(完整word版)半导体器件物理复习题完整版

半导体器件物理复习题

一． 平衡半导体： 概念题：

1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）

所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体：

本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子：

形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子：

形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体：

半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体：

对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，

费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。 7. 有效状态密度：

穴的有效状态密度。

8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度：

其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。

9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度：

其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10.

11.

12.

13. 14. 本征费米能级Fi E ：

是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带

中央附近，

g c v E E E =-。？

15. 本征载流子浓度i n ：

本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度00i n p n ==。硅半导体，在

300T K =时，1031.510i n cm -=?。

16. 杂质完全电离状态：

当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态：

在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征：

本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等，那么本征半导体费米能级的位置严格位于禁带中央。在该书的其后章节中，都假设：本征半导体费米能级的位置严格位于禁带中央。（画出本征半导体的能带图）。 19. 非本征半导体：

进行了定量的施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离了本征载流子浓度，产生多子电子（N 型）或多子空穴（P 型）的半导体。 20. 本征半导体平衡时载流子浓度之间的关系：

本征载流子浓度强烈依赖与温度。

以本征费米能级为参考描述的电子浓度和空穴浓度：

从上式可以看出：如果F Fi E E =，可以得出20000i

i n p n n p n ===，此时的半导体具有

本征半导体的特征。上式的载流子浓度表达式既可以描述非本征半导体，又可以描述本征半

导体的载流子浓度。

21. 非本征半导体平衡时载流子浓度之间的关系：

200i n p n =，22. 补偿半导体的电中性条件：

()001a d

n N p N -+

+=+ 其中：

0n 是热平衡时，导带中总的电子浓度； 0p 是热平衡时，价带中总的空穴浓度；

a a a N N p -

=-是热平衡时，受主能级上已经电离的受主杂质； d d d N N n +=-是热平衡时，施主能级上已经电离的施主杂质；

a N 是受主掺杂浓度；d N 是施主掺杂浓度；a p 是占据受主能级的空穴浓度；d n 是占据施主

能级的电子浓度。也可以将（1）写成：

()

()00()2a a d d n N p p N n +-=+-

在完全电离时的电中性条件：

完全电离时，0,0d a n p ==，有()003a d n N p N +=+

对净杂质浓度是

N

型时，热平衡时的电子浓度是

()

2

2

4

22

d a d a

i

N N N N

n n

--

??

=++

?

??

；

少子空穴浓度是：

2

i

n

p

n

=。

对净杂质浓度是P型时，热平衡时的空穴浓度是

()

2

2

5

22

a d a d

i

N N N N

p n

--

??

=++

?

??

；

少子电子浓度是：

2

i

n

n

p

=。

理解题：

23.结合下图，分别用语言描述N型半导体、P型半导体的费米能级在能带中的位置：

24.费米能级随掺杂浓度是如何变化的？

利用

00

exp exp

F Fi F Fi

i i

E E E E

n n p n

kT kT

--

????

==-

????

????

可分别求出：

()

00

ln;ln6

F Fi Fi F

i i

n p

E E kT E E kT

n n

????

-=-=

? ?

????

如果掺杂浓度

a i

N n

>>，且

a d

N N

>>利用（5）式得到，

0a

p N

≈；

如果掺杂浓度

d i

N n

>>，且

d a

N N

>>利用（4）式得到，

0d

n N

≈；

带入（6）式得：

()

ln;ln7

d a

F Fi Fi F

i i

N N

E E kT E E kT

n n

????

-=-=

? ?

????

所以，随着施主掺杂浓度

d

N的增大，N型半导体的费米能级

F

E远离本征费米能级

Fi

E向导

带靠近（为什么会向导带靠近？）；同样，随着受主掺杂浓度a N 的增大，P 型半导体的费米能级F E 远离本征费米能级Fi E 向价带靠近（为什么会向价带靠近？）。 25.费米能级在能带中随温度的变化？

温度升高时，本征载流子浓度i n 增大，N 型和P 型半导体的费米能级都向本征费米能级靠近。为什么？

26.硅的特性参数： 在室温（300T K =时，）硅的

导带有效状态密度1932.810,c N cm -=? 价带的有效状态密度193

1.0410v N cm -=?； 本征载流子浓度：103

1.510i n cm -=?

禁带宽度（或称带隙能量） 1.12g E eV = 27. 常用物理量转换单位

1478103191101010101011025.5125.41 1.610A nm m mm cm m mil in m in cm eV J

μμ-------=========?o

28.常用物理常数：

,235193107014012tan 1.3810/8.6210/arg 1.6109.1110410/8.8510/8.8510/Boltzmann s cons t k J K eV K Electronic ch e e C Free electron rest mass m kg

Permeability of free space H m Permittivity of free space F cm F μπε-------=?=?=?=?=?=?=?,3415342710tan 6.625104.135101.054102Pr 1.67102.99810/(300)0.02590.0259t m Planck s cons t

h J s eV s h J s

oton rest mass M kg

Speed of light in vacuum

c cm s

kT

Thermal voltage T K V V

e

kT eV

π

----=?-=?-==?-=?=?====h

2141422

(300)tan 11.78.8510/tan 3.98.8510/1.121350/si ox g n Silicon and SiO properties T K Silicon Dieelectric cons t F cm SiO Dieelectric cons t F cm

Silicon Bandgap energey E eV

Silicon Mobility of eletron cm V s Silico εεμ--==??=??==-2103

480/4.01int 1.510p i n Mobility of Hole cm V s Silicon electron affinity

V

Silicon rnsic carrier condentration n cm μχ-=-==?

2342

3400Pr (300)

9 4.7tan 3.97.5int

17001900operties of SiO and Si N T K SiO Si N Energy gap eV eV Dielectric cons t Melting po C

C

=≈≈ 29.电离能的概念：

受主能级与价带能量的差值称谓受主杂质电离能,即a v E E -； 导带能量与施主能级的差值称谓施主杂质电离能,即c d E E -； 问：

受主能级a E 在能带中的什么位置？

施主能级

d

E在能带中的什么位置？

结合下图用语言描述。

计算能使玻尔兹曼近似成立的最大掺杂浓度及费米能级的位置。

解：考虑300

T K

=时对硅进行了硼掺杂，假设玻尔兹曼近似成立的条件是3

F a

E E kT

-=，

已知硼在硅中的电离能是0.045

a v

E E eV

-=，假设本征费米能级严格等于禁带中央。在300

T K

=时，P型半导体的费米能级在

Fi

E与

a

E之间，所以

()()

()()

()

10173

22

ln

2

1.12

0.04530.02590.0259ln

2

0.4370.0259ln

0.4370.437

exp 1.510exp 3.210

0.02590.0259

0.437

c v c v

Fi F F a v F a

g a

a v F a

i

a

i

a

i

a i

Fi F

E E E E

E E E E E E E

E N

E E E E kT

n

N

n

N

n

N n cm

E E eV

-

+-

-=-=----

??

=----= ?

??

--=

=

????

==?=?

? ?

????

-=

玻尔兹曼近似成立的最大掺杂浓度是173

3.210

a

N cm-

=?

费米能级高于本征费米能级0.437

Fi F

E E eV

-=。

二．半导体中的载流子输运现象与过剩载流子：

概念题：

30.半导体中存在两种基本的电荷输运机理，一种称谓载流子的漂移，漂移引起的载流子流

动与外加电场有关；另一种电荷输运现象称谓载流子的扩散，它是由杂质浓度梯度引起的（或理解为有“扩散力”存在引起的电荷输运）。

31.给半导体施加电场，载流子的漂移速度不会无限增大，而是在散射作用下，载流子会达到平均漂移速度。半导体内主要存在着两种散射现象：晶格散射和电离杂质散射。 32.载流子迁移率定义为载流子的平均漂移速度与所加电场的比值,dp dn

p n v v E

E

μμ=

=

。电子迁移率n μ和空穴迁移率p μ既是温度的函数，也是电离杂质浓度的函数。

33.当所加的电场很小时，载流子的平均漂移速度与电场成线性关系；当电场强度达到

4110Vcm -时，载流子的漂移速度达到饱和值7110cms -。

34.载流子的漂移电流等于电导率与电场强度的乘积（drf j E σ=）电导率与载流子浓度、迁移率成正比；电阻率是电导率的倒数。

35.载流子的扩散电流密度正比于扩散系数,n p D D 和载流子浓度梯度。

非均匀杂质掺杂的半导体，在热平衡时，会在半导体内产生感应电场。载流子的扩散系数与迁移率的关系称谓爱因斯坦关系：

p

n

t n

p

D D kT

V q

μμ=

=

=。 练习题： 36. Calculate the intrinsic concentration in silicon at 350T K =and at 400T K =. The values of c N and v N vary as 3/2

T

.As a first approxi

-mation, neglect any variation of bandgap energy temperature. Assume that the bandgap energy of silicon is 1.12eV .the value of at 350T K = is

3500.02590.0302300kT eV ??

==????

the value of at 400T K = is

4000.02590.0345300kT eV ??==????

We find for 350T K =,

()()3

21919226113

350 1.12exp 2.810 1.0410exp 3.62103000.0302(350) 1.910g i c v i E n N N cm kT n K cm ---??-????==??=? ? ???

??????

=?For 400T K =,We find

()()3

21919246

123

400 1.12exp 2.810 1.0410exp 5.5103000.0345(400) 2.3410g i c v i E n N N cm kT n K cm ---??-????==??=? ? ???

??????

=?

37.Determine the thermal equilibrium electron and hole concentration in GaAs at T= 300K for the case when the Fermi energy level is 0.25eV above the valence-band energy E v . Assume the bandgap energy is E g =1.42eV.

(Ans. p 0=4.5x1014cm -3,n 0=? T= 300K ，N c =4.7X1017cm -3, N v =7X1018cm -3

) 38.Find the intrinsic carrier concentration in silicon at

(a)T=200K and at (b)T=400K < Ans.(a)8.13x104cm -3,(b) 2.34x1012cm -3.n i =1.5x1010cm -3

> . 39.Consider a compensated germanium semiconductor at T=300K doped at concentration

of N a =5x1013cm -3 and N d =1x1013cm -3

.Calculate the thermal equilibrium electron and hole

2261313300/ 5.7610/5.1210 1.12510i n n p cm -==??=?

40. Consider a compensated GeAs semiconductor at T=300K doped at concentration of N d =5x1015cm -3 and N a =2x1016cm -3

.Calculate the thermal equilibrium electron and hole

concentrations. .(n i

=1.8x106cm -3

)

41. Consider n-type Silicon at T=300K doped with phosphorus. Determine the doping

concentration such that E d -E F =4.6kT (Asn.N d =6.52x1016cm -3

).(E c -E d =0.045eV)

42. Calculate the position of the Fermi energy level in n-type silicon at T=300K

with respect to the intrinsic energy level. The doping concentration are N d =2x1017cm -3

and

N d =3x1016cm -3

. (Asn.E F -E Fi =0.421eV).

半导体器件物理复习题

三． P-N 结： 概念题：

23. 什么是均匀掺杂P-N 结？

半导体的一个区域均匀掺杂了受主杂质，而相邻的区域均匀掺杂了施主杂质。值得注意这种结称谓同质结。 24. 冶金结？

P-N 结交接面称谓冶金结。 25. 空间电荷区或称耗尽区？ 冶金结的两边的P 区和N 区，由于存在载流子浓度梯度而形成了空间电荷区或耗尽区。该区内不存在任何可移动的电子或空穴。N 区内的空间电荷区由于存在着施主电离杂质而带正

电，P区内的空间电荷区由于存在着受主电离杂质而带负电。

26.空间电荷区的内建电场？

空间电荷区的内建电场方向由N型空间电荷区指向P型空间电荷区。

27.空间电荷区的内建电势差？

空间电荷区两端的内建电势差维持着热平衡状态，阻止着N区的多子电子向P区扩散的同时，也阻止着P区的多子空穴向N区扩散。

28.P-N的反偏状态？

P-N结外加电压（N区相对于P区为正，也即N区的电位高于P区的电位）时，称P-N结处于反偏状态。外加反偏电压时，会增加P-N的势垒高度，也会增大空间电荷区的宽度，并且增大了空间电荷区的电场。

29.理解P-N结的势垒电容？

随着反偏电压的改变，耗尽区中的电荷数量也会改变，随电压改变的电荷量可以用P-N结的势垒电容描述。

8.何谓P-N结正偏？并叙述P-N结外加正偏电压时，会出现何种情况？

9.单边突变结？

冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的P-N结。

10.空间电荷区的宽度？

从冶金结延伸到N区的距离与延伸到P区的距离之和。

练习题：

11.画出零偏与反偏状态下，P-N结的能带图。根据能带图写出内建电势的表达式。

12.导出单边突变结空间电荷区内电场的表达式，并根据导出的表达式描述最大电场的表达式，解释反偏电压时空间电荷区的参数如势垒电容，空间电荷区宽度，电场强度如何随反偏电压变化。

13.若固定N D=1015cm-3,分别计算（1）N A=1015cm-3；（2）N A=1016cm-3；

（3）N A=1017cm-3；（4）N A=1018cm-3；T=300K时的内建电势值。

14.假如硅半导体突变结的掺杂浓度为N A=2X1016cm-3，N D=2X1015cm-3， T=300K。计算（1）V bi；（2）V R=0与V R=8V时的空间电荷区宽度W，（3）V R=0与V R=8V时的空间电荷区中的最大电场强度。

15.在无外加电压的情况下，利用p-n结空间电荷区中的电场分布图推导出：

（1）内建电势?bi

V =

（2）总空间电荷区宽度W=? （3）N 型一侧的耗尽区宽度?n x =

（4）P 型一侧的耗尽区宽度?p x = （5）冶金结处的最大电场max

2bi V E W

=

解：

()()

()()

max max 1112211222A

bi n p p s

D

bi n p n

s

qN V x x E W x qN V x x E W x εε=

+==+=

解：由（1）、（2）两方程得：

()

()

2324s bi

p A s bi

n D V x qN W

V x qN W

εε=

=

（3）＋（4）得：

222112(5)s bi s bi s bi s bi

p n A D A D eff

V V V V W x x qN W qN W qW N N qWN εεεε??=+=+=+= ??? 2111

(6)

:s bi

eff

eff A D

V W Where qN N N N ε=

=+

解：将2s bi eff

V W

qN ε=

3）和（4）得：

(

)

()

2728s bi p A s bi n D V x qN W V x qN W εε=====

=

解：由方程（1）得：

()max max

max 11

222(9)

bi n p bi

V x x E WE V E W

=+==

当外加反向电压等于R V 时：

()

()

()

2102()11s bi R p A s bi R n D V V x qN W V V x qN W εε+==

+==

(12)W =

()max

2(13)bi R V V E W +=

N 型耗尽区上的压降：

()2

11142D n

s qN V x ε=

N 型耗尽区上的压降：

()2

21152A p

s

qN V x ε=

内建电势：

()22

12111622D A bi n p

s s

qN qN V V V x x εε=+=

+

半导体器件物理复习题

四．P-N 结二极管

1．在P-N 结外加正偏V a 时，利用V bi =V T ln(N A N D /n i 2) 导出N 区和P 区空间电荷区边缘处的少子浓度相关的边界条件是：()()00exp

,exp ,a a n n n p p p T T

V V p x p n x n V V =-=

2.画出正偏电压下空间电荷区边缘附近过剩少数载流子分布图，指出少子浓度是按何种关系分布的。

3. 假如硅P-N 结，其掺杂浓度是N A =2X1016cm -3，N D =5X1015cm -3，当T=300K 时，外加正偏电压V a =0.610V 。计算空间电荷区边缘处的少子浓度()()

??n n p p p x n x =-=

4. 少子空穴扩散电流密度的表达式是？少子电子扩散电流密度的表达式是？

5. 写出理想二极管电压－电流关系方程。

6．当二极管正偏时，在T=300K 。分别计算电流变为原来的10倍、100倍时，正向电压的改变量是？（记住ln10=2.3，T=300K 时的V T ＝26mV ）。 一． 理解MOS 场效应晶体管的电流－电压方程： 当器件工作在线性区时（即DS GS tn V V V <-时），NMOS 器件漏极电流与电压的关系是：

()()()2

1210;2D n ox GS TN DS DS GS TN DS GS TN W I C V V V V V V V V V L

μ??=

---><-??

其中TN V 是MOS 器件的阈值电压；DS V 是漏－源电压；GS V 是栅－源电压，W 是器件宽度；

L 是沟道长度（严格讲L 是沟道反型层的长度）

；W

L

有时称MOS 器件的宽长比；ox ox ox C t ε=是单位面积氧化层电容。

当DS GS TN V V V <<-时，器件工作在深线性区。此时NMOS 器件漏极电流与电压的关系是：

()()()20;D n ox GS TN DS GS TN DS GS TN W

I C V V V V V V V V L

μ=

--><<-

在工程上常利用方程（2）测量MOS 器件的沟道载流子迁移率n μ和阈值电压的大小。只要固定DS V 不变，给器件施加两个不同的GS V 测出所对应的漏极电流可得到方程组，即可求出

所测器件的n μ和TN V 。 例如：

假设被测器件参数为：

8230, 6.910/4ox W m C F cm L m

μμ-==?。保持0.1DS V V =不变，当1 1.5GS V V =时，135D I A μ=；2 2.5GS V V =时，275D I A μ=。求n μ和TN V

解法1：

()()()()()()()()()()212168662

8

81

1111130

753510 6.910 2.5 1.50.1

4

75351044010773/30

3 6.9106.910 2.5 1.50.1

4 1.5D D n ox GS GS DS n n D D n ox GS TN DS GS TN n ox DS

D TN GS n ox DS W

I I C V V V L

cm V s W I I C V V V V V W L C V L

I V V W C V L μμμμμμ-------=

--?=?-?-???===????-?=-?=-=-=-6

83510 1.50.8750.62530773 6.9100.14V

--?=-=???? 解法2：

()()()()()()()222112212111212112212112211

16

875 1.535 2.5

0.6257535

351030

6.910 1.54

GS TN D D GS TN D GS TN D GS D TN D GS TN D GS D TN

D GS D GS D D TN

D GS D GS TN D D D n ox GS TN DS V V I I V V I V V I V I V I V V I V I V I V I V I I V I V I V V V

I I I W

C V V V L

μ---=?-=-?--=--=--?-?=

==--=

-?=

?-()()()2

23510773/30

0.6250.01 6.9 1.50.6250.14

cm V s

?=

=?-

单位面积电容82

6.910/ox C F cm -=?时，该器件的栅氧化层厚度是多少：

解：

146

82

8

3.98.8510/ 5.0106.910/5.01050500ox

ox

ox ox ox ox F cm C t cm t C F cm cm nm A

εε----??=

?===??=?==o

当器件工作在放大区时（或饱和区时，即DS GS TN V V V ≥-），NMOS 器件漏极电流与电压的关系是：

()()()2

130;2D n ox GS TN GS TN DS GS TN W I C V V V V V V V L

μ=

-->≥-

方程（3）在模拟电路设计中常会用到，用于放大器。 方程（1）（2）在数字电路设计中常会用到，用于开关或“0”、“1”信号的传输。

二．练习题 1.

求300T K =时，NMOS 器件沟道处于耗尽状态时的最大耗尽区宽度?dT x m μ=。假定P 型

衬底的掺杂浓度1531.510a N cm -=?；硅的介电常数14

11.78.8510/si F cm ε-=??；电子

电量19

1.610q C -=?。（保留2位小数）

2.

原始P 型硅均匀掺杂浓度为14310a N cm -=，又进行了均匀的N 型补偿掺杂153

10d N cm -=。在300T K =时电子迁移率是2

1350/n cm V s μ=g 。若外加电场35/E V cm =，求漂移电

流密度。（保留两位小数） 3.

一个理想N 沟MOS 器件参数如下：()2

/20;450/;350;0.8n ox TN W L cm V s t A V V μ====o

g 。

当器件偏置在饱和区时，计算：GS V 加多电压才能保证漏极电流大于3mA 。(提示：氧化物

的介电常数14

3.98.8510/ox F cm ε-=??，保留2位小数)

4.

一个理想的NMOS 器件，反型层表面电子迁移率2

500/n cm V s μ=g ，阈值电压0.75TN V V =，

氧化层厚度400ox t A =o

。当偏置在饱和区时，5GS V V =，漏极电流10D I mA =。求器件的宽长比?W

L

=（保留3位小数，143.98.8510/ox F cm ε-=??）

完整word版,2019年全国I卷英语高考真题

2019年普通高等学校招生全国统一考试（全国卷I） 英语 注意事项： 1．答卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡和试卷指定位置上。 2．回答选择题时，选出每小题答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。回答非选择题时，将答案写在答题卡上，写在本试卷上无效。 3．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。 第一部分听力（共两节，满分30分） 做题时，先将答案标在试卷上。录音内容结束后，你将有两分钟的时间将试卷上的答案转涂到答题卡上。 第一节（共5小题；每小题1.5分，满分7.5分） 听下面5段对话。每段对话后有一个小题，从题中所给的A、B、C三个选项中选出最佳选项。听完每段对话后，你都有10秒钟的时间来回答有关小题和阅读下一小题。每段对话仅读一遍。 例：How much is the shirt? A. ￡19.15. B. ￡9.18. C. ￡9.15. 答案是C。 1. Where does this conversation take place? A. In a classroom. B. In a hospital. C. In a museum. 2. What does Jack want to do? A. Take fitness classes. B. Buy a pair of gym shoes. C. Change his work schedule. 3. What are the speakers talking about? A. What to drink. B. Where to meet. C. When to leave. 4. What is the relationship between the speakers? A. Colleagues. B. Classmates. C. Strangers. 5. Why is Emily mentioned in the conversation? A. She might want a ticket. B. She is looking for the man. C. She has an extra ticket. 第二节（共15小题；每小题1.5分，满分22.5分） 听下面5段对话或独白。每段对话或独白后有几个小题，从题中所给的A、B、C三个选项中选出最佳选

(英语)英语翻译专项习题及答案解析含解析

（英语）英语翻译专项习题及答案解析含解析 一、高中英语翻译 1．高中英语翻译题：Translate the following sentences into English, using the words given in the brackets. 1．美食是人们造访上海的乐趣之一。（visit） 2．街头艺术家运用创意将鲜艳明亮的色彩带进了老社区。（bring） 3．在你生命中，如果有一个人你需要对他说对不起，那么就去向他道歉吧。（apology）4．这个游戏的独特之处在于它让孩子学会如何应对现实生活中的问题。（what） 5．申请材料需要精心准备，这样你心仪的学校才会对你的能力有全面、准确地了解。（in order that） 【答案】 1．Delicious food is one of the pleasures when people visit Shanghai. 2．Street artists bring bright and vivid colors into older neighborhoods with originality 3．If there is someone to whom you need say sorry in your life, make an apology to him. 4．What makes this game peculiar lies in that it teaches kids how to handle the problems in real life. 5．The applications should be carefully prepared in order that the school you like can have an overall and accurate knowledge of your abilities. 【解析】 【分析】 1．本句重点考察两个知识点。一个是乐趣之一，说明此处的乐趣应该用复数，必须是可数名词，因此选择pleasure。另一个是题目中给出的visit，需要谨慎处理，是用做动词还是名词。此处我们给出一个时间状语从句when people visit Shanghai，同时还可使用其他从句进行处理。所以答案是Delicious food is one of the pleasures when people visit Shanghai. 2．本题难度不大，重点是明亮的色彩的表达，可以使用bright colors, 也可以使用bright and vivid colors. 所以答案是Street artists bring bright and vivid colors into older neighborhoods with originality 3．本题考查there be + 定语从句从而构成条件状语从句。另外考察“道歉”用“make apology to sb.”。所以答案是If there is someone to whom you need say sorry in your life, make an apology to him. 4．本题考察what引导的主语从句，以及“be peculiar to”的用法。所以答案是What makes this game peculiar lies in that it teaches kids how to handle the problems in real life. 5．本题主要考固定词组的掌握，为了使用in order that引导出的目的状语从句。另外也考查 preferred school，have…knowledge/ understanding of…，overall，accurate等。所以答案是The applications should be carefully prepared in order that the school you like can have an overall and accurate knowledge of your abilities. 【考点定位】翻译句子

2019年高考理综试题(Word版含答案解析)

2019年普通高等学校招生全国统一考试（吉林卷） 理科综合能力测试 注意事项： 1．答卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡上。 2．回答选择题时，选出每小题答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其它答案标号。回答非选择题时，将答案写在答题卡上，写在本试卷上无效。。 3．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。 可能用到的相对原子质量：H 1 C 12 N 14 O 16 F 19 Na 23 S 32 Cl 35.5 As 75 I 127 Sm 150 一、选择题：本题共13个小题，每小题6分。共78分，在每小题给出的四个选项中，只有 一项是符合题目要求的。 1．在真核细胞的内质网和细胞核中能够合成的物质分别是 A．脂质、RNA B．氨基酸、蛋白质 C．RNA、DNA D．DNA、蛋白质 2．马铃薯块茎储藏不当会出现酸味，这种现象与马铃薯块茎细胞的无氧呼吸有关。下列叙述正确的是 A．马铃薯块茎细胞无氧呼吸的产物是乳酸和葡萄糖 B．马铃薯块茎细胞无氧呼吸产生的乳酸是由丙酮酸转化而来 C．马铃薯块茎细胞无氧呼吸产生丙酮酸的过程不能生成ATP D．马铃薯块茎储藏库中氧气浓度的升高会增加酸味的产生 3．某种H﹢-ATPase是一种位于膜上的载体蛋白，具有ATP水解酶活性，能够利用水解ATP 释放的能量逆浓度梯度跨膜转运H﹢。①将某植物气孔的保卫细胞悬浮在一定pH的溶液中（假设细胞内的pH高于细胞外），置于暗中一段时间后，溶液的pH不变。②再将含

有保卫细胞的该溶液分成两组，一组照射蓝光后溶液的pH明显降低；另一组先在溶液中加入H﹢-ATPase的抑制剂（抑制ATP水解），再用蓝光照射，溶液的pH不变。根据上述实验结果，下列推测不合理的是 A．H﹢-ATPase位于保卫细胞质膜上，蓝光能够引起细胞内的H﹢转运到细胞外 B．蓝光通过保卫细胞质膜上的H﹢-ATPase发挥作用导致H﹢逆浓度梯度跨膜运输 C．H﹢-ATPase逆浓度梯度跨膜转运H﹢所需的能量可由蓝光直接提供 D．溶液中的H﹢不能通过自由扩散的方式透过细胞质膜进入保卫细胞 4．当人体失水过多时，不会发生的生理变化是 A．血浆渗透压升高 B．产生渴感 C．血液中的抗利尿激素含量升高 D．肾小管对水的重吸收降低 5．某种植物的羽裂叶和全缘叶是一对相对性状。某同学用全缘叶植株（植株甲）进行了下列四个实验。 ①植株甲进行自花传粉，子代出现性状分离 ②用植株甲给另一全缘叶植株授粉，子代均为全缘叶 ③用植株甲给羽裂叶植株授粉，子代中全缘叶与羽裂叶的比例为1∶1 ④用植株甲给另一全缘叶植株授粉，子代中全缘叶与羽裂叶的比例为3∶1 其中能够判定植株甲为杂合子的实验是 A．①或② B．①或④ C．②或③ D．③或④ 6．如果食物链上各营养级均以生物个体的数量来表示，并以食物链起点的生物个体数作层来绘制数量金字塔，则只有两个营养级的夏季草原生态系统（假设第一营养级是牧草，第二营养级是羊）和森林生态系统（假设第一营养级是乔木，第二营养级是昆虫）数量金字塔的形状最可能是 A．前者为金字塔形，后者为倒金字塔形 B．前者为倒金字塔形，后者为金字塔形 C．前者为金字塔形，后者为金字塔形

全国高考理综试题全国卷1及答案-

2016年普通高等学校招生全国统一考试 理科综合能力测试 注意事项： 1.本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分。 2.答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号填写在本试题相应的位置。 3.全部答案在答题卡上完成，答在本试题上无效。 4. 考试结束后，将本试题和答题卡一并交回。 第Ⅰ卷（选择题共126分） 本卷共21小题，每小题6分，共126分。 可能用到的相对原子质量： 一、选择题：本大题共13小题，每小题6分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。 1. 下列与细胞相关的叙述，正确的是 A. 核糖体、溶酶体都是具有膜结构的细胞器 B. 酵母菌的细胞核内含有DNA和RNA两类核酸 C. 蓝藻细胞的能量来源于其线粒体有氧呼吸过程 D. 在叶绿体中可进行CO2的固定但不能合成ATP 2. 离子泵是一张具有ATP水解酶活性的载体蛋白，能利用水解ATP释放的能量跨膜运输离子。下列叙述正确的是 A. 离子通过离子泵的跨膜运输属于协助扩散 B. 离子通过离子泵的跨膜运输是顺着浓度阶梯进行的 C. 动物一氧化碳中毒会降低离子泵扩膜运输离子的速率 D. 加入蛋白质变性剂会提高离子泵扩膜运输离子的速率 3. 若除酶外所有试剂均已预保温，则在测定酶活力的试验中，下列操作顺序合理的是 A.加入酶→加入底物→加入缓冲液→保温并计时→一段时间后检测产物的量 B. 加入底物→加入酶→计时→加入缓冲液→保温→一段时间后检测产物的量 C. 加入缓冲液→加入底物→加入酶→保温并计时→一段时间后检测产物的量 D. 加入底物→计时→加入酶→加入缓冲液→保温→一段时间后检测产物的量 4.下列与神经细胞有关的叙述，错误 ．．的是

英语翻译题目及答案

1)你应该适当花一点时间休息和锻炼。(reasonable) You should spend a reasonable amount of time relaxing and exercising. 2) 总的来说，孩子们比过去任何时候都更健康，受到了更好的教育。(in general) In general, children are healthier and better educated than ever before. 3) 待适当的机会来临，他就能抓住。(come along) Wh en the right opportunity comes along, he’ll take it. 4）每天他都留出点时间跟家人在一起，享受生活。(set aside) Every day he sets aside some time to be with his family and enjoy life 5) 我记得那些黑暗的街道以及同父亲手拉手走路的情景。(hand in hand) I remember those dark streets and walking hand in hand with my father 6) 他最终辜负了父母的期望。(live up to) He finally failed to live up to his parents’ expectations. 相比之下，我们的用油量大幅度上升了。(in contrast) In contrast, our use of oil has increased enormously. 8) 经过努力，他成功地克服了自己的致命弱点。(overcome) He succeeded in his efforts to overcome his fatal weakness. 1) 人们认为，悲观常常会导致绝望、疾病和失败。 It is believed that pessimism often leads to hopelessness, sickness and failure. 2) 与此相反，乐观主义能使你幸福、健康和成功。 Optimism, by contrast, can make you happy, healthy and successful. 3) 当你做某件事失败时，把失败当作一种学习的经历从中汲取益处。 When you fail in something, profit from the failure as a learning experience ) 在问题或困难面前，要想想自己的长处并树立起自信心。 Think about your strengths and build up self-confidence in front of problems or difficulties. 5) 不要让消极的想法阻碍你。 Don’t let negative thoughts hold y ou back. 6) 每个人都经历过失败和失望，因此不要过多地责怪自己。 Everyone has experienced failures and disappointments, so don’t blame yourself too much. 1) She wore a dress ____with a pattern of rose__________ (有玫瑰图案) on it. 2) Helen had ____prepared a wonderful/good meal for us_ (为我们准备了一顿丰盛的饭菜). 3) Ann _______promised faithfully___ (信誓旦旦地保证) that she would never tell. 4) Could you ____deliver this letter__ (把这封信送到) to the accounts department? 5) We were offered ____a selection of milk and plain____chocolate (精选的牛奶巧克力和纯巧克力). 6) Tell the children to ___keep out of mischief / behave themselves_____(别胡闹). 7) We could hear _____the sound of distant thunder_____ (远处打雷的声音). 8) The project has now __received approval from the government (得到政府的批准). 9) Kelly loved her husband ____in spite of the fact that he drank too much (虽然他喝酒太多). 10) Experts seem unable to ____agree whether the drug is safe or not_ (就这个药是否安全取得一致意见). 1. Not every bomb has hit its target. 并非每个炸弹都击中了目标。 2. We can have one or the other but not both simultaneously. 我们能够得到其中一个，但不能同时两个都有。 3. She wanted nothing more than work. 她只想要工作。 4. You cannot be too careful. 你越仔细越好。 5. I have yet to receive an apology from a child who just ran over my foot while chasing a sibling. 有个小孩在追逐自家的兄弟姐妹时踩了我的脚，却仍未向我道歉。 1. 并非所有父母都和你一样能提供很多情况。 Not all parents are as informative as you

完整word版,2019物理高考题分类汇编,推荐文档

2019高考物理题分类汇编 一、直线运动 18．（卷一）如图，篮球架下的运动员原地垂直起跳扣篮，离地后重心上升的最大高度为H 。 上升第一个4H 所用的时间为t 1，第四个4H 所用的时间为t 2。不计空气阻力，则2 1t t 满足（ ） A ．1<21t t <2 B ．2<2 1t t <3 C ．3< 21t t <4 D ．4<2 1 t t <5 25. （卷二）（2）汽车以某一速度在平直公路上匀速行驶司机忽然发现前方有一警示牌立即刹车。从刹车系统稳定工作开始计时，已知汽车第1 s 内的位移为24 m ，第4 s 内的位移为1 m 。求汽车刹车系统稳定工开始计时的速度大小及此后的加速度大小。 二、力与平衡 16．（卷二）物块在轻绳的拉动下沿倾角为30°的固定斜面向上匀速运动，轻绳与斜面平行。已知物块与斜面之间的动摩擦因数为 3 ，重力加速度取10m/s 2。若轻绳能承受的最大张力为1 500 N ，则物块的质量最大为（ ） A ．150kg B ．1003kg C ．200 kg D ．2003kg 16．（卷三）用卡车运输质量为m 的匀质圆筒状工件，为使工件保持固定，将其置于两光滑 斜面之间，如图所示。两斜面I 、Ⅱ固定在车上，倾角分别为30°和60°。重力加速度为g 。当卡车沿平直公路匀速行驶时，圆筒对斜面I 、Ⅱ压力的大小分别为F 1、F 2，则（ ） A ．1233==F mg F mg ， B ．1233= =F mg F mg ， C ．1213 ==2F mg F mg ， D ．1231= =2 F mg F mg ， 19．（卷一）如图，一粗糙斜面固定在地面上，斜面顶端装有一光滑定滑轮。一细绳跨过滑

2018年全国卷1高考物理试题及答案

2018年高考物理试题及答案 二、选择题：本题共8小题，每小题6分。在每小题给出的四个选项中，第14~18题只有一 项符合题目要求，第19~21题有多项符合题目要求。全部选对的得6分，选对但不全的得3分，有选错的得0分。 14．高铁列车在启动阶段的运动可看作初速度为零的均加速直线运动，在启动阶段列车的动能A．与它所经历的时间成正比 B．与它的位移成正比 C．与它的速度成正比 D．与它的动量成正比 15．如图，轻弹簧的下端固定在水平桌面上，上端放有物块P，系统处于静止状态，现用一竖直向上的力F作用在P上，使其向上做匀加速直线运动，以x表示P离开静止位置的位移，在弹簧恢复原长前，下列表示F和x之间关系的图像可能正确的是 A． B． C．

D． 16．如图，三个固定的带电小球a、b和c，相互间的距离分别为ab=5 cm，bc=3 cm，ca= 4 cm。小球c所受库仑力的合力的方向平衡于a、b的连线。设小球a、b所带电荷量 的比值的绝对值为k，则 A．a、b的电荷同号， 16 9 k= B．a、b的电荷异号， 16 9 k= C．a、b的电荷同号， 64 27 k= D．a、b的电荷异号， 64 27 k= 17．如图，导体轨道OPQS固定，其中PQS是半圆弧，Q为半圆弧的中心，O为圆心。轨道的电阻忽略不计。OM是有一定电阻。可绕O转动的金属杆。M端位于PQS上，O M与轨道接触良好。空间存在半圆所在平面垂直的匀强磁场，磁感应强度的大小为B，现使OM从OQ位置以恒定的角速度逆时针转到OS位置并固定（过程Ⅰ）；再使磁感应强度的大小以一定的变化率从B增加到B'（过程Ⅱ）。在过程Ⅰ、Ⅱ中，流过OM 的电荷量相等，则B B ' 等于

英语翻译专项习题及答案解析含解析

英语翻译专项习题及答案解析含解析 一、高中英语翻译 1．高中英语翻译题：Directions：Translate the following sentences into English, using the words given in the brackets. 1．晚上别喝太多的咖啡，会睡不着觉的。（or） 2．事实证明，保持快乐的心态会降低得心脏病的风险。（It） 3．乐观的人不会过分怀念美好的旧时光，因为他们正忙着创造新的回忆。（create）4．追求稳定并不是什么坏事，很多时候这样的态度在促使我们提升自我、挑战难度、攀登高峰。（when） 【答案】 1．Don’t drink too much coffee at night, or you won’t be able to sleep. 2． It is proved that keeping a happy mind reduces the risk of heart diseases. 3．Optimistic people don’t miss the good old days too much, because they are busy creating new memories. 4． The pursuit of stability is not a bad thing. (and) There are many times when such an attitude drives us to improve ourselves, challenge difficulties, and climb peaks. 【解析】 【分析】 本题考查翻译，用括号所给的词将中文翻译成英文。翻译要注意句子的时态和语法的运用。 1．考查祈使句。祈使句 + and/or，前面的祈使句表示条件，or或and引导的分句表示结果这里表示转折关系，故用or。故答案为Don’t drink too much coffee at night, or you won’t be able to sleep. 2．考查名词性从句。翻译时句中用it作形式主语，真正的主语为从句thatkeeping a happy mind reduces the risk of heart diseases.，从句翻译时要注意动名词作主语。故答案为It is proved that keeping a happy mind reduces the risk of heart diseases. 3．考查动词。翻译时注意短语be busy doing忙于做……，时态用一般现在时。故答案为Optimistic people don’t miss the good old days too much, because they are busy creating new memories. 4．考查定语从句。先行词为times，在定语从句中作时间状语，故用关系副词when引导。故答案为The pursuit of stability is not a bad thing. (and) There are many times when such an attitude drives us to improve ourselves, challenge difficulties, and climb peaks. 2．高中英语翻译题：Translate the following sentences into English, using the words given in the brackets. 1．即使天气再热，也不要整天待在空调房间里。(stay) 2．一旦一个人学会了换位思考，就表明他正在走向成熟。(indicate) 3．直到他听了那个讲座才意识到自己对于该领域的知识是如此的匮乏。(It)

(完整word版)高三物理综合大题

高三二轮复习综合大题汇编 1. （16分）如图所示，在水平方向的匀强电场中，用长为L的绝缘细线拴住一质量为m，带电荷量为q的小球，线的上端固定，开始时连线带球拉成水平，突然松开后，小球由静止开始向下摆动，当细线转过60°角时的速度恰好为零。问： （1）电场强度E的大小为多少？ （2）A、B两点的电势差U AB为多少？ （3）当悬线与水平方向夹角θ为多少时，小球速度最大？最大为多少？ 2. （12分）如图甲所示，一粗糙斜面的倾角为37°，一物块m=5kg在斜面上，用F=50N的力沿斜面向上作用于物体，使物体沿斜面匀速上升，g取10N/kg，sin37°=0.6，cos37°=0.8，求： （1）物块与斜面间的动摩擦因数μ； （2）若将F改为水平向右推力F'，如图乙，则至少要用多大的力F'才能使物体沿斜面上升。（设最大静摩擦力等于滑动摩擦力） 3. （18分）如图（甲）所示，弯曲部分AB和CD是两个半径相等的四分之一圆弧，中间的BC段是竖直的薄壁细圆管（细圆管内径略大于小球的直径），细圆管分别与上、下圆弧轨道相切连接，BC段的长度L可作伸缩调节。下圆弧轨道与地面相切，其中D、A分别是上、下圆弧轨道的最高点与最低点，整个轨道固定在竖直平面内。一小球多次以某一速度从A点水平进入轨道而从D点水平飞出。今在A、D两点各放一个压力传感器，测试小球对轨

道A、D两点的压力，计算出压力差△F。改变BC间距离L，重复上述实验，最后绘得△F-L 的图线如图（乙）所示。（不计一切摩擦阻力，g取10m/s2） （1）某一次调节后D点离地高度为0.8m。小球从D点飞出，落地点与D点水平距离为2.4m，求小球过D点时速度大小。 （2）求小球的质量和弯曲圆弧轨道的半径大小。 4. （18分）如图所示，在光滑的水平地面上，质量为M=3.0kg的长木板A的左端，叠放着一个质量为m=1.0kg的小物块B（可视为质点），处于静止状态，小物块与木板之间的动摩擦因数μ=0.30。在木板A的左端正上方，用长为R=0.8m的不可伸长的轻绳将质量为m=1.0kg的小球C悬于固定点O点。现将小球C拉至上方使轻绳拉直且与水平方向成θ=30°角的位置由静止释放，到达O点的正下方时，小球C与B发生碰撞且无机械能损失，空气阻力不计，取g=10m/s2，求： （1）小球C与小物块B碰撞前瞬间轻绳对小球的拉力； （2）木板长度L至少为多大时，小物块才不会滑出木板。 5. （20分）如图所示，在高为h的平台上，距边缘为L处有一质量为M的静止木块（木块的尺度比L小得多），一颗质量为m的子弹以初速度v0射入木块中未穿出，木块恰好运动到平台边缘未落下，若将子弹的速度增大为原来的两倍而子弹仍未穿出，求木块的落地点距平台边缘的水平距离，设子弹打入木块的时间极短。

2019年全国卷2高考物理试题附答案

2019年全国卷2高考物理试题 15．太阳内部核反应的主要模式之一是质子-质子循环，循环的结果可表示为 1401214H He+2e+2v →，已知11H 和4 2He 的质量分别为P 1.0078u m =和 4.0026u m α=， 1u=931MeV/c 2，c 为光速。在4个11H 转变成1个42He 的过程中，释放的能量约为 A ．8 MeV B ．16 MeV C ．26 MeV D ．52 MeV 16．物块在轻绳的拉动下沿倾角为30°的固定斜面向上匀速运动，轻绳与斜面平行。已知物 块与斜面之间的动摩擦因数为 3 3 ，重力加速度取10m/s 2。若轻绳能承受的最大张力为1 500 N ，则物块的质量最大为 A ．150 kg B ．1003 kg C ．200 kg D ．2003 kg 17．如图，边长为l 的正方形abcd 内存在匀强磁场，磁感应强度大小为B ，方向垂直于纸 面（abcd 所在平面）向外。ab 边中点有一电子发射源O ，可向磁场内沿垂直于ab 边的方向发射电子。已知电子的比荷为k 。则从a 、d 两点射出的电子的速度大小分别为 A ．14kBl ， 5 4kBl B ．14kBl ，5 4kBl C ．12kBl ， 5 4 kBl D ．12kBl ，54 kBl 18．从地面竖直向上抛出一物体，其机械能E 总等于动能E k 与重力势能E p 之和。取地面为 重力势能零点，该物体的E 总和E p 随它离开地面的高度h 的变化如图所示。重力加速度取10 m/s 2。由图中数据可得

A．物体的质量为2 kg B．h=0时，物体的速率为20 m/s C．h=2 m时，物体的动能E k=40 J D．从地面至h=4 m，物体的动能减少100 J 19．如图（a），在跳台滑雪比赛中，运动员在空中滑翔时身体的姿态会影响其下落的速度和滑翔的距离。某运动员先后两次从同一跳台起跳，每次都从离开跳台开始计时，用v 表示他在竖直方向的速度，其v-t图像如图（b）所示，t1和t2是他落在倾斜雪道上的时刻。则 A．第二次滑翔过程中在竖直方向上的位移比第一次的小 B．第二次滑翔过程中在水平方向上的位移比第一次的大 C．第二次滑翔过程中在竖直方向上的平均加速度比第一次的大

英语翻译练习题及答案

英语翻译练习题及答案 一、高中英语翻译 1．高中英语翻译题：Translate the following sentences into English, using the words given in the brackets. 1．熬夜大大影响健康。(affect) _________________________ 2．等他明年回来，这个体育馆就建好了。(by the time) _________________________ 3．从长远来看，你的知识面越广，就越有能力应付工作中的问题。(capable) _________________________ 4．据信，过分溺爱孩子会不知不觉地造成孩子的坏脾气，甚至缺乏自理能力。(It) _________________________ 【答案】 1．Staying up late affects one’s health greatly. 2．By the time he comes back next year, the stadium will have been set up. 3．In the long run, the wider range of knowledge you have, the more capable you are of dealing with the problems at work. 4．It is believed that spoiling children too much may unconsciously cause their bad temper, even the lack of ability to take care of themselves. 【解析】 【分析】 本题考查翻译句子，注意使用括号内的提示词进行翻译。 1．考查非谓语动词。affect表示“影响”，是及物动词，后面直接接宾语，stay up表示“熬夜”，本句使用动名词作主语，陈述的是客观事实，用一般现在时，注意动名词作主语时谓语动词用第三人称单数，故翻译为：Staying up late affects one’s health greatly. 2．考查时态语态。by the time引导的时间状语从句，表示将来的时间时，从句用一般现在时，主句用将来完成时，stadium与set up之间是被动关系，所以用将来完成时的被动语态，故翻译为：By the time he comes back next year, the stadium will have been set up. 3．考查固定句式。be capable of表示“能够”，根据句意可知本句使用“the+比较级，the+比较级”结构，表示“越……，就越……”，陈述的是客观事实。用一般现在时，故翻译为：In the long run, the wider range of knowledge you have, the more capable you are of dealing with the problems at work. 4．考查形式主语和非谓语动词。ability后用不定式作后置定语，ability to do表示“做……的能力”，根据提示词可知本句使用it作形式主语，真正的主语是后面的that从句，陈述的是客观事实，用一般现在时，故翻译为：It is believed that spoiling children too much may unconsciously cause their bad temper, even the lack of ability to take care of themselves. 2．高中英语翻译题：Translate the following sentences into English, using the words given in

2017高考全国Ⅲ卷理综物理试卷(word版)

绝密★启用前 2017年普通高等学校招生全国统一考试 理科综合能力测试 物理部分 注意事项： 1．答卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡上。 2．回答选择题时，选出每小题答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其它答案标号。回答非选择题时，将答案写在答题卡上，写在本试卷上无效。。 3．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。 可能用到的相对原子质量：H1Li7C12N14O16S32K39Cr52Mn55Fe56 二、选择题：本题共8小题，每小题6分，共48分。在每小题给出的四个选项中，第 14~18题只有一项符合题目要求，第19~21题有多项符合题目要求。全部选对的得6分，选对但不全的得3分，有选错的得0分。 14．2017年4月，我国成功发射的天舟一号货运飞船与天宫二号空间实验室完成了首次交会对接，对接形成的组合体仍沿天宫二号原来的轨道（可视为圆轨道）运行。 与天宫二号单独运行相比，组合体运行的 A．周期变大B．速率变大 C．动能变大D．向心加速度变大 15．如图，在方向垂直于纸面向里的匀强磁场中有一U形金属导轨，导轨平面与磁场垂直。金属杆PQ置于导轨上并与导轨形成闭合回路PQRS，一圆环形金属框T位于回路围成的区域内，线框与导轨共面。现让金属杆PQ突然向右运动，在运动开始的瞬间，关于感应电流的方向，下列说法正确的是 A．PQRS中沿顺时针方向，T中沿逆时针方向 B．PQRS中沿顺时针方向，T中沿顺时针方向

C ．PQRS 中沿逆时针方向，T 中沿逆时针方向 D ．PQRS 中沿逆时针方向，T 中沿顺时针方向 16．如图，一质量为m ，长度为l 的均匀柔软细绳PQ 竖直悬挂。用外力将绳的下端Q 缓慢地竖直向上拉起至M 点，M 点与绳的上端P 相距13l 。重力加速度大小为g 。在此过程中，外力做的功为 A ．1 9mgl B ．16mgl C ．13mgl D ．12 mgl 17．一根轻质弹性绳的两端分别固定在水平天花板上相距80cm 的两点上，弹性绳的原 长也为80cm 。将一钩码挂在弹性绳的中点，平衡时弹性绳的总长度为100cm ；再将弹性绳的两端缓慢移至天花板上的同一点，则弹性绳的总长度变为（弹性绳的伸长始终处于弹性限度内） A ．86cm B ．92cm C ．98cm D ．104cm 18．如图，在磁感应强度大小为1B 的匀强磁场中，两长直导线P 和Q 垂直于纸面固定放 置，两者之间的距离为l 。在两导线中均通有方向垂直于纸面向里的电流I 时，纸面内与两导线距离为l 的a 点处的磁感应强度为零。如果让P 中的电流反向、其他条件不变，则a 点处磁感应强度的大小为 A ．0 B 0B C 0B D ．02B 19．在光电效应试验中，分别用频率为a v ，b v 的单色光a 、b 照射到同种金属上，测得 相应的遏止电压分别为a U 和b U 、光电子的最大初动能分别为ka E 和kb E 。h 为普朗克常量。下列说法正确的是 A ．若a b v v >，则一定有a b U U < B ．若a b v v >，则一定有ka kb E E > C ．若a b U U <，则一定有ka kb E E < D ．若a b v v >，则一定有a ka b kb hv E hv E ->-

2019年全国卷高考物理试题及答案

2019全国Ⅰ卷物理 2019全国Ⅱ卷物理 2019全国Ⅲ卷物理2019年高考全国卷Ⅰ物理试题

14．氢原子能级示意图如图所示。光子能景在eV~ eV的光为可见光。要使处于基态（n=1）的氢原子被激发后可辐射出可见光光子，最少应给氢原子提供的能量为 A．eV B．eV C．eV D．eV 15．如图，空间存在一方向水平向右的匀强磁场，两个带电小球P和Q用相同的绝缘细绳悬挂在水平天花板下，两细绳都恰好与天花板垂直，则 A．P和Q都带正电荷B．P和Q都带负电荷 C．P带正电荷，Q带负电荷 D．P带负电荷，Q带正电荷 16．最近，我国为“长征九号”研制的大推力新型火箭发动机联试成功，这标志着我国重型运载火箭的研发取得突破性进展。若某次实验中该发动机向后喷射的气体速度约为3 km/s，产生的推力约为×108 N，则它在1 s时间内喷射的气体质量约为

A ．× 102 kg B ．×103 kg C ．×105 kg D ．×106 kg 17．如图，等边三角形线框LMN 由三根相同的导体棒连接而成，固定于匀强磁场中，线框平 面与磁感应强度方向垂直，线框顶点M 、N 与直流电源两端相接，已如导体棒MN 受到的安培力大小为F ，则线框LMN 受到的安培力的大小为 A ．2F B ． C ． D ．0 18．如图，篮球架下的运动员原地垂直起跳扣篮，离地后重心上升的最大高度为H 。上升第 一个4H 所用的时间为t 1，第四个4 H 所用的时间为t 2。不计空气阻力，则21t t 满足 A ．1<21t t <2 B ．2<21t t <3 C ．3<21t t <4 D ．4<21 t t <5 19．如图，一粗糙斜面固定在地面上，斜面顶端装有一光滑定滑轮。一细绳跨过滑轮，其一 端悬挂物块N 。另一端与斜面上的物块M 相连，系统处于静止状态。现用水平向左的拉

高考英语答题卡word版

姓名： ____________考号： __________班级： _________得分： 高考英语周考英语答题卡 1[ A ][ B ] 2[ A ][ B ] 3[ A ][ B ] 4[ A ][ B ] 5[ A ][ B ] 26[ A ][ B ] 27[ A ][ B ] 28[ A ][ B ] 29[ A ][ B ] 30[ A ][ B ] 41[ A ][ B ] 42[ A ][ B ] 43[ A ][ B ] 44[ A ][ B ] 45[ A ][ B ] [ C ] 6 [A][ B ][ C ]11[ A ][ B ][ C ]16[ A ][ B ][ C ]21[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ]7 [A][ B ][ C ]12[ A ][ B ][ C ]17[ A ][ B ][ C ]22[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ]8 [A][ B ][ C ]13[ A ][ B ][ C ]18[ A ][ B ][ C ]23[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ]9 [A][ B ][ C ]14[ A ][ B ][ C ]19[ A ][ B ][ C ]24[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ]10 [A][ B ][ C ]15[ A ][ B ][ C ]20[ A ][ B ][ C ]25[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ][ D ]31[ A ][ B ][ C ][ D ]36[ A ][ B ][ C ][ D ][ E ][ F ][ G ] [ C ][ D ]32[ A ][ B ][ C ][ D ]37[ A ][ B ][ C ][ D ][ E ][ F ][ G ] [ C ][ D ]33[ A ][ B ][ C ][ D ]38[ A ][ B ][ C ][ D ][ E ][ F ][ G] [ C ][ D ]34[ A ][ B ][ C ][ D ]39[ A ][ B ][ C ][ D ][ E ][ F ][ G ] [ C ][ D ]35[ A ][ B ][ C ][ D ]40[ A ][ B ][ C ][ D ][ E ][ F ][ G ] [ C ][ D ]46[ A ][ B ][ C ][ D ]51[ A ][ B ][ C ][ D ]56[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ][ D ]47[ A ][ B ][ C ][ D ]52[ A ][ B ][ C ][ D ]57[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ][ D ]48[ A ][ B ][ C ][ D ]53[ A ][ B ][ C ][ D ]58[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ][ D ]49[ A ][ B ][ C ][ D ]54[ A ][ B ][ C ][ D ]59[ A ][ B ][ C ][ D ] [ C ][ D ]50[ A ][ B ][ C ][ D ]55[ A ][ B ][ C ][ D ]60[ A ][ B ][ C ][ D ] 第二节：语法填空（15 分） 61.____________ 62. _____________ 63. ______________ 64. ________________ 65. ____________ 66._____________ 67. _____________68. _______________69. ________________ 70. ___________ 第一节：短文改错（10 分） As we all know, life is very much beautiful and precious; therefore we should admire but value it. We should make our life richly and meaningful by working hard. Only in that way can we carry out our duties in life. Furthermore, we should be braver enough to meet the challenges and manage to overcome the difficulties and sadness we meet in your life. By doing so, we can make greater progress in our field and enjoy our success and pleasure earning by ourselves. All in all, not only should we learn to enjoy the beauty of life now, but also we should learn how protect and fight against a more beautiful life in the future. 第 1页（共 2 页）