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应用电子技术专升本试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案

试卷一专升本试卷及其参考答案

试卷一（总分150分）

（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）

一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。）

1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）

a. 增加

b. 不变

c. 减小

d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）

a. 处于放大区域

b. 处于饱和区域

c. 处于截止区域

d. 已损坏

图2

3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（）

a. 10k Ω

b. 2k Ω

c. 1k Ω

d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定

图4

5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（）

a.L

m R g ' b.s m L

m 1R g R g +'-

C.L m R g '- d.m L /g R '-

图5

6. 图5中电路的输入电阻R i 为（）

a. R g +(R g1//R g2)

b. R g //(R g1+R g2)

c. R g //R g1//R g2

[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S

7. 直流负反馈是指（） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V

图9

10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（）

a. 10mV

b. 20mV

c. 70mV

d. 140mV

图10

二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。把答案填在题中横线上。） 11．当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β ，反向饱和电流I CBO ，I B 不变时，发射结正向电压V BE 。

12．某放大电路的对数幅频特性如图12所示。由图可知，该电路的中频电压增益Vm A = 倍。上限截止频率f H = Hz ，下限截止频率f L = Hz 。

图12

13．在图12中，当信号频率恰好为f H 或f L 时，实际电压增益为 dB 。

14．串联负反馈只有在信号源内阻时，其反馈效果才显著，并联负反馈只有在信号源内阻时，其反馈效果才显著。

15．设输入信号为I v ，在反相比例运算电路中，运放两个输入端的共模信号≈IC v 与同相比例运算电路相比，反相输入例运算电路的输入电阻。

16．图16中各电路的交流反馈类型和极性（反馈组态）分别为：图（a ）为反馈，图（b ）为反馈，图（c ）为反馈。

图16

17．试决定下列情况应选用的滤波器类型。当有用信号频率低于500Hz 时，宜选用滤波器；当希望抑制50Hz 交流电源的干扰时，宜选用滤波器；当希望抑制1kHz 以下的信号时，宜选用滤波器。

三、分析计算题（本大题共9个小题，共74分） 18．（本题满分10分）图18所示电路

中，100=β，V BE =0.6V ，r bb’=100Ω,试求：

（1）静态工作点；

（2）中频段的i o /V V A V

=；

（3）输入电阻R i 及输出电阻R o ；

（4）中频段的s o /V V A VS

图18

19．（本题满分9分）

两级放大电路如图19所示.设两个三极管的。、r 、r 、be be 已知2121ββ (1)指出T 1和T 2各属何种组态 (2)画出中频区h 参数小信号等效电路图; (3)写出输入电阻R i 和输出电阻R o 的计算公式;

(4)写出电压增益i o /V V A V =和s o /V V A VS

=的表达式。

图19

20.(本题满分8分) 电路如图20所示 (1)指出电路中级间交流反馈的类型和极性(反馈组态);

(2)设满足深度负反馈条件,试估算电压增益s o /V V A VS

=。

图20

21.(本题满分7分)

电路如图21所示.设A 1~A 3为理想运放,υi 为正弦波,其周期T =lms,当t =0时，

υo3为

0V ，

试定性画出υ01. υ02. υ03的波形(只需画一个周期)

图21

22.(本题满分9分)

设图22所示电路中，A 1、A 2、A 3均为理想运放。 (1) A 1、A 2、A 3分别组成何种基本运算电路； (2)列出υo1、υo2、υo3的表达式.

图22

23.(本题满分8分)

图23所示电路中，T 1、T 2特性对称，A 为理想运放。 (1) 判断级间反馈类型和极性（反馈组态）；

(2)设满足深度负反馈条件,已知△υ1=500mV,近似估算A V F =△0υ/△1υ和△0υ的值。

图23

24．（本题满分6分）

OCL 功放电路如图24所示，输入电压为正弦波，T 1、T 2的特性完全对称。 (1) 动态时，若出现交越失真，应调整哪个电阻，如何调整？ (2) 设三极管饱和压降约为0V 。若希望在负载Ω=8L R 的喇叭上得到9W 的信号功率输出，则电源电压V CC 值至少应取多少？

图24

25．（本题满分9分）

串联型稳压电路如图25所示，设A 为理想运放，求：（1）流过稳压管的电流I Z =？（2）输出电压V o =？

（3）若将R 3改为Ωk 5.2~0可变电阻，则最小输出电压V omin 及最大输出电压V omax 的值各为多少？

图25 图26

26．（本题满分8分）

正弦波振荡电路如图26所示，A 为理想运放， (1) 请标出A 的同相端“+”和反本端“－”； (2) 若电路起振，估算振荡频率?0=f

(3) 为稳幅的需要，非线性电阻R t ，应具有正温度系数还是负温度系数？

试卷—参考答案

一、选择题

1.a

2.d

3.c

4.b

5.c

6.a

7.c

8.b

9.a 10.b

二、填空题

11.增大，增大，减小 12.100，2×106，20

13.37

14.很小，很大 15.0，I v ，较小

16.电流串联负，电流并联负，电压并联负 17.低通，带阻，高通三、分析计算题

18. (1) V

48.21003333

10b2b1b2CC B =+?=+?≈R R R V V

94.08.12.06

.048.2e F BE B E C =+-=+-=≈R R V V I I

μA

94C

B ≈=

I I

V 3.5594.010)(e R c C CC CE =?--=++-≈R R R I V V

(2) Ω

≈?+=++='k 9.294.026

10110026)1(E b b be I r r β F be L C F be L

o )(1r )//()(1r R R R R R V V A V ββββ++-=++'-== 5

.62.01019.25.1100-≈?+?-=

(3) Ω≈++=k 12])1(//[//F be b2b1i R r R R R β

Ω=≈k 3c o R R (4) 9.4s i i s o VS -≈+?==R R R A V V A V

19.

(1) T 1——共集（射集输出器） T 2——共射

(2) 画出中频区h 参数小信号等效电路如图A19所示。

图A19

(3) )]//////)(1(//[be2b22b211e 1be1b1i r R R R r R R β++=

c2o R R ≈ (4) 21i

o V V V A A V V A ?==

)1()1(e11be1e1

1i o11≈'++'+==R r R V V A V ββ ，

be2b22b21e1e1

//////r R R R R ='

be2L c22o1o 2)//(r R R V V A V β-==

i s i

o R R R A V V A V Vs +== 20.

(1) 电压串联负反馈

(2) 20e1e1f i o F =+≈=R R R V V A V

21. 定性画出o1υ、o2υ、及o3υ的波形如图A21所示。

图A21

22. (1) A 1——同相比例运算电路 A 2——反相求和电路 A 3——差分运算电路(或减法电路) (2) 11o13υυ=

)(1312o2υυυ+-=

)

23(2)(50100131211o1o2o3υυυυυυ++-=-=

23. (1) 电压并联负反馈

(2) V

510F 1o b f 1o F -≈?=?-=-≈??=V V A R R

A v v v v 24. (1) 增大R 2。

(2) 由

L 2cc

2R V p o =

，得V 12V 9822O L CC =??==P R V ，即V CC 至少取12V 。 25. (1)流过稳压管的电流 mA

111028303Z =?-=I

(2)输出电压 V

16V 82823

2o =?=?+=R R R V

(3)当R 3=0时，V omin =8V

当，k 5.23时Ω=R

V 28823

2omax =?+=

R R R V

即V o 的最小值为8V ，最大值为28V 26. (1) 图11.1.16中运放的上端为“+”，下端为“－”。

(2) 电路的振荡频率 HZ

995210≈=RC f π

(3) R t 应具有负温度系数。

数字电子技术试题及答案(题库)

《数字电子技术》试卷姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（）V ，其输出高电平为（）V ，输出低电平为（）V ， CMOS 电路的电源电压为（） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（）根地址线，有（）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（）位。 11. ）；Y 3 ＝（）。

12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（）有效。二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）（在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。

(完整版)专升本《数字电子技术》考试答案

[试题分类]:专升本《数字电子技术》_08051350 [题型]:单选 [分数]:2 1. 设上升沿T触发器的初态为0态，CP、T的波形如图示，则Q的波形是（）。 A. B. C. D. 答案:C 2.下面不是OD门的优点是（）。 A.可以实现线与功能 B.可以用来实现逻辑电平变换 C.带负载能力强,常作驱动器使用 D.输入端可以悬空答案:D 3.RS触发器没有的功能是（）。 A.置0功能 B.置1功能 C.翻转功能 D.保持功能答案:C 4.将二进制代码转换成某个特定的信号的电路称为（）。 A.编码器 B.译码器 C.数值比较器

D.计数器答案:B 5.已知AB+C=AB+D ，若C 、D 为任意值，则等式成立的条件是（）。 A.A=1，B=0 B.A=1，B=1 C.A=0，B=1 D.A=0.B=0 答案:B 6. 下图实现的逻辑表达式是（）。 A.F=A+ B+ A B.F=ABC C.F=AB+ BC+ AC D. 答案:C 7.下列各电路中,不属于时序逻辑电路的是（）。 A.移位寄存器 B.数值比较器 C.二进制计数器 D.同步计数器答案:B 8. 下图是某计数器的状态转换图,正确的说法是（）。 F A B C =⊕⊕

A.M=1时为六进制计数器 B.M=0时为三进制计数器 C.M=0时六进制计数器 D.M=1时为三进制计数器、M=0时为六进制计数器答案:C 9.逻辑函数的最简与或表达式是（）。 A. B.Y=A C.Y=B D. 答案:B 10.对于TTL 门电路，正常工作情况下，下面4种说法中正确的是（）。 A.当输出端为低电平时,电流从门电路输出端流出。 B.无论输出端为高、低电平,电流都从门电路输出端流入。 C.当输出端为高电平时,电流从门电路输出端流出。 D.无论输出端为高、低电平,门电路输出端都没有电流。答案:C 11. 图示三极管电路中,当输入电平为0.3V 时,三极管的工作状态为（）。 A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态 D.不确定答案:A 12. Y AB AC ABC ACD =+++Y B =Y C =

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题一、填空题 1．在N 型半导体中，是多数载流子，是少数载流子。 2．电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。（a ）（b ）图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在状态；VD 2工作在状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为极，2为极，3为极，晶体管为型（PNP 或NPN ），所用材料为（硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较的输入电阻和较的输出电阻。 7．在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生失真；乙类功率放大电路的缺点是存在失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位（填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位。 9．射极输出器具有输入电阻和输出电阻的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入负反馈；为提高输入电阻，应引入负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入负反馈；由集成运 I O

放构成线性放大电路时，应引入反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于区，图（b ）所示的集成运放工作于区。图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的值约为（）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

电工电子技术试题及答案..

电工电子技术试题一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上，它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒，角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压，倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U

电子技术考题大全及答案(完整版)

习题【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。（c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载

应用电子技术专升本试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'-

C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（） a. R g +(R g1R g R g [R g +(R g1直流负反馈是指（） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（） a. － b. －5V c. － d. －图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10 二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。把答案填在题中横线上。） 11．当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β ，反向饱和电流I CBO ，I B 不变时，发射结正向电压V BE 。

电子技术试题及答案(

资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。只供学习与交流资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。只供学习与交流

专升本《模拟电子技术》考试答案

[ 试题分类 ]: 专升本《模拟电子技术》 _08001250 [ 题型 ]: 单选 [ 分数 ]:2 1. 理想的功率放大电路应工作于 ( ) 状态。 A. 丙类互补 B. 甲类互补 C. 乙类互补 D. 甲乙类互补答案 :D 2. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 ( ) 。 A. 不易制作大阻值的电阻 B. 不易制作大容量电容 C. 放大交流信号 D .便于设计答案 :B 3. 当有用信号的频率介于 1500Hz 与 2000Hz 之间时，应采用的最佳滤波电路是 ( ) A. 高通 B. 低通 C. 带阻 D. 带通答案 :D B. P 区自由电子向 C. P 区自由电子向 D. N 区自由电子向答案 :D 5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的 ( ) A. 差模输入电阻增大 B .差模放大倍数数值增大 4.半导体中PN 结的形成主要是由于( )生产的 A. N 区自由电子向 P 区的漂移运动 N 区的漂移运动 N 区的扩散运动 P 区的扩散运动

C.差模输岀电阻增大 D .抑制共模信号能力增强答案:D 6. NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。 A. 放大区 B. 截止区 C. 击穿区 D. 饱和区答案:B 7. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置, 则此管的工作状态为( ) 。 A. 饱和状态 B. 截止状态 C .微导通状态 D. 放大状态答案:A 8. 差动放大电路的特点是抑制( ) 信号，放大( ) 信号。 A. 差模差模 B. 共模共模 C. 差模共模 D. 共模差模答案:D 9. 稳压二极管的有效工作区是( ) 。 A. 反向截止区 B. 正向导通区 C. 反向击穿区 D. 死区答案:C 10. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( ) 。 A. 晶体管参数受温度影响 B .晶体管参数的分散性 C.电阻阻值有误差

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

专升本《模拟电子技术》-试卷复习资料

专升本《模拟电子技术》一、（共61题,共150分） 1. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。此时耗尽层 ( )。（2分） A.大于变宽。 B.小于变窄。 C.等于不变。 D.大于变窄。 .标准答案：D 2. 场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管（）。（2分） A.多子少子大。 B.多子两种载流子小。 C.少子多子小。 D.多子多子差不多。 .标准答案：B 3. 图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因是:（）。（2分） A.交流信号不能输入。 B.没有交流信号输出。 C.没有合适的静态工作点。 D.发射结和集电结的偏置不正确。 .标准答案：B 4. 当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz，可采用（）的方式实现。（2分） A.高通滤波器 B.带阻滤波器 C.带通滤波器 D.低通滤波器 .标准答案：D 5. NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。（2分） A.由两种不同材料的硅和锗制成。 B.掺入的杂质元素不同。 C.P区和N区的位置不同。 D.载流子的浓度不同。 .标准答案：C 6. 某NPN 型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？（）（2分） A.U 1=3.5V，U 2 =2.8V， U 3 =12V。 B.U 1 =3V，U 2 =2.8V， U 3 =12V。 C.U 1 =6V，U 2 =11.3V，U 3 =12V。 D.U 1 =6V，U 2 =11.8V，U 3 =12V。 .标准答案：A 7. 图示的电路中，稳压管的反向击穿电压分别为6V和7V，正向导通电压均为 0.6V，则输出电压为：（）。（2分） A.6V B.7V C.6.6V D.5.4V .标准答案：D 8. 如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：（）。（2分） A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b 。 B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b 。 C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b 。 D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b 。 .标准答案：A 9. 下列电路中能正常放大的是：( )。（2分） A. B.

专升本《模拟电子技术》

一、单选（共20题,每题2分,共40分） 1.当半导体的温度升高后由于,以致其导电性能大幅度增强。() A.空穴数量增多 B.自由电子与空穴数量不变 C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同 D.自由电子数量增多 2.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。() A.U AO＝-6V，D1反偏截止D2正偏导通 B.U AO＝-6V，D1正偏导通D2反偏截止 C.U AO＝-12V，D1正偏导通D2反偏截止 D.U AO＝-12V，D1反偏截止D2正偏导通 3.当稳压型二极管工作在其伏安特性的时,其用途与普通二极管相当。（） A.反向区 B.死区 C.正向导通区 D.反向击穿区 4.如图所示的电路，以下结论正确的是。（） A.电路能实现复合管的作用，且=1+2。 B.电路能实现复合管的作用，且=12 C.电路不能实现复合管的作用 D.电路能实现复合管的作用，且1=2 5.下列电路中有可能正常放大的是：。() A. B.

C. D. 6.图示的电路中，稳压管Dz1和Dz2的反向击穿电压分别为6V 和7V ，正向导通电压均为0.6V ，则输出电压为：。（） A.7V B.6.6V C.5.4V D.6V 7.硅锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。() A.0.4V B.0.1V C.0.7V D.0.3V 8.共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。() A.反相 B.不确定，需要通过实际计算才得到 C.同相 D.相差90 9.场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管。（） A.多子--多子--差不多 B.多子--少子--大 C.少子--多子--小 D.多子--两种载流子--小 10.如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：。（）

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。

电子技术试题及答案

电子技术基础参考答案 1、电子电路中的信号可以分为两类，一类是在时间和幅度上都是连续的信号，称为模拟信号；另一类在时间和幅度上都是离散的信号，称为_数字信号（脉冲信号）_______。 2、晶体二极管具有单向导电特性。 3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，它具有_热敏性，杂敏性，光敏性等特殊性质，利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。 4、共集电极放大电路又称射极输出器，它的电压放大倍数接近于1，输出信号与输入信号同相，输入电阻大，输出电阻小。 5、若在放大电路中引入电压串联负反馈，则可以稳定输出电压，并使输入电阻增大。 6、单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现截止失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。 8、逻辑函数的表示方法通常有四种，分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。

9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。 10、当变量A、B、C分别为1、0、0时，(A+B+C)AB=O。 11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平，接地，与其他引脚连在一起。 12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时，应注意任何时刻只能有一个门电路处于工作态。 13、在组合逻辑电路中，当输入信号改变状态时，输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为竞争冒险。 14、将数字信号转换为模拟信号，应选用D/A转换器。 15、A/D转换的过程可分为采样、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是分辨率和转换速度。 17、能完成两个一位二进制数相加，并考虑到低位进位的器件称为全加器。 18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫数据分配器 19、OC门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。 20、TTL非门的灌电流负载发生在输出低电平情况下，负载电流越大，则输出电平越高。二、选择题

专升本电子技术基础试卷A

电子技术基础注意事项： 1?请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、准考证号、身份证号和报考专业。2?请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。 3.不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。 4.满分150分，考试时间为150分钟。一、选择题（共44分，每小题2分）请选择正确答案填入相应的横线空白处。选错、不选均无分。 1. 本征半导体是指 ______ 的半导体。 A. 化学成分纯净 B.化学成分参杂三价元素 C.化学成分参杂五价元素 D.以上都是 2. N型半导体中 _是多数载流子， _______ 是少数载流子，但半导体呈中性。 A .少数空穴； B.电子 C.空穴 D.多数电子 3?场效应晶体管是用______ 制漏极电流的。 A .栅极电流 B.栅漏电压 C.漏源电压 D.栅源电压 4.对于一个理想二极管，当施加正向电压时，其内部PN结的耗尽层变_ A .变宽B.变窄 C.不变D.消失 5 .三极管处于放大状态的条件是_____________ 。

A.发射极反偏，集电极正偏 B.发射区杂质浓度小 C.基区宽，杂质浓度低 D.发射极正偏，集电极反偏 6. ________________________ 场效应管是。 A. 栅控器件 B.电流控制器件 C.电压控制器件 D.源控器件 7. 电流源电路的特点是____________ 。 A. 直流电阻大，交流电阻小 B. 直流电阻小，交流电阻大 C. 直流电阻小，交流电阻小 D. 直流电阻大，交流电阻大 8. 处于平衡态的PN结内的载流子____________ 。 A不运动B匀速运动C无规则运动D加速运动 9. 以下哪一种耦合方式经常用在集成运算放大电路中_____________ 。 A阻容耦合B直接耦合C变压器耦合D混合耦合 10. 集成运算放大电路输入级一般采用________________ 。 A、差分放大电路 B、共射电路 C、互补对称电路 D、共基极电路 11. 差模信号是指在两个输入端加上 ______________ 的信号。 A.幅度相等，极性相反 B.幅度相等，极性相同 C.幅度不等，极性相反 D.幅度不等，极性相同 12. 对于增强型MOS管当中的N型管，其特点是 ___________ 。 A. VGS> 0 VDS> 0 开启电压VT V 0 B. VGS>0 VDS v 0 开启电压VT>0

专升本电子技术基础试卷B

电子技术基础注意事项： 1. 请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、准考证号、身份证号和报考专业。 2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。 3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。 4. 满分150分，考试时间为150分钟。一、选择题（本大题共34分，每小题2分）请选择正确答案填入相应的横线空白处。选错、不选均无分。 1．硅二极管的导通电压为。 A、0.7V B、0.1V C、0.3V D、0.4V 2．稳压管工作在状态 A．正向导通 B.反向截上 C.饱和导通 D.反向击穿 3. 共射放大电路的主要特点是。 A.电压放大倍数小于1 B.输出电压与输入电压相位相同 C.电压放大倍数和电流放大倍数均大于1 D.输入电阻和输出电阻小 4. 三种基本放大电路中电压放大倍数近似等于1的是。 A．共基极放大电路 B.共集电极放大电路 C．共发射极放大电路 D.无法确定 5、处于平衡态的PN结内的载流子。 A．不运动 B.匀速运动 C.无规则运动 D.加速运动6. 对于反向偏置的PN结，在外加电场增大时，空间电荷区会。 A．变宽 B.变窄 C.不变 D.有时变宽有时不变

7．集成运放电路采用直接耦合方式是因为。 A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻 8. 当一个NPN三极管工作于放大状态时，其三个电极的偏置电压满足关系式。 A．V B>V E ；V B>V C B. V C>V B>V E C. V B

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