源电阻，器件工作在什么状态？饱和状态

12、在高速集成电路中，实现电容的方法有几种？

4种：利用二极管和三极管的结电容、利用叉指金属结构、利用金属-绝缘体-金属(MIM)结构、利用多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构

13、什么是自谐振频率？实际使用时应注意什么？LC f π210=

当容性阻抗等于感性阻抗时的频率经验准则是电容应工作在f 0/3以下

14、集成电路中集总电感有几种形式？

2种：单匝线圈和圆形、方形或其他螺旋形多匝线圈

15、提高电感品质因数的措施有哪些？

使用镀银铜线减小高频电阻；用多股的绝缘线代替具有同样总截面的单股线减小肌肤效应；使用介质损耗小的高频陶瓷为骨架减小介质损耗

16、用传输线作电感的条件是什么？

使用长度l<λ/4的短电传输线(微带或共面波导)或者使用长度在λ/4

17、集成电路设计中的分布元件主要指哪些？传输线的主要功能是什么？

包括微带(Micro-strip)和共面波导(CPW，Coplane Wave Guide)型的传输线。功能：传输信号和构成电路元件

18、微带线设计时需要的电参数主要有哪些？

电参数：阻抗、衰减、无载Q、波长、延迟常数

19、形成微带线的基本条件是什么？

介质衬底的背面应该完全被低欧姆金属覆盖并接地，使行波的电场主要集中在微带线下面的介质中。

20、相对于微带线，CPW 的优缺点是什么？

优点：工艺简单、费用低，因所有接地线均在上表面而不需接触孔；在相邻CPW之间有更好的屏蔽，因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸；比金属孔有更低的接地电感；低的阻抗和速度色散。

缺点：衰减相对高一些，在50GHz时，CPW的衰减时0.5dB/mm；由于厚的介质层导热能力差，不利于大功率放大器的实现。

21、给出二极管的直流等效电路模型并说明各等效元件的含义。

Cj和Cd分别代表PN结的势垒电容和扩散电容。R S代表从外电极到结的路径上通常是半导体材料的电阻，称之为体电阻。

22、二极管的噪声模型中有哪些噪声？

热噪声、闪烁噪声和散粒噪声。

23、双极型晶体管的EM 模型是由谁于哪一年提出的？

Ebers和Moll于1954年提出的。

24、双极型晶体管的GP 模型是由谁于哪一年提出的？

1970年H.K.Gummel和H.C.Poon提出的。

25、美国加州伯克利分校在20 世纪70 年代末推出的SPICE 软件中包含的三个内建MOS 场效应管模型是什么？

1级模型通过电流-电压的平方律特性描述；2级模型是一个详尽解析的MOS场效应管模型；3级模型是一个半经验模型。

26、基于物理的深亚微米MOSFET 模型是什么？哪一年推出的？模型考虑了哪些内容？MOSFET BSIM3V3模型是1995年10月31日由加州伯克利分校推出的基于物理的深亚微米MOSFET模型。内容：(1)阈值电压下降；(2)非均匀掺杂效应；(3)垂直电场引起的迁移率下降；

(4)载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应；(5)沟道长度调制；(6)漏源电压引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静电反馈效应；(7)衬底电流引起的体效应；(8)亚阈值导通效应；(9)寄生电阻效应。

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1、什么是集成电路版图？它包含了哪些信息数据？版图与掩模有什么关系？

集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息制造厂家根据版图的这些信息来制造掩膜

2、举例说明集成电路版图设计软件有哪些？

Cadence、Columbia、IC Station SDL、熊猫系统

3、画版图时所给出的工艺层与芯片制造时所需要的掩模层有什么关系？

掩膜层是由抽象工艺层给出的版图数据经过逻辑操作（与、或、取反等）获得。

4、为什么要求设计者在版图设计时必须遵循一定的设计规则？设计规则是由谁提供的？

确保器件正确工作并提高芯片的成品率设计规则由生产厂家提供

5、设计规则有几种？分别是什么？为什么以λ为单位的设计规则更加实用？

两种以μm和以λ为单位以λ为单位的设计规则是一种相对单位，选用λ为单位的设计规则可以与MOS工艺成比例缩小相关联，人们可以通过对λ值的重新定义很方便地将一种工艺设计版图改变为适合另一种工艺的版图，大大节省了集成电路开发时间和费用。

6、集成电路版图上的基本图形通常是什么？正多边形

7、设计规则主要有哪些？设计规则中的最小宽度、最小间距和最小交叠分别指什么？并用图形加以说明。

各层最小宽度和层与层的最小间距最小宽度指封闭几何图形的内边之间的距离最小间距指各几何图形外边界之间的距离最小交叠指一几何图形内边界到另一几何图形的内边界长度或者是一几何图形的外边界到另一图形的内边界长度

8、为了将设计规则条理化，通常将其编成“xx.yy”形式的代码。说明代码的含义。

xx表示版图层 yy表示序号

9、什么是图元？它与元件有什么区别？

图元：工艺能够制造的有源元件和无源元件的版图作为工艺图形单元区别：图元可以是一些不具有电路功能的图形组合

10、MOS 管是图元之一，它的可变参数有哪些？

栅长、栅宽、栅指数

11、在集成电路设计过程中，经常会遇到多个晶体管串联或并联的情况。说明串联和并联如何连接？各有什么特点？并联: 晶体管的D端相连, S端相连串联：晶体管的S端和另外一个晶体管的D端相连。

12、常用的集成电阻有哪些？说明方块电阻的含义。

多晶硅电阻、阱电阻、MOS管电阻、导线电阻方块电阻是指一个正方形的薄膜导电材料边到边之间的电阻

13、为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？轻掺杂

14、为什么用阱可实现大阻值电阻？阱电阻在什么情况下呈非线性？

阱是低参杂的，方块电阻较大有外加电压时

15、MOS 管电阻具有什么特点？

它是一个可变电阻, 其变化取决于各极电压的变化

16、多晶硅导线电阻和扩散区导线电阻有什么特点？

多晶硅导线的典型值为 10～15 Ω/□，扩散区导线的典型值20～30 Ω/□

17、常用的集成电容有哪些？MOS 电容的大小取决于哪些参数？

多晶硅-扩散区电容、多晶硅-多晶硅电容、MOS电容、夹心电容 MOS电容大小取决于面积、氧化层的厚度、氧化层的介电常数

18、寄生PNP 三极管有什么特点？

集电极C电压受到限制，须接地；基区宽度WB没有很好控制，电流增益差别较大；结构上的两个主要参数：基区宽度WB和BE结面积A。

19、为什么设计者在设计高频数字电路、高性能模拟电路以及所有的射频电路时还应掌握一定的版图设计准则？

准则可以指导版图设计者采用合适的版图设计技术来提高电路的匹配性能、抗干扰性能和高频工作性能等，尤其对于高性能的模拟电路和射频电路模块来说合理的版图设计是获得高性能的前提条件。

20、为什么同一芯片上的集成元件可以达到比较高的匹配精度？

由于芯片面积很小且经历的加工条件几乎相同

21、什么是随机失配？如何减小随机失配？元器件的随机失配原因有哪些？

随机失配是指由于元器件尺寸、掺杂浓度、氧化层厚度等影响元器件特性的参量发生微观波动所引起的失配选择合适的元器件值和尺寸来减小元器件周围随机波动和元器件所在区域随机波动

22、什么是系统失配？如何减小系统失配？系统失配的主要原因有哪些？

系统分配是指由于工艺偏差、接触孔电阻、扩散区之间的相互影响、机械压力和温度梯度、工艺参数梯度等引起的元器件失配通过版图设计技术来降低工艺偏差、接触孔电阻所占比例不同、多晶硅刻蚀速率的变化、扩散区的相互影响、梯度效应

23、为了降低系统失配，在版图设计时可采取哪些技术？

单元元器件复制技术、在元器件周围增加“哑”单元、要求匹配元器件直接的距离尽量接近并且摆放方向相同、公用中心设计法

24、为什么通常都将“哑”单元连接到某一个固定电势而不悬空？

悬空容易造成静电积累给芯片带来干扰性问题

25、采用公用重心设计法使匹配器件完全不会受到梯度影响的条件是什么？

某些工艺参数的梯度沿水平方向或者垂直方向是线性的

26、采用版图匹配设计技术后可提高元器件的匹配性能，但会带来哪些不利因素？

增加芯片面积、布线比较困难、连线的寄生效应限制匹配精度

27、为什么数字模块和模拟模块在同一衬底上实现容易产生数字模块干扰模拟模块？

数字模块常常会在电源线和地线上产生脉冲干扰，模块放大器对此干扰较为敏感，导致两者之间产生耦合。

28、解决数模信号之间串扰的措施有哪些？

1.可以将模拟和数字电源地分离

2.可以将模拟电路和数字电路、模拟总线和数字总线应尽量分开而不交叉混合

3.根据各模拟单元的重要程度，决定其与数字部分的间距的大小顺序。

29、“干净”的地是什么样地?

单独接出，不与其它器件共用的地

30、为什么在敏感模拟信号线周围插入了接地的同层金属线就可防止电磁干扰？

周围互连线上的电磁场会在这些接地的同层金属线上截止，而不会干扰敏感模拟信号线

31、采用屏蔽技术会带来哪些缺点？

布线变复杂、信号线与地线间的寄生电容增加

32、通过滤波电容进行抗干扰，滤波电容一般加在哪些地方？

电源线上和版图空余地方

33、在集成电路芯片中，寄生效应会降低电路的哪些性能？

电路的噪声、速度、功耗

34、对于晶体管来说，降低寄生效应的版图设计技术有哪些？

尽量减小多晶做导线的长度、采用导电率较好的金属来布线

35、对于接触孔进行寄生优化的措施是什么？

采用多个均匀分布的最小孔并联的方法来减小孔寄生电阻和提高孔的可通过电流能力

36、芯片的可靠性问题一般指哪些？

天线效应、Latch-Up效应和静电放电ESD保护

37、什么是天线效应？

当大面积的金属M1与栅极相连时，金属就会作为一个天线，在金属腐蚀过程中收集周围游离的带电离子，增加金属上的电势，进而使栅电势增加。一旦电势增加到一定程度，就会导致栅氧化层击穿。

38、什么是Latch-Up 效应？

如果由于某种原因使得两个晶体管进入有源工作区，电路又形成一个很强的正反馈，则寄生双极型晶体管将导通大量的电流，导致电路无法正常的工作

39、什么是静电放电过程(ESD) ？为什么说ESD 防护电路的设计是集成电路设计中一个非常重要的问题？集成电路中的什么部位最需要ESD 防护？

两个不同静电电势的物体相互靠近时，两个物体之间会发生静电电荷的转移的过程外界物体接触芯片的150ns放电过程中，会产生非常高的瞬态电流和电压，可能造成集成电路芯片失效因此ESD防护电路是重要的问题集成电路中接到MOS晶体管栅极的PIN更需要ESD保护40、电学设计规则的作用是什么？它与几何设计规则的区别是什么？

作用：1是将具体的工艺参数及其结果抽象出电学参数，是电路与系统设计、模拟的依据。2为合理的选择版图布线提供依据区别：手工设计集成电路或单元中，几何设计规则是图形编辑的

依据，电学设计规则是分析计算的依据。VLSI设计中，几何设计规则是系统生成版图和检查版图错误的依据，电学设计规则是设计系统预测电路性能的依据。

41、Cadence 公司的EDA 产品有哪些功能？

系统级设计、功能验证、IC综合及布局布线、模拟混合信号及射频IC设计、全制定集成电路设计、IC物理验证、PCB设计和硬件仿真建模

42、一个完整的全定制设计环境包含哪些部分？

设计资料库、电路编辑环境、电路仿真工具、版图设计工具、版图验证工具

43、一个设计一般需要Cadence 中的哪些工具？

电路图设计工具、电路模拟工具、版图设计工具、版图验证工具

44、怎样考虑芯片的版图布局？

布局图应尽可能与功能框图或电路图一致，然后根据模块的面积大小进行调整所有的集成电路都要连接到外部集成电路必须是可测的

45、在正式用Cadence 画版图之前要先构思或想一想哪些问题？

仔细想一想每个管子应该怎样安排，管子之间怎样连接，最后的电源线、地线怎样走

46、对于差分形式的电路结构在版图布局时一般注意哪些问题？

最好在设计版图时也讲究对称，有利于提高电路性能。差分形式的对称电路结构，一般地线铺在中间，电源线走上下两边，中间是大片的元件。

47、为什么一般都将输入和输出分别布置在芯片两端？

减少输出输入之间的电磁干扰，尤其是对于小信号高增益放大器特别重要，设计不当会引起不希望的反馈，造成电路自激

48、什么是“电徙”效应？

金属原子沿电流方向迁徙

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1、什么是裸片？

晶圆经过切割测试后没有经过封装的芯片

2、在晶圆上（On-wafer）或在芯片上（On-Chip）测试有什么优点？

对于处于研究阶段的芯片，特别是模拟集成电路和模/数混合信号集成电路非常有效，可以大大节省时间

3、在晶圆或在芯片测试需要什么条件？

在测试台上测试

4、基本的芯片测试台由哪几部分组成？

载片部分、接触和调整部分、显微镜部分、控制部分

5、通过什么工具与芯片上的焊盘（Pad）相接触？

探针、探针阵列或探头工具

6、探头有哪些类型？它的主要特性是什么？

SS、SGS 、GSG、GSSG、SSGSS、GSSPSG

7、芯片封装的载体通常有哪些？

绝缘体、导体、导体和绝缘体的组合体

8、利用导体作为芯片封装的载体有什么优点？

很好的电接触特性、良好的散热和机械性能、可与侧部和顶部的金属封装板一起形成良好的电磁屏蔽

9、对于低速ICs，可用的标准封装载体主要有哪些？

双列直插DIP、针栅阵列PGA、小型封装SOP、四方扁平封装QFP、塑封无引脚芯片载体PLCC 10、集成电路封装工艺流程有哪些？

划片、分类、管芯键合、引线压焊、密封、管壳焊接、塑封、测试

11、什么是芯片键合？

将芯片输入、输出、电源等焊盘通过金属丝、金属带或金属球与外部电路连接在一起的工序12、利用什么进行绑定是最简单和最容易实现的技术？它的缺点是什么？

金（铝）丝缺点：高频（大于1GHz）连线的寄生电感（约1nH/mm）非常严重

13、什么技术可以最大限度地减小由引线产生的寄生电感？对哪些电路最具吸引力？

倒装焊技术超高速和超高速集成电路的互连

14、倒装式连接技术的优点有哪些？

连接产生的寄生电感远小于金属丝互接产生的电感芯片上的焊接盘可以遍布全芯片封装密度较高可靠性高焊接时连接柱的表面张力引起自我校正

15、为什么对于高速和微波ICs 常采用黄铜板块为基座进行封装？

良好的电特性和机械特性、良好的散热性、适合固定SMA或其他类型的连接器、对周围环境可实现双向屏蔽

16、什么是混合集成？

用不同衬底材料（硅、砷化镓、铌酸锂等）的集成电路与分立元件以最紧凑的方式安装在另一种介质衬底板（陶瓷、聚乙烯等）上并封装成一个模块

17、什么是微组装技术？

在高密度多层互连衬底上，采用微焊接和封装工艺组装各种微型化片式元器件和半导体芯片，形成高密度、高速度、高可靠的三维立体结构的电子组装技术

18、什么是多芯片组件CMC 技术？

将多个裸片形式的集成电路芯片和其他片式元器件组装在一块多层互连基板上，然后封装在一个外壳内，组成一个具有设计复杂功能的电路模块的技术

19、在高频和超高速微组装设计过程中必须要考虑哪些问题？

1为得到反射信号传输，阻抗匹配十分重要2 连接线的自电感和线间耦合在寄生参数中占主要地位3 高频模拟电路的设计的实现，MCM衬底上电感的实现成为主要问题

20、可测试性的3 个重要方面是什么？每一种的含义是什么？

测试生成：是指产生验证电路的一组测试码又称为测试矢量

测试验证：指一个给定测试集合的有效性测度，通常是通过故障模拟来估算的

测试设计：通过在逻辑和电路设计阶段考虑测试效率问题，加入适当的附加逻辑或电路以提高将来芯片的测试效率。

21、什么是数字电路的完全测试和功能测试？

完全测试是对芯片进行全部状态和功能的测试，要考虑集成电路的所有的可能状态和功能。

功能测试是对在集成电路设计之初所要求的运算功能或逻辑功能是否正确进行测试。

22、何时需要考虑进行完全测试和功能测试？

研制阶段，为分析电路可能存在的缺陷和隐含的问题，应对样品进行完全测试

生产阶段，为提高测试效率以降低测试成本，则通常采用功能测试

数字集成电路复习笔记

数集复习笔记 By 潇然名词解释专项摩尔定律：一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍。传播延时：一个门的传播延时t p定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同，所以需定义两个传播延时。 t pLH定义为这个门的输出由低至高翻转的响应时间，而t pHL则为输出由高至低翻转的响应时间。传播延时t p定义为这两个时间的平均值：t p=(t pLH+t pHL)/2。设计规则：设计规则是指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规定。它们包括图形允许的最小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限制与要求。定义设计规则的目的是为了能够很容易地把一个电路概念转换成硅上的几何图形。设计规则的作用就是电路设计者和工艺工程师之间的接口，或者说是他们之间的协议。速度饱和效应：对于长沟MOS管，载流子满足公式：υ= -μξ(x)。公式表明载流子的速度正比于电场，且这一关系与电场强度值的大小无关。换言之，载流子的迁移率是一个常数。然而在（水平方向）电场强度很高的情况下，载流子不再符合这一线性模型。当沿沟道的电场达到某一临界值ξc时，载流子的速度将由于散射效应（即载流子间的碰撞）而趋于饱和。时钟抖动：在芯片的某一个给定点上时钟周期发生暂时的变化，即时钟周期在每个不同的周期上可以缩短或加长。逻辑综合：逻辑综合的任务是产生一个逻辑级模型的结构描述。这一模型可以用许多不同的方式来说明，如状态转移图、状态图、电路图、布尔表达式、真值表或HDL描述。噪声容限：为了使一个门的稳定性较好并且对噪声干扰不敏感，应当使“0”和“1”的区间越大越好。一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限NM L和高电平噪声容限 NM H来度量的，它们分别量化了合法的“0”和“1”的范围，并确定了噪声的最大固定阈值： NM L =V IL - V OL NM H =V OH - V IH

测量学期末复习知识点

期末复习知识点测量学定义：研究三维空间中各种物体的形状、大小、位置、方向和其分布的学科。内容：测定，使用测量仪器和工具，通过测量计算，得到一系列测量数据，或把地球表面的地形缩绘成地形图，供国家建设和科学研究使用。测设：把图纸上规划设计好的建筑物、构筑物的位置，通过野外测量的方法在地面上标定出来，作为施工的依据。测量工作基本内容1.控制测量：（1）.平面控制网 (2)高程控制测量2碎部测量：确定地面点位的三个基本要素距离—斜距、平距；角度—水平角、垂直角；高差测量工作的基准线和基准面—铅垂线、大地水准面。测量内业计算的基准面、基准线—参考椭球面、法线。我国统一采用的坐标系为“1980年国家坐标系”。参考椭球体：一个非常接近大地体，并可用数学式表示几何形体，作为地球的参考形状和大小。它是一个椭圆绕其短轴旋转而形成的形体，故又称旋转椭球体。旋转椭球体由长半轴a（或短半轴b）和扁率α决定参数为：长半轴 a= 6378140m 短半轴b=6356755.3m扁率 α=1/298.257 测量精度要求不高时，可把地球看作圆球，其平均半径 R =6371km 大地水准面：设想处于完全静止的平均海水面向陆地和岛屿延伸所形成的闭合曲面。大地体：大地水准面所包围的代表地球形状和大小的形体。绝对高程（海拔）：某点沿铅垂线方向到大地水准面的距离。相对高程：某点沿铅垂线方向到任意水准面的距离。高差：地面上两点高程之差。高斯投影坐标系的建立：x轴 — 中央子午线的投影 y轴 — 赤道的投影原点O — 两轴的交点X轴向北为正，y轴向东为正。原理:高斯投影采用分带投影。将椭球面按一定经差分带，分别进行投影。特性：1、中央子午线投影后为直线，且长度不变。2、除中央子午线外，其余子午线的投影均为凹向中央子午线的曲线，并以中央子午线为对称轴。投影后有长度变形。3、赤道线投影后为直线，但有长度变形。4、除赤道外的其余纬线，投影后为凸向赤道的曲线，并以赤道为对称轴。5、经线与纬线投影后仍然保持正交。 6、所有长度变形的线段，其长度变形比均大于l。7、离中央子午线愈远，长度变形愈大。 6o带自首子午线开始，按6o的经差自西向东分成60个带。L。=6oN－3o（N为6o带的带号） 3o带自1.5 o开始，按3o的经差自西向东分成120个

数字集成电路--电路、系统与设计(第二版)复习资料

第一章数字集成电路介绍第一个晶体管，Bell 实验室，1947 第一个集成电路，Jack Kilby ，德州仪器，1958 摩尔定律：1965年，Gordon Moore 预言单个芯片上晶体管的数目每18到24个月翻一番。(随时间呈指数增长) 抽象层次：器件、电路、门、功能模块和系统抽象即在每一个设计层次上，一个复杂模块的内部细节可以被抽象化并用一个黑匣子或模型来代替。这一模型含有用来在下一层次上处理这一模块所需要的所有信息。固定成本（非重复性费用）与销售量无关；设计所花费的时间和人工；受设计复杂性、设计技术难度以及设计人员产出率的影响；对于小批量产品，起主导作用。可变成本（重复性费用）与产品的产量成正比；直接用于制造产品的费用；包括产品所用部件的成本、组装费用以及测试费用。每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+固定成本/产量。可变成本=（芯片成本+芯片测试成本+封装成本）/最终测试的成品率。一个门对噪声的灵敏度是由噪声容限NM L （低电平噪声容限）和NM H （高电平噪声容限）来度量的。为使一个数字电路能工作，噪声容限应当大于零，并且越大越好。NM H = V OH - V IH NM L = V IL - V OL 再生性保证一个受干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛回到额定电平中的一个。一个门的VTC 应当具有一个增益绝对值大于1的过渡区(即不确定区)，该过渡区以两个有效的区域为界，合法区域的增益应当小于1。理想数字门特性：在过渡区有无限大的增益；门的阈值位于逻辑摆幅的中点；高电平和低电平噪声容限均等于这一摆幅的一半；输入和输出阻抗分别为无穷大和零。传播延时、上升和下降时间的定义传播延时tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。上升和下降时间定义为在波形的10%和90%之间。对于给定的工艺和门的拓扑结构，功耗和延时的乘积一般为一常数。功耗-延时积(PDP)----门的每次开关事件所消耗的能量。一个理想的门应当快速且几乎不消耗能量，所以最后的质量评价为。能量-延时积(EDP) = 功耗-延时积2 。第三章、第四章CMOS 器件手工分析模型 ()0 12' 2 min min ≥???? ??=GT DS GT D V V V V V L W K I 若＋－λ ()DSAT DS GT V V V V ,,m in min ＝寄生简化：当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互连材料电阻率很低时，电感的影响可以忽略：如果导线的电阻很大(例如截面很小的长铝导线的情形)；外加信号的上升和下降时间很慢。当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互连材料电阻率很低时，采用只含电容的模型。当相邻导线间的间距很大时或当导线只在一段很短的距离上靠近在一起时：导线相互间的电容可以被忽略，并且所有的寄生电容都可以模拟成接地电容。平行板电容：导线的宽度明显大于绝缘材料的厚度。边缘场电容：这一模型把导线电容分成两部分：一个平板电容以及一个边缘电容，后者模拟成一条圆柱形导线，其直径等于该导线的厚度。多层互连结构：每条导线并不只是与接地的衬底耦合（接地电容），而且也与处在同一层及处在相邻层上的邻近导线耦合（连线间电容）。总之，再多层互连结构中导线间的电容已成为主要因素。这一效应对于在较高互连层中的导线尤为显著，因为这些导线离衬底更远。例4.5与4.8表格电压范围集总RC 网络分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 例4.1 金属导线电容考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线，计算总的电容值。平面(平行板)电容： ( 0.1×106 μm2 )×30aF/μm2 = 3pF 边缘电容： 2×( 0.1×106 μm )×40aF/μm = 8pF 总电容： 11pF 现假设第二条导线布置在第一条旁边，它们之间只相隔最小允许的距离，计算其耦合电容。耦合电容： C inter = ( 0.1×106 μm )×95 aF/μm2 = 9.5pF 材料选择：对于长互连线，铝是优先考虑的材料；多晶应当只用于局部互连；避免采用扩散导线；先进的工艺也提供硅化的多晶和扩散层接触电阻：布线层之间的转接将给导线带来额外的电阻。布线策略：尽可能地使信号线保持在同一层上并避免过多的接触或通孔；使接触孔较大可以降低接触电阻(电流集聚在实际中将限制接触孔的最大尺寸)。采电流集聚限制R C , (最小尺寸)：金属或多晶至n+、p+以及金属至多晶为 5 ~ 20 Ω ；通孔(金属至金属接触)为1 ~ 5 Ω 。例4.2 金属线的电阻考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线。假设铝层的薄层电阻为0.075Ω/□，计算导线的总电阻： R wire ＝0.075Ω/□?(0.1?106 μm)/(1μm)＝7.5k Ω 例4.5 导线的集总电容模型假设电源内阻为10k Ω的一个驱动器，用来驱动一条10cm 长，1μm 宽的Al1导线。电压范围集总RC 网络分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 使用集总电容模型，源电阻R Driver ＝10 k Ω，总的集总电容C lumped ＝11 pF t 50% = 0.69 ? 10 k Ω ? 11pF = 76 ns t 90% = 2.2 ? 10 k Ω ? 11pF = 242 ns 例4.6 树结构网络的RC 延时节点i 的Elmore 延时： τDi = R 1C 1 + R 1C 2 + (R 1+R 3) C 3 + (R 1+R 3) C 4 + (R 1+R 3+R i ) C i 例4.7 电阻-电容导线的时间常数总长为L 的导线被分隔成完全相同的N 段，每段的长度为L/N 。因此每段的电阻和电容分别为rL/N 和cL/N R (= rL) 和C (= cL) 是这条导线总的集总电阻和电容()()()N N RC N N N rcL Nrc rc rc N L DN 2121 (22) 22 +=+=+++?? ? ??=τ 结论：当N 值很大时，该模型趋于分布式rc 线;一条导线的延时是它长度L 的二次函数;分布rc 线的延时是按集总RC 模型预测的延时的一半. 2 rcL 22＝RC DN = τ 例4.8 铝线的RC 延时.考虑长10cm 宽、1μm 的Al1导线,使用分布RC 模型，c = 110 aF/μm 和r = 0.075 Ω/μm t p = 0.38?RC = 0.38 ? (0.075 Ω/μm) ? (110 aF/μm) ? (105 μm)2 = 31.4 ns Poly ：t p = 0.38 ? (150 Ω/μm) ? (88+2?54 aF/μm) ? (105 μm)2 = 112 μs Al5： t p = 0.38 ? (0.0375 Ω/μm) ? (5.2+2?12 aF/μm) ? (105 μm)2 = 4.2 ns 例4.9 RC 与集总C 假设驱动门被模拟成一个电压源，它具有一定大小的电源内阻R s 。应用Elmore 公式，总传播延时： τD = R s C w + (R w C w )/2 = R s C w + 0.5r w c w L 2 及 t p = 0.69 R s C w + 0.38 R w C w 其中，R w = r w L ，C w = c w L 假设一个电源内阻为1k Ω的驱动器驱动一条1μm 宽的Al1导线，此时L crit 为2.67cm 第五章CMOS 反相器静态CMOS 的重要特性：电压摆幅等于电源电压 → 高噪声容限。逻辑电平与器件的相对尺寸无关 → 晶体管可以采用最小尺寸 → 无比逻辑。稳态时在输出和V dd 或GND 之间总存在一条具有有限电阻的通路 → 低输出阻抗 (k Ω) 。输入阻抗较高 (MOS 管的栅实际上是一个完全的绝缘体) → 稳态输入电流几乎为0。在稳态工作情况下电源线和地线之间没有直接的通路(即此时输入和输出保持不变) → 没有静态功率。传播延时是晶体管负载电容和电阻的函数。门的响应时间是由通过电阻R p 充电电容C L (电阻R n 放电电容C L )所需要的时间决定的。开关阈值V M 定义为V in = V out 的点(在此区域由于V DS = V GS ，PMOS 和NMOS 总是饱和的) r 是什么：开关阈值取决于比值r ，它是PMOS 和NMOS 管相对驱动强度的比 DSATn n DSATp p DD M V k V k V V ＝，r r 1r +≈ 一般希望V M = V DD /2 (可以使高低噪声容限具有相近的值)，为此要求 r ≈ 1 例5.1 CMOS 反相器的开关阈值通用0.25μm CMOS 工艺实现的一个CMOS 反相器的开关阈值处于电源电压的中点处。所用工艺参数见表3.2。假设V DD = 2.5V ，最小尺寸器件的宽长比(W/L)n 为1.5 ()()()()()()()() V V L W V V V V k V V V V k L W L W M p DSATp Tp M DSATp p DSATn Tn M DSATn n n p 25.125.55.15.35.320.14.025.1263.043.025.10.163.01030101152266==?==----?-???----=－－－＝分析： V M 对于器件比值的变化相对来说是不敏感的。将比值设为3、2.5和2，产生的V M 分别为 1.22V 、1.18V 和 1.13V ，因此使PMOS 管的宽度小于完全对称所要求的值是可以接受的。增加PMOS 或NMOS 宽度使V M 移向V DD 或GND 。不对称的传输特性实际上在某些设计中是所希望的。噪声容限：根据定义，V IH 和V IL 是dV out /dV in = -1(= 增益)时反相器的工作点逐段线性近似V IH = V M - V M /g V IL = V M + (V DD - V M )/g 过渡区可以近似为一段直线，其增益等于在开关阈值V M 处的增益g 。它与V OH 及V OL 线的交点用来定义V IH 和V IL 。点。

四年级数学期末考试必背知识点

四年级数学期末考试必背知识点四年级数学期末考试必背知识点 1。整数加法（1）把两个数合并成一个数的运算叫做加法。（2）在加法里，相加的数叫做加数，加得的数叫做和。加数是部分数，和是总数。（3）加数+加数=和，一个加数=和—另一个加数 2。整数减法（1）已知两个加数的和与其中的一个加数，求另一个加数的运算叫做减法。（2）在减法里，已知的和叫做被减数，已知的加数叫做减数，未知的加数叫做差。被减数是总数，减数和差分别是部分数。（3）加法和减法互为逆运算。 3。整数乘法（1）求几个相同加数的和的简便运算叫做乘法。（2）在乘法里，相同的加数和相同加数的个数都叫做因数。相同加数的和叫做积。（3）在乘法里，0和任何数相乘都得0。（4）1和任何数相乘都的任何数。（5）一个因数×一个因数=积;一个因数=积÷另一个因数 4。整数除法

（1）已知两个因数的积与其中一个因数，求另一个因数的运算叫做除法。（2）在除法里，已知的积叫做被除数，已知的一个因数叫做除数，所求的因数叫做商。（3）乘法和除法互为逆运算。（4）在除法里，0不能做除数。因为0和任何数相乘都得0，所以任何一个数除以0，均得不到一个确定的商。（5）被除数÷除数=商，除数=被除数÷商被除数=商×除数。 5。整数加法计算法则：相同数位对齐，从低位加起，哪一位上的数相加满十，就向前一位进一。 6。整数减法计算法则相同数位对齐，从低位加起，哪一位上的数不够减，就从它的前一位退一作十，和本位上的.数合并在一起，再减。 7。整数乘法计算法则先用一个因数每一位上的数分别去乘另一个因数各个数位上的数，用因数哪一位上的数去乘，乘得的数的末尾就对齐哪一位，然后把各次乘得的数加起来。 8。整数除法计算法则先从被除数的高位除起，除数是几位数，就看被除数的前几位; 如果不够除，就多看一位，除到被除数的哪一位，商就写在哪一位的上面。如果哪一位上不够商1，要补“0”占位。每次除得的余数要小于除数。 9。运算顺序（1）小数、分数、整数

初二物理下册期中知识点问答及知识点

第六章物质的物理属性 1、什么叫做质量？答：物体所含物质的多少叫做物体的质量。质量的物理量符号是m. 2、质量的国际单位和常用单位是什么？如何换算？答：在国际单位制中，质量的单位是千克，千克的单位符号是kg。常用的质量单位还有克(g)、毫克(mg)和吨(t)。它们之间的换算关系是：1t=1000kg, 1kg=1000g, 1g=1000mg。 3、实验室常用什么器材测量物体的质量？答：实验室里常用托盘天平测量物体的质量。 4、托盘天平的使用方法是什么？答：1、使用天平时，应将天平放在水平工作台上。2、然后，将游码移至标尺左端的“0”刻线处，再调节横梁上的平衡螺母，使指针对准分度盘中央的刻度线。3、测量物体质量时，应将物体放在天平的左盘；用镊子向右盘加减砝码，移动游码在标尺上的位置，使指针对准分度盘的中线；此时右盘中砝码的总质量与标尺示数值之和，即为所测物体的质量。使用托盘天平时注意事项：1、首先要认真观察天平的最大测量值（称量）和标尺上的分度值（感量），用天平测量物体的质量不能超过天平的量程，往右盘里加减砝码时应轻拿轻放；2、天平与砝码应保持干燥、清洁，不要把潮湿的物品和化学药品直接放在天平左盘里，不要用手直接拿砝码。 5、为什么说质量是物体的物理属性？答：物体的质量不随物体的形状、物质状态和地理位置的改变而改变，所以质量是物体的物理属性。 6、若被测物体的质量小于标尺上的分度值（即天平的感量），该如何测量？答：可采测多算少法（累积法）进行测量。（如邮票、大头针等m= m总/n） 7、常见物体质量的大约数值是什么？答：一张邮票：50mg；一个成人：50kg；一只苹果：140g；一元硬币：10g；一只鸡：1.5kg；一只鸡蛋：50g；一头大象：6t 8、质量与体积的比值与物质的种类有什么关系？答：同种物质的不同物体，质量与体积的比值是相同的。不同物质的不同物体，质量与体积的比值一般是不同的。 9、什么叫物质的密度？计算式及单位是什么？答：单位体积某种物质的质量叫做这种物质的密度。密度=质量/体积。 ρ=m/V 式中：ρ表示密度，m表示质量，V表示体积。密度的国际单位是：千克/米3，单位符号是：kg/m3 其它单位有：克/厘米3（g/cm3）、千克/分米3（kg/dm3）单位换算关系是：1 g/cm3=103 kg/m3 1 g/cm3=1 kg/dm3 10、水的密度及物理意义是什么？答：水的密度为：ρ水=103 kg/m3 其物理意义：1米3水的质量为103千克。 11、为什么说密度是物质的物理属性？答：密度是物质物理属性是因为同种物质的密度相同，不同物质的密度一般不同。 12、ρ=m/V的物理意义是什么？答：（1）同种物质的密度一般不变，是定值（但温度、物态、压强等条件变化时，物质的密度也会发生变化）同种物质的密度不随物体的质量、体积的变化而变化，但质量与体积成正比。（2）不同物质的密度一般不同，密度是变化的。质量一定时，密度与体积成反比；体积一定时，密度与质量成比。 13、密度有哪些应用？答：（1）ρ=m/V测量和计算密度鉴别物质的种类；（2）m=ρV计算质量（3）V= m/ρ计算体积。 14、量筒（量杯）的作用是什么？如何读数？答：量筒（量杯）用来直接测量液体的体积和间接测量固体的体积。测量前应观察（1）分度值（2）最大测量值。读数时，视线应与液面的凹面（或凸面）相平，俯视时读数值偏大，仰视时读数偏小。 15、量筒（量杯）间接测量固体体积的方法是什么？答：（1）在量筒中倒入适量（1、能使固体全部浸没，2、放入固体后液面不能超过量筒的最大测量值）的水V1；（2）用细线系住固体沿量筒壁轻轻下落到量筒底部，读数为V2，则固体的体积为V固= V2- V1。上述方法为排水法。若固体溶于水则需要用薄膜包上或用排沙法；若固体密度小于水的密度则用针压法或捆绑法。 16、体积、面积、长度的物理量符号及单位有哪些？答：体积物理量符号：V，国际单位：米3（m3）。体积其它单位及换算关系为：1 m3=103 dm3，1 dm3=103 cm3，1 m3=106 cm3 1 dm3=1升(L)，1 L=103毫升(mL)， 1 cm3=1 mL 面积的物理量符号：S，国际单位：米2（m2）。其它单位及换算：1 m2=102 dm2， 1 m2=106mm2，1 m2=104 cm2 17、密度表上的信息有哪些？答：（1）水的密度ρ水=103千克/米3 （2）不同物质的密度一般不同，但也可能相同。ρ冰=ρ蜡=ρ植物油=0.9×103 kg/m3ρ酒精=ρ煤油=0.8×103 kg/m3 （3）同种物质的密度在状态改变时也发生改变１

摄影测量学考试知识点汇编

摄影测量学习题一、名词解释： 1、摄影测量学：是对研究的对象进行摄影，根据所获得的构像信息，从几何方面和物理方面加以分析研究，从而对所摄对象的本质提供各种资料的一门学科。 2、光圈号数：相对孔径的倒数 3、景深：远景与近景之间的纵深距离称为景深 4、超焦点距离：当物镜向无限远物体对光时，不仅远处的物体构象清晰，而且在离开物镜不小于某一距离H 的所有物体，其构象都很清晰，这个距离H 就称为超焦点距离或称为无限远起点 5、视场：将物镜对光于无穷远，在焦面上会看到一个照度不均匀的明亮圆。这个直径为 ab 的明亮圆的范围称为视场 6、视场角：物镜的像方主点与视场直径所张的角2α。 7、像场：在视场面积内能获得清晰影像的区域 8、像场角；物镜的像方主点与像场直径所张的角2β。像主点：摄影机轴在框标平面上的垂足。 11、航向重叠：沿飞行方向上相邻像片所摄地面的重叠区。 12、旁向重叠：两相邻航带摄区之间的重叠主光轴：通过诸透镜光轴的轴主点：主平面与光轴的交点 13、摄影基线：相邻像片摄影站(投影中心)之间的空间连线。 15、内方位元素确定物镜后节点和像片面相对位置的数据。 16、外方位元素确定摄影摄影机或像片的空间位置和姿态的参数焦点平行光轴的投射光线经物镜后产生折射，该折射线与光轴的交点。 17、像片倾角航摄仪光轴与通过物镜中心的铅垂线所夹的角称为像片的倾斜角 19、像片旋角相邻像片的主点连线与像幅沿航线方向两框标连线之间的夹角称为像片的旋偏角 20、倾斜误差因像片倾斜引起的像点位移节点投射光线与成像光线与光轴的交角u 和u ′相等时，投射光线与成像光线与光轴的交点。 21、投影差因地形起伏引起的像点位移 22、摄影比例尺航摄相片上某一线段构成的长度与地面上相应水平距离之比。 23、像片控制点为联系地面与相片而测定地面坐标的像点。相对孔径物镜焦距与有效孔径之比 25、左右视差同名像点在各自像平面坐标系中的x 坐标之差 26、上下视差同名像点在各自像平面坐标系中的Y 坐标之差 27、核点基线延长线与左、右像片的交点k 1、k 2称为核点 28、核线核面与像片的交线称为核线 29、核面通过摄影基线S 1S 2与任一地面点A 所作的平面W A 30、投影基线两摄站的连线 31、像片基线指相邻两张像片主点的连线 32、解析空中三角测量即在一条航带几十条像对覆盖的区域或由几条航带几百哥像对构成的区域内，仅仅由外业实测几个少量的控制点，按一定的数学模型，平差解算出摄影测量作业过程中所需的全部控制点及每张像片的外方位元素 33、空间后方交会就是利用地面控制点的已知坐标值反求像片外方位元素 ()()()()(){} 2332233213322232332 1[]Z X Y X Y Y Y X X X Z Y X X Y Z X Y Y X Z X Y X Y =-+-+-+-+--

《数字集成电路》期末试卷(含答案)

浙江工业大学 / 学年第一学期《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷 A 姓名学号班级任课教师一、填空题（本大题共10小题，每空格1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1．十进制数（68）10对应的二进制数等于； 2．描述组合逻辑电路逻辑功能的方法有真值表、逻辑函数、卡诺图、逻辑电路图、波形图和硬件描述语言（HDL ）法等，其中描述法是基础且最直接。 3．1 A ⊕可以简化为。 4．图1所示逻辑电路对应的逻辑函数L 等于。 A B L ≥1 & C Y C 图1 图2 5．如图2所示，当输入C 是（高电平，低电平）时，AB Y =。 6．两输入端TTL 与非门的输出逻辑函数AB Z =，当A =B =1时，输出低电平且V Z =0.3V ，当该与非门加上负载后，输出电压将(增大，减小) 。 7．Moore 型时序电路和Mealy 型时序电路相比，型电路的抗干扰能力更强。 8．与同步时序电路相比，异步时序电路的最大缺陷是会产生状态。 9．JK 触发器的功能有置0、置1、保持和。 10．现有容量为210×4位的SRAM2114，若要将其容量扩展成211×8位，则需要片这样的RAM 。二、选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 11．十进制数（172）10对应的8421BCD 编码是。【】 A ．（1111010）8421BCD B ．（10111010）8421BCD C ．（000101110010）8421BC D D ．（101110010）8421BCD 12．逻辑函数AC B A C B A Z +=),,(包含个最小项。【】

初中地理问答题25个知识点

中考地理简答题的答题模式 1、生态、环境问题 1、水土流失问题我国典型地区：黄土高原、南方低山丘陵地区（黄土高原为例）产生的原因：（1）自然原因：黄土土质疏松、降水集中，多暴雨。坡度大流速快、植被缺失。（2）人为原因：植被的破坏；不合理的耕作制度；开矿。治理的措施：多植树勤挡土，水土保持是基础。 2、荒漠化问题（选修）我国典型的地区：西北地区产生的原因：（1）自然原因：地表覆盖着深厚的疏松沙质沉积物；大风日数多而且集中；处内陆地区，气候干旱降水少。（2）人为原因：过度樵采；过度放牧；过度开垦。治理措施：制定草场保护的法律、法规，加强管理；控制载畜量；营造“三北防护林”建设；退耕还林、还牧；建设人工草场；推广轮牧；禁止采伐等。 3、干旱缺水问题我国典型地区：华北地区、西北地区：产生原因（华北地区）：（1）自然原因：温带季风气候，全年降水少，河流径流量小；降水变率大；春季蒸发旺盛。（2）人为原因：人口稠密、工农业发达，需水量大；水污染严重；浪费多，利用率低；春季春种用水量大。治理措施：南水北调；修建水库；控制人口数量，提高素质；减少水污染；节约用水，提高利用率；限制高耗水工业的发展；发展节水农业；采用滴灌、喷灌农业灌溉技术，提高利用率；实行水价调节，树立节水意识；海水淡化等。思考：我国东北地区为何没有形成春旱？（春汛） 4、地面下沉和海水倒灌我国典型地区：北方广大地区和南方城市；产生的原因：过度抽取地下水治理措施：控制抽取地下水；实行雨季回灌 5、赤潮我国典型地区：珠江口、杭州湾、渤海等。多发季节：夏季。 5 —10 月产生的原因：（1）自然原因：气温高；静水；静风；海域相对圭封闭。（2）人为原因：沿岸地区人口稠密、经济发达，排入海洋的工业和生活污水多；农业生产过程中大量使用化肥、农药；由于海洋开发程度高和养殖业规模的扩大，严重的污染了养殖水域。 6、酸雨分布：西欧、北美、日本；我国南方地区成因：燃烧煤、石油、天然气等矿物燃料。危害：河湖水酸化，影响鱼类；土壤酸化，危害森林及农作物；腐蚀建筑物和文物古迹；危害人体健康。根本途径：开发新能源 7、沼泽的保护（选修）我国典型地区：三江平原。沼泽的形成：①纬度高，气温低，蒸发量小②地下冻土层形成不透水层③地势低平，地表径流排泄不畅，土壤中水分积聚过多开发利用的关键：排水。意义：是蓄水池，也是水源地。①调节气候，保护和改善生态环境②是一些珍禽的栖息地。 8、洪涝灾害我国典型地区：东北；黄河、长江中下游地区；淮河流域；珠江流域等产生的原因：（1）自然原因：夏季风的强弱变化（副高强：南旱北涝；副高弱：南涝北旱）；台风的影响；河道弯曲（荆江河段）；（2）人为原因：滥砍滥伐，造成水土流失加剧，河床抬升；围湖造田；不合理水利工程建设（渭河流域）治理措施：植树造林，建设防护林体系；退耕还湖；修建水利工程；裁弯取直，加固大堤；修建分洪区；建立洪水预报预警系统等。 9、沙尘暴现象（选修）我国典型地区：西北、华北地区产生的原因：（1）自然原因：气候干旱，降水少；春季大风日数多；地表植被稀少等（2）人为原因：过度放牧；过度樵采; 过度开垦治理措施：制定草场保护的法律、法规，加强管理；控制载畜量；营造“三北防护林”建设；退耕还林、还牧；建设人工草场；推广轮牧；禁止采伐等 10、台风多发生夏秋季节，主要发生海域为：西北太平洋台风灾害由强风、特大暴雨、风暴潮造成台风对我国的有利方面：①带来丰沛降水，缓解长江中下游的伏旱，②缓解高温酷暑天气如何减小台风损失：加强台风的监测和预报（气象卫星跟踪、沿海雷达监测） 11、寒潮时空分布考虑源地、冬季风强弱、地形地势的阻挡等因素，我国冬半年常发，影响范围大，除滇南、青藏高原、台湾、海南及四川盆地外。灾害特点：降温辐度大、风力强、影响范围广、出现降温、大风、暴雪、冰害等灾害性天气。寒潮的利：冻杀害虫；大雪缓解春旱 12、地震: 形成原因：位于板块的交界处，地壳活动剧烈。减轻灾害的措施：积极开展防灾、减灾的宣传教育，提高公众的环保和减灾意识；建立灾害监测预报体系；加强地质灾害的管理，建立健全减灾工作的政策法规体系；提高建筑物的抗震强度；加强国际合作等。 13、西南地区地质灾害严重形成原因： 1）自然原因：山区面积广大，岩石破碎，风化严重；干湿季分明、暴雨集中；（2）人为原因：对植被的破坏。治理措施：恢复植被 14、河流的治理措施上游：治理原则是调洪，做法是修水库、植树造林；中游：治理原则是分洪、蓄洪，做法是修水库，修建分洪、蓄洪工程；下游：治理原则是泄洪、束水，做法是加固大堤，清淤疏浚河道，开挖河道。 15、河流洪涝灾害的成因分析自然原因（主要从三个方面考虑：水文特征、气候特征）人为原因（主要从两个方面考虑：植被破坏、围湖造田）。例如，长江洪灾的原因：（一）自然原因： 1.水系特征：（1）流域广，支流多；（2）中上游植被破坏严重，含沙量增大；（3）中下游多为平原，河道弯曲，水流缓慢，水流不畅。

2010年数字集成电路设计期中考试_中国科技大学

中国科学技术大学苏州研究院软件学院数字集成电路设计期中考试 (2010年10月11日2:00pm—3:30pm) 1.问答题 a)叙述摩尔定律（5分）。 b)叙述评价数字集成电路设计质量的四个基本特性（6分）。 c)叙述长沟MOS晶体管与短沟MOS晶体管的区别(6分）。 d)MOS管的电容由哪几部分构成?并说出在不同工作模式下的区别(8分）。 e)以反相器为例,说出静态CMOS电路的功耗包括哪几部分(6分）？ f)数字集成电路按比例缩小有几种情形（6分）? g)下面的两种电路哪个性能(速度)更优越一些?并说出原因(5分）。 h)下面的电路哪个是无比逻辑,哪个是有比逻辑?并说出有比逻辑与无比逻辑的区别(5分）。 2．下图为一RC网络。计算： a)从输入In到Out1的Elmore延时（5分）;b)从输入In到Out2的Elmore延时（5分）;c)确定哪条路径是关键路径（3分）?

3.假设下图中反相器由标准CMOS实现,并且具有对称的电压传输特性。假设 C intrinsic = C gate (γ=1),单位尺寸反相器的等效电阻与电容为R和C。单位尺寸反相器的本征延时为t inv。反相器inv2, inv3和inv4的尺寸S1，S2和S3不小于1。 a)确定S1，S2和S3使时延最小（5分），并计算总的最小时延（以t inv为单位）（5分）。 b)确定反相器inv2, inv3和inv4的尺寸S1，S2和S3使功耗达到最小（4分）。4．如下图所示的逻辑网络，要求确定复合门电容y和z使A端到B端延时最小。 a)计算A端到B端总的逻辑努力LE（3分）;b)计算A端到B端总的电气努力F （2分）;c)计算A端到B端总的分支努力B (3分）;d)计算A端到B端总的路径努力PE (2分）;e)确定最佳级努力SE (3分）(近似为整数);f)确定A端到B端的最小时延（以t inv为单位）(3分）;g)确定电容y (5分）;h)确定电容z (5分）。

《马原》大学期末考试必背知识点汇总

最新《马原》大学期末考试必背知识点汇总第一章马克思主义是关于无产阶级和人类解放的科学 1、《共产党宣言》的发表，标志着马克思主义的公开问世 2、马克思主义产生的社会根源（或经济、社会历史条件）是资本主义经济的发展 3、马克思、恩格斯完成了从唯心主义同唯物义、从革命民主主义向共产主义的转变，为创立马克思主义奠定思想前提 4、在马克思主义创立过程中，第一次比较系统地阐述了历史唯物主义基本原理的着作是《德意志意识形态》 5、在马克思主义的经典着作中，被誉为“工人阶级的圣经”的着作是《资本论》 6、马克思主义经济理论的基石是剩余价值理论 7、世界上第一个无产阶级政党是共产主义者同盟 8、马克思主义理论区别于其他理论的显着特征是实践性第二章世界的物质性及发展规律 9、唯物主义与唯心主义的对立和斗争中交织着辩证法与形而上学的对立和斗争 10、全部哲学，特别是近代哲学的重大的基本问题，是思维和存在的关系问题；唯物主义和唯心主义这两个专门的哲学术语有着特定的含义和确定的标准，不能随意乱用，也不能另立标准，否则会造成混乱。这里所说的特定含义和确定标准是指对世界本原究竟是物质还是精神的回答；存在和思维是否具有同一性，是哲学基本问题的第二方面的内容，对这个问题的不同回答，是划分可知论和不可知论的标准， 11、唯物主义一元论同唯心主义一元论对立的根本点在于世界本原问题 12、物质的唯一特性是客观实在性，“客观实在”是指存在于人的意识之外，不以人的意志为转移 13、相信“意念移物”，甚至相信可以用意念来直接改变物质结构，就是信奉主张精神主宰客观物质世界的主观唯心论 14、“心诚则灵，心不诚则不灵”的说法是夸大了意识能动作用的唯心主义观点 15、哲学物质概念与自然科学关于具体的物质形态和物质结构的概念之间共性与个性的关系（不是整体和部分的关系、系统与要素的关系） 16、列宁对辩证唯物主义物质范畴的定义是通过物质与意识的关系界定的 17、物质和意识的对立只有在非常有限的范围内才有绝对的意义，超过这个范围便是相对的了，这个范围是指物质和意识何者为第一性 18、对同一张事物的不同看法都是客观事物的主观映象 19、意识是客观世界的主观映象，这说明意识是客观精神的主观映象 20、“思想实验”体现了意识活动的创造性 21、运动是物质的存在方式和根本属性 22、“寒路神麦正当时”说明一切事物都处在永恒的运动、变化和发展之中 23、物质决定意识，意识对物质具有反作用。这种反作用也就是意识的能动作用，即人特有的积极认识世界和改造世界的能力和活动。 24、运动是物质的根本属性，是物质的存在方式 25、运动是物质的存在方式和根本属性，物质是运动着的物质，脱离运动的物质是不存在的 26、柏格森所说的运动变化不是指任何具体的事物的运动变化，而只是纯粹的“动作”，是没有物质承担者的运动

5大规模数字集成电路习题解答

自我检测题 1．在存储器结构中，什么是“字”什么是“字长”，如何表示存储器的容量解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。字的位数称为字长。习惯上用总的位数来表示存储器的容量，一个具有n字、每字m位的存储器，其容量一般可表示为n ×m位。 2．试述RAM和ROM的区别。解：RAM称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。但是掉电后数据丢失。 ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据，内部信息通常在制造过程或使用前写入， 3．试述SRAM和DRAM的区别。解：SRAM通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写入就能够稳定地保持下去。动态存储器则是以电容为存储单元，利用对电容器的充放电来存储信息，例如电容器含有电荷表示状态1，无电荷表示状态0。根据DRAM的机理，电容内部的电荷需要维持在一定的水平才能保证内部信息的正确性。因此，DRAM在使用时需要定时地进行信息刷新，不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。 4．与SRAM相比，闪烁存储器有何主要优点解：容量大，掉电后数据不会丢失。 5．用ROM实现两个4位二进制数相乘，试问：该ROM需要有多少根地址线多少根数据线其存储容量为多少解：8根地址线，8根数据线。其容量为256×8。 6．简答以下问题：（1）CPLD和FPGA有什么不同 FPGA可以达到比 CPLD更高的集成度，同时也具有更复杂的布线结构和逻辑实现。FPGA 更适合于触发器丰富的结构，而 CPLD更适合于触发器有限而积项丰富的结构。在编程上 FPGA比 CPLD具有更大的灵活性；CPLD功耗要比 FPGA大；且集成度越高越明显；CPLD比 FPGA有较高的速度和较大的时间可预测性，产品可以给出引脚到引脚的最大延迟时间。CPLD的编程工艺采用 E2 CPLD的编程工艺，无需外部存储器芯片，使用简单，保密性好。而基于 SRAM编程的FPGA,其编程信息需存放在外部存储器上，需外部存储器芯片 ,且使用方法复杂，保密性差。（2）写出三家CPLD/FPGA生产商名字。 Altera，lattice，xilinx，actel 7．真值表如表所示，如从存储器的角度去理解，AB应看为地址，F0F1F2F3应看为数据。表

知识问答题库

知识问答题库题库一 1、网络用语中，用哪两个相同的字母称呼男孩子？GG 2、通常衣服上会用哪个字母表示“小号”的衣服？S 3、“京巴”“泰迪”都是哪一种动物的种类名称？狗 4、罗马数字中的“Ⅶ”代表哪个阿拉伯数字？7 5、中国少年先锋队的制度中三道杠的负责人称为大队长，两道杠的负责人称之为什么？中队长 6、在旧人教版英语课文的文本中有一对来自美国的可爱双胞胎姐妹，她们分别是lucy 和谁？Lily 7、歌词“吹个泡泡你还没到，真希望天突然下冰雹”是出自梁咏琪的哪首歌曲？《口香糖》 8、歌词“我的小时候吵闹任性的时候，我的外婆总会唱歌哄我”出自孙燕姿演唱的哪首歌曲？《天黑黑》 9、清朝同治皇帝即位后出现的“两宫皇太后垂帘听政”现象是指的哪两位皇太后？慈禧、慈安 10、公车上书是哪位皇帝在位期间康有为发起的联名上书运动？光绪 11、2006年正式宣布退役，现任中国女子乒乓球队教练的是哪位著名运动员？孔令辉 12、2012年伦敦奥运会上为男子自由体操摘得冠军也获得了其个人第五枚奥运金牌的是哪位运动员？邹凯 13、断手足、去眼、烷耳、饮暗药是源自吕后用来对付戚夫人的哪一种酷刑？人彘 14、哪一位丞相建议秦始皇“焚书坑儒”？李斯 15、《红处方》是哪位著名女作家的代表作？毕淑敏 16、美国作家鲍姆创作的多萝西的历险故事，有“美国的《西游记》”之称的是哪本书？《绿野仙踪》 17、生活中我们常喝的铝制听装饮料又俗称为什么罐？易拉罐 18、我国企业对所售商品实行的“三包政策”指的是“包修”、“包换”和什么？包退 19、1912年元旦，孙中山在江苏省哪个城市就认中华民国临时大总统宣告中华民国成立？南京

测量学考试重点---林学版

一：简答题 1、测量学的主要任务和野外测量的主要工作内容？测量学的主要任务：测定（测图）、测设（施工放样）、用图（地形图识别与应用）野外测量的主要工作内容：高程测量、角度测量、具体测量、坐标测量 2、什么叫度盘配置？配置度盘：水平方向观测时，要让各个测回的读数均匀的分配在度盘和测微器的不同位置上具体来说，就是每测回开始测量前手动讲仪器至于某个特定的角度。 3、如何利用光学对中器进行经纬仪的快速安置方法？ 1)安置三脚架，连接经纬仪 2)固定三脚架一脚，双手持脚架另二脚并不断调整其位置，同时观测光学对点器十字分划，使其基本对准测站标志，踩实脚架； 3)调节脚螺旋，使光学对点器精确对准测站标志； 4)伸缩三脚架(二脚)，调平仪器，使圆气泡居中； 5)轻微调节脚螺旋，使管水准气泡在两个垂直方向上都居中，使仪器精确水平。 6)观察光学对中器，若对中符合要求，则安置结束，若发生偏离，则可在架头上平移仪器，使之精确对中，然后再精确整平。后面几步工作有时需要反复进行，直到同时满足对中与整平要求为止。 4、如何实现经纬仪的对中整平？ 1)架好三脚架，连接好仪器，调节光学对中器，使分划板上的中心标志与测站点都能清晰可见，挪动或平移架腿，使得光学对中器的中心标志精确对准测站点，然后固定架腿位置。 2)通过升降架腿来粗平仪器，使圆水准气泡居中。然后利用长水准器精平仪器。旋转脚螺旋，使得管气泡在两个垂直方向上气泡均居中. 3)观察光学对中器，若测站点偏离中心，则可松开中心连接螺旋，在架头上轻移仪器，将光学对中器的中心标志对准测站点，然后拧紧连接螺旋。再次利用长水准器按上述方法精平仪器，使管气泡居中，完成仪器安置。 5、什么叫等高线，等高线距，等高线平距。等高线基本特征。等高线：地面上高程相等的各相邻点所连成的闭合曲线。