电子技术复习题及参考答案
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案
电子技术
一、填空题：
1.在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2.晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5.已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈。
8.为了稳定放大倍数，应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈；深度负反馈的条件是。
10.为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态。
14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，
比较放大电路由组成。
图1
15.在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是
整流电路。
16.直流电源由、、和四部分组成。
17.串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19.NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真；乙类功放电路的主要
缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22.存储器按功能不同可分为存储器和存储器；
23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25.某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26.将Intel2114(1K*4位)RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是，需要增加的地
址线是条。
27.RAM的扩展可分为、扩展两种。
28.按照逻辑功能，触发器可以分为、、、T和T’触发器。
29.若将JK触发器转换成T触发器，则令。
30.JK触发器的特性方程为；D触发器的特性方程为。
31.触发器按动作特点可分为型、型、型和型。
32.TTL门电路输出高电平为 V，阈值电压为 V。
33.CMOS 门电路输出高电平为 V ，阈值电压为 V 。 34.某n 位D/A 转换器的分辨率为 。
35.ADC 和DAC 最重要的两个性能指标是： 和 。 36.4位DAC 的最大输出电压为5V ，当输入数据为0101时，它的输出电压为 V 。
37.对8位D/A 转换器，若V V REF 10=，当输入数字量为10000000时，输出电压为 V 。 38.四选一数据选择器的数据线有 根，地址线有 根。 39.若有n 个逻辑变量，则可以得出 种不同取值的组合。
40.若3位二进制减法计数器正常工作时，由000状态开始计，则经过15个输入计数脉冲后，其状态变为 。
41.GAL 是 可编程，EPROM 是 可编程。
42.单稳态触发器的主要用途是 。 43.已知 Y A B C D =+，其反函数为 。 44.3-8译码器的输入线有 根，输出线有 根。 45.如图2所示，A=0时，Y= ；A=1，B=0时，Y= ；
46.如图3所示为TTL 的TSL 门电路，EN=0时，Y 为 ，EN=1时，Y= 。
图3
47.y AB AC =+，Y 的最简与或式为 ；
48.单稳态触发器有 个稳定状态.，多谐振荡器有 个稳定状态。
二、单项选择题：
1.N 型半导体是在本征半导体中加入以下哪种物质形成的。 [ ]
A.电子
B.空穴
C.三价硼元素
D.五价磷元素
2.晶体管工作于放大状态时，下列哪种说话正确。 [ ] A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结反偏 D.发射结反偏、集电结正偏
3.测得工作在放大状态的三极管三个电极电位U 1=3.5V 、U 2=2.8V 、U 3=12V ，则可以断定该管为[ ] A.PNP 型Ge 管 B.PNP 型Si 管 C.NPN 型Ge 管 D.NPN 型Si 管
4.工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么
它的β约为 [ ] A. 83 B. 91 C. 100
5.U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 [ ] A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管
6.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 [ ] A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定
7.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 [ ] A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻
8.Z ABC A C BC =++的最简与或式为 [ ] A.Z C = B.Z BC A C BC =++
C.Z ABC A C BC =++
D.1Z =
9.与Z A B C =++ 相等的表达式为 [ ] A.C B A Z ??= B.C B A Z ??=
C.C B A Z ??=
D.C B A Z ++=
10.一个TTL 同或门（输入端为A 、B ）当作反相器使用，则A 、B 端应 [ ]
①A 或B 中有一个接1 ②A 或B 中有一个接0 ③A 和B 并联使用
11.直流稳压电源中整流电路的目的是 [ ]
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉
12.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 [ ]
A.便于设计
B.放大交流信号
C.不易制作大容量电容
13.对于放大电路，所谓开环是指 [ ]
A.无信号源
B.无反馈通路
C.无电源
D.无负载
14.对于放大电路，所谓闭环是指 [ ]
A.考虑信号源内阻
B.存在反馈通路
C.接入电源
D.接入负载
15.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负
载上可能获得的最大 [ ] A.交流功率 B ．直流功率 C ．平均功率
16.Z A B C =++的反函数为 [ ]
A.C B A Z ??=
B.C B A Z ??=
C.C B A Z ++=
D.C B A Z ++=
17.图4电路中能够实现Y AB =的电路为 [ ]
① ② ③ ④
图4
18.逻辑符号如图5所示，当输入 A=0 ，输入B 为方波时，则输出F 应为 [ ]
A.“1”
B.“0”
C.方波
"0"
≥1
A
F
B
图5
19.逻辑图和输入A ，B 的波形如图6所示，分析在t 1时刻输出F 为 [ ]
A.“1”
B.“0”
C.任意
t 1
=1
A
F
B
A
B
图6
三、判断题：
1.在P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N 型半导体。 [ ]
2.阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。 [ ]
3.直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。 [ ]
4.只要是共射放大电路，输出电压的顶部失真都是截止失真。 [ ]
5.连续异或2009个“1”的结果仍然是“1”； [ ]
6.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用； [ ]
7.互补输出级应采用共集或共漏接法。 [ ]
8.在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。 [ ]
9.EPROM 是与阵列可编程。 [ ] 10.时序逻辑电路的输出只与当时的输入状态有关。 [ ] 11.电路中各电量的直流成份是直流电源提供的。 [ ] 12.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压
放大倍数等于 10000。 [ ] 13.凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。 [ ] 14.GAL 是与阵列可编程。 [ ] 15.时序逻辑电路的输出只与当时的输入状态有关。 [ ] 16.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。 [ ] 17.若放大电路的放大倍数为正，则引入的反馈一定是正反馈。 [ ] 18.组合逻辑电路的输出只与当时的输入状态有关。 [ ]
四、简答题：
1.判断图7所示电路的反馈极性与反馈组态。
图7
2．（1）为使电路产生正弦波振荡，标出图8所示集成运放
的“＋”和“－”；并说明电路是哪种正弦波振荡电路；
（2）若R1断路，则电路将产生什么现象？
图
图8
3.求解图9所示电路R W的下限值及振荡频率的调节范围。
图9
4.试分析图10示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由(设图中所有电容对交流信号均可视为短
路）
图10
5.测得放大电路中两只晶体管的直流电位如图11示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗
管。
图11
6.知电路如图12，T1和T2管的饱和管压降│U CES│＝3V，V CC＝15V，
R L＝8Ω。最大输出功率P OM，并指出D1和D2管的作用。
图12
7.电路如图13，变压器副边电压有效值为2U2。画出u2、u O的波形，求出U O（A V）。
图13
8.分别判断图14所示各电路是否满足正弦波振荡的相位条件，不能的进行改进。
图14
9.指出图15所示电路的名称，画出电压传输特性。
图15
10.用卡诺图化简逻辑函数 A B0
给定约束条件为
=+++⊕=
Y A B C A B C D A B C D ABC
11.写出图16所示TTL电路输出逻辑表达式。
图16
12.写出图17所示的CMOS电路输出信号的逻辑表达式。
图17
13.图18 CMOS门电路中，写出Q 的表达式，并画出对应A、B、C的Q波形。
图18
14.分析图19电路，写出输出Z的逻辑函数式。74LS151为8选1数据选择器。
图19
15.试分析图20的计数器在M=1和M=0时各为几进制。
图20
16.已知JK 触发器输入端J 、K 和CP 的电压波形如图21所示画出Q 端对应的电压波形（Q 的初态为0）。
图21
五、综合题：
1.已知图22所示电路中晶体管的β ＝100，r be =1k Ω。 （1）现已测得静态管压降U CEQ ＝6V ，估算R b 约为多少千欧；
（2）若测得i
U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载 电阻R L 为多少千欧？
（3）若用万用表测量U CE =11V ，问输出波形将产生什么失真？
图22
2.电路如图23所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。
（1）求出Q 点；
（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u
A 和r i ； （3）求出r o 。
图23
3.在图24所示电路中，已知u I1＝4V，u I2＝1V。回答下列问题：
（1）当开关S闭合时，分别求解A、B、C、D和u O的电位；
（2）设t＝0时S打开，问经过多长时间u O＝0？
图24
4.试求图25所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
图25
5.电路如图27所示。
（1）分别说明A1和A2各构成哪种基本电路；
（2）求出u O1与u O的关系曲线u O1＝f（u O）；
（3）求出u O与u O1的运算关系式u O＝f（u O1）；
（4）定性画出u O1与u O的波形；
（5）说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变。
图27
6.集成4位二进制加法计数器74161的连接图如图25所示，试分析电路的功能。要求：
（1）列出状态转换表；
（2）检验自启动能力；
（3）试画出图28在CP脉冲作用下Q1,Q2,Y对应的电压波形。(设触发器的初态为0,画6个完整的CP脉冲的波形)
图27 图28
7.由四位并行进位全加器74LS283构成图29所示：
（1）当A=0,X3X2X1X0=0011,Y3Y2Y1Y0=0100求Z3Z2Z1Z0=?,W=?
（2）当A=1,X3X2X1X0=1001,Y3Y2Y1Y0=0101求Z3Z2Z1Z0=?,W=?
（3）指出电路的功能；
（4）试用74LS161设计一计数器完成图30所示计数循环。
图29 图30
8.由同步十进制加法计数器74LS160构成一数字系统如图31所示，假设计数器的初态为0，测得组合逻辑
电路的真值表如下所示：
图31
（1）画出74LS160的状态转换图；
（2）画出整个数字系统的时序图；
（3）如果用同步四位二进制加法计数器74LS161代替74LS160，试画出其电路图（要求采用置数法）；
（4）试用一片二进制译码器74LS138辅助与非门实现该组合逻辑电路功能。
9.用555定时器和同步四位二进制加法计数器74LS161构成的逻辑电路如图32所示。
（1）指出555组成什么功能的电路；
（2）指出161组成什么功能的电路，画出状态转换图；
（3）用74LS290的R01、R02端设计一个六进制电路。
图32
10.电路如图33所示，其中RA=RB=10kΩ,C=0.1μf，试问：
（1）在U k为高电平期间，由555定时器构成的是什么电路，其输出U0的频率f0=?
（2）分析由JK触发器FF1、FF2、FF3构成的计数器电路，要求：写出驱动方程和状态方程，画出完整的状态转换图；
（3）设Q3、Q2、Q1的初态为000，U k所加正脉冲的宽度为T w=6/f0，脉冲过后Q3、Q2、Q1将保持在哪个状态？
图33
11.图34电路中，CB555为555定时器，74LS194为四位双向移位寄存器，74LS160为十进制加法计数
器
（1）CB555构成什么功能电路？
（2）当74LS194的状态为0001，画出74LS160的状态转换图，说明它是几进制计数器;
（3）已知74LS194工作在循环右移状态，当它的状态为0001，画出74LS194的状态转换图.
图34
12.试分析如图35所示的组合逻辑电路
（1）写出输出逻辑表达式；
（2）化为最简与或式；
（3）列出真值表；
（4）说明逻辑功能。
图35
参考答案
一、填空题：
1.P ； N
2.反； 反
3.反向击穿
4.带阻
5.带通
6.低通
7.静态
8.动态
9.电流； 11>>+F A
10.串联 11.电压 12.负反馈 13.开环； 正反馈 （两空答案可互换） 14.T 1； R 1、R 2、R 3； R 和D Z ； T 2组成的放大电路 15.半波 16.变压；整流；滤波；稳压 （四空答案可互换）
17.取样电路；基准稳压；比较放大；调整管（四空答案可互换） 18.积分 19.截止； 交越
20.同相； 反相 21.1=F A
；)(2为正整数n n π?= 22.只读； 随机存取 （两空答案可互换） 23.静态； 动态 （两空答案可互换） 24.地址译码； 存储矩阵； 输出控制（三空答案可互换） 25.13 26.8； 3
27.字；位（两空答案可互换） 28. RS ；JK ； D （三空答案可互换） 29.J=K=T 30. D K J Q Q Q Q n n
n
n =+=++1
1
; 31.基本型； 电平型； 主从型； 边沿型（四空答案可互换） 32.1.4V ； 3.4V 33.V V DD
DD
2
1; 34.
1
1
2
-n
35.精度；速度（两空答案可互换）
36.1.67V 37.-1.25V 38.4；2 39.2n 40.001 41.与；或
42.延时和整形 43.CD B A Y +?= 44.3；8 45.0；1 46.高阻；A 47.B A C A +? 48．1； 0 二、单项选择题：
1.C
2.A
3.D
4.C
5.C
6.C
7.A
8.A
9.C 10.② 11.A 12.C 13.B 14.B 15.A 16.C 17.④ 18.C 19.A
三、判断题：
1. ×
2. ×
3. √
4. ×
5.√
6. ×
7. √
8. ×
9. √ 10. × 11. √ 12. × 13. × 14. √ 15. × 16. × 17. × 18. √ 四、简答题： 1．电流串联负反馈
2．（1）下（+）上（-）； RC 正弦波振荡 （2）不能起振 3．（1）根据起振条件：
22'
W '
W f ＞，＞R R R R +k Ω。
故R W 的下限值为2k Ω。
（2）振荡频率的最大值和最小值分别为：
Hz
145)(π 21
kHz
6.1π 21
21min 01max 0≈+=
≈=
C
R R f C
R f
4.（a ）不能；因为输入信号被V B B 短路。 （b ）能。
5.
Ge 管（2分）
Si 管
6．P O M =9W
D 1和D 2管的作用：消除交越失真 ） 7. 9.02O(AV)U U ≈
8. 左图：不满足； 将其中1个同名端交换
右图：满足 ； 9. 名称：滞回比较器 电压传输特性如图：
10.填对卡诺图
C A Y +=
11．C C B A Y =⊕??=0 12． 13. 表达式
波形：
14．D A B C D A B C D A B C A B C D A B C D A B C Y ???+???+???+??+???+???= 15．M=1：为6进制 M=0：为8进制 16.
E B AE L +=
五、综合题： 1.（1）求R b ：
k 565 μA 20
mA 2BQ
BEQ
CC b CQ
BQ
c CEQ
CC CQ Ω≈-=
===-=
I U V R I I R U V I β
（2）求R L ：
k 5.1 111
k 1 100L L
c 'L be
'
L i
o Ω==+Ω=-=-=-=R R R R r
R A U U A u
u
β
（3）输出波形将产生截止失真 2．（1）求Q 点：
V
17.7mA
61.2)1(A
μ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ e
b BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=
R I V U I I R R U V I ββ
（2）求输入电阻和电压放大倍数：
R L ＝∞时：
996
.0)1()1(k 110])1([e
be e
e be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R u
βββ ∥
R L ＝3k Ω时：
992
.0)
)(1()
)(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R r u
∥∥∥∥βββ
（3）求输出电阻： Ω≈++=371be
b s e o β
r R R R r ∥∥
3.（1）U A ＝7V ，U B ＝4V ，U C ＝1V ，U D ＝－2V ，u O ＝2 U D ＝－4V 。 （2）因为 u O ＝2u D －u O 3
而 2 u D ＝－4V ，
所以 u O 3＝－4V 时，u O 才为零。即
mS 6.284
7101050116
3A 1O3≈-=????-=??-
=-t t t u C R u 4.在图示各电路中，集成运放的同相输入端和反相输入端所接总电阻均相等。各电路的运算关系式分析如下：
（a ）13I2I1I33
f I22f I11f O 522u u u u R R
u R R u R R u +--=?+?-?-
= （b ）13I2I1I33
f I22f I11f O 1010u u u u R R
u R R u R R u ++-=?+?+?-
= （c ）)( 8)(I1I2I1I21
f
O u u u u R R u -=-=
5.（1）A 1：滞回比较器；
A 2：积分运算电路。 （2）根据0)(2
1
N1O O1O 212O1211P1==+=?++?+=
u u u u R R R u R R R u ，可得
V 8T ±=±U
u O1与u O 的关系曲线如下图（a ）所示。
（3）u O 与u O1的运算关系式
)
()(2000 )(11O 12O11O O14O 2
1
t u t t u t u dt u C R u t t +--=+-
=?
（4）u O1与u O 的波形如上图（b ）所示。
（5）要提高振荡频率，可以减小R 4、C 、R 1或增大R 2。）
6．（1）状态转换图：
（2）可以自启动； （3）波形：
7．（1）A ＝0时： Z ＝X ＋Y ＝0111；
W ＝Co ＝0；
（2）A ＝1时：1++=Y X Z ＝0100；
0==Co W ；
（3）电路功能为有符号数求和运算。 （4）如图所示：
8．（1）状态转换图
（2）
（3）
（4）
9．（1）多谐振荡器（2）六进制计数器
（3）
10．（1）多谐振荡器 f 0=476Hz ；
（2）驱动方程与状态方程
n n n n
n n
Q K Q K Q K Q J Q J Q J 133221233221;
;;
;;======
n
n n n n n n n n n n n
n n n n n Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q 31321332323122121211+==+==+=+++
列出状态转换图：
000->100->110->111->011->001->回到100； （3）Q3Q2Q1=100 11．（1）多谐振荡器；
（2）状态转换图如下：
74LS160构成九进制计数器。 （3）74LS194构成电路的状态转换图
12．（1）逻辑表达式
C
B A AB
C B A AB C B A Y
Y ⊕⊕=+?⊕=+?⊕=2
1)()(
（2）最简与或式
12
()()()ABC ABC ABC ABC AB AC BC AB AB C AB AB C AB AB C ABC AB C A BC ABC
Y Y
=+++=++=+⊕=+++=+?+?+
（3）真值表
（4）逻辑功能为：1位全加器。Y 2为和，Y 1为进位
电子技术基础考试试题及参考答案
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
电子技术基础复习题-直流稳压电源
《电子技术基础》复习题 直流稳压电源 一、单项选择题： 1．在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（）。 (a) 四只(b) 二只 (c) 一只 2．在整流电路中，二极管之所以能整流，是因为它具有（）。 (a) 电流放大特性(b) 单向导电的特性(c) 反向击穿的性能 3．在整流电路中，设整流电流平均值为I ，则流过每只 二极管的电流平均值I I D0 的电路是（）。(a) 单相桥式整流电路 (b) 单相半波整流电路(c) 单相全波整流电路 4．整流电路如图所示，设变压器副边电压有效值为 U 2，输出电流平均值为I O 。二极管承受最高反向电 压为2 2 U，通过二极管的电流平均值为I O且能正常工作的整流电路是下图中（）。
~ ~ ~ u O u O u O i O D 1D 2 () b () a - - - 5．整 流 电 路 如 图 所 示， 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 为U 2， 二 极 管D 所 承 受 的 最 高 反 向 电 压 是 （ ）。 (a) U 2 (b) 22U (c) 222U ～ u O - 6．整 流 电 路 中， 整 流 电 压u O 的 平 均 值 为U 2（U 2 为 变 压 器 副 边 电 压u 2 的 有 效 值）， 符 合 该 值 的 整 流 电 路 是 下 图 中（ ）。
～ ～ ～ ? u O u O D 1 () a (c) + - +- D 2 7．整 流 电 路 如 图 所 示， 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 为10 V ， 则 输 出 电 压 的 平 均 值 U O 是 （ ）。 (a) 9 V (b) V (c) V ～ u O + - 8．设 整 流 变 压 器 副 边 电 压u U t 222=sin ω，欲 使 负 载 上 得 到 图 示 整 流 电 压 的 波 形， 则 需 要 采 用 的 整 流 电 路 是（ ）。 (a) 单 相 桥 式 整 流 电 路 (b) 单 相 全 波 整 流 电 路 (c) 单 相 半 波 整 流 电 路
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题 一、填空 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。 11．稳压管工作在 反向击穿 区。 12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。 16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24．最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体（或MOS ） 场效应管 25．绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26．在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路，在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象称为 零点漂移（或零漂） 。 27． 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28．差动放大电路有两个输入端，在有信号输入时，其输入类型有：共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29．通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30．集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31．理想运放的两个重要特性为： 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32．带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ，与取样对象无关。 33．自激振荡的起振时应满足 AF>1 33．交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34．晶体管作为开关使用，是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ，典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001，对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分，存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。
数字电子技术试题及答案(题库)
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
电子技术基础期末考试考试题及答案
电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门： xxx 时间： xxx 整理范文，仅供参考，可下载自行编辑
触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）
注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000
电子技术基础复习题及答案..
电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低
C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）
电工电子技术试题及答案..
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
电子技术基础试题
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
电子技术复习题及答案
一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器
电子技术考题大全及答案(完整版)
习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
电子技术基础复习题与答案
中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )
数字电子技术复习题及答案
数字电子技术复习题及答案 一、填空题 1、(238)10＝( )2 ＝( EE )16。2＝( )16＝( )10。 2、德?摩根定理表示为 B A +＝( B A ? ) , B A ?＝( B A + )。 3、数字信号只有（ 两 ）种取值，分别表示为（ 0 ）和（ 1 ）。 4、异或门电路的表达式是( B A B A B A +=⊕ )；同或门的表达式是( B A AB B A ?+=⊙ ) 。 5、组成逻辑函数的基本单元是（ 最小项 ）。 6、与最小项C AB 相邻的最小项有( C B A )、( C B A ? ) 和 ( ABC ) 。 7、基本逻辑门有（ 与门 ）、（ 或门 ）和（ 非门 ）三种。复合门有（ 与非门 ）、（ 或非门 ）、（ 与或非门 ） 和（ 异或门 ）等。 8、 9、 10、最简与或式的定义是乘积项的（ 个数最少 ），每个乘积项中相乘的（ 变量个数也最少）的与或表达式。 11、在正逻辑的约定下，“1”表示（ 高电平 ），“0”表示（ 低电平 ）。在负逻辑的约定下，“1”表示（ 低电 平 ），“0”表示（ 高电平 ）。 12、一般TTL 门电路输出端( 不能 )直接相连，实现线与。(填写“能”或“不能”) 13、三态门的三种可能的输出状态是( 高电平 )、( 低电平 )和( 高阻态 )。 14、实现基本和常用逻辑运算的(电子电路)，称为逻辑门电路，简称门电路。 15、在TTL 三态门、OC 门、与非门、异或门和或非门电路中，能实现“线与”逻辑功能的门为（OC 门），能实 现总线连接方式的的门为（三态门）。 16、T TL 与非门的多余输入端不能接（ 低 ）电平。 17、 18、真值表是将输入逻辑变量的（ 所有可能取值 ）与相应的（ 输出变量函数值 ）排列在一起而组成的表格。 19、组合逻辑电路是指任何时刻电路的稳定输出，仅仅只决定于（该时刻各个输入变量的取值）。 20、用文字、符号或者数码表示特定对象的过程叫做（ 编码 ）。把代码的特定含义翻译出来的过程叫（ 译码 ）。 在几个信号同时输入时，只对优先级别最高的进行编码叫做（ 优先编码 ）。 21、两个1位二进制数相加，叫做（半加器）。两个同位的加数和来自低位的进位三者相加，叫做（全加器）。 22、比较两个多位二进制数大小是否相等的逻辑电路，称为(数值比较器)。 23、半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共(阳)极接法和共(阴)极接法。对于共阳接法的发光二极管数
电子技术试题及答案(
资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2
3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。
《电子技术基础》练习题库
《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.
(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性
电路与电子技术复习试题部分答案
一．单项选择题 1. 图示电路中,电流I＝（A ）。 A.–3 A B. 2 A C. 3 A D. 5 A 2. 图示电路中, 电压U＝（D ）。 A. 2 V B. 4 V C. 6 V D. 8 V 3. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. 1/2 A 4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是（D )。 A. U S 。 B. R C. U S和I S D. I S 5. 图示电路中, 电压U＝（A ）。 A. 8 V B. －8 V C. 16 V D. －16 V 6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =（B ）。 A. R1//R2//R3 B. R1//R3 C. (R1+R2)//R3
D. (R1+R3)//R2 7. 图示电路中, 电流I＝（B ）。 A. 5 A B. －5 A C. 1 A D. 2 A 8 . 图示一阶电路中,开关在t＝0时闭合，电容初始电压u C（0+）= ( C )。 A. -5 V B. 10 V C. 5 V D. 20 V 9. 图示电路中, 电压源单独作用时，电流I＝（B ）。 A. 0 A B. 1 A C. －1 A D. 1.5 A 10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. -1 A 11. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. –4A B. 4A C. –2A D. –3A 12. 图示电路中, 电压U＝（C ）。 A. 3 V B. -3 V C. -6 V 。。