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复旦大学集成电路工艺原理作业04

作业4：光刻

1.有一光学曝光系统的曝光能量是0.3mW/cm2, 而正胶需要的曝光能量是

140mJ/cm2,负胶需要的曝光能量是9mJ/cm2,试比较正胶和负胶的产（出）率（throughput）.

2.(a) 对于波长193nm的ArF准分子激光曝光系统，其中NA＝0.65，K1=0.60,

K2=0.50, 求光刻机理论分辨率和聚焦深度。

(b) 实际生产中应怎么调整NA，K1，K2来提高分辨率？

半导体集成电路制造工艺

半导体集成电路制造工艺一、集成电路的定义：集成电路是指半导体集成电路，即以半导体晶片材料为主，经热氧化工艺：干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化加工制造，将无源元件、有源元件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行十八、根据器件要求确定氧化方法：1、高质量氧化：干氧氧化或分压氧化；2、厚某种电子功能的微型化电路。微型化电路有集成电路、厚膜电路、薄膜电路和混合层的局部氧化或场氧化：干氧（10min）+湿氧+干氧(10min)或高压氧化；3、低表面态电路等多种形式。氧化：掺氯氧化；湿氧氧化加掺氯气氛退火或分压氧化（H2O或O2+N2 或Ar 或He 等）。二、集成电路的分类：十九、热氧化过程中硅中杂质的再分布1、硅中掺磷(1)温度一定时，水汽氧化（湿氧按电路功能分类：分为以门电路为基础的数字逻辑电路和以放大器为基础的线性电氧化）导致杂质再分布程度较大，其NS/NB 大于干氧氧化；(2)同一氧化气氛下，氧化路，还有微波集成电路和光集成电路等。温度越高，磷向硅内扩散的速度越快，表面堆积现象减小，NS/NB 趋于1。2、硅中按构成集成电路基础的晶体管分类：分为双极型集成电路和MOS型集成电路两大类。掺硼(1)温度一定时，水汽氧化（湿氧氧化）导致杂质再分布程度增大，NS/NB 小前者以双极型平面晶体管为主要器件；后者以MOS场效应晶体管为基础。于干氧氧化；(2)同一氧化气氛下，氧化温度越高，硼向硅表面扩散速度加快，补三、衡量集成电路的发展

DRAM( 3*107（集成度）, 135mm2（外型尺寸）, 0.5 μm偿了表明杂质的损耗，NS/NB 趋于1。看看运动方向（特征尺寸）, 200mm （英寸）) ，二十二、热氧化过程四、摩尔定律：IC集成度每1.5 年翻一番五、集成电路的发展展望目标：集成度↑、可靠性↑、速度↑、功耗↓、成本↓。努力方向：线宽↓、晶片直径↑、设计技术↑六、硅微电子技术发展的几个趋势：1、单片系统集成（SoC）System on a chip Application Specific Integrated Circuit 特定用途集成电路2、整硅片集成（WSI）3、半定制电路的设计方法4、微电子机械系统（MEMS）5、真空微电子技术七、集成电路制造中的基本工艺技术横向加工：图形的产生与转移（又称为光刻，包括曝光、显影、刻蚀等）。纵向加工：薄膜制备（蒸发、溅射、氧化、CVD 等），掺杂（热扩散、离子注入、中子嬗变等）八、补充简要说明工艺1-1 1、氧化剂扩散穿过滞留层达到SiO2 表面，其流密度为F1 。2、氧化剂扩散穿过SiO2层达到SiO2-Si界面，流密度为F2 。3、氧化剂在Si 表面与Si 反应生成SiO2 ，流密度为F3。4、反应的副产物离开界面。二十三、CVD的薄膜及技术分类化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）是指单独地或综合的利用热能、辉光放电等离子体、紫外光照射、激光照射或其它形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态物质的工艺过程二十四、CVD薄膜分类：半导体集成电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜以及

《半导体集成电路》考试题目及参考答案

第一部分考试试题第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。第4章TTL电路 1.名词解释

复旦大学集成电路工艺原理作业01

作业1：阅读2011年国际半导体技术发展规划（ITRS）https://www.wendangku.net/doc/b8548561.html,/ 题目1－3为必做题，参考“Executive summary”,其余选做。选做题目需要参考其他文档，见题目后面括号中的文档名。注：技术节点以“DRAM”为准。 1.最小特征尺寸 a.请说明以下概念的区别：DRAM 1/2线宽、MPU 1/2线宽、光刻栅长以及物理栅长。 b.作图比较DRAM 1/2线宽、光刻栅长和物理栅长三个技术参数随年代的变化。 c.每个技术节点DRAM 1/2线宽减少多少？（以比例表示） 2.四个技术节点（32,22,16,10 nm）的比较： a.作图说明高性能器件和低功耗器件工作电压的预期值。 b.作图说明四个技术节点高性能器件和低功耗器件阈值电压和工作电压的预期比值。 c.作图说明四个技术节点芯片尺寸的预期值。 d.作图说明四个技术节点最高时钟频率的预期值。 e.作图说明四个技术节点功率耗散的预期值。假定你同时知道源电压的预期值，则这些预期暗示着对32 nm技术节点和10 nm技术节点平均工作电流怎样的要求？ 3.缺陷的数目及光刻版数目 a.作图对比2005版和2011版关于缺陷数目的规划（CPU和DRAM）。 b.作图表示CPU和DRAM光刻版数目在各个技术节点的变化。 4.驱动电流（I on）和关断电流（I off）（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点驱动电流(mA/um)的预期值。 b.作图说明四个技术节点关断电流(nA/um)的预期值。 c.作图说明四个技术节点驱动电流和关断电流的预期比值。 5.本征延时（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点CV/I的预期值。 b.作图说明相应CV/I和时钟频率的预期比值。 6.氧化层厚度（Process Integration, Devices, and Structures） a.作图说明四个技术节点栅氧化层厚度的预期值。 b.作图说明四个技术节点的栅漏电流密度的预期值。 7.硅片表面处理（Front end processes） a.作图说明随年代硅片表面颗粒大小和数目的要求。 b.作图说明随年代可动离子密度的变化。

复旦大学论文格式完整版

学校代码：10246 学号：硕士学位论文（专业学位） XXXXX应用系统实现论文英文题目院系：软件学院专业：软件工程姓名：指导教师：完成日期：2007年2月17日

目录摘要............................................................. I I ABSTRACT .......................................................... I II 第一章绪论. (1) 1.1 论文选题背景 (1) 1.2 本文的主要内容 (2) 1.3 本文的章节安排 (2) 第三章设计与实现 (30) 3.1 总体框架层次 (30) 3.1.1 图的使用例如 (30) 3.2 系统实现功能 (30) 3.2.1 表的使用例如 (30) 3.3 程序实现 (31) 3.3.1 程序书写例如 (31) 第五章结论 (67) 5.1 系统运行发现的不足与未来展望 (67) 参考文献 (68) 致谢 (71)

摘要一篇好的摘要能把整篇文章的主要内容梗概反映出来。中文摘要字数在400到500之间，中英文摘要内容要一致。目前收到的文章，大多数摘要写得偏短，而且内容主要是文章的背景材料，看不出作者在文中所作的贡献。我们这里特向作者提醒，撰写摘要一定要注意如下几个问题：要开门见山。从第一句开始就把作者在文章中阐述的基本观点概要地叙述清楚，侧重于：方法、结果和结论；要排除本学科领域中已成常识的内容；不要重复文章标题中已有的信息；不写背景材料，不作自我评价，不包括作者的未来计划；要采用第三人称的叙述方式，如：“进行了……”、“得到了……”，不应使用“本文……”、“作者……”等作为主语。除结论外，作者对工作的描述应采用过去式；缩略语、简称、代号，除了相邻专业的读者也能理解外，在首次出现时必须加以说明。摘要举例： “基于工作流的PDM-ERP集成系统研究”一文摘要通过对产品数据管理（PDM）和企业资源计划（ERP）在管理对象、管理过程、管理目标以及管理方式等方面的分析，归纳总结了PDM和ERP这两个领域内在的区别和联系；借助工作流技术和相应的工作流管理系统，在目标一致、资源共享、过程互补的基础上实现了PDM和ERP的集成；构建了PDM-ERP集成系统的体系结构和系统运作框架图，从信息流和物流集成的角度实现了企业设计领域和制造领域的全局集成。（摘自《中国机械工程》13卷第5期）关键词金融控股公司，发展模式

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。此过程称为“长晶”。硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验第十章:高级光刻工艺第十一章:掺杂第十二章:淀积第十三章:金属淀积第十四章:工艺和器件评估第十五章:晶圆加工中的商务因素第十六章:半导体器件和集成电路的形成第十七章:集成电路的类型第十八章:封装附录:术语表

#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。目的完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。一个工业的诞生电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。

关于《复旦大学本科毕业论文》书写规范(参考Word)

关于《复旦大学本科生毕业论文》文章格式的要求收入《复旦大学本科生优秀毕业论文集》的论文必须包含题目、作者姓名和院系、指导教师、中英文摘要、关键词、引言（前言）、正文、注释、参考文献、后记（致谢），论文限制在8000至15000字以内。具体格式要求如下：一、页面设置：保留Word默认设置（A4，页边距左2.54，右2.54，上3.17，下3.17，装订线0，页眉1.5，页脚1.75）二、段落：在格式选项下的段落设置选项中，“缩进”选0字符，“间距”选0行，“行距”固定值20 磅，“特殊格式”选（无）。三、字体和字号：中文字体一般用宋体（有特殊要求的除外），英文用Times New Roman字体论文题目字号为小二号，加粗，居中；若有副标题，则用小三号，加粗，居中。作者院系、姓名为小四号，加粗，居中；指导教师姓名为小四号，加粗，居中；摘要、关键词字号为五号，“摘要”和“关键词”加粗；（中文首行缩进两个中文字符；英文则顶格）引言（前言）标题字号为四号，加粗，居中；其他文字字号为小四号。正文各类标题（包括“参考文献”标题）加粗；一级标题用四号字体；二级标题、三级标题用小四号字体；正文其他为小四号；参考文献、后记（致谢）、指导教师评语、答辩委员会评语为小四号；标题加粗，字号为小四号；指导教师评语和答辩委员会评语放在表格中。四、附图和附表：图表名为小四号，加粗；附表的表头应写在表的上面，居中；附图的标题应写在图的下面，加粗，居中。按表、图、公式在论文中出现的先后顺序分别编号。每个图表尽量放于一页内。五、引文：较长的引文可以不加引号，单独成段，用楷体，字号为小四号。六、注释：论文一律用脚注（在word中“插入”—“引用”—“脚注和尾注”设置）。脚注（如引用文献），严格按以下顺序：序号（用纯阿拉伯数字）、作者姓名、书名（或文章名）、出版社（或期刊名）、出版或发表时间。

半导体集成电路习题及答案

第1章集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应复习思考题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下：答：解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；

⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周； ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作的图进行修正，直至满足V V OL 4.0≤的条件。（CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =）第3章集成电路中的无源元件复习思考题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。试求： (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答：12μm (2) 粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答：一个弯头第4章晶体管 (TTL)电路复习思考题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上机使用时有什么问题? 答：不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流，假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同， BCF V =0.55V , CES V =0.4～0.5V , 1 CES V =0.1～0.2V 。答：（1）导通态（输出为低电平） V V B 1.21= ， V V B 55.12= ，V V B 2.13= ，V V B 5.04= ，V V B 8.05= ，

【免费下载】新版含封面复旦大学博士硕士学位论文规范

复旦大学博士、硕士学位论文规范（2014年11月修订版）印刷本论文规范一、论文封面制作要求 (一)学位论文封面使用云彩纸。博士学位论文封面颜色为淡棕色，硕士学位论文封面颜色为淡蓝绿色。（二）论文封面（封一）制作要求如下： 1、论文封面（封一）的内容包括：（1）学校代码（10246）；（2）学号（研究生或同等学力人员）；（3）学校名称（复旦大学）；（4）学位论文的类别；（5）30个汉字以内的论文题目，及相应的英文题目（外语专业的学位论文如非中文撰写，须同时有中文题目）；（6）院系(规范正式的)名称；（7）学科专业；（8）姓名；（9）指导教师；（10）完成日期对于学术学位论文，须在论文封面“复旦大学XX学位论文”的下面注明“（学术学位）”字样；对于专业学位论文，须在论文封面“复旦大学XX学位论文”的下面注明“（专业学位）”字样；对于涉密学位论文，其密级及保密年限由学校相关保密部门审核认定后，必须在论文封面右上角学校代码的上方标注，如：“密级：秘密五年”的字样。 2、论文封面（封一）的格式，请严格按“标准样本”（详见附件一）制作。（三）论文封面（封三），须打印并签署“学位论文独创性声明”和“学位论文使用授权声明”。（附件二）（四）论文书脊上印：论文题目、作者姓名、复旦大学研究生院。

二、论文内容编排要求（一）论文统一按word格式A4纸（“页面设置”按word默认值）编排、打印、制作。正文内容，字体：宋体、字号：小四号、字符间距：标准、行距：20磅。（二）论文撰写格式 1、扉页：指导小组成员名单 2、目录： 3、中文摘要（关键词，中图分类号）： 4、英文摘要（关键词，中图分类号）： 5、引言（前言）： 6、正文 7、参考文献：（全文参考文献一览，各类参考文献编排格式须符合国家标准GB 7714—87《文后参考文献著录规则》，参见附件三） 8、后记或致谢等内容（三）注释位置硕士学位论文采用篇末注、博士学位论文采用章末注。如所在学科有特殊需要，也可适当采用脚注。（四）论文字数要求（1）文科：硕士论文一般不少于3万字；博士论文一般不少于10万字；（2）理科、医科：根据各专业实际情况确定；（3）专业学位的论文字数，参照上海市各专业学位论文的基本要求。三、论文的打印和装订要求论文要求双面打印；论文必须用线装或热胶装订，不能使用钉子装订。

集成电路制造工艺流程

集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.。采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。此过程称为“长晶”。硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多

半导体集成电路工艺复习

第一次作业： 1，集成时代以什么来划分？列出每个时代的时间段及大致的集成规模。答：类别时间数字集成电路模拟集成电路MOS IC 双极IC SSI 1960s前期 MSI 1960s~1970s 100～500 30～100 LSI 1970s 500～2000 100～300 VLSI 1970s后期~1980s后期>2000 >300 ULSI 1980s后期~1990s后期 GSI 1990s后期~20世纪初 SoC 20世纪以后 2，什么是芯片的集成度？它最主要受什么因素的影响？答：集成度：单个芯片上集成的元件（管子）数。受芯片的关键尺寸的影响。 3，说明硅片与芯片的主要区别。答：硅片是指由单晶生长，滚圆，切片及抛光等工序制成的硅圆薄片，是制造芯片的原料，用来提供加工芯片的基础材料；芯片是指在衬底上经多个工艺步骤加工出来的，最终具有永久可是图形并具有一定功能的单个集成电路硅片。 4，列出集成电路制造的五个主要步骤，并简要描述每一个步骤的主要功能。答：晶圆(硅片)制备(Wafer Preparation)；硅(芯）片制造(Wafer Fabrication)：在硅片上生产出永久刻蚀在硅片上的一整套集成电路。硅片测试/拣选(Die T est/Sort)：单个芯片的探测和电学测试，选择出可用的芯片。装配与封装(Assembly and Packaging)：提供信号及电源线进出硅芯片的界面；为芯片提供机械支持，并可散去由电路产生的热能；保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。成品测试与分析（或终测）(Final T est)：对封装后的芯片进行测试，以确定是否满足电学和特性参数要求。 5，说明封装的主要作用。对封装的主要要求是什么。答：封装的作用：提供信号及电源线进出硅芯片的界面；为芯片提供机械支持，并可散去由电路产生的热能；保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。主要要求：电气要求：引线应当具有低的电阻、电容和电感。机械特性和热特性：散热率应当越高越好;机械特性是指机械可靠性和长期可靠性。低成本：成本是必须要考虑的比较重要的因素之一。 6，什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？自半导体制造业开始以来，芯片的关键尺寸是如何变化的？他对芯片上其他特征尺寸的影响是什么？答：芯片上器件的物理尺寸被称为特征尺寸；芯片上的最小的特征尺寸被称为关键尺寸，且被作为定义制造工艺水平的标准。为何重要：他代表了工艺上能加工的最小尺寸，决定了芯片上的其他特征尺寸，从而决定了芯片的面积和芯片的集成度，并对芯片的性能有决定性的影响，故被定义为制造工艺水平的标准。

复旦大学硕士论文封面模板(含论文标准格式)

学校代码:xxx 学号:xxxxx 论文题目培养院系：xx学院学科名称：xxx学论文类型：硕士/博士学位论文论文作者：xxxx 指导教师：xxx教授复旦大学 20xx年x月x日

学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：xxxx 日期：20xx年x月x日

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摘要摘要 [鼠标左键三击选择该段落，输入替换之。] 摘要是论文内容不加注释和评论的简单陈述。摘要应概括地反映出本论文的主要内容，包括工作目的、研究方法、研究成果和结论，要突出本论文的创造性成果。摘要中不可出现图片、图表、表格或其他插图材料。摘要是一篇完整的短文，可以独立使用。理硕士学位论文的中文摘要字数为1500字左右，字体为宋体四号。关键词（3-5个）是为了便于做文献索引和检索工作而从论文中选取用以表示全文主题内容信息的单词或术语，并在下方另起一行注明。每一关键词之间用逗号分开，最后一个关键字后不打标点符号。关键词：[关键词1] [关键词2] [关键词3] [关键词4] [关键词5] i

CMOS集成电路制造工艺流程

C M O S集成电路制造工艺流程 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

陕西国防工业职业技术学院课程报告课程微电子产品开发与应用论文题目CMOS集成电路制造工艺流程班级电子3141 姓名及学号王京（24#）任课教师张喜凤目录

CMOS集成电路制造工艺流程摘要：本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程，主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素，及CMOS器件的应用。引言：集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间，于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术，并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比，MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高，但工作速度较慢。由于它们各具优劣势，且各自有适合的应用场合，双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。关键词：工艺技术，CMOS制造工艺流程 1.CMOS器件 CMOS器件，是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构，电流小，功耗低，早期的CMOS电路速度较慢，后来不断得到改进，现已大大提高了速度。分类 CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS，则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化，适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D－NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS，是在低阻n＋衬底上再外延一层中高阻n――硅层，然后在外延层中制造n 阱和p阱，并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管，从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成，有利于降低寄生电容，增加跨导，增强p沟和n沟晶体管的平衡性，适用于高性能电路的制造。

半导体集成电路制造PIE常识

Question Answer & PIE

PIE 1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 200mm300mm 8〞12〞

2018年复旦大学硕士论文格式

2018年复旦大学硕士论文格式复旦大学(Fudan University)，简称“复旦”,位于上海市，由中华人民共和国教育部直属，中央直管副部级建制，位列“双一流高校”、“211工程”、“985工程”,入选“珠峰计划”、“111计划”、“2011计划”、“卓越医生教育培养计划”,为“九校联盟”成员、中国大学校长联谊会成员、东亚研究型大学协会成员、环太平洋大学协会成员、21世纪大学协会成员，是一所综合性研究型的全国重点大学。下面是复旦大学硕士论文格式，希望对你有所帮助。一、论文封面制作要求 (一)学位论文封面使用云彩纸。博士学位论文封面颜色为淡棕色，硕士学位论文封面颜色为淡蓝绿色。 (二)论文封面(封一)制作要求如下： 1、论文封面(封一)的内容包括： (1)学校代码(10246);(2)学号(研究生或同等学力人员);(3)学校名称(复旦大学);(4)学位论文的类别;(5)30个汉字以内的论文题目，及相应的英文题目(外语专业的学位论文如非中文撰写，须同时有中文题目);(6)院系(规范正式的)名称;(7)学科专业;(8)姓名;(9)指导教师;(10)完成日期对于学术学位论文，须在论文封面“复旦大学XX学位论文”的下面注明“(学术学位)”字样;对于专业学位论文，须在论文封面“复旦大学XX学位论文”的下面注明“(专业学位)”字样;对于涉密学位论文，其密级及保密年限由学校相关保密部门审核认定后，必

须在论文封面右上角学校代码的上方标注，如：“密级：秘密?五年”的字样。 2、论文封面(封一)的格式，请严格按“标准样本”(详见附件一)制作。 (三)论文封面(封三)，须打印并签署“学位论文独创性声明”和“学位论文使用授权声明”.(附件二) (四)论文书脊上印：论文题目、作者姓名、复旦大学研究生院。二、论文内容编排要求 (一)论文统一按word格式A4纸(“页面设置”按word默认值)编排、打印、制作。正文内容，字体：宋体、字号：小四号、字符间距：标准、行距：20磅。 (二)论文撰写格式 1、扉页：指导小组成员名单 2、目录： 3、中文摘要(关键词，中图分类号)： 4、英文摘要(关键词，中图分类号)： 5、引言(前言)： 6、正文 7、参考文献 (三)注释位置硕士学位论文采用篇末注、博士学位论文采用章末注。如所在学科有特殊需要，也可适当采用脚注。 (四)论文字数要求

集成电路工艺流程

集成电路中双极性和CMOS工艺流程摘要：本文首先介绍了集成电路的发展，对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础，双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点，但是随着集成电路发展到系统级的集成，其规模越来越大，却要求电路的功耗减少，而双极型器件在功耗和集成度方面无法满足这些方面的要求。CMOS电路具有功耗低、集成度高和抗干扰能力强的特点。文章主要介绍了双极性电路和CMOS电路的主要工艺流程，最后对集成电路发展过程中出现的新技术新工艺以及一些阻碍集成电路发展的因素做了阐述。关键词：集成电路，双极性工艺，CMOS工艺 ABSTRACT This paper first introduces the development of integrated circuits, mainly operating in the process of production for integrated circuits were briefly reviewed. Bipolar and MOS circuit Sas the basis for the development of integrated circuit. Bipolar integrated circuits with high speed, driving ability, simulated the characteristics of high precision, but with the development of integrated circuit to the system level integration, its scale is more and more big.So, reducing the power consumption of the circuit is in need, but bipolar devices in power consumption and integration can't meet these requirements. CMOS circuit with low power consumption, high integration and the characteristics of strong anti-interference ability. This paper mainly introduces the bipolar circuit and CMOS circuit the main technological process.finally, the integrated circuit appeared in the process of development of new technology and new technology as well as some factors hindering the development of the integrated circuit are done in this paper. KEY WORDS integrated circuit, Bipolar process, CMOS process

复旦大学专用集成电路-国家重点实验室

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室是国内集成电路设计领域唯一的国家重点实验室。实验室的软、硬装备达到国际90代年的水平，具备深亚微米芯片的设计和研究能力，是国内最有影响的集成电路设计开发基地，也是国内集成电路设计人才培养最有实力的基地。实验室面积超过2200平方米，拥有国际一流的软硬件设计环境。 ?50台先进的计算机工作站Sun Ultra 10, 60； ?Pentium IV 100台； ?系统设计软件Synopsys, Cadence； ?亚微米芯片设计软件Cadence, Avanti； ?SP设计软件COSSAP, DSP station； ?功耗分析软件Power Mill； ?数字电路测试仪； ?HP 82000逻辑分析仪； ?HP测试分析探针台2台； ?HP高频示波器等测试仪器； ?其它软件Saber、Hspice、Xillinx、Altera等。专用集成电路与系统国家重点实验室

“专用集成电路与系统”国家重点实验室是于1992年由国家计委批世界银行贷款筹建的，总贷款额为160万美元。1995年9月通过国家 2002年再次通过评估，是我国目前唯一的专门从事集成电路设计研家重点实验室。实验室有固定人员60名，其中45岁以下的中青年教师约占70%，士学位的占中青年教师的70%以上。实验室以微电子技术、计算机辅助技术和电路系统理论方法为基础多学科结合的综合优势，围绕集成电路这一关系到我国信息化发展的键问题,开展专用集成电路设计方法与系统集成创新技术的研究。目决从系统到集成电路制造工艺之间所遇到的前沿理论问题和关键技术开发具有自主知识产权的用于先进电子系统的芯片技术，成为我国集设计研究、产业发展以及高层次人才培养的最重要基地之一。近年来，实验室始终瞄准国际SoC发展前沿，面向国家重大需求国民经济主战场，紧紧围绕实验室的学术研究方向，共承担了各类研究课题274项，总经费5595.79万。其中86 973计划、国家自然科学基金、国家攻关计划以及省部委项目共计146项，经费3404.6万元；与几十家国内外单位和企业合作完成研究课题128项，经费2191.19万元，创造了良好的社会效益和巨大的经济效益。近年来，实验室共获得各类建设经费4006.2万，其中建设初期，国家投入实验室建设费159.2万美元，合人民币万元，主管部门配套经费258万元；运行补助费合计：国家投入180万元，主管部门投入100.1；复旦大学合计投入万元。实验室在国外刊物上发表论文97篇，国内重要刊物上发表论文408篇；出版中文专著13本，外文专著3本批准的发明专利10项；成果转让33项，转让经费1438万元；主办国际学术会议6次，主办国际双边会仪1次国际学术会议222人，特邀报告5人；获得国家科技进步二等奖1项、国家科技进步四等奖1项，省部级二等奖三等奖6项。培养人才，长江学者1人，百人计划1人，已出站博士后6人，博导15人，已毕业博士生61人，已毕业硕士人。学术团队重点实验室主任周电 ZHOUDIAN 男教授、博导副主任曾璇 ZENGXUAN 女教授、博导任俊彦 RENJUNYAN 男教授、博导

复旦大学本科生毕业论文格式

关于《复旦大学本科生毕业论文》文章格式的要求论文必须包含题目、作者姓名和院系、指导教师、中英文摘要、关键词、引言（前言）、正文、注释、参考文献、后记（致谢），论文限制在8000至15000字以内。具体格式要求如下：一、页面设置：保留Word默认设置（A4，页边距左2.54，右2.54，上3.17，下3.17，装订线0，页眉 1.5，页脚1.75）二、段落：在格式选项下的段落设置选项中，“缩进”选0字符，“间距”选0行，“行距”固定值20 磅，“特殊格式”选（无）。三、字体和字号：中文字体一般用宋体（有特殊要求的除外），英文用Times New Roman字体论文题目字号为小二号，加粗，居中；若有副标题，则用小三号，加粗，居中。作者院系、姓名为小四号，加粗，居中；指导教师姓名为小四号，加粗，居中；摘要、关键词字号为五号，“摘要”和“关键词”加粗；（中文首行缩进两个中文字符；英文则顶格）引言（前言）标题字号为四号，加粗，居中；其他文字字号为小四号。正文各类标题（包括“参考文献”标题）加粗；一级标题用四号字体；二级标题、三级标题用小四号字体；正文其他为小四号；参考文献、后记（致谢）、指导教师评语、答辩委员会评语为小四号；标题加粗，字号为小四号；指导教师评语和答辩委员会评语放在表格中。四、附图和附表：图表名为小四号，加粗；附表的表头应写在表的上面，居中；附图的标题应写在图的下面，加粗，居中。按表、图、公式在论文中出现的先后顺序分别编号。每个图表尽量放于一页内。五、引文：较长的引文可以不加引号，单独成段，用楷体，字号为小四号。六、注释：论文一律用脚注（在word中“插入”—“引用”—“脚注和尾注”设置）。脚注（如引用文献），严格按以下顺序：序号（用纯阿拉伯数字）、作者姓名、书名（或文章名）、出版社（或期刊名）、出版或发表时间。七、参考文献按照正文格式，标题用小四号，居中。（标题加粗）内容及次序如下：著作为[序号]作者或编者、文献题名、出版地、出版社、出版年份、起止页码；论文为[序号]作者、文献题名、期刊名、出版时间、卷号或期号、起止页码；参考文献根据作者或