《电子技术基础》

《电子技术基础》作业

一．电路如图所示：

1、请计算该电路的静态工作点Q；

2、请画出该电路的微变等效电路图；

3、请计算该电路的输入电阻Ri;输出电阻Ro; Array

二．电路如图所示，试判断：

1.该电路的反馈类型；

2.该反馈稳定什么输出量，该反馈对输入输出电阻有什么影响。

三．电路如图所示：

a)请画出该电路的差模单边等效电路并计算差模输入电阻Rid，输出电阻Rod；

b)请画出该电路的共模单边等效电路并计算共模输入电阻Ric，输出电阻Roc；

c)请计算该电路的差模电压放大倍数Aud，

d)共模电压放大倍数Auc。

四．电路如图所示，请分析输入与输出之间的关系。

o

五．请分析下列电路，试分析：

1.该电路中二极管的作用；

2.计算该电路的最大输出功率。

六．请判断该波形描述何种电路元件。

七．请分析下列电路图，试判断：

1.该电路的反馈类型；

2.该反馈稳定什么输出量,该反馈对输入输出电阻有什么影响。

八．电路如图所示：

1.请画出该电路的差模单边等效电路并计算差模输入电阻Rid，输出电阻Rod；

2.请画出该电路的共模单边等效电路并计算共模输入电阻Ric，输出电阻Roc；

3.请计算该电路的差模电压放大倍数Aud，

共模电压放大倍数Auc。

九．请判断下列波形描述何种电路元件。

十．请分析下列电路图，试判断：

1、该电路的反馈类型；

2、该反馈稳定什么输出量，该反馈对输入输出电阻有什么影响。

电子技术基础试题

电子技术基础（三）试题 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（） A．电压的大小和方向均不随时间变化 B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化 C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化 D．电压的大小和方向均随时间变化 2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（） A．理想电流源的信号源内阻接近于零 B．理想电流源任何时候都可以串联在一起 C．理想电流源的输出电流与负载无关 D．理想电流源两端的电压与负载无关 3．电路如题3图所示，已知相量电流则向量电流I为（） A．10∠90° (A) B．10∠-90° (A) C．2∠45° (A) D．2∠-45° (A) 4．N型半导体中的多数载流子是（） A．自由电子B．空穴 C．五价杂质原子D．五价杂质离子 5．已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为（） A．发射极、基极、集电极 B．发射极、集电极、基极 C．基极、发射极、集电极 D．基极、集电极、发射极 6．理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为（） A．R id=0，R O=0 B．R id=0，R O=∞ C．R id=∞，R O=0 D．R id=∞，R O=∞ 7．为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏，在两输入端间应采取的措施是（） A．串联两个同向的二极管B．串联两个反向的二极管 C．并联两个同向的二极管D．并联两个反向的二极管 8．在单相半波整流电路中，如变压器副方电压的有效值为U2，则二极管所承受的最高反向电压为（）

中等职业技术学校：电子技术基础试题库3Word版

中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为（）。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由（）所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该二极管处于（）。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是（）。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1．用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2．在三极管的输出特性曲线中，当I B减小时，它对应的输出特性曲

线

（） A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管，如果当I B从10μA增大到30μA时，I C 从2mA变为3mA，那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有（）作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是（）管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电

电子技术基础习题带答案

【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？

(完整版)《电工电子技术基础》试题库(附有答案)

一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。

12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ，则其最大值为 311 V ，频率为 100 Hz ，初相位为 -60o 。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ，电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V ，则相电压为 380 V ；若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。

中职电工电子技术基础课程标准

中职 机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业 和农业机械使用与维护专业 电工电子技术基础课程标准 一、适用对象 中职三年制机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业。 二、课程性质 中等职业教育电工电子技术基础课程是中等职业学校机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业等电类和非电类专业的一门专业基础课程，它包含了电工电子技术中最基本的内容，使学生掌握专业必备的电工和电子技术基础知识和基本技能，具备分析和解决生产生活中一般电工电子技术问题的能力，具备学习后续专业技能课程的能力；对学生进行职业意识培养和职业道德教育，提高学生的综合素质与职业能力，增强学生适应职业变化的能力，为学生职业生涯的发展奠定基础，是培养公民素质的基础课程。同时，它为学生的终身发展，形成科学的世界观、价值观奠定基础，对提高全民族素质具有重要意义。它的任务是：阐明直流电路和正弦交流电路的基本概念和基本原理；电磁现象的基本现象和规律；晶体二极管、三极管和晶闸管的等特性及其应用；低频放大电路、脉冲数字电路、直流电源电路结构和工作原理。 三、参考学时 中等职业教育电工电子技术基础课程的教学时数，建议根据专业不同，有所区别，各专业的教学时数分别为： ㈠、28学时（适用于机械加工技术专业、数控技术应用专业和计算机应用专业） ㈡、60学时（适用于农业机械使用与维护专业） 这一课程的教学统一安排在第一学年第二学期，具体学时分配建议在第七部分：内容纲要中。 四、课程的基本理念 中等职业教育电工电子技术基础课程根据社会发展、学生发展的需要，精选最基本的体现专业基础的电工电子技术知识，增加一些问题探究等内容，构建简明合理的知识结构。中等职业教育电工电子技术基础课程教学要以应用技术专业为导向，以提升学生电工电子技术知识，了解焊接设备的组成结构和工作原理与安全技术能力、以提高焊接职业素质、符合焊接职业资格标准的需要为目标，以强化应用为重点。 在本课程的实施中，要根据三年制中等职业教育学生的认知水平，提出与学生认知基础相适应的逻辑推理、数据处理等能力要求，适度加强贴近生活实际与所学专业相关的电工电子技术应用意识，避免繁杂的运算。同时，要展现知识形成和发展的过程，为学生提供感受和体验的机会，激发学生兴趣，培养学生合作交流的能力。 五、课程设计思路 中等职业教育电工电子技术基础课程以“凸现学生是教学的主体地位，理论教学为实习服务，根据企业需要，本着必需、够用原则，将内容模块化，教与学进程一体化”的总体设计要求。本课程要求学生掌握电路基础、电工技术、模拟电子技术、数字电子技术这四部分内容的基本概念和基本规律，彻底打破原有的学科体系设计思路，紧紧围绕专业工作任务完成的需要来选择和组织教学内容，突出项目任务与电工电子知识的联系，让学生在职业实践活动的基础上掌握电工电子知识，增强理论教学内容与职业岗位能力要求的相关性，提高学生的就业能力。

电子技术基础习题答案.

第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 1

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

电子技术基础期末考试试题及答案

10.电路如下图所示，若初态都为0，则=1的是（）

精品文档 注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V0= 。 四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.（10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q和Q的波形。27.（9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： （1）R开路；（2）R L开路；（3）稳压二极管V接反； （4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.（16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： （1）列出状态表，状态转换图；（2）说明计数器类型。

精品文档 参考答案及评分标准 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转 22.并行和串行 23.V D -I D 24.电容、电感、复式 25.5.3V 四、应用题（本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V 接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q 2Q 1Q 0=000 （1）第一个CP 作用后，Q 0=0→1，0Q =1→0=CP 1，对F 1触发无效，所以Q 1保持0态不变。而F 2没有接到任何触发信号，所以Q 2亦保持0态不变。第二个CP 作用后，Q 0=1→0，而0Q =0→1=CP 1，对F 1属有效触发，所以Q 1=0→1。而1Q =1→0=CP 2，对F 2无效，所以F 2仍为原态即0态。依次按规律分析，可得如下计数状态表为 （2）从状态表和电路结构可知，该计数电路为三位异步二进制加法计数电路。

对口高职电子技术基础中职期末精编测试题(一)

电子技术基础期末试题（一） 一、填空题（每空2分，共54分） 1．三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。 2．整流电路的作用是将电压变换为电压。3．PN结的单向导电性表现为时导通；时截止。4．交流负反馈能改善放大器的性能，直流负反馈能稳定放大器的，负反馈能增大输入电阻、减小输出电阻。 5．正弦波振荡器起振的幅度平衡条件为，相位平衡条件为△，n为整数。 6．硅二极管的导通电压为 V，锗二极管的导通电压为 V。 7．完成变换：（365）10＝（）2＝（）16 ＝( )8421BCD 8.分析集成运放电路要用到重要的两个概念和。9．开关型稳压电路的调整管工作在状态；普通线性稳压电路的调整管工作在状态。 10. 具有“有1出0，全0出1”的逻辑功能的逻辑门是门；与非门电路的逻辑功能为“、”。11. 双向晶闸管等同于两个单向晶闸管。 二、选择题（每小题3分，共33分） 12．基本RS触发器不具备的功能是( ) A. 置0 B. 置1 C. 保持 D. 翻转13．与非门的逻辑函数表达式为（） A. AB B. A+B C. AB D. A B + 14．用万用表测二极管的正、反向电阻几乎都趋于无穷大，则二极管（） A．正常 B.开路 C.短路 D.性能低劣15.逻辑函数式EFG Y=，可以写作（） A．G F E Y+ + = B．Y = E+F+G C．G F E Y? ? = D．FG E Y+ = 16.逻辑函数式AA+0+A,简化后的结果是（） A．1 B．A C．AA D． 0

17由NPN 型三极管构成的共射放大电路输出电压波形如图所示，该电路中存在（ ） A.线性失真，饱和失真 B.非线性失真，饱和失真 C.线性失真，截止失真 D.非线性失真，截止失真 18.图示电路中二极管的导通电压为0.7 V ，则输出电压Uo 等于 （ ） A.0V B.-2.3V C.2.3V D.-2V 19．逻辑函数EF F E F E ++，化简后答案是（ ） A ．EF B ．F E F E + C ．E+F D ．E+F 20. 单相桥式整流电容滤波电路中变压器次级电压U 2=10V ，则负载两端电压为（ ） A.9V B.10V C.12V D.15V 21.八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端个数是（ ） A 、2个 B 、3个 C 、4个 D 、8个 22.测得放大电路中，三极管三个极的电位分别如图所示，则此管 是（ ） A. NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D. PNP 型锗管 三、判断题（每小题3分，共33分） （ ）23.组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。 （ ）24.负载要求得最大功率的条件是R=2r ，r 为电池内阻。 （ ）25.u i = 102sin ωt V 的最大值是10V 。 （ ）26.电位大小与参考点无关，电压大小与参考点有关。 （ ）27.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。 （ ）28.三极管内部电流不满足基尔霍夫第一定律。 （ ）29.与甲类功放相比，乙类功放的主要优点是没有失真。 （ ）30.用频率计测量1兆Hz 的方波信号，低通滤波器应处于“关”的位置。 （ ）31.共阴接法LED 数码管是用输出低电平有效的显示译 u o t 12v 0v 11.3v

《数字电子技术基础》课后习题答案

《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷）第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10

(3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

电工电子技术基础考试试卷答案

《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_）

电子技术基础-作业

2、分析电路中，各二极管是导通还是截止？并求出 管)。 3、二极管接成所示的电路，分析在下述条件下各二极管的通断情况。 (1) V C CI =6V, V CC =6V, R=2kQ, R 2=3k Q (2) V CCI =6V, V C C 2=6V, R I = F 2=3kQ (3) V C CI =6V, V CC =6V, F=3kQ , F 2=2k Q 设二极管D 的导通压降 V D =0.7V ，求出D 导通时电流I D 的大小。 4、图所示电路中，设晶体管的 3 =50, V BE =0.7V 。 (1) 试估算开关S 分别接通A 、B C 时的I B 、I C 、V CE 并说明管子处于什么工作状态。 (2) 当开关S 置于B 时，若用内阻为10k Q 的直流电 压表分 别测量 V BE 和V CE ,能否测得实际的数值？试 画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所 测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？ (3) 在开关置于A 时，为使管子工作在饱和状态 (设 临界饱和时的 V CE =0.7V ), F C 值不应小于多 少？ (1) V =12V, R=4KQ , Fb=8k (2) V =12V, R=4KQ , R z =4k Q ; (3) V =24V, R=4KQ , R z =2k Q ; (4) V =24V, R=4KQ , R z =1k Q 。 试确定输出电压V O 的值。 5、图所示均为基本放大电路，设各三极管的 r bb =200Q , 3 =50, V BE =0.7V 。 计算各电路的静态工作点; 何 2) A 、O 两端的电压 V A 。(设D 为理想二极 0.5 V (+15 V)

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）

中职《电子技术基础》期末试卷(含参考答案)

2015学年第1学期 《电子技术基础》期末试卷 （A卷，四大题型34小题） 考试形式：闭卷 一、填 空题 （10小 题，20空格，每空格1分，共20分。） 1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。 9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。将叙述 班级： 姓名：学号：题号一二三四总分 得分 题 号 123456789101112 答 案

《电子技术基础》课程作业

浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 姓名：学号: 年级：学习中心： 模拟电子技术基础部分 题1在图1电路中，设v I2sin t V，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管） 图1 解：题中的电路是二极限幅电路，对电路（a），当输入电压幅度v i6V时，二极管导电，输出电压为+6V,当输入电压V i 6时D截止，输出电压等于输入电压V。V i ；对电路（b）,当输入电压幅度v i 6 V时二极管导电，输出电压为V。 v i，输入电压v i 6 V 时，二极管截止，输出电压为+6V；对电路（c）,是一个双向限幅电路，当输入电压v i 6 V 时，D1导电、D2截止，输出为一6V，当输入电压v i 8V时，D2导电、D1截止，输出电 压为+8V。 -0 V

5 题 2 电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管 D 的导通压 解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求 出流过二极管的电流。二极管开路后流过 R1和R2的电流： IR 2 V Q V cci IR i 1.2V ，由于二极管两端开路电压大于 降V D =0.7 V ，并求出 D 导通时电流I D 的大小。 (1)V C CI = 6 V , V cc = 6 V , R i = 2 k Q, R ?= 3 k Q; V cci V cC2 R i R 2 12 2.4mA ，则二极管两端的开路电压 0.7V ，所以二 ■l E) J 1Z 06 %宁 !■ I II f. (2) V Cci = 6 V , V cc = 6 V , R i =Ra= 3 k Q; 图2

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.wendangku.net/doc/a416104163.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.wendangku.net/doc/a416104163.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.wendangku.net/doc/a416104163.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.wendangku.net/doc/a416104163.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.wendangku.net/doc/a416104163.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。