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北京工业大学 半导体器件原理 2015-2016年考试题

2015-2016

一填空题

1. 本门课程介绍的4种类型晶体管分别为:____________ ,____________ ,____________ ,和____________。

2. PN 结电击穿按产生机制分为:____________ ,和____________。PN 结电容包括:____________ ,和____________。

3理想开关,二极管,三极管和FET 导通时的压降分别为____________, ____________,____________,____________反相截止时电流分别为____________, ____________,____________, ____________。

4双极型晶体管的大电流效应即____________效应,包括____________, ____________,____________。

二名词解释

1. 基区渡越时间_______________________________________________________________ 2 β(or hfe)__________________________________________________________________

3.BVCEO______________________________________________________________________

4.ICEO________________________________________________________________________

5. ts__________________________________________________________________________

6.rb__________________________________________________________________________

7.Early 效应

8.GMAE______________________________________________________________________

9. 沟道长度调制效应___________________________________________________________

10. 沟道电导调制效应___________________________________________________________ 三计算题30分

1. N+PN 双极结型晶体管在正向有源区工作时的基区少数载流子分布为 npB(x)=npB(0)

(1-x/WB ),基区渡越时间为:τB= QB ’/InB, 试推导出τB =WB2/2DnB (10分)(给出详细的推导步骤)。

解:

2. 某晶体管的基区输运系数β*=0.99, 注入效率γ=0.97,试求此管的α与β。当此管的有源区方块电阻R □B 乘以3,其余参数均不变时,其α与β变为多少?

3. 某N 沟道MOSFET 的VT = 1V ,β= 4×10-3A V-2,求当VDS = 2V ,VGS 分别为2V 、3V 、4V 时的漏极电流之值。

四综述题 50分

1. 画出单发射极条、双基极接触光刻版制作的Si N+ PN 外延平面BJT 芯片主要工艺步骤的 2'(0).2(0)2pB B B B B nB nB pB nB qAn W W W Q B I qAD n D τ==='0(0)(0)(1)2B

pB B

W B PB B qAn W x Q qA n W =⎰-=-()(0)pB nB pB nB nB B dn x qAD n I qAD dx W ==-

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