2 放大电路基础作业
一、填空题
1. 三极管处在放大区时，其 电压小于零， 电压大于零。
2. 三极管的发射区 浓度很高，而基区很薄。
3. 在半导体中，温度变化时 数载流子的数量变化较大，而 数载流子的数量变化
较小。
4. 三极管实现放大作用的内部条件是： ；外部条件是： 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 。
5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 漂移运动形成的。
6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。
7. 三极管的三个工作区域分别是 、 和 。
9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 偏置，集电结保持 偏置。 10. 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V ，接入12k Ω的负载电阻后，输出电压降为2.5V ，
这说明放大电路的输出电阻为 k Ω。
11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，在信号源与低电阻负载间接入
组态的放大电路。
12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流
负载线。由此可以得出：
（1）电源电压CC V = ；
（2）静态集电极电流CQ I = ；集电极电压CEQ U = ； （3）集电极电阻C R = ；负载电阻L R = ；
（4）晶体管的电流放大系数β= ，进一步计算可得电压放大倍数v A = ；（'bb r 取200Ω）；
（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 ；
（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 。
14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻 。
16. 共集电极放大电路的输入电阻很 ，输出电阻很 。
19. 放大电路有电压放大作用； 20. 放大电路有电流放大作用；
24. 放大器的静态工作点由它的 通路决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由
它的 通路决定。
25. 放大器的放大倍数反映放大器 能力；输入电阻反映放大器 ；而输
出电阻则反映出放大器 能力。
题图3.0.1
27. 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O 和V I 的波形，则V O 和
V I 的相位关系为 ；当为共集电极电路时，则V O 和V I 的相位关系为 。
29. 在由NPN 管组成的单管共射放大电路中，当Q 点 （太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉 ；当Q 点 （太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉 。
33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 ， ， 。 34. BJT 三极管放大电路有 、 、 三种组态。 35. 不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此，这种BJT 接入电路时，总要使它的发射结保持 偏置，它的集电结保持 偏置。 36. 某三极管处于放大状态，三个电极A 、B 、C 的电位分别为‐9V 、‐6V 和‐6.2V ，则三极管的集电极是 ，基极是 ，发射极是 。该三极管属于 型，由 半导体材料制成。
37. 放大器产生非线性失真的原因是 。
41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，CEQ V 的变化情况（a. 增加，b ，减小，c. 不变，
将答案填入相应的空格内）。 （1）b R 增加时，CEQ V 将 。 （2）c R 减小时，CEQ V 将 。 （3）C R 增加时，CEQ V 将 。 （4）s R 增加时，CEQ V 将 。 （5）β减小时（换管子），CEQ V 将 。 （6）环境温度升高时，CEQ V 将 。
42. 在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。） （1）若b R 阻值减小，则静态电流I B 将 增大 ，CE V 将 减小 ，电压放大倍数v A 将 增大。 （2）若换一个β值较小的晶体管，则静态的B I 将 不变 ，CE V 将 增大，电压放大倍数v A 将 减小。
（3）若C R 阻值增大，则静态电流B I 将 不变 ， CE V 将 减小 ，电压放大倍数v A 将 增大 。
题图3.0.2
题图3.0.3
43. 放大器的频率特性表明放大器对 适应程度。表征频率特性的主要指标
是 ， 和 。
45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。
48. 单级阻容耦合放大电路加入频率为L H f f 和的输入信号时，
电压增益的幅值比中频时下降了 3 dB ，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为 和 。
50. 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为 ‐20dB/十倍频 ，幅频
响应低频区的斜率为‐20dB/十倍频 ；附加相移高频区的斜率为 ‐45o/十倍频 ，附加相移低频区的斜率为 +45o/十倍频 。
51. 一个单级放大器的下限频率为100Hz =L f ，上限频率为30kHz =H f ，40dB VM
=A &，如果输入一个)t 00015sin(100,πmV 的正弦波信号，该输入信号频率为 ，该
电路 产生波形失真。
二、选择
3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？
5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA ，3.66mA 和3.6mA ，则该管的β ①为60。 ②为61。 0.98③。 ④无法确定。
12. 放大电路如题 图3.0.9所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？
甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。
（ ） 乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。（ ）
丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
题图3.0.9
3.3.1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3.3.1所示，试判断各晶体管的类型（PNP 管还是NPN 管，硅管还是锗管），并区分e 、b 、c 三个电极。
3.3.2在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如题图3.3.2所示，已测出
mA .I 211?=，
mA .I 03
02=，mA .I 2313=，试判断e 、b 、c 三个电极，该晶体管的类型（NPN 型还是
PNP 型）以及该晶体管的电流放大系数β。
3.3.
4. 题图3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。
题图3.3.1
(a)
(b) (c)
题图3.3.2
(b)
(a)
(c)
(d)
题图3.3.4
(e)
(f)
3.4.1 一个如题图3.4.1（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图3.4.1（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。
（1）确定CC V 、 b C R R 和的数值（设BE V 可以略去不计）。 （2）若接入Ω=k R L 6，画出交流负载线。
（3）若输入电流)(sin 18A t i b μω=，在保证放大信号不失真的前提下，为尽可能减小直流损耗，应如何调整电路参数？调整后的元件数值可取为多大？
3.4.2放大电路如题图3.4.2（a ）所示，其晶体管输出特性曲线题图3.4.2（b ）所示（不包含加粗线和细的输出电压波形线），已知
b c L CC e e R k ,R k ,R k ,V V ,R .k ,R .k ,ΩΩΩΩΩβ=======11255033240203100
（各电容容抗可忽略不计），V .V BE 70=。
（1）计算静态工作点；
（2）分别作出交直流负载线，并标出静态工作点Q ；
（3）若基极电流分量
),(sin 20A t
i b μω=画出输出电压u 的波形图，并求其幅值om V 。
3.4.3分压式偏置电路如题图3.4.3（a ）所示。其晶体管输出特性曲线如图（b ）所示，电路中元件参数b b c L CC e R k ,R k ,R k ,R k ,V V ,R k ΩΩΩΩΩ======12156233241，晶体管的,200,50'Ω==bb r β饱和压降Ω10070==s CES r ,V .V 。
(a)
(b)
题图3.4.1
(a)
(b)
题图3.4.2
（1）估算静态工作点Q ； （2）求最大输出电压幅值om V ； （3）计算放大器的V A 、R i 、R o 和A vs ；
（4）若电路其他参数不变，问上偏流电阻2b R 为多大时，?V V CE 4=
3.6.1 放大电路如题图3.6.1所示，已知ΩΩk R ,k R ,V V b b CC 641021===，Ωk .R e 33=， Ωk R R L c 2==，晶体管V .V ,r ,BE 'bb 7010050==Ωβ为，各电容的容抗均很小。
（1）求放大器的静态工作点?)V ?,I (Q CEQ CQ ==； （2）求L R 未接入时的电压放大倍数v A ； （3）求L R 接入后的电压放大倍数v A ；
（4）若信号源有内阻s R ，当s R 为多少时才能使此时的源电压放大倍数vs A 降为v A 的一半？
3.6.2 放大电路如题图 3.6.2所示，,k 45R ,k 15R ,V 12V 2b 1b CC Ω=Ω==Ω==k 6R R L c ，
Ω2001=e R ，Ω222.R e =，晶体管的V .V ,r ,BE 'bb 6030050===Ωβ，各电容容抗可
(a)
(b)
题图3.4.3
题图3.6.1
以略去不计。
（1）估算静态工作点：?)V ?,I (CEQ CQ ==
（2）画出其简化的h 参数等效电路，并计算出电压放大倍数v A ，输入电阻i R ，输出电阻o R ；
（3）设信号源内阻Ω=k R s 1，信号源电压mV V s 10=?
，计算输出电压o V ?
。
3.7.2 在题图3.7.2所示电路中，晶体管的,V 7.0V ,0r ,100BE 'bb ===β、电容1C 、2C 和3C 都足够大。
（1）求放大器静态工作点CQ I 、BQ I 、CEQ V ； （2）求放大器电压放大倍数V1A ?
和2V A ?
； （3）求放大器输入电阻i R ； （4）求放大器输出电阻1o R 、2o R 。
3.7.3 射极输出器如题图3.7.3所示，已知50=β，
晶体的饱和压降CES V 和穿透电流CEO I 在L R '上的压降均可忽略不计。
题图3.6.2
题图3.7.2
（1）求射极跟随器的电压跟随范围；
（2）改变R b 可调整跟随范围，当R b 为何值时跟随范围最大？
3.8.1.电路如题图3.8.1所示。已知V cc =12V ，R b =300K Ω，R c1=3K Ω，R e1=0.5K Ω，R c2=1.5K Ω，
R e2=1.5K Ω,晶体管的电流放大系数β1＝β2＝60，电路中的电容容量足够大。计算电路的静态工作点数值，输出信号分别从集电极输出及从发射极输出的两级放大电路的电压放大倍数。
场效应管电路
1. 场效应管利用外加电压产生的电 来控制漏极电流的大小，因此它是电 控制器件。
2. 为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN 结必须加 电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS 管的输入电阻
。结型场效应管外加的栅‐源电压应使栅源间的耗尽层承受 向电压，才能保证其R GS 大的特点。
3. 场效应管漏极电流由 载流子的漂移运动形成。N 沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET 管中的漏极电流 穿过PN 结（能，不能）。
4. 对于耗尽型MOS 管，V GS 可以为 。
5. 对于增强型N 型沟道MOS 管，V GS 只能为 ，并且只能当V GS 时，才能形有d I 。
6. P 沟道增强型MOS 管的开启电压为 值。N 沟道增强型MOS 管的开启电压为 值。
7. 场效应管与晶体管相比较，其输入电阻 ；噪声 ；温度稳定性 ；饱和压降 大 ；放大能力 ；频率特性 ；输出功率 。
8. 场效应管属于 控制器件，而三极管属于 控制器件。 9. 场效应管放大器常用偏置电路一般有 和 两种类型。
10. 由于晶体三极管 ，所以将它称为双极型的，由于场效应管 ，所以将其称为单极型的。
题图3.7.3
g反映了场效应管 对 控制能力，其单位为 。
11. 跨导
m
12. 若耗尽型N沟道MOS管的V GS大于零，其输入电阻 会明显变小。
13. 一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1所示，则它是 沟道的效应管，它的夹断电压V p是 ，饱和漏电流I DSS是 。
题图4.0.1 填空题13图
第5章1 放大电路基础
题目部分： 一、选择题(17小题,共46.0分) (02 分)1.从括号内选择正确答案，用A、B、C…填空。 在某双极型晶体管放大电路中，测得， ，则该放大电路中晶体管的____（A．13.6，B．34，C．0.4，D．1，E．10），该晶体管是____。.（F．硅管， G．锗管）。 (02 分)2.从括号内选择正确答案，用A、B、C…填空。 在某双极型晶体管放大电路中，测得， ìA，则该放大电路中晶体管的__________（A．7，B．5， C ．1，D．0.5，E．14），该晶体管是____。（F．硅管，G．锗管）。 (03 分)3.判断下列计算图示电路的输出电阻的公式哪个是正确的。 A．B． C．D． E． (03 分)4.选择正确答案用A、B、C填空。（A．共射组态， B．共集组态， C．共基组态） 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中____的电压放大倍数一定小于1，____ 的电流放大倍数一定小于1，____的输出电压与输入电压反相。 (03 分)5.选择正确答案，用A、B、C填空。 可以粗略估计在图示三种电路中电路（1）的输入电阻约为____，电路（2）的输入电阻约为____，电路（3）的输入电阻约为____。（A．1M，B．100k，C．3k，D．100）
(03 分)6.比较图示的几个放大电路，哪一个输入电阻最大？哪一个输入电阻最小？ (02 分)7.选择正确答案，用A、B填空。（A．共源组态， B．共漏组态） 在共源组态和共漏组态两种放大电路中，_____的电压放大倍数比较大，_____的输出电阻比较小。____的输出电压与输入电压是同相的。 (02 分)8.选择正确答案，用A、B填空。（A．共源组态， B．共漏组态） 在共源组态和共漏组态两种放大电路中，电压放大倍数一定小于1的是____，输出电压与输入电压反相的是____，输出电阻比较小的是____。 (02 分)9.选择正确答案，用A、B填空。（A．共源组态 B．共漏组态） 在共源、共漏两种组态的放大电路中，希望电压放大倍数大应选用____，希望带负载能力强应选用____，希望输出电压与输入电压同相应选用____。 (03 分)10.选择正确答案，用A、B填空。 场效应管属于____（A．电压，B．电流）控制型元件，栅极的____（A．电压，B．电流）几乎等于零，所以共源放大电路的输入电阻通常比共射放大电路的输入电阻____（A．大，B．小）。
第2章基本放大电路课案
题目部分： 一、选择题(15小题) (02 分)1.从括号内选择正确答案，用A 、B 、C …填空。 在某双极型晶体管放大电路中，测得)s i n 20680(t u BE ω+=mV ， )sin 2050(t i B ω+=μA ，则该放大电路中晶体管的≈be r ____（A ．13.6 KΩ，B ．34 KΩ， C ． 0.4 KΩ， D ．1 KΩ， E ．10KΩKΩ），该晶体管是____。（F ．硅管， G ．锗管）。 (02 分)2.从括号内选择正确答案，用A 、B 、C …填空。 在某双极型晶体管放大电路中，测得)sin 20280(t u BE ω+= mV ， )sin 2040(t i B ω+=μA ，则该放大电路中晶体管的≈be r __________（A ．7 KΩ， B ．5 KΩ， C ．1 KΩ， D ．0.5 KΩ， E ．14 KΩ），该晶体管是____。（F ．硅管， G ．锗管）。 (03 分)3.判断下列计算图示电路的输出电阻o R 的公式哪个是正确的。 A ．e o R R = B ．L e o R R R //= C ．β+=1// 0be e r R R D ．β++=1// 0b be e R r R R E ．β +=1////0b be e R r R R (03 分)4.选择正确答案用A 、B 、C 填空。（A ．共射组态， B ．共集组态， C ．共基组态） 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中____的电压放大倍数u A 一定小于1，____的电流放大倍数i A 一定小于1，____的输出电压与输入电压反相。 (02 分)5.选择正确答案，用A 、B 填空。（A ．共源组态， B ．共漏组态） 在共源组态和共漏组态两种放大电路中，_____的电压放大倍数u A 比较大，_____的输出电阻比较小。____的输出电压与输入电压是同相的。 (02 分)6.选择正确答案，用A 、B 填空。（A ．共源组态， B ．共漏组态） 在共源组态和共漏组态两种放大电路中，电压放大倍数u A 一定小于1的是____，输出电压与输入电压反相的是____，输出电阻比较小的是____。 (02 分)7.选择正确答案，用A 、B 填空。（A ．共源组态 B ．共漏组态） 在共源、共漏两种组态的放大电路中，希望电压放大倍数u A 大应选用____，希望带
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2-2 电路如图2-35所示，已知V CC =12 V ，R C =2 k Ω，晶体管的β=60，U BE =0.3 V , I CEO =0.1 mA ,要求： (1) 如果欲将I C 调到1.5 mA,试计算R B 应取多大值？(2) 如果欲将U CE 调到3 V ，试问R B 应取多大 值？ 图2-35 题2-2图 解：1）C B 1.5I βI mA == B 0(12)0.3 1.5/600.025B I mA R ---=== 所以B 468R k =Ω 2）C 3 123 4.5210 I mA -= =?，B 0(12)0.34.5/600.075B I mA R ---===所以B 156R k =Ω 2-3 电路图2-36所示，已知晶体管的β=60，r be k =1Ω，BE U =0.7 V ，试求：(1)静态工作点 I B ，I C ，U CE ；(2) 电压放大倍数；(3) 若输入电压 mV sin 210i t u ω=，则输出电压U o 的有效值为多少? V 图2-36 题2-3图 解：1）计算电路的静态工作点： B 120.7 0.04270 I mA -= = C B 0.0460 2.4I I mA β==?= CE 12 2.43 4.8U V =-?= 2)对电路进行动态分析 o L u i be 6031801 U βR A U r '-?= =-==- 3）0180101800u i U A U =?=?=V 所以输出电压的有效值为1800V 1.放大器中的信号是交、直流共存的。交流信号是被放大的量；直流信号的作用是使放大器工作在放大状态，且有合适的静态工作点，以保证不失真地放大交流信号。 2.若要使放大器正常地放大交流信号，必须设置好工作状态及工作点，这首先需要作直流量的计算； 二、基本放大电路及其分析方法 一个放大器一般是由多个单级放大电路所组成，着重讨论双极型半导体三极管放大电路的三种组态，即共发射极，共集电极和共基极三种基本放大电路。从共发射极电路入手，推及其他二种电路，其中将图解分析法和微变等效电路分析法，作为分析基础来介绍。分析的步骤，首先是电路的静态工作点，然后分析其动态技术指标。对于放大器来说，主要的动态技术指标有电压放大倍数、输入阻抗和输出阻抗。 2.1.共射极基本放大电路的组成及放大作用 在实践中，放大器的用途是非常广泛的，它能够利用三极管的电流控制作用把微弱的电信号增强到所要求的数值，为了了解放大器的工作原理，先从最基本的放大电路学习： 图2.1称为共射极放大电路，要保证发射结正偏，集电极反偏Ib=（V BB-V BE）/Rb，对于硅管V BE约为0.7V左右,锗管约为0.2V左右,I B=(V BB-0.7)/Rb这个电路的偏流I B决定于V BB 和Rb的大小,V BB和Rb一经确定后,偏流I B就固定了,所以这种电路称为固定偏流电路,Rb又称为基极偏置电阻,电容Cb1和Cb2为隔直电容或耦合电容,在电路中的作用是“传送交流,隔离直流”,放大作用的实质是利用三极管的基极对集电极的控制作用来实现的. 上图是共射极放大电路的简化图,它在实际中用得比较多的一种电路组态,放大电路的主要性能指标，常用的有放大倍数、输入阻抗、输出阻抗、非线性失真、频率失真以及输出功率和效率等。对于不同的用途的电路，其指标各有侧重。 初步了解放大电路的组成及简单工作原理后，就可以对放大电路进行分析。主要方法有图解法和微变等效法。 2.2.图解分析法 2.2.1.静态工作情况分析 当放大电路没有输入信号时，电路中各处的电压，电流都是不变的直流，称为直流工作状态简称静态，在静态工作情况下，三极管各电极的直流电压和直流电流的数值，将在管子的特性曲线上确定一点，这点称为静态工作点，下面通过例题来说明怎样估算静态工作点。 解:Cb1与Cb2的隔直作用,对于静态下的直流通路,相当于开路,计算静态工作点时,只需考虑图中的Vcc、Rb、Rc及三极管所组成的直流通路就可以了，I B=（Vcc－0.7）/Rb （I C=βI B+I CEO ） I C=βI B，V CE=V CC－I C R C 如已知β，利用上式可近似估算放大电路的静态工作点。 2.2.2.用图解法确定静态工作点 在分析静态工作情况时,只需研究由V CC、R C、V BB、Rb及半导体三极管所组成的直 1差分放大电路 （1）对共模信号的抑制作用 差分放大电路如图所示。 特点：左右电路完全对称。 原理：温度变化时，两集电极电流增量相等，即C2C1I I ?=?，使集电极电压变化量相等，CQ2CQ1V V ?=?，则输出电压变化量0C2C1O =?-?=?V V V ，电路有效地抑制了零点漂移。若电源电压升高时，仍有0C2C1O =?-?=?V V V ，因此，该电路能有效抑制零漂。 共模信号：大小相等，极性相同的输入信号称为共模信号。 共模输入：输入共模信号的输入方式称为共模输入。 （2）对差模信号的放大作用 基本差分放大电路如图。 差模信号：大小相等，极性相反的信号称为差模信号。 差模输入：输入差模信号的输入方式称为差模输入。 在图中， I 2I 1I 21 v v v =-=， =-=C2 1C v v I 2 1 v A v 放大器双端输出电压 o v = I v I v I v C2C1)2 1(2 1v A v A v A v v =--=- 差分放大电路的电压放大倍数为 be c I I I O v d r R A v v A v v A V v β-==== 可见它的放大倍数与单级放大电路相同。 （3）共模抑制比 共模抑制比CMR K ：差模放大倍数d v A 与共模放大倍数c v A 的比值称为共模抑制比。 c d CMR v v A A K = 缺点：第一，要做到电路完全对称是十分困难的。第二，若需要单端输出，输出端的零点漂移仍能存在，因而该电路抑制零漂的优点就荡然无存了。 改进电路如图（b ）所示。在两管发射极接入稳流电阻e R 。使其即有高的差模放 第二章放大电路分析基础 1、放大电路工作原理 2、 2、放大电路的直流工作状态2、 3、放大电路的动态分析2、 4、静态工作点的稳定及其偏置电路2、 5、多级放大电路本章要点： 1、放大电路直流状态的解析法和图解法 2、放大电路交流状态的图解法和微变等效电路法 3、三种基本组态放大电路的分析方法 4、多级放大电路的耦合方式及其分析方法电子课件二：放大电路分析基础课时授课教案一授课计划批准人：批准日期：课序：4 授课日期： 授课班次：课题： 第二章 第2、1节： 放大电路工作原理目的要求： 1、掌握基本放大电路的组成原则 2、掌握放大电路的直流通路和交流通路 3、理解放大电路的工作原理重点：放大电路的工作原理难点：放大电路的交流通路教学方法手段：结合电子课件讲解教具：电子课件、计算机、投影屏幕复习提问： 1、三极管的类型及外部工作条件？ 2、三级管的特性曲线有何规律？课堂讨论： 1、如何画放大电路的直流通路和交流通路？ 2、放大电路中三极管各极电流和极间电压如何变化？布置作业：课时分配：课堂教学环节复习提问新课讲解课堂讨论每课小结布置作业时间分配（分钟）8751052 二、授课内容引言放大电路的任务是不失真地把微小信号放大到所需要的程度。本节首先分析放大电路的组成原则及工作原理。2、 1、放大电路工作原理 2、2、 1、放大电路的组成 一、电路组成基本共发射极放大电路如图2一1所示。V──放大三级管VCC──主电源、能源VBB──发射结偏置电源RC──直流负载电阻，用来确定直流工作点RB──发射结偏置电阻 RL──负载电阻RS、us──信号源的电压和内阻C 1、C2──耦合电容 二、工作条件 1、三极管应处于放大状态。即发射结正偏，集电结反偏。 2、能够输入和输出信号。 第3章放大电路基础 引言 用来对电信号进行放大的电路称为放大电路，习惯上称为放大 器，它是使用最为广泛的电子电路之一，也是构成其他电子电路的基本单元电 路。根据用途以及采用的有源放大器件的不同，放大电路的种类很多，它们的 电路形式以及性能指标不完全相同，但它们的基本工作原理是相同的。必须 指出，这里所指的“放大”是指在输入信号的作用下，利用有源器件的控制作 用将直流电源提供的部分能量转换为与输入信号成比例的输出信号。因此， 放大电路实际上是一个受输入信号控制的能量转换器。 本章主要讨论以三极管构成的各种基本单元放大电路，集成运算放大器 的组成、特点以及放大电路调整测试的基本方法。 3畅1 放大电路的基本知识 3畅1畅1 放大电路的组成 放大电路组成框图如图３畅１畅１所示。图中信号源是所需放大的电信号，它 可由将非电信号物理量变换为电信号的换能器提供，也可是前一级电子电路的 输出信号，但它们都可等效为图３畅１畅１（ｂ）所示的电压源或电流源电路，RＳ为它 们的源内阻，uｓ、iｓ分别为理想电压源和电流源，且uｓ＝iｓRＳ。 负载是接受放大电路输出信号的元件（或电路），它可由将电信号变成非电 信号的输出换能器构成，也可是下一级电子电路的输入电阻，一般情况下它们都 可等效为一纯电阻RＬ（实际上它不可能为纯电阻，可能是容性阻抗也可能是感 性阻抗，但为了分析问题方便起见，一般都把负载用一纯电阻RＬ来等效）。 96 图３畅１畅１ 放大电路组成框图 （ａ）放大电路结构示意图 （ｂ）信号源等效电路 （ｃ）多级放大电路 信号源和负载不是放大电路的本体，但由于实际电路中信号源内阻R Ｓ及负载电阻R Ｌ不是定值，因此它们都会对放大电路的工作产生一定的影响，特别是它们与放大电路之间的连接方式（称耦合方式），将会直接影响到放大电路的正常工作。 直流电源用以供给放大电路工作时所需要的能量，其中一部分能量转变为输出信号输出，还有一部分能量消耗在放大电路中的电阻、器件等耗能元器件中。 基本单元放大电路由三极管构成，但由于单元放大电路性能往往达不到实际要求，所以实际使用的放大电路是由基本单元放大电路组成的多级放大电路，如图３畅１畅１（ｃ）所示，或是由多级放大电路组成的集成放大器件构成，这样才有可能将微弱的输入信号不失真地放大到所需大小。 由此可见，放大电路中除含有源器件、直流电源外，还应具有提供放大电路正常工作所需直流工作点的偏置电路，以及信号源与放大电路、放大电路与负载、级与级之间的耦合电路。要求偏置电路不仅要给放大电路提供合适的静态工作点电流和电压，同时还要保证在环境温度、电源电压等外界因素变化以及器件更换时，维持工作点不变。常采用的偏置电路主要有分压式电流负反馈偏置电路、恒流源偏置电路等。耦合电路应保证有效地传输信号、使之损失最小，同时使放大电路直流工作状态不受影响。常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合等方式。 图３畅１畅２ 放大电路四端网络表示 3畅1畅2 放大电路的主要性能指标 一个放大电路性能如何，可以用许多性能指标来衡量。为了说明各指标的含义，将放大电路 用图３畅１畅２所示有源线性四端网络表示，图中，１－１′端为放大电路的输入端，R Ｓ为信号源内阻，u ｓ为信号源电压，此时放大电路的输入电压和电流分别为u ｉ和i ｉ。２－２′端为放大电路的输出端，接实际负载电阻R Ｌ，u ｏ、i ｏ分别为放大电路的输出电压和输出电流。图中电压、电流的正方向符合四端网络的一般约定。0 7 3.2 基本放大电路的分析方法 3.2.1 放大电路的静态分析 放大电路的静态分析有计算法和图解分析法两种。 （1）静态工作状态的计算分析法 根据直流通路可对放大电路的静态进行计算 (03.08) I C= I B (03.09) V CE=V CC－I C R c (03.10) I B、I C和V CE这些量代表的工作状态称为静态工作点，用Q表示。 在测试基本放大电路时，往往测量三个电极对地的电位V B、V E和V C即可确定三极管的工作状态。 （2）静态工作状态的图解分析法 放大电路静态工作状态的图解分析如图03.08所示。 图03.08 放大电路静态工作状态的图解分析 直流负载线的确定方法： 1. 由直流负载列出方程式V CE=V CC－I C R c 2. 在输出特性曲线X轴及Y轴上确定两个特殊点 V CC和V CC/R c,即可画出直流负载线。 3. 在输入回路列方程式V BE =V CC－I B R b 4. 在输入特性曲线上，作出输入负载线，两线的交点即是Q。 5. 得到Q点的参数I BQ、I CQ和V CEQ。 例3.1：测量三极管三个电极对地电位如图03.09所示，试判断三极管的工作状态。 图03.09 三极管工作状态判断 例3.2：用数字电压表测得V B=4.5V 、V E=3.8V 、V C=8V，试判断三极管的工作状态。 电路如图03.10所示 图03.10 例3.2电路图 3.2.2 放大电路的动态图解分析 (1) 交流负载线 交流负载线确定方法： 1.通过输出特性曲线上的Q点做一条直线，其斜率为1/R L'。 2.R L'= R L∥R c，是交流负载电阻。 3.交流负载线是有交流输入信号时，工作点Q的运动轨迹。 4.交流负载线与直流负载线相交，通过Q点。 图03.11 放大电路的动态工作状态的图解分析 (2) 交流工作状态的图解分析 动画 图03.12 放大电路的动态图解分析（动画3-1）通过图03.12所示动态图解分析，可得出如下结论： 1. v i→↑ v BE→↑ i B→↑ i C→↑ v CE→↓ |-v o|↑； 2. v o与v i相位相反； 3.可以测量出放大电路的电压放大倍数； 4.可以确定最大不失真输出幅度。 (3) 最大不失真输出幅度 ①波形的失真 电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。 11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、 模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 第二章 基本放大电路 习题解析 2-1试判断图2-48中各电路有无交流电压放大作用？如果没有，电路应如何改动使之具备放大作用。 解：(a)可以； (b)交流通路集电极对地短接； (c)直流通路基极开路，将电容移到B R 的外边即可； (d) B C V V >三极管没有工作在放大状态。 2-2半导体晶体管放大电路如图2-49（a ）所示，已知CC U =12V ，C R =3k Ω，B R =240 k Ω，晶体管的β=40。（1）试根据直流通路估算各静态值（B I 、C I 、CE U ）；（2）如果晶体管的输出特性如图2-64（b ）所示，试用图解法求放大电路的静态工作点；（3）在静态时（i u =0），1C 和2C 上的电压各为多少？并标出极性。 解：(1)由电路的直流通路可知： 12 0.05240 400.05212326CC BE CC B b b C B CE CC c C U U U I mA R R I I mA U U R I V β-= ≈====?==-=-?= (2)在图中画出方程为CE CC c C U U R I =-的直线，和50B I A μ=的曲线交点即为静态工作点。 (3)120.7,C C CE U V U U ==，极性如图中所示。 2-3在题2-2中，若使CE U =3V ，B R 应变为多少？若改变B R ，使C I =1.5mA, B R 应等于多少？在图上分别标出静态工作点。 解：CE CC C C U U R I =- 40123 160123 4012 3201.5 CC CE CC C B C B CC C B C C CE CC B C U U U I I R R U R R k U U U R k I ββββ-∴= ==??∴= = =Ω--?= = =Ω 2-4在图2-49（a ）中，若CC U =12V ，要求静态值CE U =5V ，C I =2mA 。试求C R 和B R 的阻值。设晶体管的放大倍数β=40。 解： 4012 2402 125 3.52 CC B C CC CE C C U R k I U U R k I β?= = =Ω--===Ω 2-5放大电路如图2-50（a ）所示，晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图2-50（b ）所示。试问：（1）C R 、B R 、L R 各为多少？（2）不产生失真的最大输入电压im U 和输出om U 电压各为多少？（3）若不断加大输入电压的幅值，该电路先出现何种性质的失真？调节电路中哪个电阻能消除失真？将阻值调大还是调小？（4）将L R 阻值变大，对交、直流负载线会产生什么影响？（5）若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个β值小一半的管子，B I 、C I 、CE U 和 模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 第二章基本放大电路 习题解析 2-1试判断图2-48中各电路有无交流电压放大作用？如果没有，电路应如何改动使之具备放大作用。 解：(a)可以； (b)交流通路集电极对地短接； (c)直流通路基极开路，将电容移到B R 的外边即可； (d)B C V V >三极管没有工作在放大状态。 2-2半导体晶体管放大电路如图2-49（a ）所示，已知CC U =12V ，C R =3k Ω，B R =240 k Ω，晶体管的β=40。（1）试根据直流通路估算各静态值（B I 、C I 、CE U ）； （2）如果晶体管的输出特性如图2-64（b ）所示，试用图解法求放大电路的静态工作点；（3）在静态时（i u =0），1C 和2C 上的电压各为多少？并标出极性。 解：(1)由电路的直流通路可知： 120.05240 400.05212326CC BE CC B b b C B CE CC c C U U U I mA R R I I mA U U R I V β-=≈====?==-=-?= (2)在图中画出方程为CE CC c C U U R I =-的直线，和50B I A μ=的曲线交点即为静态工作点。 (3)120.7,C C CE U V U U ==，极性如图中所示。 2-3在题2-2中，若使CE U =3V ，B R 应变为多少？若改变B R ，使C I =1.5mA,B R 应等于多少？在图上分别标出静态工作点。 解： CE CC C C U U R I =- 4012316012340123201.5 CC CE CC C B C B CC C B CC CE CC B C U U U I I R R U R R k U U U R k I ββββ-∴= ==??∴= ==Ω--?===Ω 2-4在图2-49（a ）中，若CC U =12V ，要求静态值CE U =5V ，C I =2mA 。试求C R 和B R 的阻值。设晶体管的放大倍数β=40。 解： 40122402 125 3.52CC B C CC CE C C U R k I U U R k I β?===Ω--===Ω 2-5放大电路如图2-50（a ）所示，晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图2-50（b ）所示。试问：（1）C R 、B R 、L R 各为多少？（2）不产生失真的最大输入电压im U 和输出om U 电压各为多少？（3）若不断加大输入电压的幅值，该电路先出现何种性质的失真？调节电路中哪个电阻能消除失真？将阻值调大还是调小？（4）将L R 阻值变大，对交、直流负载线会产生什么影响？（5）若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个β值小一半的管子，B I 、C I 、CE U 和 知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 第二章基本放大电路 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在基本共射放大电路中，负载电阻R L 减小时，输出电阻R O 将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路 晶体三极管的关系式i E =f(u EB )|u CB 代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 对于图所示的复合管，穿透电流为（设I CEO1、I CEO2 分别表示T 1 、T 2 管的穿透电 流） A.I CEO = I CEO2 ?I CEO B.I CEO =I CEO1 +I CEO2 C.I CEO =（1+? 2 ）I CEO1 +I CEO2 D.I CEO =I CEO1 图 [ ] 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正 第二章放大电路分析基础 XD Univ. @ 诚夏 SincereXIA 放大电路工作原理 放大的基本概念 输出电压或电流在幅度上得到了放大，在能量上得到了加强，能量由直流电源提供放大电路的组成原则 1. 要有直流通路保证发射结正偏，集电结反偏，使晶体管工作在放大区 2. 要有交流通路待放大的输入信号能加到发射结上，放大了的信号能从电路中取出 3. 确保合适的工作点信号始终处于放大区 放大原理 放大电路的信号及常用符号 1. (小写字母，大写下标）——瞬时值，实际的物理信号 2. (大写字母，大写下标) ——实际信号的直流成分 3. (小写字母，小写下标) ——实际信号的交流成分 4. (大写字母，小写下标) ——交流信号的有效值 5. ——交流信号的最大值 放大电路的直流工作状态 确定直流工作状态，就是确定 Q 点 Q点 基极直流电源IB 集电极直流电流IC 集电极与发射极间的直流电压UCE 其中：在三极管输入曲线上确定Q点，在三极管输出曲线上确定 Q 点放大电路的基本分析方法 解析法确定静态工作点 必须已知三极管的值，静态工作点在直流通路求得，直流通路：将电容视为开路 所需要使用的公式 1. 硅 2. 3. 图解法确定静态工作点 1. 在输入特性曲线上，作出直线－，两线的交点即是Q点，得到。 2. 在输出特性曲线上，作出直流负载线－，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得 到和。 电路参数对静态工作点的影响 1. 增加，降低，工作点沿直流负载线下移 2. 减小，减小，斜率绝对值增加，工作点沿特性曲线右移 3. 增加，增大，直流负载线平行右上移，工作点向右上方移动 放大器的动态范围 失真输出电压的峰峰值：。 1. 当－－时，受截止失真限制，。 2. 当－－时，受饱和失真限制， －。 3. 当－－，放大器将有最大的不失真输出电压。 放大电路的动态分析 动态分析的对象是交流通路，分析的关键是做交流负载线 交流通路：电容视为短路，理想直流电压源视为短路（接地） 图解法分析动态特性 三极管工作点的移动不再沿直流负载线，而是按交流负载线移动。 放大电路的非线性失真 1. Q 点过低，信号进入截止区—— 截止失真 教案首页 思路：确定I B 的流向，对I B 的回路应用电压方程有 V CC =I B R B +U BE 难点突破：解释U BE 的含义。 得到： I B ===4.0×10-5A=40μA 分析：由于V CC >>U BE ，故U BE 可忽略。 I B =。 ⑥计算I C ； 由β?=得到 I C =β?I B 又因为β≈β? 所以I C =βI B =50×40μA=2mA ⑦计算U CE ； 对I C 回路应用电压方程有： I C R C +U CE = V CC 得：U CE = V CC －I C R C =20－2×16=8（V） ⑧总结静态分析的解题步骤； ⑨学生课堂练习：在演示板电路上让学生用万用表测量其静态工作点，然后根据线路元件参数估算静态工作点，两者进行比较。 2.放大器的电压放大倍数的估算： （1）、动态分析需要计算的物理量。 提问：放大器的作用是什么？ 回答：主要作用是将微弱信号进行放大。 分析：对于放大器，我们最关心的是它的放大能力，以及它对信号源的要求和负载能力。因此必须计算放大倍数、输 入电阻和输出电阻。 （2）、放大器的电压放大倍数的估算的步骤： ①画出放大电路的交流通路。 方法：电容及直流电源视为短路，其余不变。 ②分析三极管的输入特性： 当所加的u be 很小时，在特性线上对应的一小段近似是直线， 因此在b—e间相当于一个等效电阻r be ，即三极管的输入电阻 r be = 经验公式：r be =300+（1+β）（Ω） ③放大电路的电压放大倍数： A、提问：放大器的什么参数是衡量放大器的放大能力的呢？ 回答：放大倍数。 设问：怎样定义？怎样计算？ 定义：放大倍数A u 是输出电压u o 与输入电压u i 之比。 A u = B、计算方法：根据交流通路： 得：u i =i b r be u o =－i c Rc=－βi b R c A u === 如果接上负载电阻R L ，画图： A u =其中：=R C //R L u i u o R C R B V e c b i i i b i RB i c u be u ce 第2章自测题、习题解答 自测题2 一、在括号用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。 （1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（） （2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（） （3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（） （4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（） （5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（） （6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（） （7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（） 解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）× 二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 图T2－2 解： （a ）不能。因为输入信号被直流电源U B B 短路。 （b ）可能。 （c ）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载（叠加）在静态电压之上，必然失真。 （d ）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 （e ）不能。因为输入信号被C 2短路。 （f ）不能。因为输出信号被U C C 短路，恒为零。 （g ）可能。 （h ）可能。 （i ）不能。因为T 截止。 三、在图T2－3所示电路中， 已知U CC ＝12V ，晶体管的 ＝100，' b R ＝100k Ω。填空：要求先填文字表达式后填得数。 （1）当i U ＝0V 时，测得U BEQ ＝0.7V ，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则' b R 和R W 之和R b ＝ ≈ k Ω；而若测得U CEQ ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。 （2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压最新第二章基本放大电路习题答案
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