DDR3详解(以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例)之一

1．结构框图：

2．管脚功能描述

3．状态图：

ACT = ACTIVATE PREA = PRECHARGE ALL SRX = 自刷新推出

MPR = 多用处寄存器READ = RD，RDS4，RDS8 WRITE=WR，WRS4，WRS8

MRS=模式寄存器集 READ

AP=RDAP,RDAPS4,RDAPS8 WRITE=WRAP,WRAPS4,WRAPS8

PDE=掉电进入REF=REFRESH ZQCL=ZQ LONG CALIBRATION

PDX=掉电推出RESET=启动复位过程ZACS=ZA SHORT CALIBTATION

PRE=预充电SRE=自刷新进入

4. 基本功能

DDR3 SDRAM是高速动态随机存取存储器，内部配置有8个BANK。DDR3 SDRAM使用8n预取结构，以获得高速操作。8n预取结构同接口组合起来以完成在I/O脚上每个时钟两个数据字的传输。DDR3 SDRAM的一个单次读或写操作由两部分组成：一是在内部DRAM核中进行的8n位宽四个时钟数据传输，另一个是在I/O脚上进行的两个对应n位宽、半时钟周期的数据传输。

对DDR3 SDRAM的读写操作是有方向性的突发操作，从一个选择的位置开始，突发长度是8或者是一个以编程序列的长度为4的Chopped突发方式。操作开始于Active命令，随后是一个Read/Write命令。Active命令同时并发含带地址位，以选择Bank和Row地址（BA0-BA2选择BANK、A0-A15选择Row）。而Read/Write命令并发含带突发操作的起始Column地址，并确定是否发布自动预充电命令（通过A10）和选择BC4或BL8模式（通过A12）（如果模式寄存器使能）。

在正常操作之前，DDR3 SDRAM必要以预先定义的方式上电和初始化。