NE602 振荡 混频芯片 指南 -中文-简体

振荡/混频器集成电路NE602使用指南

NE602/SA602是Signetics公司生产的通用振荡/混频器单片集成电路，内含双平衡振荡器（DBM）、振荡器和稳压器。其内部框图和封装引线见图1。其中，双平衡混频器的工作频率可达500MHZ，振荡器的振荡频率可达200MHz。因此，最适合用于高频（HF）和甚高频（VHF）接收机、变频器和频率变换器，还可用来构成高频信号发生器的LC 可变频率振荡器（VFO）、晶体振荡器、电调振荡器或扫频振荡器。

目前，NE602已形成系列产品。其中，NE602的工作温度0～＋70℃，SA602的工作温度扩展到-40～＋85℃。最常用的是是8脚小型双列直插式封装的NE602N。

由于NE602采用双平衡混频器并具有振荡器，故用作超外差式接收机的前端电路，不仅使用方便而且具有很好的信噪比和三阶互调指标。在45MHz下的噪声系数典型值为5dB。以匹配输入信号为基准的三阶互调截止点实际可以达到﹣15dBm，虽然推荐的最大信号电平是﹣25dBm（约3.16mW）。此最大电平相当于50Ω电阻上的12.6mV或1.5K Ω电阻（NE602的输入阻抗）上的68mV。NE602在没有外部高频放大的情况下，可以为接收机提供求0.2μV的灵敏度。

图1 NE602内部框图及引线

IC内部的振荡器混频器

NE602的本振由芯片上的一只VHF NPN型晶体管担任。该管的基极接到6脚，发射极接7脚。集电极接内部的缓冲放大器，没有通往外部的引脚。振荡信号经缓冲放大后送到双平衡混频电路。只要外接振荡电路不接到该管集电极，就可以构成各种接法的振荡器。因此NE602可用作考毕兹、克拉泼、哈特莱、巴特勒等振荡器，但不能做皮尔斯和密勒振荡器。

图2是NE602内部的双平衡混频电路。晶体管差分对管T1—T2与T3—T4组成交叉连接的双平衡差分放大器。T5是T1—T2的电流源，T6是T3—T4的电流源。这种接法叫做吉尔伯特跨导单元。交叉耦合的集电极构成推挽输出（4脚和5脚），每个输出端通过1.5KΩ电阻在IC内部接到电源正端。输入也是推挽方式，也是在单元的两半部分之间进行交叉耦合。本振信号通过T1、T3基极注入单元的两半部分。由于双平衡混频电路能有效地抑制奇次谐波分量，故输出信号的主要成分是高频输入信号与本振信号的和频分量和它们之间的差频分量，这正是需要的。其余分量（如输入信号、本振信号、以及二者谐波的和、差分量）均受到不同程度的抑制。因此NE602的输出信号比一般单端混频器更加纯净，这是它能提高接收机性能的关键所在。

图2 NE602的双平衡混频电路

NE602的电源接法

NE602的电源电压范围为＋4.5～＋8V,消耗电流2.4～2.8mA。接8脚的电源正极应通过一只10nF～100nF的瓷片电容旁路到地。该电容的接地点应尽量靠近NE602壳体。3脚的接地线应尽可能短。

图3是NE602电源线的几种接法。其中，图3A是电源电压范围为＋4.5～＋8V时的接法。电源电压最好经过稳压，否则本振频率可能不稳定，会导致接收频率产生漂移。串联在8脚的100～180Ω电阻可以増强旁路电容的退耦效果，但阻值不宜过大，以免加到8脚的电压过低。如果电源电压増到9V，则该电阻可以増大到1～1.5KΩ（见图3B）。

如果电源电压高于9V而且未加稳压（如汽车电源），则建议照图3C，用稳压二极管将NE602的供电电压稳定到6.8V。另一种办法是用三端集成稳压器来为NE602供电，如图3D所示。使用小功率的三端稳压器（如78LXX）即可。这种小功率稳压器可用来专门对NE602供电，接收机的其它电路则由公共电源供电。在这种场合下，可根据情况选用输入电压＋9～＋28V、输出电压为5～8V的三端稳压器。在图3D中，若用78L09为NE602提供9V电源电压，则R1应取1 KΩ。若稳压器输出电压为5～8V（如78L05或78L06）则R1应取100～ 180Ω。

图3 NE602的供电电路

NE602的输入电路

NE602的1、2脚是高频信号的平衡输入端。输入信号通过这两只引脚分别到平衡混频器两个电流源（图2中的T5、T6）的基极。当输入信号频率较低时，NE602的输入阻抗相当于1.5 KΩ电阻与3pF电容的并联值，但在VHF的信号输入时，输入阻抗下降到1 KΩ左右。

NE602的输入电路可以是（不平衡）的，也可以是差动（平衡）的。图4是几种输入电路的连接方法。其中，图4A是电容耦合的不平衡输入方式。输入信号通过C1接到1脚，另一输入端（2脚）则通过C2接地。也可以将2脚接输入电路，1脚通过C2接地。C1、C2对输入信号的容抗应足够低，因此应按照输入信号的频率来决定它们的容量，一般为1nF～100nF。输入信号的电平应低于－25dBm（即1.5KΩ输入电阻上的电压不大于68mV，或峰—峰值电压不超过180mV）。

图4B是采用变压器耦合的输入电路。高频变压器T1的初级接信号源或天线，次级接NE602的1、2脚。利用变压器的初、次级匝比可以将信号源的低阻抗提升到1.5KΩ（NE602的输入阻抗），从而实现输入匹配。变压器的结构可以是普通型的，也可以是绕在磁环上的。与图4A一样，NE602的其中一个输入端应通过低容抗电容接地。

图4C、4D、4E和图5是采用调谐式输入的例子。这些调谐电路的作用有二、一是选出所需高频信号，滤除其它不需要接收的信号；二是使信号源或天线的低阻抗（如50Ω）与NE602的1.5KΩ输入阻抗取得匹配。在图4C中，L1、C1调谐于输入信号频率，阻抗匹配是通过L1抽头来实现的。C2起隔直流作用，C3将其中一个输入端旁路到地。

图4D是输入调谐回路的另一种接法。其构思与前一种电路基本相同，但它是通过电容分压式抽头（C2—C3）来取得匹配。此时，参与调谐的电容Ctune是C1、C2、C3串并联的等效值，即

Ctune＝C1＋（C2C3/C2＋C3）

以上两种调谐式输入电路适用于信号源或天线阻抗低于NE602输入阻抗的场合，图4E的电路则适合于信号源阻抗大于、等于或小于NE602输入阻抗的场合，只需对L1初、次级选取不同的匝比即可。该图表示的是信号源阻抗低于NE602输入阻抗的情况。C1允许使用动片框架需要直接接地的可变电容，安装更加方便。此外，本振回路的可变电容一般也是直接接地的，这样就可以使用一只具有公共地线的双连可变电容来实现接收机的调谐。

图4 NE602的输入电路

图5是采用电压调谐的输入电路，其调谐频率取决于（或部分取决于）加到变容二极管D1两端的电压。与L3构成谐振的总电容量是C1（微调电容）、C2（固定电容）和D1结电容的并联值。C3容量通常选得大于D1结电容的最大值，因此C3对参于调谐的总容量影响不大，D1调谐的频率范围较宽。但在某些情况下，C3的容量选得接近于D1结电容，此时，D1的调谐范围就较小。

变容二极管的反向偏置可变电压（即调谐电压）由分压器R1、R2、R3提供。主调谐电位器R1可使用普通的单圈型，若要提高调谐的分辨率，则最好使用多圈式电位器。R2是微调电位器，起类似于C1的频率微调作用，可以把它装在面板上，用来微调R1选定的频率。

电压调谐电路的电源电压VA必须稳压，否则调谐的频率就会随着电源电压的变化而产生漂移。通常是用一只

小功率三端集成稳压器为NE602和调谐电路供电。但这种供电方法只适用于最高调谐电压低于供电电压的变容二极管。遗憾的是，许多变容二极管需要加上1～37V的反向偏压才能覆盖整个容量变化范围。此时只能输出电压较高的稳压器单独向调谐电路供电。

图5 电压调谐式输入电路

NE602的输出电路

NE602的4、5脚是平衡输出端，它们在IC内部各通过一只1.5kΩ电阻接电源正线（见图2）因此4、5脚的输出阻抗约为1.5kΩ。

图6A、6B、6C是平衡输出的三种接法。其是，图6A是宽带、高阻抗（1.5kΩ）输出方式。两个输出端要各接一只隔直流电容，它们应对工作频率呈现很低的容抗，其容量通常1nF～100nF。

图6B是变压器耦合的平衡输出方式。T1是绕在普通骨架或磁环上的高频变压器。用于直接变频的自差式接收机，T1可使用初、次级阻抗比为1∶1的音频变压器。

NE602用作超外差式接收机的变频器时，应在其输出端连接中频变压器（俗称中周）以选出混频后的和频或差频分量（即中频），并滤掉其它不需要的分量。图6C是这种接法的一般形式。该变压器的初级绕组与并联电容谐振于中频，次级绕组可以是调谐的或不调谐的，信号通过变压器回路选频和阻抗变换后送到中频放大器去进行放大。

由于NE602的4、5脚是平衡输出，故用作单端输出时，输出电路可接其中任一只脚，另一只脚则悬空不用。图6D将谐振回路接在其中一只输出端于电源正极之间，构成单端输出。但由于回路与IC内部的1.5kΩ电阻形成并联，会使回路Q值降低，选择性变差，还会使平衡混频电路失去平衡，故这种接法使用较少。比较好的单端输出电路见图6E。在该电路中，中频谐振回路通过变压器的初级绕组的低阻抗抽头和隔直流电容接到NE602的一个输出端。因此，NE602输出阻抗对回路的阻尼作用大为减少，回路Q值可以作的较高，选择性也就比较好。这种中频变压器有455KHz、465KHz和10.7MHz的成品供应。

图6F是单端调谐输出电路的另一种接法。NE602的一个输出端通过C1接地，但并非旁路到地，因为C1只有120pF。L1与串联电容C1、C2、C3组成中频谐振回路，信号通过电容抽头输出。这样可以使NE602的1.5kΩ输出阻抗与较低的负载（如50Ω负载）取得匹配。

图6G的单端输出电路使用低通滤波网络作为选频元件，可用于外差式信号发生器一类的电路。这种电路将NE602产生的本振信号与加到高频输入端的另一信号进行外差。由于低通滤波网络的截止频率设计在二者的和频与差频之间，因而输出的是差频分量。

在图6H中，中频滤波器FL1有多种类型、多种频率的成品可供选用。早期的高级通信接收机曾经使用机械滤波器作为FL1，其中心频率有260kHz、455kHz和500kHz几种。如今的高级通信接收机大都使用晶体滤波器，常见的中心频率有8.83MHz、9MHz、10.7MHz、455KHz，带宽一般是100Hz～30KHz，广播收音机经常使用压电陶瓷滤波器。其中，调幅收音机常用的中心频率为455或465kHz，有的汽车用调幅收音机使用方法260或262.5kHz的。这类陶瓷滤波器的带宽有4、6、12kHz几种。调频收音机则多半用10.7MHz的陶瓷滤波器，带宽为150～300kHz（最常用

的是200kHz）。

图6H的电路是按照调幅或调频收音机常用的廉价陶瓷滤波器来设计的。R1和R2是这种滤波器需要加接的匹配电阻。

图6 NE602的输出电路

NE602的本振电路

NE602的6、7脚分别是内部振荡管的基极和发射极，它们可与外接元件构成晶振或LC本振，振荡频率最高可达200MHz，混频器最高可达500MHZ。如果要求本振频率高于200MHz，可使用外部本振并将它的输出信号耦合到NE602的6脚，但注入的信号电平不得超过﹣13dBm（即1.5KΩ电阻上250mV）。

图7A的本振是简单的考毕兹（Colpitts）晶体振荡器。它使用基波型晶体，振荡频率可达20MHz。C1、C2组成反馈网络，它们的数值必须准确，可按以下公式计算：

C1＝100/F 〔2〕

C1＝1000/ F 〔3〕

其中，F是基波型晶体的频率，单位为MHz。电容容量单位pF。

如果容量正确，则电路会持续振荡此时拔下再插上晶体或断开再接通电源，电路都会立即恢复振荡。如果容量不正确，则振荡继续或根本不能恢复振荡。

图7B的振荡器也是使用基波型晶体，但可用C3微调振荡频率。

图7C是使用3次谐波型晶体的巴特勒（Butler）振荡器。晶体X1的一端接NE602内部振荡管的发射极（7脚），另一端通过C1接振荡管的基极（6脚）。C1、C2组成反馈回路的分压器。回路L1—C1—C2谐振于晶体的3次谐波频率，迫使晶体稳定地工作于该频率。该电路可使用最高工作频率达80MHz的3次或5次谐波型晶振。图7D是25～50MHz的3次谐波晶振电路，它比图7C的电路要简单一些，使用也较广泛。

图7E和图7F是使用LC回路的可变频率振荡器（VFO）。其中，图7E是电容分压器（C1—C2）抽头的考毕兹振荡器，图7F是电感（L1）抽头的哈特莱（Hartey）振荡器。二者都要在NE602的6脚串接一只隔直流电容，以避免

振荡管基极被外接电感短路到地。

图7 NE602的本振电路

NE602用作电压调谐振荡器

图8是使用变容二极管作为本振回路可变电容的两种电压调谐振荡器。图8A是并联谐振的考毕兹振荡器，图8B是串联谐振的克拉泼（Clapp）振荡器。由于变容二极管D1的电容量虽其两端的反向偏压而变化，故改变直流电压Vt可以改变本振频率，从而实现调谐。

图8 电压调谐式振荡器

图9是电压调谐振荡器的应用举例，该电路使用克拉泼振荡器并具有两种工作方式。当开关S1置于VTA位置时，调谐电压由R2通过手动来调节。如果在R2上端加上稳定的直流电压，则振荡频率是离散的并随电压VTA改变。如果R2上端加上正弦波电压，则振荡频率将随正弦波出现来回偏移，从而产生调频（FM）信号，其频偏可用R2来调节。如果加的是锯齿波信号，则电路变成扫频振荡器，当锯齿波电压上升时，振荡频率升高。当锯齿波电压回跌到零时，振荡频率也跌至最低。此时调节R2可调节扫频宽度。

当S1置于VTB位置时，电路变成数控振荡器，振荡频率受数—模转换器（DAC）控制。本例的数—模转换器是DAC-08型，它输出的0～2mA电流由运放A1转换成调谐电压，其值等于IOR3。负的直流基准电压源（－VA）通过R5微调振荡频率。

这种DAC驱动的振荡器具有以下优点：一是可以实现扫频的数控。如果向DAC输入按顺序送入00～FFH（相当于十进制0～255）的周期性数据，则模拟输出端将出现锯齿波信号，从而使振荡器产生所需的锯齿扫频信号；二是可以用计算机来控制振荡器的频率。通过计算机向DAC送入256个不同的二进制数据，总共可以得到256个离散的不同频率的振荡信号；三是可以用计算机软件来修正变容二极管的非线性，从而得到线性非常好的扫频振荡信号。因此，这种数控振荡器常被某些高精度测量仪表采用。

图9 具有数控和手控功能的本振电路

NE602也可用作单位振荡器、如图10所示。此时，2脚应通过电容旁路到地，1脚通过10KΩ电阻接地。振荡频率由接在6、7脚的外接晶体或LC回路决定（参看图7），振荡信号从4、5脚输出。

图10 NE602用作振荡器

74系列芯片--HD74LS174

Hitachi Code JEDEC EIAJ Weight (reference value)DP-16 Conforms Conforms 1.07 g Unit: mm

Hitachi Code JEDEC EIAJ Weight (reference value)FP-16DA —Conforms 0.24 g *Dimension including the plating thickness Base material dimension ° – 8°

Hitachi Code JEDEC EIAJ Weight (reference value)FP-16DN Conforms Conforms 0.15 g *Dimension including the plating thickness Base material dimension ° – 8°

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74HC595中文芯片手册

74HC595 8位移位寄存器与输出锁存器 功能描述 这种高速移位寄存器采用先进的硅栅CMOS技术。该装置具有高的抗干扰性和标准CMOS集成电路的低功率消耗，以及用于驱动15个LS-TTL负载的能力。 此装置包含馈送一个8位D型存储寄存器的8位串行入，并行出移位寄存器。存储寄存器具有8 TRI-STATE e输出。提供了用于两个移位寄存器和存储寄存器独立的时钟。 移位寄存器有直接首要明确，串行输入和串行输出（标准）引脚级联。两个移位寄存器和存储寄存器的使用正边沿触发的时钟。如果两个时钟被连接在一起时，移位寄存器的状态 将总是提前存储寄存器的一个时钟脉冲。 该54HC/74HC逻辑系列就是速度，功能和引脚输出与标准54LS/74LS逻辑系列兼容。所有输入免受损害，由于静电放电由内部二极管钳位到VCC和地面。 产品特点 1低静态电流：80 mA最大值（74HC系列） 2低输入电流为1mA最大 38位串行输入，并行出移位寄存器以存储 4宽工作电压范围：2V ± 6V 5级联 6移位寄存器直接明确 7保证移频率：DC至30兆赫

TL/F/5342-1 Top View Order Number MM54HC5S5 or MM74HC595 DuaHn-Line Package RCK SCK SCLR G Function X X X H Q A thruQH = TRI-STATE X X L L Shift Register cleared Q H -O X T H L Shift Register clocked C)N = Qnd ，Qo = SER T X H L Con tents of Shift Register transferred to output latches Operating Conditions Supply Voltage (V QC ) -0.5 to +7.0V DC Input Voltage (V IM ) -1.5 toV C c+15V DC OutpiX Voltage (V OUT ) -0.5 toVcc+0.5V Clamp Diode Current (I IK . I(X ) ±20 mA DC Output Current, per pin (lour) ±35 mA DC Vcc or GND Current, per pin (Icc) ±70 mA Storage Temperature Range (T STG ) -65"Cto+15(rC Power Dissipation (P Q ) (Note 3) 600 mW S.O. Package only 500 mW Lead Temp. (TO (Sobering 10 seconds) 2?TC Min Max Units Supply Voltage (Vcc) 2 6 V DC Input or Outpu* Voltage 0 Vcc V (Vw. VOUT ) Operating Temp. Range (T A ) MM74HC -40 +85 ?c MM54HC -55 + 125 ?c Input Rise or Fall Times VOC-20V 1000 ns V QC -4.5V 500 ns Vcc-6.0V 400 ns Absolute Maximum Ratings (Notes 1&2) If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor Sales Office/Distributors for availability and specifications ?

74LS系列与CD系列芯片功能

74LS系列与CD系列芯片功能 反相器驱动器 LS04 LS05 LS06 LS07 LS125 LS240 LS244 LS245 与门与非门 LS00 LS08 LS10 LS11 LS20 LS21 LS27 LS30 LS38 或门或非门与或非门 LS02 LS32 LS51 LS64 LS65 异或门比较器 LS86 译码器 LS138 LS139 寄存器 LS74 LS175 LS373 74系列：： 74LS00 TTL 2输入端四与非门 74LS01 TTL 集电极开路2输入端四与非门 74LS02 TTL 2输入端四或非门 74LS03 TTL 集电极开路2输入端四与非门 74LS04 TTL 六反相器 74LS05 TTL 集电极开路六反相器 74LS06 TTL 集电极开路六反相高压驱动器 74LS07 TTL 集电极开路六正相高压驱动器 74LS08 TTL 2输入端四与门 74LS09 TTL 集电极开路2输入端四与门 74LS10 TTL 3输入端3与非门 74LS107 TTL 带清除主从双J-K触发器 74LS109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器 74LS11 TTL 3输入端3与门 74LS112 TTL 带预置清除负触发双J-K触发器 74LS12 TTL 开路输出3输入端三与非门 74LS121 TTL 单稳态多谐振荡器 74LS122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器 74LS123 TTL 双可再触发单稳态多谐振荡器 74LS125 TTL 三态输出高有效四总线缓冲门 74LS126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门 74LS13 TTL 4输入端双与非施密特触发器 74LS132 TTL 2输入端四与非施密特触发器 74LS133 TTL 13输入端与非门 74LS136 TTL 四异或门 74LS138 TTL 3-8线译码器/复工器 74LS139 TTL 双2-4线译码器/复工器 74LS14 TTL 六反相施密特触发器 74LS145 TTL BCD—十进制译码/驱动器

芯片手册

74系列 74ls48 BCD—7段译码器-内部上拉输出驱动 1 7473 TTL 带清除负触发双J-K触发器 1 7474 TTL 带置位复位正触发双D触发器 2 7476 TTL 带预置清除双J-K触发器 2 7483 TTL 四位二进制快速进位全加器 3 7485 TTL 四位数字比较器 4 7486 TTL 2输入端四异或门 5 7490 TTL 可二-五分频十进制计数器 5 7495 TTL 四位并行输入-输出移位寄存器7 74107 TTL 带清除主从双J-K触发器8 74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器8 74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器9 74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门9 74138 TTL 3-8线译码器-复工器10 74139 TTL 双2-4线译码器-复工器11 74150 TTL 16选1数据选择-多路开关12 74154 TTL 4线—16线译码器13 74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器14 74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器15 74165 TTL 八位并行入-串行输出移位寄存器16 74166 TTL 八位并入-串出移位寄存器16 74169 TTL 二进制四位加-减同步计数器17 74173 TTL 三态输出四位D型寄存器18 74174 TTL 带公共时钟和复位六D触发器18 74175 TTL 带公共时钟和复位四D触发器19 74180 TTL 9位奇数-偶数发生器-校验器20 74185 TTL 二进制—BCD代码转换器21 74192 TTL 可预置BCD双时钟可逆计数器22 74194 TTL 四位双向通用移位寄存器22 74197 TTL 二进制可预置锁存器-计数器23 74245 TTL 八同相三态总线收发器23 74247 TTL BCD—7段15V输出译码-驱动器23 74248 TTL BCD—7段译码-升压输出驱动器24 74273 TTL 带公共时钟复位八D触发器24 74299 TTL 三态输出八位通用移位寄存器25 74323 TTL 三态输出八位双向移位-存贮寄存器25 CD系列 4008 CMOS 4位二进制并行进位全加器26 4013 CMOS 带置位-复位的双D触发器28 4014 CMOS 8级同步并入串入-串出移位寄存器29

74HC系列芯片型号与功能介绍

电子元件知识-74系列芯片功能略表 74HC01 2输入四与非门 (oc) 74HC02 2输入四或非门 74HC03 2输入四与非门 (oc) 74HC04 六倒相器 74HC05六倒相器(oc) 74HC06 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,30v) 74HC07 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,30v) 74HC08 2输入四与门 74HC09 2输入四与门(oc) 74HC10 3输入三与非门 74HC11 3输入三与门 74HC12 3输入三与非门 (oc) 74HC13 4输入双与非门 (斯密特触发) 74HC14 六倒相器(斯密特触发) 74HC15 3输入三与门 (oc) 74HC16 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,15v) 74HC17 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,15v) 74HC18 4输入双与非门 (斯密特触发) 74HC19 六倒相器(斯密特触发) 74HC20 4输入双与非门 74HC21 4输入双与门 74HC22 4输入双与非门(oc) 74HC23 双可扩展的输入或非门 74HC24 2输入四与非门(斯密特触发) 74HC25 4输入双或非门(有选通) 74HC26 2输入四高电平接口与非缓冲器(oc,15v) 74HC27 3输入三或非门 74HC28 2输入四或非缓冲器 74HC30 8输入与非门 74HC31 延迟电路 74HC32 2输入四或门 74HC33 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74HC34 六缓冲器 74HC35 六缓冲器(oc) 74HC36 2输入四或非门(有选通) 74HC37 2输入四与非缓冲器 74HC38 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74HC39 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74HC40 4输入双与非缓冲器 74HC41 bcd-十进制计数器 74HC42 4线-10线译码器(bcd输入) 74HC43 4线-10线译码器(余3码输入) 74HC44 4线-10线译码器(余3葛莱码输入)

SSD1306 OLED驱动芯片中文手册

简介 SSD1306是一个单片CMOS OLED/PLED驱动芯片可以驱动有机/聚合发光二极管点阵图形显示系统。由128 segments 和64 Commons组成。该芯片专为共阴极OLED面板设计。 SSD1306中嵌入了对比度控制器、显示RAM和晶振，并因此减少了外部器件和功耗。有256级亮度控制。数据/命令的发送有三种接口可选择：6800/8000串口，I2C接口或SPI接口。适用于多数简介的应用，注入移动电话的屏显，MP3播放器和计算器等。 特性 1.分辨率：128 * 64 点阵面板 2.电源： a)VDD = 1.65V to 3.3V 用于IC逻辑 b)VCC = 7V to 15V 用于面板驱动 3.点阵显示 a)OLED驱动输出电压，最大15V b)Segment最大电流：100uA c)常见最大反向电流：15mA d)256级对比亮度电流控制 4.嵌入式128 * 64位SRAM显示缓存 5.引脚选择MCU接口 a)8位6800/8000串口 b)3/4线SPI接口 c)I2C接口 6.水平和垂直两个方向的屏幕保存连续滚动功能。 7.RAM写同步信号 8.可编程的帧率和多重比率 9.行重映射和列冲映射 10.片上晶振 11.两种封装 COG和COF 12.工作温度范围广：‐40℃ to 85℃ 订购信息 暂不翻译

结构方框图 功能块描述 MCU接口选择 SSD1306MCU接口由8个数据引脚和5个控制引脚组成。引脚分配由不同的接口选择决定， 详情如下表。不同的MCU模块可以通过BS[2:0]引脚的硬件选择设置。

MCU 并口 6800系列接口 不翻译 MCU 并口8080系列接口 不翻译 MCU串口（4‐wire SPI） 不翻译 MCU串口（3‐wire SPI） 不翻译 MCU I2C 接口 I2C通讯接口由从机地址为SA0，I2C总线数据信号（SDAout/D2输出和SDAin/D1输入）和I2C 总线时钟信号SCL（D0）组成。数据和时钟信号线都必须接上上拉电阻。RES#用来初始化设备。 a.从机地址位（SA0） SSD1306在发送或接受任何信息之前必须识别从机地址。设备将会响应从机地址，后面跟随着从机地址位（SA0位）和读写选择位（R/W#位），格式如下： b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 0 1 1 1 1 0 SA0 R/W# SA0位为从机地址提供了一个位的拓展。0111100或0111101都可以做为SSD1306的从机地址。D/C#引脚作为SA0用于从机地址选择。R/W#为用来决定I2C总线接口的操作模式。R/W# = 1，读模式。R/W# = 0 写模式 b.I2C总线数据信号SDA SDA作为发送者和接受者之间的通讯通道。数据和应答都是通过SDA发送。 应该注意的是ITO轨道电阻和SDA引脚上的上拉电阻会变成一个潜在的电压分压器。结

74HC系列芯片资料

74HC00 四2 输入与非门 国际通用符号 54/7400 ，54/74H00 ，54L 00 ，54/74S00 ，54/74LS00 ，54/74ALS00 ，54/ 74F 00 ，54/74HC00 ，54/ 74AC 00 ，54/74HCT00 ，54/74ACT00 ，54/74AHC00 ， 54/74AHCT00 ，74LV00 ，74LVC00 。 74HC02 四2 输入或非门 国际通用符号 54/7402 ，54L 02 ，54/74S02 ，54/74LS02 ，54/74AS02 ，54/74ALS02 ，54/ 74F 02 ，54/74HC02 ，74AC 02 ，54/74HCT02 ，54/74ACT02 ，54/74AHC02 ， 54/AHCT02 ，74LV02 ，74LVC02 。

74HC04 六反相器 国际通用符号 54/7404 ，54L 04 ，54/74H04 ，54/74S04 ，54/74LS04 ，54/74AS04 ，54/74ALS04 ，54/ 74F 04 ，54/74HCU04 ，54/74HC04 ，54/ 74AC 04 ，54/74HCT04 ， 54/74ACT04 ，54/74AHC04 ，54/74AHCT04 ，74LV04 ，74LVC04 ，54/74AHCU04 ，74LVU04 ，74LVCU04 。 74HC08 四2 输入与门 国际通用符号 54/7408 ，54/74S08 ，54/74LS08 ，54/74AS08 ，54/74ALS08 ，54/ 74F 08 ， 54/74HC08 ，54/74HCT08 ，54/ 74AC 08 ，54/74ACT08 ，54/74AHC08 ， 54/74AHCT08 ，74LV08 ，74LVC08 。

74、74HC、74LS系列芯片对照表

74、74HC、74LS系列芯片资料 系列 电平 典型传输延迟ns 最大驱动电流(-Ioh/Lol)mA AHC CMOS 8.5 -8/8 AHCT COMS/TTL 8.5 -8/8 HC COMS 25 -8/8 HCT COMS/TTL 25 -8/8 ACT COMS/TTL 10 -24/24 F TTL 6.5 -15/64 ALS TTL 10 -15/64 LS TTL 18 -15/24 注：同型号的74系列、74HC系列、74LS系列芯片，逻辑功能上是一样的。 74LSxx的使用说明如果找不到的话，可参阅74xx或74HCxx的使用说明。 有些资料里包含了几种芯片，如74HC161资料里包含了74HC160、74HC161、 74HC162、74HC163四种芯片的资料。找不到某种芯片的资料时， 可试着查看一下临近型号的芯片资料。 7400 QUAD 2-INPUT NAND GATES 与非门 7401 QUAD 2-INPUT NAND GATES OC 与非门 7402 QUAD 2-INPUT NOR GATES 或非门 7403 QUAD 2-INPUT NAND GATES 与非门 7404 HEX INVERTING GATES 反向器 7406 HEX INVERTING GATES HV 高输出反向器 7408 QUAD 2-INPUT AND GATE 与门 7409 QUAD 2-INPUT AND GATES OC 与门 7410 TRIPLE 3-INPUT NAND GATES 与非门 7411 TRIPLE 3-INPUT AND GATES 与门 74121 ONE-SHOT WITH CLEAR 单稳态 74132 SCHMITT TRIGGER NAND GATES 触发器与非门 7414 SCHMITT TRIGGER INVERTERS 触发器反向器 74153 4-LINE TO 1 LINE SELECTOR 四选一 74155 2-LINE TO 4-LINE DECODER 译码器 74180 PARITY GENERATOR/CHECKER 奇偶发生检验 74191 4-BIT BINARY COUNTER UP/DOWN 计数器 7420 DUAL 4-INPUT NAND GATES 双四输入与非门 7426 QUAD 2-INPUT NAND GATES 与非门 7427 TRIPLE 3-INPUT NOR GATES 三输入或非门 7430 8-INPUT NAND GATES 八输入端与非门 7432 QUAD 2-INPUT OR GATES 二输入或门 7438 2-INPUT NAND GATE BUFFER 与非门缓冲器 7445 BCD-DECIMAL DECODER/DRIVER BCD译码驱动器 7474 D-TYPE FLIP-FLOP D型触发器 7475 QUAD LATCHES 双锁存器 7476 J-K FLIP-FLOP J-K触发器 7485 4-BIT MAGNITUDE COMPARATOR 四位比较器 7486 2-INPUT EXCLUSIVE OR GATES 双端异或门

74HC系列芯片介绍

74HC00 四2输入端与非门TI[DATA] 74HC01 四2输入端与非门(OC) 74HC02 四2输入端或非门TI[DATA] 74HC03 四2输入端与非门(OC) TI[DATA] 74HC04 六反相器TI[DATA] 74HC05 HEX INVERTERS 74HC08 四2输入端与门TI[DATA] 74HC09 QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-AND 74HC10 三3输入端与非门TI[DATA] 74HC11 三3输入端与门TI[DATA] 74HC14 双4输入端与非门TI[DATA] 74HC20 双4输入端与非门TI[DATA] 74HC21 双4输入端与门TI[DATA] 74HC27 三3输入端或非门TI[DATA] 74HC30 8输入端与非门TI[DATA] 74HC32 四2输入端或门TI[DATA] 74HC42 4线-10线译码器(BCD输入) TI[DATA] 74HC73 DUAL J-K FLIP-FLOP TI[DATA] 74HC74 双上升沿D型触发器TI[DATA] 74HC75 4-BIT BISTABLE LATCH TI[DATA] 74HC85A 四位数值比较器TI[DATA] 74HC86 四2输入端异或门TI[DATA] 74HC93 双4输入端与非门TI[DATA] 74HC107 双主-从J-K触发器TI[DATA] 74HC109 双J-K触发器TI[DATA] 74HC112 双下降沿J-K触发器TI[DATA] 74HC123 可重触发双稳态触发器TI[DATA] 74HC125 四总线缓冲器TI[DATA] 74HC126 四总线缓冲器 74HC132 四2输入端与非门 74HC133 13-INPUT POSITIVE-NAND 74HC137 地址锁存3线-8线译码器 74HC138 3线-8线译码器 74HC139 双2线-4线译码器 74HC147 10线-4线优先编码器 74HC148 8-LINE TO 3-LINE PRIORITY ENCODERS 74HC151 8-INPUT MULTIPLEXER 74HC153 DUAL 4-INPUT MULTIPLEXER 74HC154 4线-16线译码器 74HC157 四2选1数据选择器 74HC158 四2选1数据选择器 74HC160 DECADE COUNTER 74HC161 4位二进制同步计数器 74HC162 DECADE COUNTER

DM9000中文数据手册

dm9000 1、总体介绍 该DM9000是一款完全集成的和符合成本效益单芯片快速以太网MAC控制器与一般处理接口，一个10/100M自适应的PHY和4K DWORD值的SRAM 。它的目的是在低功耗和高性能进程的3.3V与5V的支持宽容。 DM9000还提供了介质无关的接口，来连接所有提供支持介质无关接口功能的家用电话线网络设备或其他收发器。该DM9000支持8位，16位和32 -位接口访问内部存储器，以支持不同的处理器。DM9000物理协议层接口完全支持使用10MBps 下3类、4类、5类非屏蔽双绞线和100MBps下5类非屏蔽双绞线。这是完全符合I EEE 802.3u规格。它的自动协调功能将自动完成配置以最大限度地适合其线路带宽。还支持IEEE 802.3x全双工流量控制。这个工作里面DM9000是非常简单的，所以用户可以容易的移植任何系统下的端口驱动程序。 2、特点 支持处理器读写内部存储器的数据操作命令以字节/ 字/ 双字的长度进行 集成10/100M自适应收发器 支持介质无关接口 支持背压模式半双工流量控制模式 IEEE802.3x流量控制的全双工模式 支持唤醒帧，链路状态改变和远程的唤醒 4K双字SRAM 支持自动加载EEPROM里面生产商ID和产品ID 支持4个通用输入输出口 超低功耗模式 功率降低模式 电源故障模式 可选择1：1 YL18-2050S,YT37-1107S 或5：4变压比例的变压器降低格外功率 兼容3.3v和5.0v输入输出电压 100脚CMOS LQFP封装工艺 3、引脚描述 I=输入O=输出I/O=输入/输出O/D=漏极开路P=电源LI=复位锁存输入#= 普遍低电位

74LS系列芯片引脚图资料大全

74系列芯片引脚图资料大全 作者:佚名来源:本站原创点击数:57276 更新时间：2007年07月26日【字体：大中小】 为了方便大家我收集了下列74系列芯片的引脚图资料，如还有需要请上电子论坛https://www.wendangku.net/doc/aa13347455.html,/b bs/ 反相器驱动器LS04 LS05 LS06 LS07 LS125 LS240 LS244 LS245 与门与非门LS00 LS08 LS10 LS11 LS20 LS21 LS27 LS30 LS38 或门或非门与或非门LS02 LS32 LS51 LS64 LS65 异或门比较器LS86 译码器LS138 LS139 寄存器LS74 LS175 LS373

反相器: Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A 4Y 六非门 74LS04 ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐六非门(OC门) 74LS05 _ │14 13 12 11 10 9 8│六非门(OC高压输出) 74LS06 Y = A ）│ │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND 驱动器: Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A 4Y ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ │14 13 12 11 10 9 8│ Y = A ）│六驱动器(OC高压输出) 74LS07 │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND Vcc -4C 4A 4Y -3C 3A 3Y ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ _ │14 13 12 11 10 9 8│ Y =A+C ）│四总线三态门74LS125 │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ -1C 1A 1Y -2C 2A 2Y GND

74HCLSHCTF系列芯片的区别

74系列芯片精解 - HC/LS/HCT/F系列芯片的区别- - 74HC/LS/HCT/F系列芯片的区别 1、LS是低功耗肖特基，HC是高速COMS。LS的速度比HC略快。 HCT输入输出与LS兼容，但是功耗低；F是高速肖特基电路； 2、LS是TTL电平，HC是COMS电平。 3、LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路， hc 一般都要求有上 下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求 4、LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同。 5、工作电压不同，LS只能用5V，而HC一般为2V到6V； 6、电平不同。LS是TTL电平，其低电平和高电平分别为0.8和V2.4， 而CMOS在工作电压为5V时分别为0.3V和3.6V，所以CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的 7、驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA； 而CMOS的高低电平均为5mA； 8、CMOS器件抗静电能力差，易发生栓锁问题，所以CMOS的输入 脚不能直接接电源。 其实现在的很多器件都已优化了，并不完全局限于原来固有的缺点，所以 设计时还应看一下厂家的手册为好。 在购买器件的时候要看价格。如果对功耗要求比较高，尽量选用hc或者hct 的，注意驱动能力。 下表以245为例：

关于Tplh和Tphl的定义： ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 74、74HC、74LS系列芯片资料 系列电平典型传输延迟ns 最大驱动电流(-Ioh/Lol)mA AHC CMOS 8.5 -8/8 AHCT COMS/TTL 8.5 -8/8 HC COMS 25 -8/8

74HC系列芯片的区别

74HC/LS/HCT/F系列芯片的区别： 1、 LS是低功耗肖特基，HC是高速COMS。LS的速度比HC略快。HCT输入输出与LS兼容，但是功耗低；F是高速肖特基电路； 2、 LS是TTL电平，HC是COMS电平。 3、 LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路， hc 一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求 4、 LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同。 5、工作电压不同，LS只能用5V，而HC一般为2V到6V；而HCT的工作电压一般为4.5V～5.5V。 6、电平不同。LS是TTL电平，其低电平和高电平分别为0.8和V2.4，而CMOS在工作电压为5V时分别为0.3V和3.6V，所以CMOS 可以驱动TTL，但反过来是不行的 7、驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA；而CMOS的高低电平均为5mA； 8、 CMOS器件抗静电能力差，易发生栓锁问题，所以CMOS的输入脚不能直接接电源。 74系列集成电路大致可分为6大类： .74××（标准型）； .74LS××（低功耗肖特基）； .74S××（肖特基）； .74ALS××（先进低功耗肖特基）；

.74AS××（先进肖特基）； .74F××（高速）。 近年来还出现了高速CMOS电路的74系列，该系列可分为3大类： .HC为COMS工作电平； .HCT为TTL工作电平，可与74LS系列互换使用； .HCU适用于无缓冲级的CMOS电路。 这9种74系列产品，只要后边的标号相同，其逻辑功能和管脚排列就相同。根据不同的条件和要求可选择不同类型的74系列产品，比如电路的供电电压为3V就应选择74HC系列的产品 系列电平典型传输延迟ns 最大驱动电流(-Ioh/Lol)mA AHC CMOS 8.5 -8/8 AHCT COMS/TTL 8.5 -8/8 HC COMS 25 -8/8 HCT COMS/TTL 25 -8/8 ACT COMS/TTL 10 -24/24 F TTL 6.5 -15/64 ALS TTL 10 -15/64 LS TTL 18 -15/24 注：同型号的74系列、74HC系列、74LS系列芯片，逻辑功能上是一样的。 74LSxx的使用说明如果找不到的话，可参阅74xx或74HCxx的使用说明。

74系列芯片引脚图

74系列芯片引脚图、功能、名称、资料大全（含74LS、74HC等），特别推荐为了方便大家，我收集了下列74系列芯片的引脚图资料。 说明：本资料分3部分：（一）、TXT文档，（二）、图片，（三）、功能、名称、资料。 （一）、TXT文档 反相器驱动器LS04 LS05 LS06 LS07 LS125 LS240 LS244 LS245 与门与非门LS00 LS08 LS10 LS11 LS20 LS21 LS27 LS30 LS38 或门或非门与或非门 LS02 LS32 LS51 LS64 LS65 异或门比较器LS86 译码器LS138 LS139 寄存器LS74 LS175 LS373

反相器: Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A 4Y 六非门 74LS04 ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐六非门(OC门) 74LS05 _ │14 13 12 11 10 9 8│六非门(OC高压输出) 74LS06 Y = A ）│ │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND 驱动器: Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A 4Y ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ │14 13 12 11 10 9 8│ Y = A ）│六驱动器(OC高压输出) 74LS07 │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘

1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND Vcc -4C 4A 4Y -3C 3A 3Y ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ _ │14 13 12 11 10 9 8│ Y =A+C ）│四总线三态门 74LS125 │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ -1C 1A 1Y -2C 2A 2Y GND Vcc -G B1 B2 B3 B4 B8 B6 B7 B8 ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ 8位总线驱动器 74LS245 │20 19 18 17 16 15 14 13 12 11│ ）│ DIR=1 A=>B │ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10│ DIR=0 B=>A └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ DIR A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 GND

dm9000中文芯片手册

DM9000介绍 1、总体介绍 该DM9000是一款完全集成的和符合成本效益单芯片快速以太网MAC控制器与一般处理接口，一个10/100M自适应的PHY和4K DWORD值的SRAM 。它的目的是在低功耗和高性能进程的3.3V与5V的支持宽容。 DM9000还提供了介质无关的接口，来连接所有提供支持介质无关接口功能的家用电话线网络设备或其他收发器。该DM9000支持8位，16位和32 -位接口访问内部存储器，以支持不同的处理器。DM9000物理协议层接口完全支持使用10MBps下3类、4类、5类非屏蔽双绞线和100MBps下5类非屏蔽双绞线。这是完全符合IEEE 8 02.3u规格。它的自动协调功能将自动完成配置以最大限度地适合其线路带宽。还支持IEEE 802.3x全双工流量控制。这个工作里面DM9000是非常简单的，所以用户可以容易的移植任何系统下的端口驱动程序。 2、特点 支持处理器读写内部存储器的数据操作命令以字节/ 字/ 双字的长度进行 集成10/100M自适应收发器 支持介质无关接口 支持背压模式半双工流量控制模式 IEEE802.3x流量控制的全双工模式 支持唤醒帧，链路状态改变和远程的唤醒 4K双字SRAM 支持自动加载EEPROM里面生产商ID和产品ID 支持4个通用输入输出口 超低功耗模式 功率降低模式 电源故障模式 可选择1：1或5：4变压比例的变压器降低格外功率 兼容3.3v和5.0v输入输出电压 100脚CMOS LQFP封装工艺 3、引脚描述 I=输入O=输出I/O=输入/输出O/D=漏极开路P=电源LI=复位锁存输入#=普遍低电位 介质无关接口引脚 引脚号引脚名I/O 功能描述 37 LINK_I I 外部介质无关接口器件连接

74LS系列主要芯片引脚及参数

<74LS00引脚图> 74l s00 是常用的2输入四与非门集成电路，他的作用很简单顾名思义就是实现一个与非门。 Vcc 4B 4A 4Y 3B 3A 3Y ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ __ │14 13 12 11 10 9 8│ Y = AB ）│ 2输入四正与非门 74LS00 │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ 1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND 74LS00真值表： A＝1 B=1 Y=0 A＝0 B=1 Y=1 A＝1 B=0 Y=1 A＝0 B=0 Y=1

74HC138基本功能74LS138 为3 线－8 线译码器，共有54/74S138和54/74LS138 两种线路结构型式，其74LS138工作原理如下： 当一个选通端（G1）为高电平，另两个选通端（/(G2A)和/(G2B)）为低电平时，可将地址端（A、B、C）的二进制编码在一个对应的输出端以低电平译出。 74LS138的作用: 利用G1、/(G2A)和/(G2B)可级联扩展成24 线译码器；若外接一个反相器还可级联扩展成32 线译码器。若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作数据分配器 用与非门组成的3线-8线译码器74LS138

图74ls138译码器内部电路 3线-8线译码器74LS138的功能表 备注：这里的输入端的三个A0～1有的原理图中也用A B C表示（如74H138.pdf中所示，试用于普中科技的HC-6800 V2.2单片机开发板）。<74ls138功能表> 74LS138逻辑图

无论从逻辑图还是功能表我们都可以看到74LS138的八个输出管脚，任何时刻要么全为高电平1—芯片处于不工作状态，要么只有一个为低电平0，其余7个输出管脚全为高电平1。如果出现两个输出管脚在同一个时间为0的情况，说明该芯片已经损坏。 当附加控制门的输出为高电平（S＝1）时，可由逻辑图写出 74ls138逻辑图 由上式可以看出，在同一个时间又是这三个变量的全部最小项的译码输出，所以也把这种译码器叫做最小项译码器。 71LS138有三个附加的控制端、和。当、时，输出为高电平（S＝1），译码器处于工作状态。否则，译码器被禁止，所有的输出端被封锁在高电平，如表3.3.5所示。这三个控制端也叫做“片选”输入端，利用片选的作用可以将多篇连接起来以扩展译码器的功能。 带控制输入端的译码器又是一个完整的数据分配器。在图3.3.8电路中如果把作为“数据”输入端（在同一个时间），而将作为“地址”输入端，那么从送来的数据只能通过所指定的一根输出线送出去。这就不难理解为什么把叫做地址输入了。例如当＝101时，门的输入端除了接至输出端的一个以外全是高电平，因此的数据以反码的形式从输出，而不会被送到其他任何一个输出端上。 例2．74LS138 3－8译码器的各输入端的连接情况及第六脚（）输入信号A的波形如下图所示。试画出八个输出管脚的波形。