模电选择题
选择题：
1、对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（）。
A 三极管可以用较小的电流控制较大的电流；
B 三极管可以把小电流放大成大电流；
C 三极管可以把小电压放大成大电压；
D 三极管可以把小能量放大成大能量。
2、用指针式万用表的R×10和R×1K档分别测量一个整流二极管的正向电阻，二次测试结果是（）
A 相同；
B R×10 档的测试值小；
C R×1K档的测试值小
3、在放大电路中，为了稳定静态工作点可以引入（）；
A 直流负反馈；
B 交流负反馈；
C 交流正反馈
4、在放大电路中，若要稳定放大倍数可以引入（）；
A 直流负反馈；
B 交流负反馈；
C 交流正反馈
5、在放大电路中，某些场合为了提高放大倍数可以适当引入（）。
A 直流负反馈；
B 交流负反馈；
C 交流正反馈
6、在反馈类型的判别时我们可以用（）判别正、负反馈。
A 输出端短路法；
B 瞬时极性法；
C 输入端短路法
7、在反馈类型的判别时我们可以用（）判别串联、并联反馈。
A 输出端短路法；
B 瞬时极性法；
C 输入端短路法
8、在反馈类型的判别时我们可以用（）判别电压、电流反馈。
A 输出端短路法；
B 瞬时极性法；
C 输入端短路法
9、有一三极管处于放大状态基极电流为30uA,放大倍数为β=60，则集电极电流为（）。
A 0 mA；
B 1.8 mA；
C 不确定
10、乙类推挽功率放大器的理想最大效率为（）。
A 58．5%；
B 68.5%；
C 78.5%
D 100%
11、稳压管一般工作于（）状态.
A 正向导通；
B 反向截止；
C 反向击穿
12、下列各项中，（）是本征半导体。
A N型半导体；
B P型半导体；
C PN结;
D 纯净的半导体。
13、在放大电路的三种工作状态中，哪种功耗最小（）。
A 甲类；
B 甲乙类；
C 乙类
14、微变等效电路中，只有（）信号。
A 直流；
B 交流；
C 交直流均有
15、差动电路对哪种信号无放大作用（）。
A 共模；
B 差模。
16、在二极管的主要参数中，最大整流电流IF指的是（）。
A 允许最大正向平均电流；
B 允许最大正向电流；
C 允许最大反向平均电流
D 允许最大反向电充
17、三极管具有（）作用。
A 电压放大；
B 电压缩小；
C 电流放大;
D 电流缩小。
18、放大器在输入信号作用下的工作状态，称为（）。
A 静态；
B 动态；
C 稳压。
19、在单级共射极放大电路中，为了使工作在饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的办法是（）。
A 减小I
B ； B 提高VG的绝对值；
C 减小 RC的值;
D 减小RB 值
20、单级共射极放大器的输出电压和输入电压在相位和频率的关系是（）。
A 同相位，频率相同；
B 相位差90o，频率相同；
C 相位差180o，频率相同;
D 相位差360o，频率不同
21、N沟道增强型绝缘栅场效应管的符号是（）。
A ；
B ；
C D
22、光电二极管的符号是（）。
A ；
B ；
C ; D
23、已知三极管各极电位，则（）管工作在放大状态。
A ；
B ；
C D
24、测得某放大电路中BJT的两个电极的电流如图所示，则管脚①②③分别为（）；
A 、c b e ；
B 、b c e ；
C 、c e b ；
D 、
b e
c ；
25、要求引入负反馈后能使放大器的输入电阻增大，输出电流的变化尽可能小，则该负反馈的类型应为（）。
A 电流串联负反馈；
B 电压串联负反馈；
C 电流并联负反馈；
D 电压并联负反馈
26、PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
A 变窄；
B 基本不变；
C 变宽
27、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
A 前者反偏、后者也反偏；
B 前者正偏、后者反偏；
C 前者正偏、后者也正偏
28、UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。
A 结型管；
B 增强型MOS管；
C 耗尽型MOS管
29、在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。
A 五价；
B 四价；
C 三价
30、在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。
A 五价；
B 四价；
C 三价
31、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A 增大；
B 不变；
C 减小
32、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA 变为2mA，那么它的β约为（）。
A 83；
B 91 ；
C 100
33、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
A 增大；
B 不变；
C 减小
34、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
A 输入电压幅值不变，改变频率；
B 输入电压频率不变，改变幅值；
C 输入电压的幅值与频率同时变化
35、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
A 耦合电容和旁路电容的存在；
B 半导体管极间电容和分布电容的存
在； C 半导体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点不合适
36、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的
（）。
A 0.5倍；
B 0.7倍；
C 0.9倍
37、功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情
况下，负载上可能获得的最大（）。
A 交流功率；
B 直流功率；
C 平均功率
38、功率放大电路的转换效率是指（）。
A 输出功率与晶体管所消耗的功率之比；
B 最大输出功率与电源提供的
平均功率之比； C 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
39、在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（）。
A 1W ；
B 0.5W；
C 0.2W
40、对于放大电路，所谓开环是指（）。
A 无信号源；
B 无反馈通路；
C 无电源
D 无负载
41、对于放大电路，而所谓闭环是指（）。
A 考虑信号源内阻；
B 存在反馈通路；
C 接入电源
D 接入负载
42、整流的目的是（）。
A 将交流变为直流；
B 将高频变为低频；
C 将正弦波变为方波
43、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。
A 输出电压约为2UD ；
B 变为半波直流；
C 整流管将因电流过大而烧坏
44、直流稳压电源中滤波电路的目的是（）。
A 将交流变为直流；
B 将高频变为低频；
C 将交、直流混合量中的交流成分滤掉
45、直流稳压电源中滤波电路应选用（）。
A 高通滤波电路；
B 低通滤波电路；
C 带通滤波电路
46、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（）。
A 基准电压；
B 采样电压；
C 基准电压与采样电压之差
47、在桥式整流电容滤波电路中，已知变压器副边电压有效值U2为10V，（T 为电网电压的周期）。测得输出电压平均值UO（AV）可能的数值为，正常情况
UO（AV）≈（）；
A 14V；
B 12V ；
C 9V
D 4.5V
48、在桥式整流电容滤波电路中，已知变压器副边电压有效值U2为10V，（T 为电网电压的周期）。测得输出电压平均值UO（AV）可能的数值为，电容虚焊
时UO（AV）≈（）；
A 14V；
B 12V ；
C 9V
D 4.5V
49、在桥式整流电容滤波电路中，已知变压器副边电压有效值U2为10V，（T 为电网电压的周期）。测得输出电压平均值UO（AV）可能的数值为，负载电阻
开路时UO（AV）≈（）；
A 14V；
B 12V ；
C 9V
D 4.5V
50、在桥式整流电容滤波电路中，已知变压器副边电压有效值U2为10V，（T 为电网电压的周期）。测得输出电压平均值UO（AV）可能的数值为，一只整流
管和滤波电容同时开路，UO（AV）≈（）。
A 14V；
B 12V ；
C 9V
D 4.5V
Question 1.A、三极管可以用较小的电流控制较大的电流Question 2.B、R×10 档的测试值小
Question 3.A、直流负反馈
Question 4.B、交流负反馈
Question 5.C、交流正反馈
Question 6.B、瞬时极性法
Question 7.C、输入端短路法
Question 8.A、输出端短路法
Question 9.B、1.8 mA
Question 10.C、78.5%
Question 11.C、反向击穿
Question 12.D、纯净的半导体。
Question 13.C、乙类
Question 14.B、交流
Question 15.A、共模
Question 16.A、允许最大正向平均电流
Question 17.C、电流放大
Question 18.B、动态
Question 19.A、减小IB
Question 20.C、相位差180o，频率相同
Question 21.C
Question 22.C
Question 23.B
Question 24.B、b c e
Question 25.A、电流串联负反馈
Question 26. A、变窄
Question 27.B、前者正偏、后者反偏
Question 28.A、结型管；C、耗尽型MOS管
Question 29.A、五价
Question 30.C、三价
Question 31.A、增大
Question 32.C、100
Question 33.B、不变
Question 34.A、输入电压幅值不变，改变频率Question 35.B、半导体管极间电容和分布电容的存在
Question 36.B、0.7倍
Question 37.C、平均功率
Question 38.B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比
Question 39.C、0.2W
Question 40.B、无反馈通路
Question 41.B、存在反馈通路
Question 42.A、将交流变为直流
Question 43.C、整流管将因电流过大而烧坏Question 44.C、将交、直流混合量中的交流成分滤掉
Question 45.C、带通滤波电路Question 46.C、基准电压与采样电压之差
Question 47.B、12V
Question 48.C、9V
Question 49.A、14V
Question 50.D、4.5V
模电试卷+9道经典题型
15-16学年第1学期模拟电子技术A期末试卷（B）一、判断题 1.直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，但是不能放大交流信号。 2.从能量控制和转换的角度看，功率放大器和电压放大器没有本质的区别。 3.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 4.在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。 5.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。 6.任何单管放大电路的输入电阻都与负载电阻无关。 7.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。 8.当OCL电路的最大输出功率为1W时，功率管的集电极最大耗散功率应大于1W。 二、单项选择题 1.P型掺杂半导体的多数载流子是（） A.空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 2.场效应管本质上是一个（） A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 3.测得某放大电路中某晶体管三个电极对地电位分别为-1.4V、-0.7V和 -6.7V，则该三极管的类型为（） A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 4.下列四图为NPN管共射基本放大电路输出电压u o波形，则截止失真的波形和消除失真的主要措施均正确的是（） A.增大V BB B.减小V BB C.减小V BB D.增大V BB 5.制作频率为2MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应采用（） A.LC正弦波振荡电路 B.RC正弦波振荡电路 C.石英晶体正弦波振荡电路 D.多谐振荡器 6.要求将电流信号转换成与之成稳定关系的电压信号，应引入（） A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 7.差分放大器中，若u I1=2.02V，u I2=l.98V，则u Id、u Ic分别为（） A.2V、0.02V B.2V、4V C.0.04V、2V D.0.02V、0.04V 8.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用（） A.共漏电路、共射电路 B.共源电路、共射电路 C.共基电路、共漏电路 D.共源电路、共集电路 9.反应场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导 10.互补输出级采用共集形式是为了使（） A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D.交越失真小 11.为防止50Hz的电网电压干扰，可以在电路中加一个（） .. ..
模电试题及答案12
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
数电复习题集(含答案解析)-数电复习题集
数 电 复 习 题 选择题： 1．下列四个数中，与十进制数（163）10不相等的是（ D ） A 、(A3)16 B 、（10100011）2 C 、（000101100011）8421BC D D 、（203）8 2．N 个变量可以构成多少个最小项（ C ） A 、N B 、2N C 、2N D 、2N -1 3．下列功能不是二极管的常用功能的是（ C ） A 、检波 B 、开关 C 、放大 D 、整流 4．.将十进制数10)18(转换成八进制数是 （ B ） A 、20 B 、22 C 、21 D 、23 5．译码器的输入地址线为4根，那么输出线为多少根（ C ） A 、8 B 、12 C 、16 D 、20 6．能把正弦信号转换成矩形脉冲信号的电路是（D ） A 、多谐振荡器 B 、D/A 转换器 C 、JK 触发器 D 、施密特触发器 7．三变量函数()BC A C B A F +=,,的最小项表示中不含下列哪项 （ A ） A 、m2 B 、 m5 C 、m3 D 、 m7 8．用PROM 来实现组合逻辑电路，他的可编程阵列是（ B ） A 、与阵列 B 、或阵列 C 、与阵列和或阵列都可以 D 、以上说法都不对 9．A/D 转换器中，转换速度最高的为( A )转换 A 、并联比较型 B 、逐次逼近型 C 、双积分型 D 、计数型 10．关于PAL 器件与或阵列说确的是 （ A ） A 、 只有与阵列可编程 B 、 都是可编程的 C 、 只有或阵列可编程 D 、 都是不可编程的 11. 当三态门输出高阻状态时，输出电阻为 （ A ） A 、无穷大 B 、约100欧姆 C 、无穷小 D 、约10欧姆 12为使采样输出信号不失真地代表输入模拟信号，采样频率 f s 和输入模
模拟电路期末考试题A卷
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.
路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.
2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
数字电子技术试题及答案(题库)
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
模拟电路试卷(总集)
苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au
大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
数电选择题答案及详解
1 : 对于JK触发器，输入J＝0，K＝1，CLK脉冲作用后，触发器的次态应为（）。(2分） A:0 B:1 C:Q' D:不确定 您选择的答案: 正确答案： A 知识点：JK触发器的特性为：J=1，K=1时，Q状态为翻转，即Q= Q’ 2 : 已知Y=A+AB′+A′B,下列结果中正确的是（）(2分） A:Y=A B:Y=B C:Y=A+B D:Y=A′+B′ 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：利用公式A+AB′=A和A+A′B=A+B进行化简 3 : (1001111)2的等值十进制数是（）(2分） A:97 B:15.14 C:83 D:79 您选择的答案: 正确答案：D 知识点：把二进制数转换为等值的十进制数，只需将二进制数按多项式展开，然后把所有各项的数值按十进制数相加。 4 : 图中为CMOS门电路，其输出为（）状态(2分）(对于CMOS门电路，输入端接负载时，输入电平不变) A:高电平 B:低电平 C:高阻态 D:不确定 您选择的答案: 正确答案： A 知识点：对于CMOS门电路，输入端接负载时，输入电平不变
5 : 四选一数据选择器的数据输出Y与数据输入Di和地址码Ai之间的逻辑表达式为Y=（）(2分） A:A1′A0′D0+ A1′A0D1+ A1A0′D2+ A1A0D3 B:A1′A0′D0 C: A1′A0D1 D:A1A0′D2 您选择的答案: 正确答案： A 知识点：四选一数据选择器的Y= A1′A0′D0+ A1′A0D1+ A1A0′D2+ A1A0D 6 : 一个同步时序逻辑电路可用（）三组函数表达式描述(2分） A:最小项之和、最大项之积和最简与或式 B:逻辑图、真值表和逻辑式 C:输出方程、驱动方程和状态方程 D:输出方程、特性方程和状态方程 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：时序逻辑电路的逻辑关系需用三个方程即输出方程、驱动方程及状态方程来描述。 7 : (1010.111)2的等值八进制数是（）(2分） A:10. 7 B:12. 7 C:12. 5 D:10. 5 您选择的答案: 正确答案： B 知识点：把每三位二进制数分为一组，用等值的八进制数表示。 8 : 一位十六进制数可以用（）位二进制数来表示。(2分） A:1 B:2 C:4 D:16 您选择的答案: 正确答案： C 知识点： 9 : TTL同或门和CMOS同或门比较，它们的逻辑功能一样吗？(2分）
模电试卷题库含答案
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 1 : (110.1)2的等值十六进制数是（）(2分） A:110.1 B:15. 5 C:6. 8 D:2. 1 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：把每四位二进制数分为一组，用等值的十六进制数表示。 2 : 两输入的与门在下列（）时可能产生竞争—冒险现象(2分）门电路两个输入信号同时向相反的逻辑电平跳变的现象称为竞争 A:一个输入端为0，另一个端为1 B:一个输入端发生变化，另一个端不变 C:两个不相等的输入端同时向相反的逻辑电平跳变 D:两个相等的输入端同时向相反的逻辑电平跳变 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：门电路两个输入信号同时向相反的逻辑电平跳变的现象称为竞争 3 : 电路如下图所示，设起始状态Q2Q1=00，第3个上升沿，Q2Q1变为( ) (5分） A:00 B:01 C:10 D:11 您选择的答案: 正确答案：D 知识点：参考T触发器的特性表 您选择的答案: 正确答案： A 4 : 逻辑函数Y(A, B, C, D)=∑m(0,2,4,6,9,13) + d(1,3,5,7,11,15)的最简与或式为（）(5分） A:AD+A’D’ B:A’+D C: A+D D:A’C+AD 您选择的答案: 正确答案： B 知识点：化简具有无关项的逻辑函数最好用卡诺图的方法。 5 : 图中为TTL门电路，其输出为（）状态(2分） A:高电平 B:低电平 C:高阻态 D:不确定 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：图示中，控制端低电平电平有效。控制端无效时输出为高阻态 6 : 逻辑函数Y＝（A’＋D）(A C＋B C’) ’＋A B D’ 的Y’ 是（）(2分） A:(AD’+(A’+C’)(B’+C))(A’+B’+D) B:(AD’+((A’+C’)(B’+C))’)(A’+B’+D) C:AD’+(A’+C’)(B’+C)(A’+B’+D) D:AD’+((A’+C’)(B’+C))’(A’+B’+D) 您选择的答案: 正确答案： B 知识点：利用反演定理求Y’时，要注意：利用加括号的方式保证原来的运算顺序不变；非单个变量上的非号不变。 7 : （）的特性方程为Q*=A (2分） A: D触发器 B:T触发器 C:JK触发器 D: SR触发器 您选择的答案: 正确答案： A 知识点：D触发器的特性方程为Q*=D 8 : 组合逻辑电路消除竞争冒险的方法有（(2分） A:修改逻辑设计 B:在输出端接入滤波电容 C:后级加缓冲电路 D:屏蔽输入信号的尖峰干扰 您选择的答案: 正确答案： B 知识点：输出端接入滤波电容可以滤除竞争冒险产生的尖峰 9 : (1001111)2的等值十进制数是（）(2分） A:97 B:15.14 C:83 D:79 您选择的答案: 正确答案：D 通信 071~5 班 20 08 ~20 09 学年 第 二 学期 《数字电子技术基 础》 课试卷 试卷类型： A 卷 一、 单项选择题（每小题2分，共24分） 1、8421BCD 码01101001.01110001转换为十进制数是：（ ） A ：78.16 B ：24.25 C ：69.71 D ：54.56 2、最简与或式的标准是：（ ） A ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多 B ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最多 C ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最少 D ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多 3、用逻辑函数卡诺图化简中，四个相邻项可合并为一项,它能：（ ） A ：消去1个表现形式不同的变量，保留相同变量 B ：消去2个表现形式不同的变量，保留相同变量 C ：消去3个表现形式不同的变量，保留相同变量 表1 D ：消去4个表现形式不同的变量，保留相同变量 4、已知真值表如表1所示，则其逻辑表达式为：（ ） A ：A ⊕B ⊕C B ：AB + BC C ：AB + BC D ：ABC （A+B+C ） 5、函数F(A ，B ，C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为：（ ） A ：F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B ：F(A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ：F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D ：F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 6、欲将一个移位寄存器中的二进制数乘以（32）10需要（ ）个移位脉冲。 A ：32 B ： 10 C ：5 D ： 6 7、已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1，E 2A =E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出Y 7 ～Y 0是：（ ） A ：11111101 B ：10111111 C ：11110111 D ：11111111 8、要实现n 1n Q Q =+，JK 触发器的J 、K 取值应是：（ ） A ：J=0，K=0 B ：J=0，K=1 C ：J=1，K=0 D ：J=1，K=1 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差 模电压增益 100 vd = A ，共模电压增益mV 5 V mV, 10 ,0 i2 i1 c = = =V A V，则输出电压o V为（）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。华南理工大学模电试题(附答案)
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