半导体行业污染物排放标准

上海市环境保护局 上海市质量技术监督局

ICS

DB31

发布

DB31/374—2006

目次

前言...................................................................................................................................................................... I I

1 范围 (1)

2 规范性引用文件 (1)

3 术语和定义 (1)

4 技术内容 (2)

5 监测 (5)

6 标准的实施与监督 (9)

I

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II

前言

为贯彻《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国水污染防治法》、《中华人民共和国大气污

染防治法》、《中华人民共和国海洋环境保护法》，加强半导体企业污染物的排放控制，保障人体健康，维护生态平衡，结合上海市实际情况，制定本标准。

本标准主要有以下特点：1）适用于半导体企业水污染物、大气污染物排放的管理；2）水污染物排放根据功能区执行分级标准；3）大气污染物排放不根据功能区进行分级；4）对现有半导体企业规定达到挥发性有机物（VOC s）排放标准的时限，对其余污染源不再按建设时间规定排放限值。

半导体企业的噪声控制、固体废物控制按国家和本市的有关规定执行。

本标准实施之日起，半导体企业水污染物排放按本标准执行，不再执行DB31/199-1997《污水综合排放标准》；半导体企业大气污染物排放按本标准执行，不再执行GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》。

本标准为首次发布。

本标准由上海市环境保护局提出并归口。

本标准由上海市环境科学研究院和上海市集成电路行业协会负责起草。

本标准由上海市人民政府2006年10月13日批准。

本标准由上海市环境保护局负责解释。

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半导体行业污染物排放标准

1 范围

本标准规定了半导体企业的水污染物和大气污染物排放标准值。

本标准适用于半导体企业的水污染物排放管理、大气污染物排放管理，以及半导体企业建设项目环境影响评价、建设项目环境保护设施设计、竣工验收及其投产后的污染控制与管理。

2 规范性引用文件

下列标准和本标准表5、表6所列分析方法标准及规范所含的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款，与本标准同效。

GB 3095 环境空气质量标准

GB 3097 海水水质标准

GB 3838 地表水环境质量标准

GB/T 12997 水质采样方案设计技术规定

GB/T 12998 水质采样技术指导

GB/T 12999 水质采样样品的保存和管理技术规范

GB 13271 锅炉大气污染物排放标准

GB/T 16157 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法

GB 16297 大气污染物综合排放标准

HJ/T 91 地表水和污水监测技术规范

HJ/T 92水污染物排放总量监测技术规范

当上述标准和规范被修订时，应使用其最新版本。

3 术语和定义

下列术语和定义适用于本标准：

3.1 半导体企业 semiconductor industry

指从事半导体分立器件或集成电路的制造、封装测试的企业。

3.2 特殊保护水域 special protected water area

指经国家或上海市人民政府批准的自然保护区范围内水域；GB3838中II类水域；由本市各区、县

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人民政府规定的居民集中式生活饮用水取水口卫生防护带水域。

3.3 废气处理设施 exhaust gas control devices

指处理废气的湿式洗涤塔、焚烧塔、吸收塔、冷凝塔或其他设备，但不包括工艺中设备自带的预处理设备。

3.4 密闭排气系统 closed vent system

指可将设备或设备组件排出或逃逸的空气污染物捕集并输送至废气污染防治设备，使传送的气体不直接与大气接触的系统。

3.5 现有污染源和新污染源 existing pollutuion source and new pollution source

现有污染源指2007年2月1日前建设的半导体企业。

新污染源指2007年2月1日起建设（包括改、扩建）的半导体建设项目。

建设项目的建设（包括改、扩建）时间，以环境影响报告书（表）批准日期为准。

4 技术内容

4.1 水污染物排放标准

4.1.1标准分级

4.1.2.1 特殊保护水域内不准新建排污口。原有排污口执行表1中的A标准和表2中的特殊保护水域标准。

4.1.2.2 排入GB3838 中III类水域和排入GB3097中第二类海域的污水执行表1中的A标准和表2中的一级标准。

4.1.2.3 排入GB3838 中IV、V类水域和排入GB3097中第三类海域的污水执行表1中的B标准和表2中的二级标准。

4.1.2.4 排入设置二级污水处理厂的排水系统的污水执行表1中的B标准和表2中的三级标准。

4.1.2.5 排入未设置二级污水处理厂的排水系统的污水，必须根据下水道出水受纳水域的功能要求，执行4.1.2.1、4.1.2.2、4.1.2.3的规定。

4.1.3 标准值分类

4.1.3.1 本标准将污染物按其性质及控制方式分成二类。

4.1.3.1.1 第一类污染物，不分污水排放方式和受纳水体的功能类别，一律在车间或车间处理设施排放口采样，其最高允许排放浓度应达到本标准要求。

4.1.3.1.2 第二类污染物，在排放单位排放口采样，其最高允许排放浓度应达到本标准要求。

4.1.3.2 本标准对氟化物、悬浮物（SS）、生化需氧量（BOD5）、化学需氧量（COD Cr）、氨氮、总有机碳（TOC）6项污染物均规定了以日均值计的最高允许排放浓度和以瞬时值计的最高允许排放浓度两项指标，这6项污染物的排放应同时遵守上述两项指标。其他污染物的最高允许排放浓度以日均值计。

4.1.4 标准值

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DB31/374—2006 半导体企业的水污染物排放执行表1和表2的规定。

表1 第一类污染物最高允许排放浓度(日均值) 单位：mg/L

表2 第二类污染物最高允许排放浓度单位：mg/L （pH值除外）

4.2 大气污染物排放标准

4.2.1 标准体系

本标准设置下列三项指标：

4.2.1.1 通过排气筒排放的污染物最高允许排放浓度。

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4.2.1.2 通过排气筒排放的污染物，按排气筒高度规定的最高允许排放速率。

任何一个排气筒应同时遵守上述两项指标，超过其中任何一个均为超标排放。

4.2.1.3 挥发性有机物（VOC s）处理设施的最低处理效率。

4.2.2 标准值

4.2.2.1 位于GB3095中一类区的污染源禁止排放表3所列的大气污染物。

4.2.2.2 大气污染物排放的最高允许排放浓度和最高允许排放速率执行表3的规定。

4.2.2.3 挥发性有机物处理设施的最低处理效率执行表4的规定。

4.2.2.4 半导体企业产生的大气污染物应由密闭排气系统导入废气处理设施后排放，不应有无组织排放存在。

表3 大气污染物排放限值

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表4 挥发性有机物（VOCs）处理设施的最低处理效率

4.2.3 为减少全氟化物（PFCs）排放对环境产生的影响，集成电路制造企业宜制订PFCs排放的年削减计划，通过优化工艺、原料替代、循环利用、污染治理等措施减少PFCs的排放。

4.2.4 其他规定

4.2.4.1 排气筒高度不应低于15m。

4.2.4.2 排气筒高度除应遵守表3所列排放速率标准值外，还应高出周围200m半径范围的建筑5m以上，不能达到该要求的排气筒，应按其高度对应的表3所列排放速率标准值严格50%执行。

4.2.4.3 两个排放相同污染物（不论其是否由同一生产工艺过程产生）的排气筒，若其距离小于其几何高度之和，应合并视为一根等效排气筒。若有三根以上的近距离排气筒，且排放同一种污染物时，应以前两根的等效排气筒，依次与第三、四根排气筒取等效值。等效排气筒的有关参数计算方法同GB16297- 1996中附录A。

4.2.4.4 若某排气筒的高度处于本标准列出的两个值之间，其执行的最高允许排放速率以内插法计算；当某排气筒高度大于本标准列出的最大值（30m）时，应按本标准列出的最大排气筒高度对应的最高允许排放速率执行。内插法的计算公式同GB16297-1996中附录B。

4.2.4.5 企业内部设置的锅炉，其大气污染物排放应执行GB13271。

5 监测

5.1 采样点

5.1.1污水采样点位设置应符合HJ/T 91的规定，在排放口应设置排污口标志、污水水量计量装置。5.1.2 污水监测采样方案设计应符合GB/T 12997的规定。

5.1.3 废气排气筒中气态污染物监测的采样点数目及采样点位置的设置，按GB/T 16157执行。

5.1.4 新建（包括改、扩建）的项目应在废气处理设施的进口和出口预设采样孔。

5.2 采样频率

5.2.1 污水样品采集应符合GB/T 12997、GB/T 12998和GB/T 12999的规定。污水的采样频率应符合HJ/T 91的规定。

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5.2.2 排气筒中废气样品采集（不包括氨的排放速率监测）以连续1h的采样获取平均值；或在1h 内，以等时间间隔采集4个样品，并计平均值。

5.2.3 特殊情况下废气的采样时间和频次

若某排气筒的排放为间断性排放，排放时间小于1h，应在排放时段内实行连续采样，或在排放时段内以等时间间隔采样2-4个样品，并计平均值；

若某排气筒的排放为间断性排放，排放时间大于1h，则应在排放时段内按5.2.2的要求采样；

氨的排放速率监测应按生产周期确定监测频率，生产周期在8h以内的，每2h采集一次，生产周期大于8h的，每4h采集一次，取其最大测定值；

在进行污染事故排放监测时，按需要设置的采样时间和采样频次，不受上述要求限制；

建设项目环境保护设施竣工验收监测的采样时间和频次，根据国家环境保护总局制定的建设项目环境保护设施竣工验收监测办法执行。

5.3 监测工况要求

5.3.1在对污染源的日常监督性监测中，采样期间的工况应与当时的运行工况相同，排污单位的人员和实施监测的人员都不应任意改变当时的运行工况。

5.3.2建设项目环境保护设施竣工验收监测的工况要求按照国家环境保护总局制定的建设项目环境保护设施竣工验收监测办法执行。

5.4 分析方法

污染物的分析方法按表5和表6执行。

表5 水污染物分析方法

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续表

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8 续表

表6 大气污染物分析方法

DB31/374—2006 6 标准的实施与监督

本标准由市和区、县政府环境保护行政主管部门负责监督实施。

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一文看透中国半导体行业现状

一文看透中国半导体行业现状 2016-10-13 在中国近年来在半导体领域的重大投入和中国庞大市场的双重影响下，中国半导体在全球扮演的的角色日益重要。国际社会上很多观察家在把中国看成一个机会的同时，也同时顾虑到中国半导体崛起带来的威胁。但有一点可以肯定的是，近年来中国半导体玩家频频露面知名国际会议，已经制造了相当程度的全球影响力。 自从中国宣布建立千亿的投资基金，挑战全球半导体霸主的地位。业界的巨头们都在思考并谨慎防御中国的半导体野心。 考虑到中国庞大的国内市场和本土业者的技术悟性”，还有中国近几十年来所缔造的电子生产龙头地位，再加上近年来在各个领域的深入探索。你就会明白为什么中国对发展相对滞后的硅产业如此重视。 据我们预测，到2020 年,中国会消耗世界上55%的存储、逻辑和模拟芯片，然而当中只有15%是由中国自身生产的，和多年前的10%相比还是有了一定比例的提升。但是供需之间的差距仍然在日益扩大。 中国想在全球半导体产业中扮演一个重要角色，为本土生产的智能手机、平板等消费电子设备，工业设备制造更多国产的微处理器芯片、存储和传感器，能够满足本土电子产业的需求甚至还展望可以出口相关元器件。 在这种目标的指导下，中国在全国已经开发了好几个半导体产业群（图1），且在未来十年内，国家和地方政府计划额外投资7200亿人民币（1080亿美金）到半导体产业。这些投资除了满足消费和工业需求外，还会兼顾到中国在通信、安全等工业，以求减少对国际半导体的依赖。 图1 ：中国半导体的全国分布图

但据我们观察，中国半导体要崛起首先面临的第一个障碍就是目前中国大部分项目都是和已存在的公司合作，追逐市场的领先者和落后者，考虑到他们的目标、技术需求和国外政府对其的限制等现状。许多的中国公司已经释放出了一种信号一一那就是想投资更多的跨国半导体公司。最近的频频示好，也让中国半导体斩获不少。 在2016年1月，贵州政府出钱和高通成立了一家专注于高端服务器芯片生产的公司华芯通，合资公司中贵州政府所占的比例为55% ;另外，清华紫光集 团也给台湾的Powertech （力成）投资了6亿美金，成为后者的第一大股东。 力成成立于1997年，是全球第五大封测服务厂，美国存储生产商金士顿为其重要股东，原持股比例约3.83%，并拥有四席董事席位，台湾东芝半导体也拥有一席，在增资后股份以及董事席次估计都会有所更动。力成在营运业务上主要 专注在存储IC封测。这次投资体现了紫光和中国大陆对存储产业的决心。 早前，紫光还想买下西部数据和美光，但受限于美国监管局，这两笔交易最后只能夭折。虽然困难重重，但展望不久的将来，中国半导体业势必会发起更多并购，让我们拭目以待。 对于国际上的半导体玩家而言，中国半导体的雄心壮志有时候会让他们望而生畏。 考虑到中国庞大的市场、雄厚的资本和追求经济增长的长久目标，这就要求这些跨国公司在中国需要制定更清晰的策略。当然，这并不是说全球半导体玩家在和中国打交道的时候缺乏影响力和议价能力。 其实参考中国以往进入新市场的表现，结果是喜忧参半的。他们的国有公司政府组织会根据竞争者的状况和市场现状采取不同的策略。考虑到中国半导体目 标和他们进入国际市场的困难重重，展望未来他们还是会持续保持和跨国公司的合作，并在此期间培育自己的企业和产业。 中国抢占市场的方式 在对中国半导体并购策略了解之前，我们先了解一下中国抢占市场的惯用方

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前言 为贯彻《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国水污染防治法》、《中华人民共和国大气污染防治法》、《中华人民共和国海洋环境保护法》，加强半导体企业污染物的排放控制，保障人体健康，维护生态平衡，结合上海市实际情况，制定本标准。 本标准主要有以下特点：1）适用于半导体企业水污染物、大气污染物排放的管理；2）水污染物排放根据功能区执行分级标准；3）大气污染物排放不根据功 ）排放标准的能区进行分级；4）对现有半导体企业规定达到挥发性有机物（VOC s 时限，对其余污染源不再按建设时间规定排放限值。 半导体企业的噪声控制、固体废物控制按国家和本市的有关规定执行。 本标准实施之日起，半导体企业水污染物排放按本标准执行，不再执行DB31/199-1997《污水综合排放标准》；半导体企业大气污染物排放按本标准执行，不再执行GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》。 本标准为首次发布。 本标准由上海市环境保护局提出并归口。 本标准由上海市环境科学研究院和上海市集成电路行业协会负责起草。 本标准由上海市人民政府2006年10月13日批准。 本标准由上海市环境保护局负责解释。

半导体行业污染物排放标准 1 范围 本标准规定了半导体企业的水污染物和大气污染物排放标准值。 本标准适用于半导体企业的水污染物排放管理、大气污染物排放管理，以及半导体企业建设项目环境影响评价、建设项目环境保护设施设计、竣工验收及其投产后的污染控制与管理。 2 规范性引用文件 下列标准和本标准表5、表6所列分析方法标准及规范所含的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款，与本标准同效。 GB 3095 环境空气质量标准 GB 3097 海水水质标准 GB 3838 地表水环境质量标准 GB/T 12997 水质采样方案设计技术规定 GB/T 12998 水质采样技术指导 GB/T 12999 水质采样样品的保存和管理技术规范 GB 13271 锅炉大气污染物排放标准 GB/T 16157 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法 GB 16297 大气污染物综合排放标准 HJ/T 91 地表水和污水监测技术规范

半导体封测行业发展趋势分析

半导体封测：走向世界舞台，前十占据三家 1 半导体封测发展历程：并购开打国际市场 封测其实包括封装和测试两个步骤，在现在生产中，由于产业规划基本合并在一起。所以封装测试就成为整个集成电路生产环节中最后一个过程。封测整体门槛较低，需要一定资金形成规模效应，对成本较为敏感，需要长期验证建立客户关系，是集成电路产业链中最容易突破的一环，但也是最重要的环节。因为是产品质量最后一关，若没有良好的封测，产品PPM(百万颗失效率)过高，导致客户退回或者赔偿是完全得不偿失的。 图表5一般芯片成本构成 5%

我国封测行业规模继续保持快速增长，近两年增速放缓。根据中国半导体协会数据，2019年我国半导体封测市场达2350亿元，同比增长7.10%。2012年我国封测市场销售额为1036亿元，七年以来我国半导体封测市场年复合增速为12.4%，增速保持较高水平。随着5G应用、AI、IoT等新型领域发展，我国封测行业仍然有望保持高增长。 图表6 我国封测行业年销售额及增速 2019年全球封测业前十市占率超过80%，市场主要被中国台湾、中国大陆、美国占据。中国台湾日月光公司(不含矽品精密)营收达380亿元，居全球半导体封测行业第一名，市场占有率达20.0%。美国安靠、中国长电科技分居二、三位，分别占14.6%、 11.3%。前十大封测厂商中，包含三家中国大陆公司，分别为长电科技、通富微电、华 天科技。

图表7 2019年全球封测前十 2 安靠美国14.6% 3 长电科技中国大陆11.3% 4 矽品精密中国台湾10.5% 5 力成科技中国台湾8.0% 6 通富微电中国大陆 4.4% 7 华天科技中国大陆 4.4% 8 京元电子中国台湾 3.1% 9 联合科技新加坡 2.6% 10 颀邦中国台湾 2.55% 前十大合计81.2% 长电科技在2015年获得大基金支持后，发起对星科金朋的收购，获得了在韩国、新加坡的多个工厂以及全部先进技术，成为世界第三大封装企业。在最近4年研发拥有自主知识产权的Fan-out eWLB、WLCSP、Bump、PoP、fcBGA、SiP、PA等封装技术，以及引线框封装。长电科技近年受惠于SiP、eWLB、TSV、3D封装技术等皆具备世界级实力的先进封装技术，客户认可度和粘性得到较大提高。 通富微电收购AMD苏州和AMD槟城两家工厂后，继续承接了AMD封测订单，具备了对高端CPU、GPU、APU以及游戏主机处理器等芯片进行封装和测试的技术实力，获得了大量海外客户。 华天科技引入产业基金为公司未来发展提供重要的资金保障，对华天西安加大研发投入，优化产品结构，提高市场竞争力和行业地位等方面都起到积极促进作用。并于2018年收购世界知名的马来西亚半导体封测供应商Unisem。Unisem公司主要客户以国际IC设计公司为主，包括Broadcom、Qorvo、Skyworks等公司，其中近六成收入来自欧美地区。 3.2.2 半导体封测展望：十四五政策支持先进封装技术突破 半导体封测从20世纪80年代至今，封装技术不断进步，经历了插装式封测、表面贴片封装、面积阵列式封测和先进封装。芯片封装技术分为传统封装和先进封装。传统封装和先进封装的主要区别在于有无外延引脚。传统封装分为三个时期，第一时期是20世纪80年代以前的插孔式封装，主要类型有SIP、DIP、LGA、PGA等；第二时期是20世纪80年代中期的表面贴片封装，主要类型有PLCC、SOP、PQFP等，相较于上一时期，表面贴片封装技术的引线更细、更短，封装密度较大；第三时期是20世纪90年代的面积阵列时代，主要封装技术有BGA、PQFN、MCM以及封装标准芯片级封装（CSP），相较与前两个时期，完成从直型引脚、L型引脚、J型引脚到无引脚的转变，封装空间更小，芯片小型化趋势愈发明显。目前正处于第三时期，主流封装技术还是BGA等，部分先进厂商为了满足新的芯片需求，研发出先进封装技术，例如芯片倒装、WLP、TSV、SiP等先进封装技术。

2016年中国大数据行业发展历程及规模应用现状

2016年中国大数据行业发展历程及规模应用现状 一、大数据的来源 数据来自于一切客观存在，包括宏观到微观的物理世界，各种生物体、人类社会活动、感知、认识和思维的结果。随着信息技术的发展，当通常所说的数据是指经过数字化转换后的信息，是可以被量化、分析和再利用的信息，包含数值、文字、符号、音频、视频等不同形态。 对数据的分析都并非新鲜事，如交通规划、宏观经济分析、电力系统规划、气象预测、高能物理、航天航空、基因工程等大规模数据分析和计算早已在人类生产和生活中发挥着关键的作用。 早在1970年哈佛大学关于资源三角形的论述中，将材料、能源、信息看成是推动社会发展的三种基本资源，因此传统的商业智能和数据库厂商得以出现并快速发展。 数据规模和类型的剧变：互联网和移动互联网的发展、传感技术的广泛应用，使得数据的规模和种类急剧增长。数据类型也不仅仅包含关系型数据，还出现了大量的日志、文本、图片、音频和传感器等非结构化和半结构化数据。2020年所产生的数据量是2009年的44倍。 数据存储成本下降：单位信息存储成本的下降，使得对海量数据的分布式存储技术难度降低。30年前，1TB存储的成本为16亿美金，如今通过云存储服务所需不到100美金。 大规模数据处理成为可能：随着计算机技术能发展，对非结构化数据的处理和分析方式组建成熟，MapReduce模型以及云计算模式的出现，是大规模数据处理的成本和技术门槛大大降低。 数据采集更为密集和广泛：随着移动互联网和物联网技术的发展，使得数据的采集更加方便。 数据分析应用的发展：Google、百度、淘宝等数据分析的经典案例给业界带来很强的冲击。 二、行业术语 Spark Spark是UC Berkeley AMP lab所开源的类Hadoop MapReduce的通用并行框架，拥有Hadoop MapReduce所具有的优点；但不同于MapReduce的是Job中间输出结果可以保存在内存中，从而不再需要读写HDFS（Hadoop Distributed FileSystem），因此Spark能更好地适用于数据挖掘与机器学习等需要迭代的MapReduce的算法。 Spark 是一种与Hadoop 相似的开源集群计算环境，但是两者之间还存在一些不同之

全球和中国半导体产业发展历史和大事记

全球和中国半导体产业发展历史和大事记 1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。 1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。 1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。 1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI （甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。 1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。 1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。 七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂

工业用水标准

工业用水标准 电导率≤10μS/CM动物饮用纯水(医药)、普通化工原料配料用纯水、食品行业配料用纯水、普通电镀行业冲洗用去离子纯水、纺织印染用除硬脱盐纯水、聚脂切片用纯纯水、精细化工用纯水、民用饮用纯净水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电导率≤4μS/CM电镀化学品生产用纯水、化工行业表面活性剂生产用纯水、医用纯化水、白酒生产用纯水、啤酒生产用纯水、民用饮用纯净水、普通化妆品生产用纯水、血透纯水机用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率5~10MΩ.CM锂电池生产用纯水、蓄电池生产用纯水、化妆品生产用纯水、电厂锅炉用纯水、化工厂配料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率:10~15MΩ.CM动物实验室用纯水、玻壳镀膜冲洗用纯水、电镀用纯纯水、镀膜玻璃用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥15 MΩ.CM医药生产用无菌纯水、口服液用纯水、高级化妆品生产用去离子纯水、电子行业镀膜用纯水、光学材料清洗用纯水、电子陶瓷行业用纯水、尖端磁性材料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥17 MΩ.CM磁性材料锅炉用软化纯水、敏感新材料用纯水、半导体材料生产用纯水、尖端金属材料用纯水、防老化材料实验室用纯水、有色金属，贵金属冶炼用纯水、钠米级新材料生产用纯水、航空新材料生产用纯水、太阳能电池生产用纯水、纯水晶片生产用纯水、超纯化学试剂生产用纯水、实验室用高纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥18 MΩ.CM ITO导电玻璃制造用纯水、化验室用纯水、电子级无尘布生产用纯水等其它有相同纯水质要求的用纯水

出水电导率≤10μS/CM的纯净水，白酒生产用纯水，啤酒生产 用纯水等，生产制造出水电导率≤5μS/CM的电镀用纯水设备、蓄 电池用水设备、镀膜玻璃钢纯水设备、生产制造出水电导率0.110μ S/CM的导电玻璃制造用水，实验室用超纯水。生产出水电阻率在 5-10MΩ.CM的锂电池、蓄电池生产用水，10~15MΩ.CM的电镀用水，光学材料清洗用水等等，生产制造电阻率≥17 MΩ.CM 磁性材料锅炉用软化水、敏感新材料用水、半导体材料生产用水、尖端金属材料用水等。生产制造电阻率≥18 MΩ.CM ITO导电玻璃制造用水、化验室用水、电子级无尘布生产用水等 制取高纯水的主要工艺为反渗透+EDI工艺和反渗透+抛光混床工艺或反渗透+EDI+抛光混床工艺，出水水质最小电阻率能达到10M Ω.CM，电阻率能达到18.5MΩ.CM，生产用纯水各行业标准不一，比如电池行业至少需要电阻率达到10MΩ.CM，电镀行业用水、镀膜玻璃用水一般要求达到15MΩ.CM，纯净水生产，白酒生产用纯水，啤酒生产用纯水一般只需达到电导率≤10μS/CM即可，一级反渗透工艺即可达到电导率≤10μS/CM，所以订购纯水设备，纯净水设备时先了解水质需要达到一个什么标准，然后再咨询厂家工艺的可行性及效益性，以最少的投入达到预期的纯水水质标准。 反渗透设备出水水质在各行业应用： 电导率≤10μS/CM 普通化工原料配料用水、食品行业配料用水，普通电镀行业冲洗用去离子水、纺织印染用除硬脱盐纯水、聚脂切片

2019年半导体行业发展及趋势分析报告

2019年半导体行业发展及趋势分析报告 2019年7月出版 文本目录 1LED/面板相继崛起，下一步主攻半导 体 . (5) 1.1、大陆LED/面板竞争优势确立，超越台湾已成必 然 . (5) 1.2、半导体为当前主攻方向，封测能否率先超 越？ (8) 1.2.1、IC 设计与制造差距较大，尚需时 间 (9) 1.2.2、封测端实力逼近，将率先超 越 (10) 2大陆迎半导体黄金发展期，封测为最受益环 节 (11) 2.1、全球半导体前景光明，大陆半导体将迎来黄金发展 期 (11) 2.1.1、设备出货/资本开支增长，全球半导体前景光 明 . (11) 2.1.2、政策支持叠加需求旺盛，中国半导体迎黄金十 年 (13) 2.2、前端崛起，封测环节最为受 益 (17) 2.2.1、大陆IC 设计厂商高增长，封测订单本土 化 (17) 2.2.2、大陆制造端大局投入，配套封测需求上 升 (19)

2.2.3、大陆封测行业增速超越全 球 (19) 3后摩尔时代先进封测带来行业变局，国内企业加速突 围 (20) 3.1、摩尔定律走向极限，先进封测引领行业变 局 (20) 3.2、Fan-out ：未来主流，封测厂向前道工艺延 伸 . (22) 3.2.1、Fan-out 引领封装技术大幅进步，必为首 选 . (22) 3.2.2、国际大客户引领，市场规模高速增 长 (24) 3.2.3、长电/华天皆有布局，占据领先地 位 . (26) 3.3、SiP ：集成度提升最优选择，封测厂向后道工艺延 伸 . (27) 3.3.1、SiP 为集成度提升最优选择，苹果引领SiP 风 潮 . (27) 3.3.2、长电SiP 获大客户订单，迎来高速增 长 . (29) 3.4、TSV ：指纹前置及屏下化必备技 术 (30) 3.4.1、指纹前置及屏下化将成主流，封装形式转向 TSV (30) 3.4.2、华天/晶方为主全球TSV 主流供应商，深度受 益 . (34) 4催化剂：2019H2半导体有望迎来强劲增 长 . (34) 4.1、传统旺季+库存调整结束+智能机拉货，景气度向 上 (34)

【发展战略】我国半导体产业的现状和发展前景

五、半导体篇 ——我国半导体产业的现状和发展前景 电子信息产业已成为当今全球规模最大、发展最迅猛的产业，微电子技术是其中的核心技术之一（另一个是软件技术）。现代电子信息技术，尤其是计算机和通讯技术发展的驱动力，来自于半导体元器件的技术突破，每一代更高性能的集成电路的问世，都会驱动各个信息技术向前跃进，其战略地位与近代工业化时代钢铁工业的地位不相上下。 当前，世界半导体产业仍由美国占据绝对优势地位，日本欧洲紧随其后，韩国和我国台湾地区也在迅速发展。台湾地区半导体工业已成为世界最大的集成电路代工中心，逐步形成自己的产业体系。 我国的微电子科技和产业起步在50年代，仅比美国晚几年。计划经济时期，由于体制的缺陷和其间10年“文革”，拉大了和国际水平的差距。进入80年代，我国面对国内外微电子技术的巨大反差和国外对我技术封锁，我们没有能够在体制和政策上及时拿出有效应对措施。国有企业无法适应电子技术的快节奏进步，国家协调组织能力下降，科研体制改革缓慢，以致1980～1990年代我国自主发展半导体产业的努力未获显著效果。 “市场‘开放’后，集成电路商品从合法、不合法渠道源源涌入，集成电路所服务的终端产品，以整机或部件散装的形式，也大量流入，但人家确实考虑到微电子的战略核心性质，死死卡住生产集成电路的先进设备，不让进口，在迫使我们落后一截，缺乏竞争力的同时，又时刻瞄准我们科研与生产升级的潜力，把我们的每一次进步扼杀在萌芽状态，冲垮科技能力，从外部加剧我们生产与科研的脱节，迫使我们不得不深深依赖他们。……我们的产业环境又多多少少带有计划色彩，不能很快与国际接轨，其中特别是对微电子产业发展有重大影响的企业制度、资本市场、税收政策、科研体制等，又不适应市场经济要求，使得我们在国际竞争中缺乏活力”。1 20世纪90年代，我国半导体产业的增长速度达到30%以上，但其规模仅占世界半导体子产业的1%，仅能满足大陆半导体市场的不足10%。即使“十五”期间各地计划的项目都能如期实施，到2005年，我国半导体产业在世界上的份额，顶多占到2%～3%。自己的设计和制造水平和国际先进水平的差距很大，企业规模小、重复分散、缺乏竞争力，基本上是跨国公司全球竞争战略的附庸，自己的产业体系还没有成形。 我国半导体产业如此落后的现状，使得我国的经济、科技、国防现代化的基础“建筑在沙滩上”。在世界微电子技术迅猛发展的情况下，我国如不努力追赶，就会在国际竞争中越来越被动，对我国未来信息产业的升级和市场份额的分配，乃至对整个经济发展，都可能造成十分不利的影响。形势逼迫我国必须加快这一产业的发展。“十五”计划中，加快半导体产业的发展被放在重要地位，这是具有重大意义的。 发展中国家要追赶国际高科技产业的步伐，一般都会面临技术、资金、管理、市场的障碍。高科技的产业化是一个大规模的系统工程，需要科研和产业的紧密结合，以及各部门的有效协调，而这些都不是单个企业所能跨越得过去的。在市场机制尚未成熟到有效调动资源的情况下，高层次的组织协调和扶持是必需的。构建具有较高透明度的政策环境和市场环境。有助于鼓励高科技民营企业进入电路设计业领域，鼓励生产企业走规模化和面向国内市场自主开发的路子，形成产业群体。 1许居衍院士，2000年。

工业超纯水水质试行标准

我国电子工业超纯水水质试行标准、半导体工业用纯水指标、集成电路水质标准。电子工业部把电子级水质技术分为五个行业等级，分别为18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以区分不同水质。 电导率≤10μS/CM动物饮用纯水(医药)、普通化工原料配料用纯水、食品行业配料用纯水、普通电镀行业冲洗用去离子纯水、纺织印染用除硬脱盐纯水、聚脂切片用纯纯水、精细化工用纯水、民用饮用纯净水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电导率≤4μS/CM电镀化学品生产用纯水、化工行业表面活性剂生产用纯水、医用纯化水、白酒生产用纯水、啤酒生产用纯水、民用饮用纯净水、普通化妆品生产用纯水、血透纯水机用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率5~10MΩ.CM锂电池生产用纯水、蓄电池生产用纯水、化妆品生产用纯水、电厂锅炉用纯水、化工厂配料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率:10~15MΩ.CM动物实验室用纯水、玻壳镀膜冲洗用纯水、电镀用纯纯水、镀膜玻璃用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥15 MΩ.CM医药生产用无菌纯水、口服液用纯水、高级化妆品生产用去离子纯水、电子行业镀膜用纯水、光学材料清洗用纯水、电子陶瓷行业用纯水、尖端磁性材料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水.

电阻率≥17 MΩ.CM磁性材料锅炉用软化纯水、敏感新材料用纯水、半导体材料生产用纯水、尖端金属材料用纯水、防老化材料实验室用纯水、有色金属，贵金属冶炼用纯水、钠米级新材料生产用纯水、航空新材料生产用纯水、太阳能电池生产用纯水、纯水晶片生产用纯水、超纯化学试剂生产用纯水、实验室用高纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥18 MΩ.CM ITO导电玻璃制造用纯水、化验室用纯水、电子级无尘布生产用纯水等其它有相同纯水质要求的用纯水，光伏光电行业。

2019年半导体分立器件行业发展研究

2019年半导体分立器件行业发展研究 （一）半导体行业基本情况 1、半导体概况 （1）半导体的概念 半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性：掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性）、热敏性、光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显 的变化）、负电阻率温度特性，整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重 要的组成部分，在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。 （2）半导体行业分类 按照制造技术的不同，半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元，主要实现对

信息的处理、存储和转换；分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。 分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示：

在分立器件发展过程中，20 世纪50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET 发展起来；20 世纪80 年代后期，沟槽型功率MOSFET 和IGBT 逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时

半导体行业用水标准

电子行业水质标准 1.电子工业与超纯水 在半导体制作工艺中，80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水；在硅片的处理工序中，一半以上的工序经过超纯水清洗后便直接进入高温处理过程，此时如水中含有杂质便会进入硅片，造成器件性能下降成品率低。 电子工业提出的超纯水电阻率≥18MΩ.cm (25℃),已极其接近理论纯水水质18.3 MΩ.cm(25℃)。对电解质、DO、TOC、SIO2、颗粒及细菌等技术指标提出更高要求。如256 兆位的动态随机储存器生产工艺，光刻线条宽已达0.1 微米,要保证这一指标,超纯水中颗粒径就得≤0.05μm,而且≥0.05μm 不得超过500 个/升超纯水。 2、水质标准 超纯水水质标准大多数由中科院半导体所主要制定。 2.1 电子级水国家标准:详见表2.1

3、超纯水中杂质的污染源 3.1 制备超纯水的水源 由于水是一种溶解能力很强的溶剂,因此天然水中含有各种盐类和化合物,溶有CO2, 还有胶体(包括硅胶和腐殖质胶体),天然水中还存在大量的非溶解性质,包括粘土、砂石、细菌、微生物、藻类、浮游生物、热源等等。 3.2 材料的影响: 制备超纯水的材料设备的材质都是用金属和塑料制成的,金属在水中会有痕量溶解,造成金属离子污染。一些高分子材料在合成时常常加入各种添加剂、增塑剂紫外吸光剂着色剂，引入大量的金属、非金属杂质、同时还会带来有机污染。 材质的污染主要以污染值来衡量，所谓污染值是指，单位面积的材料使单位体积的纯水电阻率的增加值。表3.2 分别列出了各种材料的污染值和TOC 的溶出值。 表3.2 各种材料的污染值(TOC 的溶出值) 4水的电阻值 在测定水的导电性能时，与水的电阻值大小有关，电阻值大，导电性能差，电阻值小，导电性能就良好。根据欧姆定律，在水温一定的情况下，水的电阻值R大小与电极的垂直截面积F成反比，与电极之间的距离L成正比。

关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望

关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望 摘要：步入二十一世纪的第十个年头，伴随着中国经济实体的繁荣发展，中国的半导体产业即将进入产业大发展的战略机遇期，如何把握机遇更好更快的发展半导体产业成为了未来中国经济发展的重点之一。中国半导体设计、制造、封测共同发展，结构日渐优化，产业链逐步完善，形成了相互促进共同发展的良好互动的大好局面。然而，由于各式各样的原因，半导体产业同时也面临着种种困难和挑战，如何制定科学合理的发展战略则成为了产业发展的重中之重。总之，中国半导体产业的发展充满机遇和挑战。 关键词：半导体产业科学发展产业调整战略优化 正文： 一、中国半导体产业的现状及分析 中国的半导体市场需求强劲，市场规模的增速远高于全球平均水平。不过，产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大，相反，中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。国内半导体公司的发展面临强大的压力，生存环境堪忧。从两大分支上看，分立器件由于更新换代较慢、对技术和制造的要求较低、周期性也不明显，因而更适合国内企业，加上国际低端分立器件产能的转移，国内企业能够在低端市场获得优势。而从产业链环节上看，我们相对看好设计业，认为本土设计公司有突破的可能。基于政策支持、市场需求和产能转移，我们判断半导体行业在国内有很大的增长潜力。 二、长三角半导体产业的集群效应 我国尤其是长三角地区的半导体产业在国际半导体产业转移过程中获得了极好的发展机会,半导体产业初步形成了有一定规模的半导体产业集群,大大地推动了长三角地区的产业结构升级和带动了地区经济的发展。目前长三角地区已经成为我国集成电路产业的重镇,在国际半导体产业版图也占有极其重要的一席之地。但是应该认识到,长三角地区的半导体产业集群还只是如低廉的劳动力成本、地方政府提供的土地与财税优惠政策等基本生产要素驱动所形成的。这种低层次生产要素无法构成我国半导体产业的长久竞争优势,很快就会被以低成本比较优势的后起之秀所取代。长三角地区目前已经具有较好的半导体产业集群基础,国内又有极为庞大的内需市场,在国际半导体产业大转型的产业背景下,我们应转变传统靠低成本比较优势来招徕产业投资的观念,而应积极建立促进半导体产业高层次生产要素产生的机制,来提升长三角地区半导体产业集群的国际竞争力。 There was favorable opportunity for semiconductor industry development in China, esp. the Changjiang River delta, during the global industry transferring. There is semiconductor industrial cluster in this area and it improves the industry structures greatly and drives the economy development. The Changjiang River delta has been being as the most important area of China Semiconductor industry and it also is important in global semiconductor market.But we have to say that the semiconductor industrial clusters in the Changjiang River delta is initiated by generalized factors such as low labor cost, privilege policy of finance and landing provided by local governments. These generalized factors cannot be the competitive strength in long term and will be replaced soon by other area with low-cost comparison strength. The Changjiang River delta has good foundation of semiconductor industrial clusters and there is a huge marketing, so we should take proactive actions to buildup the environment and system to encourage high-level factors generating for semiconductor industry, during the transforming time of industry. Only in this way, we can promote the global competitive strength of the semiconductor industry in the Changjiang River delta. 三、南昌半导体照明成为国家半导体照明工程产业化基地

2019国内外大数据行业现状

当前，许多国家的政府和国际组织都认识到了大数据的重要作用，纷纷将开发利用大数据作为夺取新一轮竞争制高点的重要抓手，实施大数据战略，对大数据产业发展有着高度的热情。 美国政府将大数据视为强化美国竞争力的关键因素之一，把大数据研究和生产计划提高到国家战略层面。在美国的先进制药行业，药物开发领域的最新前沿技术是机器学习，即算法利用数据和经验教会自己辨别哪种化合物同哪个靶点相结合，并且发现对人眼来说不可见的模式。根据前期计划，美国希望利用大数据技术实现在多个领域的突破，包括科研教学、环境保护、工程技术、国土安全、生物医药等。 其中具体的研发计划涉及了美国国家科学基金会、国家卫生研究院、国防部、能源部、国防部高级研究局、地质勘探局等6 个联邦部门和机构。 目前，欧盟在大数据方面的活动主要涉及四方面内容：研究数据价值链战略因素；资助“大数据”和“开放数据”领域的研究和创新活动；实施开放数据政策；促进公共资助科研实验成果和数据的使用及再利用。 英国在2017 年议会期满前，开放有关交通运输、天气和健康方面的核心公共数据库，并在五年内投资1000 万英镑建立世界上首个“开放数据研究所”；政府将与出版行业等共同尽早实现对得到公共资助产生的科研成果的免费访问，英国皇家学会也在考虑如何改进科研数据在研究团体及其他用户间的共享和披露；英国研究理事会将投资200 万英镑建立一个公众可通过网络检索的“科研门户”。 法国政府为促进大数据领域的发展，将以培养新兴企业、软件制造商、工程师、信息系统设计师等为目标，开展一系列的投资计划。法国政府在其发布的《数字化路线图》中表示，将大力支持“大数据”在内的战略性高新技术，法国软件编辑联盟曾号召政府部门和私人企业共同合作，投入3 亿欧元资金用于推动大数据领域的发展。法国生产振兴部部长ArnaudMontebourg、数字经济部副部长FleurPellerin 和投资委员LouisGallois 在第二届巴黎大数据大会结束后的第二天共同宣布了将投入1150 万欧元用于支持7 个未来投资项目。这足以证明法国政府对于大数据领域发展的重视。法国政府投资这些项目的目的在于“通过发展创新性解决方案，并将其用于实践，来促进法国在大数据领域的发展”。众所周知，法国在数学和统计学领域具有独一无二的优势。 日本为了提高信息通信领域的国际竞争力、培育新产业，同时应用信息通信技术应对抗灾救灾和核电站事故等社会性问题。2013 年6 月，安倍内阁正式公布了新IT 战略——“创建

国内31家半导体上市公司

国内31家半导体上市公司排行 内容来源网络，由“深圳机械展（11万㎡，1100多家展商，超10万观众）”收集整理！更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示，就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一，代表着我国对于国内半导体发展的期许，提升和现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率，实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标，我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助，以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。 半导体是许多工业整机设备的核心，普遍使用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成：集成电路，光电器件，分立器件，传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业，包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子，计算机相关产品等终端设备。 截至3月31日收盘，中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712．3亿元，其中市值超过100亿元的公司有11家，市值超过200亿元的公司有4家，分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新，其中三安光电以652．1亿元的市值位居首。 详细排名如下： 三安光电 三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地，总部坐落于美丽的厦门，产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ

－Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产和销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业，技术水平比肩国际厂商。 利亚德 利亚德是一家专业从事LED使用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED使用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。 艾派克 艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产和销售为核心，以激光和喷墨打印耗材使用为基础，以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业，是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料，可提供全方位的打印耗材解决方案。 兆易创新 兆易公司成立于2005年4月，是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司，致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发，正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地使用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。 长电科技 长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体，电子原件，专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地，国内著名的三极管制造商，集成电路封装测试龙头企业，国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的新加坡星科金朋公司，合并后的长电科技在业务规模上一跃进入国际半导体封测行业的第一

半导体行业发展趋势分析

半导体行业发展趋势分析 新型计算架构浪潮推动，中国半导体产业弯道超车机会来临

核心观点： ●2018，半导体市场供需两旺，中国市场迎弯道超车机遇 需求端新市场新应用推动行业成长：1）比特币市场的火爆带动矿机需求快速增加，ASIC 芯片矿机凭借设计简单，成本低，算力强大等优势被大量采用。国内ASIC 矿机芯片厂商比特大陆、嘉楠耘智、亿邦股份自身业绩高增长的同时，其制造与封测环节供应商订单快速增长。2）汽车电子、人工智能、物联网渐行渐近，带动行业成长。供给端国内建厂潮加剧全球半导体行业资本开支增长，上游确定性受益。 ● 1 月半导体行情冰火两重天 A 股市场：18 年1 月以来（至1 月26 日）申万半导体指数下跌9.03%，半导体板块跑输电子行业5.9 个百分点，跑输上证综指16.59 个百分点，跑 输沪深300 指数17.72 个百分点；其中制造（-5.59%）>封装（-5.64%）> 分立器件（-5.66%）>存储器（-5.85%）>设计（-7.34%）>设备（-9.57%）> 材料（-11.17%）；估值大幅回落。海外市场：费城半导体指数上涨6.79%，创历史新高，首次超过2001 年最高值；矿机及人工智能带动GPU 需求量增长，英伟达作为全球GPU 龙头深度受益，1 月以来（至1 月26 日）股价上涨22.14%；设备龙头整体上涨。 ●12 月北美半导体设备销售额创历史新高，存储芯片价格平稳波动 根据WSTS 统计，11 月全球半导体销售额达376.9 亿美金，同比增长21.5%，环比增长1.6%，创历史新高。其中北美地区半导体11 月销售额87.7 亿美金，同比增长40.2%，环比增长2.6%，是全球半导体销售额增长最快区域。分版块看，12 月北美半导体设备销售额23.88 亿美金，同比增长27.7%，环比增长16.35%，创历史新高；存储芯片价格1 月以来（至1 月26 日）价格 波动。 ●投资建议 我们认为国内IC 产业进入加速发展时期，由市场到核“芯”突破这一准则不断延续，从智能手机领域起步，未来有望在人工智能、汽车电子、5G、物联网等新兴市场实现加速追赶。本月重点推荐卡位新兴应用市场，业绩快速成长的华天科技、长电科技，建议关注通富微电；同时下游资本开支扩张带给上游设备领域的投资机会，建议关注北方华创、长川科技。