视野的常见术语

视野的常见术语

视野指数：计算机定量检查所得的原始结果是一组（一个矩阵）代表许多许多点阈值的数值。视野指数（visual field indices）是对一次视野检查所获得的原始数据进行统计而获得的描写总体的简明数值，是视野总的评价参数，可以快速评估视野缺损。

平均敏感度（mean sensitivity，MS）等于各个位点的光敏感度相加后除以位点总数，是各位点光敏感度的算术平均数，单位为“dB”。其正常范围与年龄有关。

平均缺损货平均偏差：在Humphrey称为平均偏差（mean deviation,MD），Octopus称为平均缺损（mean defect,MD）是所有位点上检测值与正常均值之差的平均，表示受检者的整个视，敏感度与同年龄正常人的参考敏感度相比较升高或降低的情况。单位为Db。MD代表的是整个视野的平均缺损，其正常范围与年龄无关。

丢失方差或模式标准差：Humphrey视野的模式标准差（pattern standard deviation ,PSD）表示测得的视野形状与正常视野形状的相差程度，代表光敏感度的变异，反映局部视野缺损，值越大，表示视野的形状越不规则，在Octopus视野计中的丢失方差（loss variance ,LV）与PSD一样反应视野的的不规则指数。

暗点：是指光敏感度低于视野中其他的一个点或一个区域。暗点分为相对暗点（realative scotoma）和绝对暗点(absolute scotoma)，如果仅仅是对刺激强度较弱的白色或某种颜色的视标或光标辨别不清被称之为相对暗点，如果对最大亮度视标或光标均看不见为绝对暗点，生理盲点即为典型的绝对暗点。

常见的暗点有如下：

中心暗点：是指位于中央注视点及其附近的相对性绝对性暗点，一般指中心10°视野范围之内的暗点。中心暗点是视网膜黄斑区或视神经黄斑纤维发生并病变的一种表现，多见于黄斑区的疾病，也可见于早期青光眼或视神经炎患者。

哑铃状暗点：因与生理盲点相连接呈哑铃状得名，哑铃状暗点可能是盘斑束神经纤维损害导致的视野改变。多见于球后视神经炎，其他如视盘炎，缺血性视神经病变、黄斑部病变、青光眼等也可引起哑铃状暗点，烟酒中毒引起的视野改变也属此类。

旁中心暗点（paracentral scotoma）：是指位于中央视野5—25°的Bjerrum区内视野缺损，其直径大于5°，深度大于5dB，一般最早出现在颞侧近胜利盲点的上方，不与生理盲点相连，尔后发展从上方或下方渐与生理盲点相连，并有沿弓形神经纤维走行分布和发展的趋势。旁中心暗点最多见于青光眼早期视野缺损，大约占青光眼早期视野缺损的75%—88%。旁中心暗点可发生于视野的任何位置，但常见于鼻侧。

鼻侧阶梯(nasal step )：为视网膜神经纤维束损害的特殊表现，是青光眼早期视野改变的典型表现，在青光眼的早期诊断和普查中具有重要意义，鼻侧阶梯占青光眼早期视野改变的20%—75%不等。鼻侧阶梯50%以上与旁中心暗点同时存在。

弓形暗点（arcuate scotoma）：又叫Bjerrum暗点，是视网膜神经纤维层纤维束损害的典型视野改变。它绕过固视点上或下与生理盲点相连，并向周边呈弧形扩展，鼻侧宽于颞侧，然后突然中止于水平子午线，与视网膜颞侧弓形神经纤维束的排列与行径相似。视盘上下缘同时受损可引起双弓形暗点，弓形暗点虽为青光眼视野损害的典型特征，但在某些原因引起血压下降后，因视神经供血不足，也会发生视野弓形缺损，任何位于视神经与视交叉间的神经纤维的病变，或某些视盘的病变也可产生弓形暗点。

环形暗点（ring scotoma）：环绕上下Bjerrum区由上下弓形暗点环绕中央固视区的鼻侧周边水平合缝相连接而形成。多见于青光眼的视野损害。由于水平合缝上、下的神经纤维对青光眼的视野损害的敏感性变现不一致，此环的鼻侧水平径线外，下部常略宽于上部而表现为阶

梯状，这种视野的损害进一步发展将会导致视野仅仅残留中心管样视野和颞侧新月形残留视野，是青光眼晚期的典型视野改变。

颞侧扇形缺损（temporal wedge-shaped defect）典型表现为在颞侧视野出现尖端向生理盲点扇形或楔形视野相对性或绝对性缺损。扇形尖端位于生理盲点，见于中央动脉分支栓塞或缺血性视神经病变；而扇形尖端位于中心注视点多为视路病变。颞侧扇形缺损也可以是青光眼早期视野改变。

象限性缺损：是视野的垂直半径以及水平半径为境界的1/4视野缺损称为象限性缺损（quadrantanopia）,又称为象限性偏盲，即缺损占据视野的一个象限，多见于膝状体以后的视通路上的损害和病变。

偏盲性视野改变：视野以正中垂直子午线或水平子午线将视野一分为二，一半视野缺损，另一半长长即为偏盲性视野改变（hemianopia）,视野缺损一半，多为垂直性，也可为水平性。偏盲可分为同向（右侧或左侧）或异向（双颞侧或双鼻侧）、对称或不对称。盲区的边缘可以直线垂直通过注视点，把视野分为两半，常见于视交叉及视交叉以上的占位性疾病或颅脑损害。偏盲也可避开中央固视区，在中央保留一小部分，称为黄斑回避。上半部或下半部的视野损害损害称为半盲，多见于上半部或下半部的视网膜损害。

视野向心性缩小：如果有大片的缺损直达视野应有的边缘，缺损外缘没有正常视觉，即为视野缩小，各个方向视野内均匀内收即为视野向心性缩小（central isopter constriction）。视野向心性缩小分为功能性和器质性。前者见于癔症，表现为管状视野、螺旋形视野、色视野颠倒；后者见于视网膜色素变性、球后视神经炎、视神经萎缩、晚期青光眼及双侧同向偏盲之后等。

普遍性敏感度下降（generalized depression）,评价的标准是不同的。

生理盲点扩大：因为视盘上没有感光组织，所以生理盲点是一个绝对盲区，其边界陡峭，纵径9.5°，横径7.5°，大于此范围时应考虑为生理盲点扩大（blind spot enlargenment ）。一般各种方向均扩大，有时仅向上下方呈翼状扩大是青光眼的早期视野改变，经过大量的研究观察，认为生理盲点翼状扩大对青光眼的诊断没有帮助。生理盲点扩大常见于视盘边缘的有髓神经纤维、高度近视炎视盘周围脉络膜视网膜萎缩斑、视盘视网膜炎、视盘水肿及烟草弱视等疾病。

半导体专业术语英语..

1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。

半导体行业专业词汇

半导体行业专业词汇 . acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。

化工行业符号标准

AC 交流电 Alternating Current EXP VLV 膨胀阀 Expansion Valve PSIA 磅/平方英寸(绝对值) Pounds Per Square Inch Absolute ALL IRON 全铁结构 All-Iron Construction F 华氏温度 Degree Fahrenheit PSIG 磅/平方英寸(表值) Pounds Per Square Inch Gage AMER STD 美国标准 American Standard FF 平面 Flat Face RECIRC 再循环 Recirculate(d) AMS 自动化工程师协会的航空材料规范Aeronautical Material Specifications of the Society of Automotive Engineers FtoF 面对面 Face to Face RF 凸面 Raised Face APPROX 近似值 Approximate

FLG 法兰端口 Flanged End RPM 每分钟转数 Revolutions per Minute ASME 美国机械工程师协会 American Society of Mechanical Engineers FM 表示产品已经美国工厂相互保险研究所认证Indicates product has been approved by Factory Mutual Laboratories RS 明杆 Rising Stem ASTM 美国实验材料协会 American Society of Testing Materials F/S 安全因素 Factor of Safety S.A.E. 美国自动化工程师协会 Society of Automotive Engineers ATM 大气，空气 Atmosphere FSPS 内螺纹标准管道口径 Female Standard Pipe Size SB 螺纹旋进阀盖 Screw-in Bonnet BB 螺栓阀盖 Bolted Bonnet FT LB 英尺磅(功的单位)

半导体物理--专业术语英汉对照-复习版

__________________________________________________ 1 acceptor 受主 2 allowed energy band允带 3 binary semiconductor 二元半导体 4 charge neutrality condition 电中性条件 5 compensated semiconductor 补偿半导体 6 conduction band and valence band 导带和价带 7 effective mass 有效质量 8 density of states function状态密度函数 9 diamond structure金刚石结构 10 diffusion coefficient扩散系数 11 donor施主 12 drift velocity 漂移速度 13 electron and hole电子和空穴 14 elemental semiconductor 元素半导体 15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度 16 expitaxy外延 17 extrinsic semiconductor非本征半导体 18 Fermi energy (or level)费米能级 19 Forbidden energy band禁带 20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体 21 intrinsic semiconductor本征半导体 22 majority carrier多数载流子 23 MBE分子束外延 24 Miller indices密勒指数 25 minority carrier少数载流子 26 mobility迁移率 27 MOCVD金属有机气相沉积 28 nondegenerate semiconductor非简并半导体 29 n-type material n型材料 30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 31 phonon声子 32 photon光子 33 primitive cell原胞 34 quantum state量子态 35 quaternary semiconductor四元半导体 36 scattering散射 37 substrate衬底 38 thermal motion热运动 39 unit cell单胞 40 wave-particle duality波粒二相性 41 continuity equations连续性方程 42 diffusion length扩散长度 43 diffusion coefficient扩散系数 44 Einstein relationship爱因斯坦关系 45 p-n junction p-n结 46 built-in voltage 内建电势差 47 carrier lifetime 载流子寿命

半导体一些术语的中英文对照

离子注入机 ion implanter LSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。 沟道效应 channeling effect 射程分布 range distribution 深度分布 depth distribution 投影射程 projected range 阻止距离 stopping distance 阻止本领 stopping power 标准阻止截面 standard stopping cross section 退火 annealing 激活能 activation energy 等温退火 isothermal annealing 激光退火 laser annealing 应力感生缺陷 stress-induced defect 择优取向 preferred orientation

制版工艺 mask-making technology 图形畸变 pattern distortion 初缩 first minification 精缩 final minification 母版 master mask 铬版 chromium plate 干版 dry plate 乳胶版 emulsion plate 透明版 see-through plate 高分辨率版 high resolution plate, HRP 超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization 掩模 mask 掩模对准 mask alignment 对准精度 alignment precision 光刻胶 photoresist 又称“光致抗蚀剂”。 负性光刻胶 negative photoresist

化工常见专业术语解释

相对密度（relative density ） 相对密度亦称密度之比，是指物质的密度与参考物质的密度在各自规定的条件下之比，或者说一定体积的物质在t1 温度下的质量 与等体积参考物质在t2 温度下的质量之比，常用的参考物质为蒸馏水。(Melting point and Freezing point) 熔点与凝固点 物质在其蒸汽压下液态—固态达到平衡是 的温度称为熔点或凝固点。这是由于固体中原子或离子的有规则排列因温度上升，热运动变得杂乱而活化，形成不规则排列的液体的一种现象，相反的过程即为凝固点。对于液体变为固体时的温度称为凝固点或冰点，与熔点不同之处在于放出热量而不是吸收 热量。其实物质的熔点和凝固点是一致的。Melting range ）熔点范围（ 用毛细管法所测定的从该物质开始熔化至 全部熔化的温度范围。）结晶点（Crystal point 指液体在冷却过程中，由液态转变成为固态

的相变温度。倾点（Pour point ）表示液体石油产品性质的指标之一。是指样品在标准条件下冷却至开始停止流动的温度，也 就是样品冷却时还能倾注时的最低温度。Boiling point ）沸点（液体受热发生沸腾而变成气体时的温度，或者说是液体和它的蒸气处于平衡状态时的温度。一般来说，沸 点越低，挥发性越大。沸程（Boiling range ）在产品标准规定的温度范围内的馏出体积。）101.325kPa,0 在标准状态下（℃，固态（结晶）物质不经过液态而直接转变为气态的现象。如冰、碘、硫、萘、樟脑、 升华（Sublimation ） 固态（结晶）物质不经过液态而直接转变为气态的现象。如冰、碘、硫、萘、樟脑、 氯化汞等都可在不同的温度下升华。 蒸发速度（Vaporizing velocity ） 蒸发是指液体表面发生的气化现象。蒸发速度亦指挥发速度，一般用溶剂的沸点高低 来判断，决定蒸发速度的根本因素是溶剂在该温度下的蒸气压，其次是溶剂的分子量。）Vapor pressure 蒸气压（蒸气压是饱和蒸气

半导体行业专业术语

半导体行业专业术语.txt都是一个山的狐狸，你跟我讲什么聊斋，站在离你最近的地方，眺望你对别人的微笑，即使心是百般的疼痛只为把你的一举一动尽收眼底．刺眼的白色，让我明白什么是纯粹的伤害。悬赏太少了吧~嘎嘎不过尽管如此还是分享下俺的资料（有19800个字，这里发不下，如果还需要就给我小消息~~~）：） 移动通讯词汇（中英） A 安全地线 safe ground wire 安全特性 security feature 安装线 hook-up wire 按半周进行的多周期控制 multicycle controlled by half-cycle 按键电话机 push-button telephone set 按需分配多地址 demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务 demand telecommunication service 按组编码 encode by group B 八木天线 Yagi antenna 白噪声 white Gaussian noise 白噪声发生器 white noise generator 半波偶极子 halfwave dipole 半导体存储器 semiconductor memory 半导体集成电路 semiconductor integrated circuit 半双工操作 semi-duplex operation 半字节 Nib 包络负反馈 peak envelop negative feed-back 包络延时失真 envelop delay distortion 薄膜 thin film 薄膜混合集成电路 thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频） protection ratio (RF) 保护时段 guard period 保密通信 secure communication 报头 header 报文分组 packet 报文优先等级 message priority 报讯 alarm 备用工作方式 spare mode 背景躁声 background noise 倍频 frequency multiplication 倍频程 actave 倍频程滤波器 octave filter 被呼地址修改通知 called address modified notification

半导体术语

Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum –oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度

Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 B Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒

常见化学术语的中英文对照

1.TheIdeal-GasEquation理想气体状态方程 2.PartialPressures分压 3.RealGases:DeviationfromIdealBehavior真实气体：对理想气体行为的偏离 4.ThevanderWaalsEquation范德华方程 5.SystemandSurroundings系统与环境 6.StateandStateFunctions状态与状态函数 7.Process过程 8.Phase相 9.TheFirstLawofThermodynamics热力学第一定律 10.HeatandWork热与功 11.EndothermicandExothermicProcesses吸热与发热过程 12.EnthalpiesofReactions反应热 13.Hess’sLaw盖斯定律 14.EnthalpiesofFormation生成焓 15.ReactionRates反应速率 16.ReactionOrder反应级数 17.RateConstants速率常数 18.ActivationEnergy活化能 19.TheArrheniusEquation阿累尼乌斯方程20.ReactionMechanisms反应机理 21.HomogeneousCatalysis均相催化剂 22.HeterogeneousCatalysis非均相催化剂 23.Enzymes酶 24.TheEquilibriumConstant平衡常数 25.theDirectionofReaction反应方向 26.LeChatelier’sPrinciple列·沙特列原理 27.EffectsofV olume,Pressure,TemperatureCha ngesandCatalysts 体积，压力，温度变化以及催化剂的影响 28.SpontaneousProcesses自发过程 29.EntropyStandardEntropy熵标准熵 30.TheSecondLawofThermodynamics热力学第二定律 31.EntropyChanges熵变 32.StandardFree-EnergyChanges标准自由能变 33.Acid酸 34.Bases碱 35.TheProtoninWater水合质子 36.ThepHScalespH值 37.TheDissociationofWater水离解

光伏行业常用术语

Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。 Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。 Lay - The main direction of surface texture on a wafer. 层 - 晶圆片表面结构的主要方向。 Light Point Defect (LPD)(Not preferred; see localized light-scatterer) 光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”） Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers. 光刻 - 从掩膜到圆片转移的过程。 Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect. 局部光散射 - 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。 Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment. 批次 - 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。 Majority Carrier- A carrier, either a hole or an electron that is dominant in a specific region, such as electrons in an N-Type area. 多数载流子 - 一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在 N型中是电子。 Mechanical Test Wafer - A silicon wafer used for testing purposes. 机械测试晶圆片 - 用于测试的晶圆片。 Microroughness - Surface roughness with spacing between the impurities with a measurement of less than 100 μm. 微粗糙 - 小于100微米的表面粗糙部分。 Miller Indices, of a Crystallographic Plane - A system that utilizes three numbers to identify plan orientation in a crystal. Miller索指数 - 三个整数，用于确定某个并行面。这些整数是来自相同系统的基本向量。

半导体用语

半导体用语

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Silicｏniｎgot 硅锭 Wafer晶片 Mirror ｗａｆer 镜面晶圆 Pattｅｒ晶圆片 ＦAＢ：fabrication 制造 Fabricａtiｏn Facｉlｉty 制造wafer生产工厂 Pｒobe ｔｅsｔ探针测试 Probe ｃａrd探针板 Contact连接 ProbｅTｉp 探头端部 Ｃhｉｐ Funｃtion 功能 ＥPM:Elｅcｔrical Pａrametｅr Mｏｎitorinｇ Sｕmmａry总结 R&D:Rｅsearｃｈaｎd Developmｅｎｔ研究和开发MCP:Ｍulｔi Ｃhｉp Paｃkage 多芯片封装 POP:Pａcｋage on Pacｋａge e-MMC:ｅmｂedｄｅd Multi Medｉa cａｒd 嵌入式多媒体卡WＬP：Wafer Ｌevel Pａcｋage 晶圆级封装 ＳDP 一层 DDP 两层 QDP 四层

OＤＰ八层 Pad ouｔ BacｋGrｉｎd背研磨 WafeｒGｒinｄBack Ｇrind 磨片 Oｖerｖｉew 概述 TPM：Tｏｔal Prｏfit Ｍａnageｍent ＳＫTPM Operatiｏn 操作 Eｒase 消除 Ｋey Pａra.：Keｙｐaｒameter 关键参数 Cｙcｌing 写入次数、循环次数 Reｔenｔion 保留时间 Non-V olaｔｉｌe meｍｏry Ｖolａtile meｍｏry Reａｄ读 Wｒiｔe写 Reｆｒesh 更新 Spｅed速度、速率、转速 Resｔoｒe 修复、恢复 Electrｉｃal Signal 电信号 WＦBI:ＷafeｒBurn-In ＰT1H:Prｏbe Teｓｔ１HoｔＴｅｓt PＴ１C:Proｂe Ｔest 1 CｏlｄTｅst

安全生产常用名词及术语

安全生产常用名词及术语 1、安全生产 安全生产是为了使生产过程在符合物质条件和工作秩序下进行的，防止发生人身伤亡和财产损失等生产事故，消除或控制危险、有害因素，保障人身安全与健康、设备和设施免受损坏、环境免遭破坏的总称。 2、安全生产方针 安全第一、预防为主、综合治理。 3、安全生产工作机制 生产经营单位负责、职工参与、政府监管、行业自律和社会监督。 4、安全生产领域改革发展基本原则 坚持安全发展;坚持改革创新;坚持依法监管;坚持源头防范;坚持系统治理。 5、党政同责，一岗双责，齐抓共管，失职追责 “党政同责”，是指各级党委、政府对安全生产工作都负有领导责任,其班子成员按照职责分工分别承担相应的安全生产工作职责。 “一岗双责”，是指各级党政领导干部在履行岗位业务工作职责的同时，按照“谁主管、谁负责”、“管行业必须管安全、管业务必须管安全、管生产经营必须管安全”的原则，履行安全生产工作职责。 “齐抓共管”是指党委、政府全面负责，安监部门综合况全覆监管、其他行业部门直接监管、乡镇政府属地监管责任，企业主体责任，全社会参与的安全生产责任体系。 “失职追责”，是指对党政主要负责人和有关负责人履行安全生产职责不力，依法依纪予以问责，承担相应安全生产责任。

6、安全生产责任制 安全生产责任制是根据我国的安全生产方针“安全第一，预防为主，综合治理”和安全生产法规建立的各级领导、职能部门、工程技术人员、岗位操作人员在劳动生产过程中对安全生产层层负责的制度。安全生产责任制是企业岗位责任制的一个组成部分，是企业中最基本的一项安全制度，也是企业安全生产、劳动保护管理制度的核心。 7、四管四必须 管行业必须管安全、管业务必须管安全、管生产经营必须管安全，管安全生产必须管职业卫生。 8、五落实、五到位 五落实:一是必须落实“党政同责”要求，董事长、党组织书记、总经理对本企业安全生产工作共同承担领导责任。二是必须落实安全生产“一岗双责”，所有领导班子成员对分管范围内安全生产工作承担相应职责。三是必须落实安全生产组织领导机构，成立安全生产委员会，由董事长或总经理担任主任。四是必须落实安全管理力量，依法设置安全生产管理机构，配齐配强注册安全工程师等专业安全管理 人员。五是必须落实安全生产报告制度，定期向董事会、业绩考核部门报告安全生产情况，并向社会公示。 五到位:必须做到安全责任到位、安全投入到位、安全培训到位、安全管理到位、应急救援到位。 9、隐患治理“五到位” 隐患治理五到位是指: 整改责任、措施、资金、时限、预案“五到位”。 10、安全生产“三同时” 生产经营单位新建、改建、扩建工程项目的安全设施，必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投入生产和使用。常说的“三同时”还包括职业病防护设

半导体专业用语

金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（W PLUG） 钝化层（Passivation） acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸 actuator激励 ADI After develop inspection显影后检视 AEI After etching inspection蚀科后检查 AFM atomic force microscopy 原子力显微Alignment Alloy：合金 Aluminum Ammonia amplifier AMU Analog Angstrom： Anisotropic arc chamber ARC： Argon(Ar)氩 Arsenic(As) Arsine(AsH) ASHER Asher ASI ASIC Aspect ration ATE 自动检测设备 Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Backside Etch 背面蚀刻 Backside 晶片背面 Baseline：标准流程 Beam-Current 电子束电流 Benchmark：基准 BGA ball grid array 高脚封装 Bipolar：双极 Boat：扩散用（石英）舟Cassette 装晶片的晶舟 CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室 Chart 图表 Child lot 子批 chiller 制冷机 Chip (die) 晶粒 Doping 掺杂 Dose 剂量 Downgrade 降级 DRC design rule check 设计规则检查 Dry Clean 干洗 Due date 交期 Dummy wafer 挡片 E/R etch rate 蚀刻速率 EE 设备工程师 ELS extended life source 高寿命离子源enclosure 外壳

半导体名词解释

1.何谓PIE PIE的主要工作是什幺？ 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2.200mm，300mm Wafer 代表何意义？ 答：8寸硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12寸. 3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4.我们为何需要300mm？ 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍 5. 所谓的 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6.从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从 -> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer？ 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9.一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而

常见医药化工术语简单介绍

常见医药化工知识简单介绍 化学品分类： 《全球化学品统一分类和标签制度》（Globally Harmonized System of Classification and Lablling of Chemicals，简称GHS，又称“紫皮书”）是由联合国出版的指导各国控制化学品危害和保护人类健康与环境的规范性文件。2002年联合国可持续发展世界首脑会议鼓励各国2008年前执行GHS。APEC会议各成员国承诺自2006年起执行GHS。2011年联合国经济和社会理事会25号决议要求GHS专家分委员会秘书处邀请未实施GHS的政府尽快通过本国立法程序实施GHS。 一、建立GHS目的 目前世界上大约拥有数百万种化学物质，常用的约为7万种，且每年大约上千种新化学物质问世。 二、化学品GHS分类及危险性公示要素 GHS内容包括：（1）按照物理危害性，健康危害性和环境危害性对化学物质和混合物进行分类的标准；（2）危险性公示要素，包括包装标签和化学品安全技术说明书。目前GHS共设有28个危险性分类，包括16个物理危害性分类种类，10个健康危害性分类种类以及2个环境危害性分类种类。具体如下： 物理危害性健康危害性环境危害性 爆炸性物质急性毒性危害水生环境物质 易燃气体皮肤腐蚀/刺激性（1）水生急性毒性 易燃气溶胶严重眼损伤/眼刺激性（2）水生慢性毒性 氧化性气体呼吸或皮肤致敏性危害臭氧层 高压气体生殖细胞致突变性 易燃液体致癌性 易燃固体生殖毒性 自反应物质特定靶器官系统毒性（单次接触） 发火液体特定靶器官系统毒性（反复接触） 发火固体吸入危害性自燃物质 与水放出易燃气体物质 氧化性固体 氧化性液体

石化行业常用名词解释

石化行业常用名词解释 石脑油： 常减压工序出来后的部分石油产品，比重约占0.83%,也叫轻汽油或化工轻油,英文名Naphtha,常温常压下呈无色或为微黄色液体,主要是用作催化重整的原料,可以用来生产乙烯、溶剂油、化肥等，其中最常见的是以石脑油生产溶剂油。 蜡油： 常减压工序出来的部分石油产品，比重约占29%左右，主要是作为催化裂化的原料，生产汽油、柴油等产品，同时也可以用作生产润滑油。其可以作为常见的催化裂化的主要原料。 渣油： 渣油可以分为常压渣油和减压渣油，常压塔底油统称为常压渣油，该部分为原油蒸馏后所得，比重在60%以上，实际上为在常压蒸馏过程中加热到365度以上不能馏分的常压塔底重油。常压渣油一般情况下直接进入减压塔继续进行馏分。 减压渣油为减压蒸馏的塔底油，为沸点在540度以上的减压塔底重油，一般情况下作为延迟焦化原料或作为燃料油和石油沥青。 重油： 重油实际上是一种相对的广义范围上的概念，可以理解为在一个炼化阶段相对于其他馏分比重较重的产品。 燃料油： 燃料油一般意义上是指渣油的混合产品，暗黑色粘稠液体，是石油产品中市场化程度非常高的产品，它是由常减压蒸馏所得的渣油经过减粘或适当加入其他馏分油或二次加工渣油而成。按照加工流程的不同可以分为：常压渣油、减压渣油、催化裂化渣油和混合渣油。 燃料油的概念有广义和狭义之分，广义上说，所有可以用作燃料的产品都可以称为燃料油；狭义上是指特定类型的部分重油，这里指的是狭义上的概念。 国内通常将燃料油分为三类：1）5－7号燃料油；2）除5－7号之外更轻或更重的燃料油，其中包括250号，也称为重油或工业燃料油；3）其他重油制

各行业词汇大全

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半导体物理--专业术语英汉对照-复习版

1 acceptor 受主 2 allowed energy band允带 3 binary semiconductor 二元半导体 4 charge neutrality condition 电中性条件 5 compensated semiconductor 补偿半导体 6 conduction band and valence band 导带和价带 7 effective mass 有效质量 8 density of states function状态密度函数 9 diamond structure金刚石结构 10 diffusion coefficient扩散系数 11 donor施主 12 drift velocity 漂移速度 13 electron and hole电子和空穴 14 elemental semiconductor 元素半导体 15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度 16 expitaxy外延 17 extrinsic semiconductor非本征半导体 18 Fermi energy (or level)费米能级 19 Forbidden energy band禁带 20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体 21 intrinsic semiconductor本征半导体 22 majority carrier多数载流子 23 MBE分子束外延 24 Miller indices密勒指数 25 minority carrier少数载流子 26 mobility迁移率 27 MOCVD金属有机气相沉积 28 nondegenerate semiconductor非简并半导体 29 n-type material n型材料 30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 31 phonon声子 32 photon光子 33 primitive cell原胞 34 quantum state量子态 35 quaternary semiconductor四元半导体 36 scattering散射 37 substrate衬底 38 thermal motion热运动 39 unit cell单胞 40 wave-particle duality波粒二相性 41 continuity equations连续性方程 42 diffusion length扩散长度 43 diffusion coefficient扩散系数 44 Einstein relationship爱因斯坦关系 45 p-n junction p-n结 46 built-in voltage 内建电势差 47 carrier lifetime 载流子寿命 48 space charge region 空间电荷区 49 depletion width 耗尽宽度 50 saturation drift velocity 饱和迁移速度