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电路与模拟电子技术基础(第2版)-模电 第5章习题解答

电路与模拟电子技术基础(第2版)-模电 第5章习题解答
电路与模拟电子技术基础(第2版)-模电 第5章习题解答

模拟电路第二章课后习题答案(供参考)

第二章 习题与思考题 ◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。 解: (a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求; (b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏); (c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏); (d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏); (e) 有放大作用(电压放大倍数小于1); (f) 无放大作用,电容C 2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0; (g) 无放大作用,电容C b 使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极; (h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置; (i) 无放大作用,VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。 解: 本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ;②增大VCC ;③增大β。 解: ① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R ② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V ③ ???↓↑?↑?CC CQ BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。 ◆ 题 2-4 在图,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、 U CEQ 、r be 和||u A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1;②增大R b2;③增大Re ;④增大β。 解: ① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &

模拟电子技术模电课后习题含答案第三版

第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 1、两个管子都正接。(1.4V ) 2、6V 的管子反接,8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接, 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。(14V ) (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。 1、 两个管子都反接,电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接,一个反接,电压小的先导通。(0.7V ) 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流: I ZM =P ZM / U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ~I U U R

模电第2章_作业答案

模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1.简答题: (1)放大电路中为何设立静态工作点?静态工作点的高、低对电路有何影响? 答:设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区;Q点过低易使传输信号部分进入截止区,其结果都是信号发生失真。 (2)说明利用三极管组成放大电路的基本原则。 答:不论那种组态的放大电路,如果希望能够正常放大信号,必须遵守以下原则。 ①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数,以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点,使三极管工作在放大区。 ②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上,经过三极管放大后,又能传给放大电路的下一级或负载。 (3) 分析放大电路有哪几种方法?几种方法分别有什么特点? 答:分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确,工程上常用来分析放大电路的静态工作点;微变等效法方便分析放大电路的动态;图解法直观,可同时用于分析放大电路的静态和动态。 (4)共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法,而反相电压放大器,电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系,如何从物理概念上来理解? 答:共射电路有电压放大作用,且输出电压与输入电压相位相反。为此,称这种放大电

路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此,可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此,可将它称为电流跟随器。 2.图1所示电路中,已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V, =100,临界放大饱和时三极管压降(集电极-发射极之间)为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。 (a) (b) (c) 图1 解:分析:判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。 方法一: 1.对于NPN管,若U BE<0.7V,则管子截止;对于PNP管,若U BE>-0.7V,或U EB<0.7V 则管子截止; 2.若NPN管,U BE>0.7V,PNP管U EB>0.7V,则说明三极管处于放大状态或饱和状态。 对于NPN管,如果假设三极管工作在放大区,计算结果得管子压降U CE>0.3V(设小功率三极管饱和压降为0.3V),说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U CE<0.3V,说明管子工作在饱和区。 对于PNP管,如果假设三极管工作在放大区,计算结果得管子压降U EC>0.3V,说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U EC<0.3V,说明管子工作在饱和区。方法二: 当确定三极管处于非截止状态时,计算三极管的基极电流I B及饱和电流集电极电流I CS (U EC=0.3V),如果βI B I CS,说明电路处于饱和状态。 方法二似乎更为简单。 解:

模电第二章习题答案

习题2-5 设图中的三极管β =100,U BEQ =0.6V ,V CC =12 V ,R C =3 k Ω,R b =120 k Ω。求静态工作点处的I BQ I CQ 和U CEQ 值。 习题2-15 设图中三极管的β =100,U BEQ =0.6V ,V CC =10V ,R C =3 k Ω,Rb b’=100 Ω。V CC =10V ,,R C =3 k Ω,Re=1.8 k Ω,RF=200Ω,Rb1=33 k Ω,Rb2=100 k Ω,RL=3 k Ω C1,C2和Ce 足够大。 ①求静态工作点 ②画微变等效电路如图 (3)求O i u U A U =; (4)设Rs =4 k Ω,求o s us U A U =

(5)求o i R R 和 ① 2.48,0.94, 5.3E U I I mA U =≈=≈BQ CQ Q CEQ V V ②微变等效电路如图 ③ be 2.9r ≈ k Ω, L be = 6.5 (1)u F R A r R ββ'-≈-++

(4) 12i r ≈ k Ω,= 4.9i us u i s r A A r R -≈-+ (5) R i ≈12 k Ω,R o ≈3 k Ω 习题2-17 画出如图放大电路的微变等效电路,写出计算电压放大倍O1O2 i i U U U U 和数的表达式,并画出当c e R R =时的两个输出电压o1o1U U 和的波形(与正弦波i U 相对应)。

微变等效电路如下图 解 O1i be (1)c e U R U r R ββ=-++ e c O1O2O1O2R u u R U U =≈当时,,和的波形如下图 e be e * 02* )1(1R r R U U Au i ββ+++= = )(

2017模电习题课复习

模电典型例题分析 第一章 题1.1 1、对某放大电路进行测试,u s=15mv,Rs=1kΩ,R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时,测得uo=1.5v, 当开关S闭合时,测得uo=1.2v,则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 2、对某放大电路进行测试,当接入一个内阻等于零的电压信号源时,测得输出电压为5V,在信号源内阻增大到1,其它条件不变时,测得输出电压为4V, 说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2负载电阻时,测得输 出电压为3V,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到7.5V,说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时,U OA=U OB;都接入负载电阻R L时,测得U OA

=8.26和=2.5 第二章 题2.1 1.如图所示电路,已知集成运放开环差模电压增益为∞,其电源电压±VCC=±14V ,Ui=1V ;R1=10k,Rw=100k 。请问:当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时,输出Uo =?V ; 解:14V ,1V ,6(7)V 2.如图所示电路,已知集成运放开环差模电压增益为∞,其电源电压±VCC=±14V ,Ui=1V ;R1=10k,R2=200k 。请问: 当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo =?V ; 最左端时Uo = -14 V ;最右端时Uo = 0 V ;中点时Uo = -10 V 。 题 2.2 在题图所示的放大电路中,已知Ω=====k R R R R R 1087521, Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式; ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u s i s i i v v R R R += L o L i O o R R R A V +=v v s v v o = VS A L o L o R R R A +=v

模拟电路第二章课后习题答案汇编

模拟电路第二章课后 习题答案

第二章习题与思考题 ◆题 2-1试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。 解: (a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求; (b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏); (c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏); (d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏); (e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);

(f) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0; (g) 无放大作用,电容C b使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极; (h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置; (i) 无放大作用,VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。 解:

本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆题 2-3 在NPN三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ、I CQ、U CEQ将增大、减小还是不变。①增大Rb;②增大VCC;③增大β。 解: ①↓ ↓? ↓? ↑? CEQ CQ BQ b U I I R ②不定 ) (↑ - ↑ = ↑? ↑? ↑? CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V b CC b CC b BEQ CC BQ R V R V R U V I≈ - ≈ - = 7.0 BQ BQ CQ I I Iβ β≈ ≈C CQ CC CEQ R I V U- =

模电答案第二章

第2章基本放大电路 自测题 一?在括号内用“V”和“X”表明下列说法是否正确。 1?只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(X) 2?可以说任何放大电路都有功率放大作用。(V) 3?放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(X ) 4?电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(X ) 5?放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(V) 6?由于放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。 (X ) 7?只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(X ) 二?试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f)

(h) 图 T2.2 解:图(a)不能。V BB将输入信号短路。 图(b)可以。 图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。 图(e)不能。输入信号被电容C2短路。 图⑴不能。输出始终为零。 图(g)可能。 图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。 图(i)不能。因为T截止。 三?在图T2.3所示电路中,已知V cc 12V ,晶体管p=100, R b 100k 。填空:要求先 填文字表达式后填得数。 (1)当U i 0V时,测得U BEQ 0.7V,若要基极电流I BQ 20 A,则R b和R W之和 负载后输出电压有效值U。( L U o)=( 0.3 )V。 R L R c 四、已知图T2.3所示电路中V cc 12V, R c 3k ,静态管压降U CEQ 6V ,并在输出端加负载电阻R L,其阻值为3k 。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值U om( A ); A.2V B.3V C.6V ⑵当U& 1mV时,若在不失真的条件下,减小R w,则输出电压的幅值将(C ); A.减小 B.不变 C.增大 (g) (i)

模电复习题和答案..

《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出,所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态,在数字电路中三极管作为开关使用时,它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中,当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E,V C=8V,V B=3.7V,则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域,三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管,所以我们说场效应管是 电压控制型器件,三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置;三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为0.1-0.2 V;硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大,共模抑制比K CMR为无穷大,差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ,单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ;整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V;LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%,理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流,则可采用B;如希望负载变化时输出电流稳定,应 引入D;如希望动态输出电阻要小,应引入A;(A 电压负反馈;B 并联负反馈;C 串联负反馈;D电流负反馈)。 18、在图示电路中,已知开环电压放大倍数Au=10000,若需要Auf =100,则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合;集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比,电压放大倍数较大;通频带较窄; 21、能使输入电阻提高的负反馈是C;能使输入电阻降低的负反馈是D; 能使输出电阻提高的负反馈是B;能使输出电阻降低的负反馈是A; (A 电压负反馈;B 电流负反馈:C 串联负反馈:D 并联负反馈)22、电压串联负反馈能稳定输出A ,并能使输入电阻D;

模电题库及标准答案

模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100分) 1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11.温度升高后,在纯净的半导体中()。 A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。 A.阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变 C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小

一、习题(满分100分) 1.N型半导体()。 A.带正电 B.带负电C.呈中性D.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。 A.正常 B.断路C.被击穿D.短路 3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。 A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态D.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BC.V E >V B> V CD.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA,而i b=40μA时i c=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。 A.60 B.75 C.80 D.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区D.击穿区 11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为() A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大

模拟电路部分习题答案

模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1.填空 (1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流会增大。 (3)PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 (4)晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中,晶体管通常工作在放大区区。 (5)结型场效应管工作在恒流区时,其栅-源间所加电压应该反偏。(正偏、反偏) 2-2.判断下列说法正确与否。 (1)本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。() (2)P型半导体带正电,N型半导体带负电。() (3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。() (4)只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。() (5)晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。() (6)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。() (7)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()

(8)若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零,则其输入电阻会明显减小。() 答案:(1)对;温度升高后,载流子浓度会增加,但是对于本征半导体来讲,电子和空穴的数量始终是相等的。 (2)错;对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时,处于电中性的状态。 (3)对;结型场效应管在栅源之间没有绝缘层,所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。 (4)错;稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 (5)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在截止状态时没有电流流过。 (6)对; N型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形成P型半导体。 (7)对;PN结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂移电流相等。 (8)错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS 大于零,有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3.怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏 答:可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻,正向时电阻很小,反向时电阻很大。 2-4.二极管电路如题2-4图所示,试判断图中的二极管是导通

模电课后习题答案

模电典型例题分析 第二章 题2.1 如图所示电路,已知集成运放开环差模电压增益为∞,其电源电压±VCC=±14V,Ui=1V;R 1=10k,R w=100k 。请问:当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时,输出Uo=?V ; 解: 14V ,1V ,6V 题2.2 在题图所示的放大电路中,已知Ω=====k R R R R R 1087521,Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式; ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注:此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析:本题中,运放A 1构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A 3则构成了一个减法电路,由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用,所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=- 332011 I I u u u u u -+===-

()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2)120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题2.3 加减运算电路如图所示,求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放A构成了差分减法电路,由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用:2s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用:1s u 、 2s u 、4s u 接地,此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用:1s u 、 2s u 、3s u 接地,此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +

模电第二章习题参考答案

第二章自我检测题参考答案 一、填空题 1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。 2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。 3.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。 4. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。 5.共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。 6.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点称为静态工作点;有输入信号时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。 7.在放大电路的下限截止频率处,幅度的放大倍数为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率失真引起的。 8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。 二、判断题 1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。 2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立,(√)它只能放大交流信号。(√) 3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。 4.通常,JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。(√) 三、选择题 1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V,U2=6V,U3= 2.7V,则三极管三个电极为(B)。 A.①管脚为发射极,②管脚为基极,③管脚为集电极; B.①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极; C.①管脚为集电极,②管脚为基极,③管脚为发射极; D. ①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极。 2.在共射基本放大电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。 A.放大电流 B.调节I BQ C.防止输出信号交流对地短,把放大了的电流转换成电压。 3. 在共射基本放大电路中,当用直流电压表测得U CE≈V CC,有可能是因为(A);当测得U CE≈0,有可能是因为(B) A. R b开路 B. R b过小 C. R c开路 4.当输入电压为正弦信号时,如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真,则输出电压波形将()。 A.正半周削波 B.负半周削波 C.不削波 5.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合,可以在放大电路与负载之间插入(B)。 A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路

模电习题课(答案版)

1.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流I s将增大,是因为此时PN结内部的B 。[ ] A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大 C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小 2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v,其两端施加的电压分别为+5v(正向偏置)和-5v(反向偏置)时,稳压管两端的最终电压分别为 D 。[] A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v ⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v,V E = -7v,V C = -4v,可以判定此晶体管是管,处于 B 。[] A NPN管,饱和区 B PNP管,放大区 C PNP管,截止区 D NPN管,放大区 ⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 ⒌在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: B 。 [ ] A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小 B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小 C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大 D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大 ⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 7.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ,而提高共模抑制比. [ ] A 抑制共模信号; B 抑制差模信号; C 放大共模信号; D 既抑制共模信号又抑制差模信号; 8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9.集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有 10.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 11.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ,则说明引入的是负反馈。[ ] A电路稳定性变差B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。[] A 直流电阻大、交流电阻小 B 直流电阻小、交流电阻大 C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大 13、在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。[]

模电第二章习题答案

题2-1 判断图中放大电路有无放大作用,说明理由。 a) 因为E 结反偏,C 结正偏,所以无放大作用。应将+VCC 改成-VCC b) 电源未给发射结正偏——无放大作用。应将Rb 连在电源和基极之间 c) 输入交流信号会因交流通路中VCC 的接地而被短路,无法作用在三极管的发射结—— 无放大作用。应在电源和基极之间接一个电阻 d) 由于电容的隔直作用,发射结没有得到正偏——无放大作用。应将电容C 移走 e) 有放大作用 f) 无放大作用,原因:电容C2在交流时短路输出电压无法引出,而始终为零。改正方法: 将电容C2放在集电极和电压引出端之间。 g) 无放大作用,原因:电容Cb 在交流时短路而使输入交流信号被短路,无法作用在三极 管的发射结。改正方法:将电容Cb 去掉。 h) 无放大作用 i) 无放大作用 题2-5 V R I I V U m A I m A R R U V I CEQ 82.3)(7.2,027.0)1(c BQ CQ CC CQ b c BEQ CC BQ =+-===++-=β 题2-6

题2-13 1)I BQ=20uA, I CQ=2mA, U CEQ=-4V 2) r be=1.5K, 3) A U=-100, 4)截止失真,应减小Rb 题2-15 (2) 画出微变等效电路

题2-16 1)I BQ =10uA, I CQ =1mA, U CEQ =6.4V 2) r be =2.9K Ω, RL=∞时,R e /‘=5.6K ,A U =0.99, RL=1.2K 时,R e /‘=0.99K ,A U =0.979, 3) RL=∞时,R i ‘=282K Ω, RL=1.2K 时,R i ‘=87K Ω 4) R o ‘=29Ω 题2-17 e be e be L 1)(1)(1R βr R βR βr R βU U C i o ++-=++-=' e be 2)(1)(1R βr R βU U e i o +++= R C ‘= R e 时,U O1 ‘≈ -U O2, 两者波形反相 题2-25 题2-26

第二章模拟电路(康华光)课后习题答案

模拟电路(康光华)第二章课后习题答案 2.4.1电路如图题2.4.1所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解(1)求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(23 3 =?=Ω ??-=-= - V V V V D O 4.17.022=?== (2)求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。 Ω≈== 02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω ??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+,即1.406V ~1.394V 。 2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。 图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。 图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

模电1_3章课后习题

填空 1. 和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变窄;当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变宽。 2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。 3. 三极管工作在放大状态时,发射结应正偏置,集电结应反偏置。若工 作在饱和状态时,发射结应正偏置,集电结应正偏置。若工作在截止状态时,发射结应反偏置,集电结应反偏置。 4. 三极管电流放大系数β=50,则α= 0.98 ;若α=0.99,则β= 99 。 5. 当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β增 大,穿透电流I CEO 增加,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE | 减小。 6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变大; 若负载电阻R L 变小时,其电压增益将变小。 7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小;产生饱和失真 的原因是 Ic偏大;若两种失真同时产生,其原因是输入信号太大。 8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路,其中输入电阻较大的是 共集电路;通频带较宽的是共基电路;输入电阻较小的是 共基电路;输出电阻较小的是共集电路;输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路;电压增益小于1的是共集电路;带负载能力较强的是共集电路;既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。 9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100,当信号频率为上限频 率f H 时,这时电路的实际增益为 -77.7 ,其输出与输入信号的相位相差 -225 度。 10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示,由图可知,该电路的中频电压放大倍

模电答案部分

u A 、 i R 和 o R 的分析: '26(1) 952be bb EQ mV r r I , (//)95c L u be R R A r & //952i b be R R r , 3o c R R k 。 (2)设U s = 10mV (有效值),则 3.2i i s s i R U U mV R R ; 304o u i U A U mV & 若C 3开路,则: //[(1)]51.3i b be e R R r R k , // 1.5c L u e R R A R & 9.6i i s s i R U U mV R R , 14.4o u i U A U mV &。 改正图 所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。 (a) (b) (c) (d) 图 解:(a)源极加电阻R S ; (b)漏极加电阻R D ; (c)输入端加耦合电容; (d)在R g 支路加?V GG , +V DD 改为?V DD 改正电路如解图所示。 (a) (b) (c) (d) 解图 已知图 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、

(c)所示。 (1)利用图解法求解Q 点; (2)利用等效电路法求解u A 、i R 和o R 。 (a) (b) (c) 图 解:(1)在转移特性中作直线GS D s u i R ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出1,2DQ GSQ I mA U V 。如解图(a)所示。 (a) (b) 解图 在输出特性中作直流负载线()DS DD D d s u V i R R ,与2GSQ U V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,3DSQ U V 。如解图(b)所示。 (2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。 5u m d A g R &; 1i g R R M ;5o d R R k 已知图(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。 求解电路的Q 点和u A &。 (a) (b) 图 解:(1)求Q 点: 根据电路图可知,3GSQ GG U V V 。 从转移特性查得,当3GSQ U V 时的漏极电流:1DQ I mA 因此管压降 5DSQ DD DQ d U V I R V 。

第二章 南邮通达模电习题答案

习题: 一.填空题 1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。 2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,利用发光材料可制成发光二级管,利 用PN结的光敏性可制成光敏(光电)二级管。 3.在本征半导体中加入__5价__元素可形成N型半导体,加入_3价_元素可形成P型半导 体。N型半导体中的多子是_自由电子_______;P型半导体中的多子是___空穴____。 4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。 5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ,锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。 6..理想二极管正向电阻为__0______,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个___开关____。 7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。 8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。 9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。 10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电,因此三极管又称为双极型晶体管。 11.设晶体管的压降U CE不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,则β=__100__。 12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类,目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管,按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类,每一类中又分为N沟道和P沟道两种。 13. 查阅电子器件手册,了解下列常用三极管的极限参数,并记录填写题表2-1在下表中 题表2-1 二.选择题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 A 。 A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压 2.理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为__A__。 A.开路 B.短路 C.不能确定 3.稳压管的稳压区是二极管工作在__D__状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将__A__。 A.增大 B.不变 C.减小 5.工作在放大区的某晶体管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为__C__。