芯片品名规则,命名标准

GaAs LED 芯片命名规则

◆ GaAs LED芯片名称包括三安品牌、芯片尺寸、大波段代码、电极材料、芯片厚

度代码、起始主波长、光强等级、正向电压范围。如下示例：

◆ 附表1. GaAs光强代码对照表(单位：mcd)

代码A0 A1A2 A3 A4A5B0B1B2B3 B4 B5

光强10 15 20 25 30 35 40 50 60 70 80 90 代码C0 C1C2 C3 C4D0D1D2D3D4 ……

光强100 110120 130140160180200220240 ……

*7mil、8mil产品以IVavg值标识，9mil、12mil、14mil产品以IVmin标识

◆附表2. 大波段代码对照表(单位：nm)

颜色黄绿色黄色

代码G3 G1 G2 G4 Y3 Y1 Y2 Y4 波段565-569 569-573 573-576576-580580-587585-590587-594 590-597

颜色橙色红色

代码O3 O1 O2 R3 R1 R2 R4 R5 波段595-602 600-607 605-612610-620620-627625-632630-640 640-650

*详细参数请对照芯片规格书

◆附表3. 波长跨度代码对照表(单位：nm)

代码 A B C D E F G H …

光强 1 2 3 4 5 6 7 8 …

GaN LED 芯片命名规则

◆ GaN LED芯片名称包括三安品牌、芯片尺寸、大波段代码、电极材料、芯片厚

度代码、起始主波长、光强等级、正向电压范围。如下示例：

◆ 附表1. 光强代码对照表(单位：mcd)

代码 C D E F G 光强30 – 40 40 – 50 50 – 70 70 – 100 100 – 130

代码H I J K L 光强130 – 160 160 – 200 200 – 240 240 – 300 300 – 360

*详细参数请对照芯片规格书

◆附表2. 波长跨度代码对照表(单位：nm)

代码 A B C D E F G H …

光强 1 2 3 4 5 6 7 8 …

中华人民共和国国家标准

中华人民共和国国家标准 201×7强碱性苯乙烯系阴离子交换树脂 GB 13660-92 201×7Strongly basic styrene type anion eschange resins 国家技术督司1992-09-01批准1993-07-01实施 1 主题内容与适用范围 本标准规定了201×7强碱性苯乙烯系阴离子交换树脂的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存的要求。 本标准适用于粒径为0.315～1.25mm、以季胺基为主要活性基团的201×7 强碱性苯乙烯系阴离子交换树脂。 2 引用标准 GB 1631 离子交换树脂产品分类命名及型号 GB 5475 离子交换树脂取样方法 GB 5476 离子交换树脂预处理方法 GB 5757 离子交换树脂含水量测定方法 GB 5758 离子交换树脂粒度分布测定方法 GB 8330 离子交换树脂湿真密度测定方法 GB 8331 离子交换树脂湿视密度测定方法 GB 11992 氯型强碱性阴离子交换树脂交换容量测定方法 GB/T 12598 离子交换树脂强度测定方法渗磨法 GB 11991 离子交换树脂转型膨胀率测定方法 3 产品型号和主要用途 201×7强碱性苯乙烯系阴离子交换树脂的型号按GB1631编制。该产品主要用于制备纯水和提炼放射性元素等。 4 技术要求 4.1 外观：淡黄至金黄色球状颗粒。 4.2 出厂型式：氯型。 4.3 理化性能：理化性能应符合表中规定的各项技术指标。

5 试验方法 5.1 外观的测定 目测。 5.2 试样预处理 采用GB 5476中规定的方法进行预处理。 5.3 含水量的测定 采用GB 5757中规定的方法进行测定。 5.4 质量全交换容量、体积全交换容量、中性盐分解容量的测定 5.4.1 质量全交换容量和中性盐分解容量的测定，采用GB 11992中规定的方法进 行。 5.4.2 体积全交换容量按式(1)计算： Q Q X v w =-ρ()1 (1) 式中 Q v ——体积全交换容量，mmol/mL ； Q w ——质量全交换容量，mmol/g ； ρ——湿视密度，g/mL ； X ——含水量，%。 5.5 湿视密度的测定 采用GB 8331中规定的方法进行测定。 5.6 湿真密度的测定 采用GB 8330中规定的方法进行测定。 5.7 粒度的测定 用孔径为0.315mm 和1.25mm 的筛子，采用GB 5758中规定的方法筛分后，按 式 (2)和式(3)计算： P V V V V 10120 100%=--? (2) P V V 210 100%=? (3)

芯片命名规则

MAXIM命名规则 AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护 MAXIM数字排列分类 1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关 4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准 7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器 三字母后缀： 例如：MAX358CPD C = 温度范围 P = 封装类型 D = 管脚数 温度范围： C = 0℃ 至70℃（商业级） I = -20℃ 至+85℃ （工业级） E = -40℃ 至+85℃ （扩展工业级） A = -40℃ 至+85℃ （航空级） M = -55℃ 至+125℃ （军品级） 封装类型： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插

文后参考文献著录规则(GB-T_7714-2005)-国家标准

中华人民共和国国家标准 文后参考文献著录规则（GB/T 7714-2005） 顺序编码制文后参考文献著录格式示例 参考文献是对期刊论文引文进行统计和分析的重要信息源之一，在本规范中采用GB 7714推荐的顺序编码制格式著录。 参考文献著录项目： ①主要责任者(专著作者、论文集主编、学位申报人、专利申请人、报告撰写人、期刊文章作者、析出文章作者)。多个责任者之间以“，”分隔，注意在本项数据中不得出现缩写点“.”（英文作者请将作者名写全）。主要责任者只列姓名，其后不加“著”、“编”、“主编”、“合编”等责任说明。 ②文献题名及版本(初版省略)。 ③文献类型及载体类型标识。 ④出版项(出版地、出版者、出版年)。 ⑤文献出处或电子文献的可获得地址。 ⑥文献起止页码。 ⑦文献标准编号(标准号、专利号……)。 参考文献类型及其标识 根据GB 3469规定，以单字母方式标识以下各种参考文献类型： 参考文献类型 专著M 论文集 C 报纸文章N 期刊文章J 学位论文 D 报告R 标准S 专利P 文献类型标识 对于专著、论文集中的析出文献，其文献类型标识建议采用单字母“A”；对于其他未说明的文献类型，建议采用单字母“Z”。 对于数据库(database)、计算机程序(computer program)及电子公告(electronic bulletin board)等电子文献类型的参考文献，建议以下列双字母作为标识： 电子参考文献类型 数据库DB 计算机程序CP 电子公告EB 电子文献类型标识 电子文献的载体类型及其标识 对于非纸张型载体的电子文献，当被引用为参考文献时需在参考文献类型标识中同时标明其载体类型。本规范建议采用双字母表示电子文献载体类型：磁带(magnetic tape)MT，磁盘(disk)DK，光盘(CD-ROM)CD，联机网络(online)OL，并以下列格式表示包括了文献载体类型的参考文献类型标识： ［文献类型标识/载体类型标识］

TI芯片的命名规则

例如： 说明: (A)指产品线代码 产品线代码用于区分不同的产品类型，因TI产品线非常广，故同一代码有可能包含一个或多个产品线又或多种代码表示同一种产品线，如例图所示TLV包含电源管理器、运算放大器、数据转换器、比较器、音频转换器等系列产品；SN74LVC为74系列逻辑电路，因工作电平、电压、速度、功耗不同又分为74HC、74LS、74LV、74AHC、74ABT、74AS等系列。 (B)指基本型号 基本型号(也称为基础型号)用于区分不同的产品类型，与封装、温度及其它参数无关。 (C)指为产品等级 产品等级表示产品工作温度，为可选项。 C=商业级，工作温度范围为0°C至+70°C I或Q=工业级，因产品不同其所表示的工作温度范围也不同，一般为-40°C至+85°C、-40°C至+125°C 未标识等级代码，因产品不同其所表示的工作温度范围也不同，一般为-40°C~+85°C，-55°C~+100°C 等。 (D)指产品封装 产品封装代码以1-3位数的英文代码表示（BB产品线中存在超过3位数的代码符号），详细封装信息请对照“封装代码对照表”。 (E)指产品包装方式 产品包装代码为可选项，TI通用器件中包装方式代码标识为R表示以塑料卷装方式包装，未标识则表示为塑料管装方式包装。 (F)指绿色标记转换：G4 绿色标记的转换：从2004 年6 月1 日开始，当TI 器件/封装组合转换成“环保”复合成型材料时，TI 将把无铅(Pb) 涂层类别中的"e" 更改为"G"。例如，在实施环保复合成型材料之前，TI 采用NiPdAu 涂层所制造器件的无铅(Pb) 涂层类别为"e4"。实施后，该无铅(Pb) 涂层类别将更改为"G4"。（在无铅(Pb) 涂层类别中将"e" 替换成"G" 目前还不属于JEDEC 标准的一部分，但会对TI 产品实施这一步。） (G)指产品版本 无规律，详见产品规格书。 BGA CUS, GDH, GDJ, GDP, GDQ, GDU, GDW, GDY, GEA, GFM, GFN, GFS, GFT, GFU, GFV, GFW, GFX, GGC, GGD, GGE, GGH, GGN, GGP, GGQ, GGR, GGS, GHQ, GJQ, GJY, GJZ, GKN, GKP, GKQ, GKZ, GLM, GLW, GND, GNH, GNP, GNT, GPG, GPV, GVM, GWM, SAE, ZAJ, ZAK, ZAL, ZAY, ZBD, ZCF, ZCH, ZCJ, ZDB, ZDH, ZDJ, ZDL, ZDP, ZDQ, ZDR, ZDT, ZDU, ZDW, ZDY, ZEA, ZED, ZEL, ZEN, ZER, ZEW, ZFE, ZJZ, ZKB, ZND, ZPV, ZVA, ZWD, ZWF, ZWG, ZWL, ZWM, ZWQ, ZXF, ZXN, ZXQ BBGA MICROSTAR GFZ, GGB, GGF, GGM, GGT, GGU, GGV, GGW, GHA, GHB, GHC, GHG,

芯片封装命名规则

芯片封装之多少与命名规则 芯片封装之多少与命名规则 一、DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。 DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 三、PGA插针网格阵列封装 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。

芯片命名规则

IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识：

国家标准命名规则

国内标准命名细则? 1.完整的标准命名应包括四部分：组织代号+标准号+年代号+标准名称。 2.组织代号与标准号之间应间隔一个空格，标准号与年代号之间应间隔一个“-”，年代号与标准名称之间应间隔一个空格。? 3.推荐性标准（GB/T）和指导性标准（GB/Z）应命名为“GB-T”，“GB-Z”。? 4.年代号应用四位数字表示。? 5.空格全部使用半角空格（通常情况下，输入半角空格需要把中文输入法关掉）。 6.所有的“-”为半角（半角：通常的情况下，需要把中文输入法关掉），就是大键盘上的0和＝之间的那个键。? 7.如果标准名称中有“：”“；”“－”“――”等等（括号除外）都用一个“半角空格”代替。 8.若标准名称中含有“（）”“、”“，”的，保留“（）”“、”“，”。? 9.原标准名称中本身含有空格的（不论多少）均用一个“半角空格”代替。?? 例：GB/T??煤炭质量分级?第2部分:硫分? 应命名为：GB-T??煤炭质量分级?第2部分?硫分

障人体健康、人身、财产安全的标准和法律及行政法规规定强制执行的国家标准；推荐性国标是指生产、检验、使用等方面，通过经济手段或市场调节而自愿采用的国家标准。但推荐性国标一经接受并采用，或各方商定同意纳入经济合同中，就成为各方必须共同遵守的技术依据，具有法律上的约束性。[1] 《中华人民共和国标准化法》将中国标准分为国家标准、行业标准、地方标准(DB)、企业标准(Q/)四级。截至2003年底，中国共有国家标准20906项（不包括工程建设标准）国际标准由国际标准化组织（ISO）理事会审查，ISO理事会接纳国际标准并由中央秘书处颁布； 国家标准在中国由国务院标准化行政主管部门制定， 行业标准由国务院有关行政主管部门制定， 企业生产的产品没有国家标准和行业标准的，应当制定企业标准，作为组织生产的依据，并报有关部门备案。 法律对标准的制定另有规定，依照法律的规定执行。 制定标准应当有利于合理利用国家资源，推广科学技术成果，提高经济效益，保障安全和人民身体健康，保护消费者的利益，保护环境，有利于产品的通用互换及标准的协调配套等。 中国标准按内容划分有基础标准（一般包括名词术语、符号、代号、机械制图、公差与配合等）、产品标准、辅助产品标准（工具、模具、量具、夹具等）、原材料标准、方法标准（包括工艺要求、过程、要素、工艺说明等）；按成熟程度划分有法定标准、推荐标准、试行标准、标准草案。 截至2003年底，中国共有国家标准20906项（不包括工程建设标准）。中国的国家标准主要由中国标准出版社出版。工程建设国家标准的发布主要由中华人民共和国住房和城乡建设部发布。 一份国标通常有封面、前言、正文三部分组成。 标准号：标准号至少由标准的代号、编号、发布年代三部分组成。 标准状态：自标准实施之日起，至标准复审重新确认、修订或废止的时间，称为标准的有效期；又称标龄。 归口单位：实际上就是指按国家赋予该部门的权利和承担的责任、各司其责，按特定的管理渠道对标准实施管理。 替代情况：替代情况在标准文献里就是新的标准替代原来的旧标准。即在新标准发布即日起，原替代的旧标准作废。另外有种情况是某项标准废止了，而没有新的标准替代的。 实施日期：标准实施日期是有关行政部门对标准批准发布后生效的时间。 提出单位：指提出建议实行某条标准的部门。 起草单位：负责编写某项标准的部门。[2] 按对象分类

标准件国标号和命名规则STANDARD PARTS (中英对照)

标准件常识 STANDARD PARTS IN COMMON BY:John.CJ 标记含义CODE MEANING □□ □□/□ □□□□-□□□□ M□□×□□ □□ 等级GRADE 公称长度NOMINAL LENGTH 公称直径NOMINAL DIAMETER 米制METRIC 发布年份YEAR OF ISSUE 发布顺序号RELEASE ORDER NO. 推荐RECOMMENDATION 标准类别STANDARD CATEGORY 零件类别PARTS TYPE 注：标记时，根据需要可能仅列出部分内容。 NOTE: When marking, only parts of the content may be listed according to need. E.G 螺栓GB/T 5781-2000 M12×50 C级 BOLT GB/T 5781-2000 M12×50 C GRADE 螺栓GB/T 5781 M12×50 BOLT GB/T 5781 M12×50

NOTES Hexagon bolts with wire holes on head-grade A Hexagon head bolts with fine pitch thread-Full

Slotted countersunk flat head screws(common 和有

Hexagon thin nuts (chamfered) with fine pitch Prevailing torque type all-metal hexagon nuts,

Atmel改变命名规则的芯片型号对照表

A t m e l改变命名规则的芯 片型号对照表 Prepared on 21 November 2021

ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMELATMLU702 DIP ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP ATMEL ATMLU706DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DIP ATMELATMLU708 DIP ATMEL ATMLU709 DIP ATMEL ATMLU710 DIP ATMEL ATMLU711 DIP ATMEL ATMLU712 DIP ATMEL ATMLU713 DIP ATMEL ATMLU714 DIP ATMELATMLU715 DIP ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP ATMEL ATMLU718 DIP ATMEL ATMLU719 DIP AT24C256BN-SH-T ATMEL ATMLU720 DIP AT24C256B-PU ATMEL ATMLU721 DIP AT24C256N-10SI18 ATMEL ATMLU722 DIP

ATMEL ATMLU723 DIP ATMEL ATMLU724 DIP AT24C32CN-SH-T ATMEL ATMLU725DIP ATMEL ATMLU726 DIP AT24C512BN-SH25-B ATMEL ATMLU727 DIP AT24C512BN-SH-B ATMELATMLU728 DIP AT24C512B-PU25 ATMELATMLU729 DIP ATMEL ATMLU730 DIP ATMEL ATMLU731 DIP ATMELATMLU732 DIP AT24C64CN-SH-B ATMELATMLU733 DIP AT24C64CN-SH-T ATMEL ATMLU734 DIP ATMEL ATMLU735 DIP ATMEL ATMLU736 DIP AT25DF041A-SH-B ATMEL ATMLU737DIP ATMEL ATMLU738 DIP ATMEL ATMLU739DIP AT26DF081A-SSU-SL965 ATMEL ATMLU740 DIP AT26DF081A-SU-SL965 ATMEL ATMLU741 DIP AT26DF161-SUATMEL ATMLU742DIP AT26DF321-SU ATMEL ATMLU743DIP AT27BV256-70JU ATMELATMLU744 DIP AT27C010-70PUATMEL ATMLU745 DIP

51单片机命名规则知识分享

51单片机命名规则

51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则 本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成， 它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。 下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含 Flash存储器，C表示为 CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载 Flash存储器。

在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。 后缀中的第一个参数 X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。 X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。 X＝24，表示速度为24 MHz。 后缀中的第二个参数 X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。 X＝Q，表示 PQFP封装。’ X＝J，表示 PLCC封装。 X＝A，表示 TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插 DIP封装。 X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示 SOIC封装。 后缀中第三个参数 X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十 70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十 85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十 125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十 150℃。 后缀中第四个参数 X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用 MIL—STD—883标准。 例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是 ATMEL公司的Flash单片机，内部是 CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封 DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。 国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式 ,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀： MAXIM公司产品代号 2．产品字母后缀： 三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数 四字母后缀： B=指标等级或附带功能； C=温度范围； P=封装类型； I=管脚数 3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电 4 ．温度范围： C= 0℃ 至70℃（商业级） I =-20℃ 至+85℃（工业级） E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55?至+125℃（军品级） 5．封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC B CERQUA D R 窄体陶瓷双列直插封装 C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100 E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封 P 塑 料 / W 晶圆 6．管脚数量： A:8 J:32 K:5，6 8 S:4，80

B:10，64 L:4 0 T:6，160 C:12，192 M:7，4 8 U:60 D:14 N:1 8 V:8（圆形） E:16 O:4 2 W:10（圆形） F:22，256 P:2 0 X:36 G:24 Q:2，10 0 Y:8（圆形） H:44 R:3，8 4 Z:10（圆形） I:28 AD 常用产品型号命名 单块和混合集成电路 XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 1．前缀： AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号 3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V 4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）： I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃ 5．封装形式： D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体Y 单列直插

国标线缆的命名和编号方法

国标线缆的命名和编号方法 1 电缆型号的组成： 分类代号绝缘护套派生--特性阻抗--芯线绝缘外径--结构序号 例如：S F T --50--3 S：分类代号 F：绝缘 T：护套 50：特性阻抗 3：芯线绝缘外径 2 字母代号及其意义： 分类代号绝缘护套派生 符号意义 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意 义 S 同轴射频电 缆 Y 聚乙烯V 聚氯乙烯P 屏 蔽 SG 高压射频电 缆F 氟塑料Y 聚乙烯Z 综 合式 ST 特种射频电 缆D 稳定聚乙烯空 气绝缘 F 氟塑料 SL 漏泄同轴射 频电缆 U 聚四氟乙烯R 辐照聚乙烯 SC 耦合器同轴 射频电缆 R 辐照聚乙烯J 聚氨脂 SM 水密、浮力 电缆YF 发泡聚乙烯半 空气 T 铜管 SW 稳相电缆YK 纵孔聚乙烯半 空气B 玻璃丝编织 浸有机硅漆 YD 垫片小管聚乙烯半空气 FC F4打孔（微孔）半空气 YW 物理发泡聚乙烯半空气

电线ZBN-BV表示什么意思？ ZBN表示电缆有除耐火功能外还具有阻燃特性 BV聚氯乙烯绝缘电缆 WD：无卤低烟，指绝缘、保护层材料在火焰中燃烧产生的有毒烟雾在要求的数值以下，用于较大公共场合（如大型商场）配电； BYJ 是交联聚乙烯绝缘的电线 WDZDN----无卤、低烟、阻燃（D级？）、耐火，电力电缆WDZB-YJV-3*70 E35---无卤低烟B级阻燃（电力电缆），3*70 1*35 通常，E35的E表示“接地线”，但你给的是4芯电缆，E35这根芯就是PEN了。补充：1、电力电缆中，该类标注含义相同2、KVV-4*2.5 E2.5是控制电缆，理论上没有火、零、地之分，之区分线号，所以，控制电缆只采用N*S的标注方法3、“黄绿”色标在电气中就是【接地线】的含义，不矛盾，但实际电缆不一定真用黄绿色线皮，也可以在线皮上打上PE标志，如5芯电缆分别打标L1、L2、L3、N、PE，分别表示相线1、2、3和零线、地线 电线电缆专业基础知识 第1章、电线电缆分类 ? 电气装备电缆?电力电缆?架空线?通讯电缆?漆包线（绕组线）?光织光缆 第２章、电线电缆的各种标准 －国际标准—国内标准——企业标准 国际标准： IEC 国际电工委员会标准 UL 美国保险商实验所标 准MIL-C-17G美国单用标准 JIS日本工业标准 DIN德国工业标 准 BS英国国家标准IEEE 美国电气及电子工程师协会标准AS 澳洲标准 第3章、电线电缆的构造:导体、绝缘、屏蔽、内被、隔离、填充、外被、隔离网 3．1导体概述 目前常用的金属导体有金、银、铜等，考虑到导体的价格和导电性能，最常用的为铜导体。导电系数以铜为标准(100%)，各导体比重和导电常数分别是：①金Au 19.3(g/cm3) 70.8%、不氧化、价格昂贵②银Ag 10.5(g/cm3) 109%导电性最优、价格昂贵、③铜Cu、8.89(g/cm3)100%导电性次优、价格普及④钢(铁)Fe、7.86(g/cm3)17.8%导电性不良、抗张好⑤铝 Al2.7(g/cm3)61.2%质量轻

Atmel改变命名规则的芯片型号对照表

ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMEL ATMLU702 DIP AT24C02B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP AT24C04-10PU-2.7 ATMEL ATMLU706 DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DI P AT24C04N-10SU-2.7 ATMEL ATMLU708 DIP AT24C08A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU709 DIP AT24C08A-10TU-2.7 ATMEL ATMLU710 DIP AT24C08AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU711 DIP AT24C128-10PU-2.7 ATMEL ATMLU712 DIP AT24C128N-10SU-2.7-SL383 ATMEL ATMLU713 DIP AT24C16A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU714 DIP AT24C16A-10TI-1.8 ATMEL ATMLU715 DIP AT24C16AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP AT24C256B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU718 DIP AT24C256BN-10SU-1.8 ATMEL ATMLU719 DIP

【标准】实验动物国家标准

实验动物国家标准 实验动物哺乳类实验动物的遗传质量控制 GB14923-2001 1 范围 本标准规定了哺乳类实验动物的遗传分类及命名原则、繁殖交配方法和近交系动物的遗传质量标准。 本标准适用于哺乳类实验动物的遗传分类、命名、繁殖及近交系小鼠、大鼠的遗传纯度检测。 2 实验动物的遗传分类及命名 根据遗传特点的不同，实验动物分为近交系、封闭群和杂交群。 2.1 近交系 inbred strain 2.1.1 定义 近交系：经至少连续20代的全同胞兄妹交配培育而成，品系内所有个体都可追溯到起源于第20代或以后代数的一对共同祖先。 经连续20代以上亲代与子代交配与全同胞兄妹交配有等同效果。 近交系的近交系数(inbreeding coefficient)应大于99％。 2.1.2 命名 近交系一般以大写英文字母命名，亦可以用大写英文字母加阿拉伯数字命名，符号应尽量简短。如A系、TAl系等。 2.1.3 近交代数 近交系的近交代数用大写英文字母F表示。例如当一个近交系的近交代数为87代时，写成(F87)。 2.1.4 亚系 substrain 2.1.4.1 亚系的形成 近交系的亚系分化是指一个近交系内各个分支的动物之间，已经发现或十分

可能存在遗传差异。通常下述三种情况会发生亚系分化。 a)在兄妹交配代数达40代以前形成的分支(即分支发生于F20到F40之间)； b)一个分支与其他分支分开繁殖超过100代； c)已发现一个分支与其他分支存在遗传差异。产生这种差异的原因可能是残留杂合、突变或遗传污染(genetic contamination)(即一个近交系与非本品系动物之间杂交引起遗传改变)。由于遗传污染形成的亚系，通常与原品系之间遗传差异较大，因此对这样形成的亚系应重新命名。例如由GLaxo保持的A近交系在发生遗传污染后，重新命名为A2G。 2.1.4.2 亚系的命名 亚系的命名方法是在原品系的名称后加一道斜线，斜线后标明亚系的符号。 亚系的符号可以是以下三种: a）数字，如DBA/1、DBA/2等。 b）培育或产生亚系的单位或人的缩写英文名称，第一个字母用大写，以后的字母用小写。使用缩写英文名称应注意不要和已公布过的名称重复。例如：A/He，表示A近交系的Heston亚系；CBA/J，表示由美国杰克逊研究所保持的CBA近交系的亚系。 C）当一个保持者保持的一个近交系具有两个以上的亚系时，可在数字后再加保持者的缩写英文名称来表示亚系。如:C57BL/6J，C57BL/10J分别表示由美国杰克逊研究所保持的C57BL近交系的两个亚系。 d）作为以上命名方法的例外情况是一些建立及命名较早，并为人们所熟知的近交系，亚系名称可用小写英文字母表示，如BALB/c、C57BR/cd等。 2.1.5 重组近交系（recombinant inbred strain）和重组同类系（recombinant congenic strain） 2.1.5.1 定义 a）重组近交系（RI）:由两个近交系杂交后，经连续20代以上兄妹交配育成的近交系。 b）重组同类系（RC）；由两个近交系杂交后，子代与两个亲代近交系中一个

芯片封装与命名规则

芯片封装与命名规则(转)2006-9-16 23:50:00 1 已推 一.DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP 封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二.QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装PQFP（Plastic Quad F lat Package） 封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 三.PGA插针网格阵列封装 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足P GA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利

国外IC芯片命名规则

MAXIM专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀：MAXIM公司产品代号 2．产品字母后缀： 三字母后缀：C=温度范围；P=封装类型；E=管脚数 四字母后缀：B=指标等级或附带功能；C=温度范围；P=封装类型；I=管脚数 3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电 4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级） I =-20℃至+85℃（工业级） E =-40℃至+85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55℃至+125℃（军品级） 5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil) C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100 E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封 P 塑封双列直插/ W 晶圆 6．管脚数量： A:8 J:32 K:5，68 S:4，80 B:10，64 L:40 T:6，160 C:12，192 M:7，48 U:60 D:14 N:18 V:8（圆形） E:16 O:42 W:10（圆形） F:22，256 P:20 X:36 G:24 Q:2，100 Y:8（圆形） H:44 R:3，84 Z:10（圆形） I:28

中华人民共和国国家标准

GB 中华人民共和国国家标准 GB/T13727－200X 代替GB/T13727－92 天然矿泉水资源地质勘查评价规范 Regulations of Geological Investigation and Evaluation on Natural Mineral Water Resources （初稿） 中华人民共和国质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布 200X－XX－XX发布200X－XX－XX实施

目次 前言 (Ⅱ) 1 范围 (1) 2 规范性引用文件 (1) 3 术语和定义 (1) 3.1 饮用天然矿泉水资源 (1) 3.2 理疗天然矿泉水资源 (1) 4 技术要求 (1) 4.1 地质——水文地质调查 (2) 4.2 水文地质钻探与试验 (2) 4.3 样品测试 (2) 4.4 动态观测 (3) 4.5 水质评价 (3) 5 允许开采量计算与评价 (3) 5.1 允许开采量计算 (3) 5.2 允许开采量评价 (3) 6 矿泉水水源地保护 (3) 6.1 水源地保护区划分 (3) 6.2 各级水源地保护区的防护 (3) 7 勘查评价报告编写要求 (4)

前言 本标准代替GB/T 13727－92《天然矿泉水地质勘探规范》 本标准自实施之日起，同时代替GB/T 13727－92。 本标准首次发布于1992年，2008年第一次修订。 本标准与GB/T 13727－92相比，主要变化如下： ——名称修改为《天然矿泉水资源地质勘查评价规范》； ——修订完善了天然矿泉水资源定义； ——简化了天然涌出泉和单井采水水源地的勘查评价技术要求； ——强调水源地防护和开发后的动态监测； ——修订了理疗天然矿泉水资源水质标准。 本标准由国土资源部提出。 本标准由国土资源部地质环境管理司、全国国土资源标准化委员会归口。 本标准起草单位：中国地质环境监测院、中国地质科学院水文地质环境地质研究所、中国矿业联合会天然矿泉水专业委员会。 本标准主要起草人：田廷山、安可士、梁静、穆丽霞、廖雷、王贵玲、董颖。 本标准由国土资源部地质环境管理司负责解释。