晶体解析步骤
AFIX, DFIX, HFIX, HIMP这些加氢的指令怎用阿(讨论一下加氢的基本步骤吧)
想请教有关加氢的问题(讨论一下加氢的基本步骤吧)
1. AFIX, DFIX, HFIX, HIMP这些加氢的指令怎用阿
2. 如果可以用Q峰加氢..要用哪个指令呢?指令怎样用?在哪个文件加?
3. 如果找不到Q峰,除了hadd之外，大家都是怎样加氢的??要用哪个指令?指令怎样用?在哪个文件加??
4. 除了这些指令...大家都是怎样加的...大家谈谈加氢的经验和过程吧...
有高手可以把加?做??劫...我想一定?成?精攘帖的...也可以?初?者?考...
感谢分享...这些都是我们初学者要学的阿...拜托...热心的人回答一下吧
跟帖学习，就用过AFIX 和DFIX，没闹明白到底是怎么回事，q峰加氢应该就是用name指令吧？找不到Q峰就就加大Q峰的数量，还是没有就可以基本判断没有H了吧？溶剂水的加氢一直没搞定。
有高手知道???
怎?是?人???
老弟是不是没有shelx的说明书啊?
再次建议你静下心来好好看看.
1. AFIX, DFIX, HFIX, HIMP这些加氢的指令怎用阿
AFIX 内容比较多, 看书去.
DFIX DANG是分别固定键长键角的. 形式
DFIX 0.85 0.01 O1 H1
DANG 1.35 0.01 H1 H2
HFIX 和AFIX差不多, 但在没加氢前用在.ins中,修正后,回直接帮你把理论的氢产生好.
himp用来在xp中改变X-H的键长.
比如himp 0.82 h1
2. 如果可以用Q峰加氢..要用哪个指令呢?指令怎样用?在哪个文件加?
plan 300
在.ins文件中加
3. 如果找不到Q峰,除了hadd之外，大家都是怎样加氢的??要用哪个指令?指令怎样用?在哪个文件加??
碳上的氢, hadd足矣.
O上的氢, 一般从Dif-fourier map找, 就是把合适的Q命名为H.
在xp中
先用envi o1之类的命令找到合适的Q,
在用name q1 h1改名.
4. 除了这些指令...大家都是怎样加的...大家谈谈加氢的经验和过程吧...
没有秘诀, 反复尝试.
如果数据比较好, 可以找到H;
如果不好, 要按照尽可能形成氢键的原则.
我有个quick question....何时需要固定键长呢??哪些原子上的氢需要固定键长键角?
像是3.里面的O上加的氢...在指定名称之后...需要固定键长吗??怎固定???
谢谢老师的回应阿....你人真的太好了
哀...凌晨快要三点了....看这些指令头都晕了.....
引用xi2004老?的:""1. AFIX, DFIX, HFIX, HIMP这些加氢的指令怎用阿
AFIX 内容比较多, 看书去.
DFIX DANG是分别固定键长键角的. 形式
DFIX 0.85 0.01 O1 H1
DANG 1.35 0.01 H1 H2
HFIX 和AFIX差不多, 但在没加氢前用在.ins中,修正后,回直接帮你把理论的氢产生好.
himp用来在xp中改变X-H的键长.
比如himp 0.82 h1""
?何要固定或是限制嫔樘嫔角呢?
固定完之後精修呃些嫔樘?被精修??
呃?就好了??
很困惑AFIX,DFIX,HFIX,HIMP之间的关联性和使用的时机??
到底何时需要用afix,dfix, hfix, himp???晕....
[quote]Originally posted by staphlee at 2009-7-11 17:53:
我有个quick question....何时需要固定键长呢??哪些原子上的氢需要固定键长键角?
理论加氢的就不说了, 其键长键角都是固定的.
象N. O上的H, 如果你既想修正之, 又容易跑, 就要用DFIX, DANG来固定.
如果不想修正, 用himp得到理想键长后, 直接AFIX 3得了.
像是3.里面的O上加的氢...在指定名称之后...需要固定键长吗??怎固定???
是要固定的. 如何固定同上.
不固定, 一般都会跑掉. 除非数据特别好.标题: 怎么将分裂处理？
作者: alusia 时间: 2007-9-27 08:43 标题: 怎么将分裂处理？
一个羧基上的氧原子无序，请问怎样加指令进行分裂？谢谢大家
PLAT241_ALERT_2_A Check High Ueq as Compared to Neighbors for O1
PLAT080_ALERT_2_B Maximum Shift/Error ............................ 0.20
PLAT241_ALERT_2_B Check High Ueq as Compared to Neighbors for O2B PLAT242_ALERT_2_B Check Low Ueq as Compared to Neighbors for C25
[本帖最后由alusia 于2007-9-27 10:17 编辑]
作者: crystalsnet 时间: 2007-9-27 09:45
至少画出图片吧
作者: alusia 时间: 2007-9-27 10:19
请大哥指导。：）。结构请见附件。这是没有分裂前的，分裂后，O2分成O2A O2B但是还是有如上所述错误。不知道分裂到底用那些指令，我也没人指导，自己在乱弄，所以搞不好，麻烦了。谢谢。。。。原来lst文件中提示O2分裂，分裂后，LST文件中没有提示分裂了但是还是有这么多错误，可能我指令弄得不好。
[本帖最后由alusia 于2007-9-27 10:20 编辑]
作者: crystalsnet 时间: 2007-9-27 23:25
O1, O2都是有问题的，这种情况比较少见，因为和重原子配位时，一般不会无序。
至于处理方法：
（1）在O1, O2附近找出合适的Q峰，定出来无序
（2）从LST文件决定如何裂分
（3）直接在O1, O2上进行裂分
比如对于O1
O1 n x y z 11.00000 .............
改为(两个坐标相同)
O1a n x y z 1.00000 .............
O1b n x y z 1.00000 .............
精修完毕，在进行无序处理
学习解晶体最初的动力肯定是想了解自己搞得那堆东西是怎么回事
第一：要了解的就是cif文件，cif文件只是格式比较麻烦一些，他要在很短的篇幅中介绍您的结构，必定需要告诉：样品名称，分子式，对称性，元素种类，收集数据的条件，原子的三维坐标，热震动的大小，数据质量等等，这个呢可以去读一下陈小明老师的那本书，有一节专门讲了cif里各个条目的意思，如有不懂的可发帖向大家询问。
第二：目前解单晶软件最好用的并不是shelx系列的，但是shelx系列是最广泛的。初学者最好用带xshell版本的（软件网上很多地方都可以下载，当然我也可以“非法“提供给您）。由于衍射数据的信息无法直接读取，我们有必要将其含有的结构信息通过一定的软件还原并表达出来。比较通用的方法就是最小二乘法，最小二乘法的核心就是通俗的说法”逐步逼近“，这样就需要提供一个最初始得结构模型，本步骤可有shelx程序包中的xperp及xs来完成。xs出来的初始模型需要进一步的精修（逐步逼近）直到计算出来的模型和衍射数据所反映的理论模型相差很小时，结构也就修完了。接下来就要使用xshell了，该子程序可以自动读入您刚才的初始模型，根据您化学方面的知识判定模型是否正确，模型中原子的种类等等是否合理，再稍微确定出更正确的结构，refine（精修一下），再看看新出来的模型，是否还有原子没有确定（即将鬼峰q指认成合适的原子），多次上面的循环，我们的结构就越完美，一直修到出现的q峰接近1.0左右（有时会稍大）。但是在前面我们忽略了一个问题，就是原子包括化学键在非绝对零度都是有震动的，因此它的电子云就肯定不是球状，也就是说原子表现出来的是各项异性而非各向同性，那么只需加入anis命令（在xshell中只需在选项前面打个勾就可以了），在修几轮，这时结构就差不多了。多练习几次，碰到具体问题可以向大家请教。
如何在shlex软件中直接用鼠标点选改原子名字
在shelx里，除了XP子程序可以为原子命名以外，还可以用xshell子程序，这种情况下，你可以一手点住键盘上的s，一手用鼠标去点选原子（注意，是同一类原子，最好按顺序点），然后用菜单上的群命名，选中原子类型，它就可以自动将原子按序号命名好了。
总的过程：
1挑选直径大约为0.1–1.0mm的单晶。
CCD的准直管直径有0.3mm，0.5mm，0.8mm；分别对应得晶体大小是0-0.3mm, 0.3-0.5mm, 0.5-0.8mm.
2 选择用铜靶还是钼靶？
铜靶要求θmax〉=66度，最大分辨率是0.77埃
钼靶要求θmax〉=25度，最大分辨率是0.36埃
3 用smart程序收集衍射数据
得到大约一千张倒易空间的衍射图像，300M大小。其中matrix图像45张，分成三组，每组15张，用以判定晶体能否解析。
4 用saint程序还原衍射数据
得到很多文件，但是只有三个文件是我们需要的：-ls，p4p，raw。
ls文件中包含有最大的和最小的θ角，有效地精修衍射点数目。
-
好像不同的机器或者还原程序得到的文件不同，有的是hkl，abs。
5 用shelxtl程序处理上述数据，并画出需要的图形。
6 用platon程序检测cif文件，解决掉不可忽略的错误
详细介绍上述5的操作过程
5.1 装好shelxtl程序，新建一个project，输入要建立工程的名字，然后打开要解析的p4p或者raw文件。
5.2 用xprep程序确立空间群，建立指令文件
这个过程基本上是一直按回车键的过程（除了在要输入化学成分的时候改动一下和在是否建立指令文件的时候输入Y即可），一般不会出错。如果出错，那就要重新对空间群进行指认（出错可能是出现在下面的精修过程中）。
一般Mean（I/sigma）〉2才可以，越大越好。
得到ins，hkl，pcf三个重要数据文件。
其中ins文件：包含分子式，空间群等信息；
hkl文件：包含的是衍射点的强度数据；
pcf文件：记录了晶体物理特征，分子式，空间群，衍射数据收集的条件以及使用的相关软件等信息。
5.3 选择要解析的方法：直接法（TREF）还是帕特深法（PA TT）？
如果晶体中含有重原子如金属原子，那就要用PATT法；如果晶体中没有原子量差异特别大的原子，就用TREF法。默认的方法是直接法。
5.4 用xs程序解析粗结构
得到res文件：包含了ins文件的内容和所有的Q峰信息。
5.5 用xp程序与xl程序完成原子的指认，付利叶加氢或理论加氢，画图等。
达到比较好的结果标准：
A 化学上合理（键长、键角、价态）
B R1 <0.08（0.06），wR2 <0.18（0.16），goof=S=1+-0.2(1.00)
C R(int)<0.1,R(singma)<0.1
D Maximum=0.000
5.6 用platon程序检测
有些错误要返回到5.5重新精修以解决
详细介绍5.5的解析过程
5.5.1 原子的指认
打开xp
输入fmol
出现一系列的Q峰信息。每次打开xp后都要先输入此命令。
输入pick
进入Q峰之间连接的结构体系中。
根据化学经验（键长，键角以及连接方式）和自己晶体的预测的结构，对Q 峰进行取舍。
取舍完毕后，进行原子的命名。当闪点在某个原子上时，从键盘上输入要命名的原子的符号，然后回车；闪点就会跳到下一个要命名的Q峰上。当闪点在某个Q峰上时，如果直接回车，会删掉此原子，用backspace可以复原；
如果直接敲空格键，闪点会跳到下一个Q峰上。
敲“/”键，保存命名结果，退出；敲“esc”键，不保存结果，退出。
输入pers
可以看棍球图，如果有错误的原子命名，可以继续用pick命令进行修改。输入proj
可以看到结构图，并可以旋转观看
输入grow
可以长出对称的单元。如果没有对称的单元，则此命令无效。
输入fuse
删除grow出来的原子和其他操作长出的原子，这些原子不能带入精修的过程中。
输入sort /n
对原子进行排序，按照原子名称的序号；如果输入sort $C $N则按照原子种类进行排序。
输入file name.ins
保存所作的命名信息。会有提示询问是否从name.res中拷贝信息，直接回车。
注意：name指用xs解析时命名的作业名，不能更改。
输入quit
退出程序，敲esc退出程序
5.5.2 用xl进行精修
点击xl
出现精修过程，看是否符合5.5中的标准（可以关闭xl后，通过增加ins中的ls的次数或者copy name.res to name.ins 命令进行反复精修，切记每次xl精修
后生成的是res文件，因此要将res拷贝成ins再次进行精修才有效）。
如果其他的条件不符合，则要修改ins文件：加入
anis（对所有指令后的非氢原子进行各向异性精修，anis n对指令后的前n个原子进行各向异性精修，anis C对指令后的指定原子进行各向异性精修）omit（忽略指定的衍射点，一般都要用到omit 0 52）
afix （将指定的原子坐标强制性的固定在指定的位置上，或者在指定的位置上产生原子）
afix 3 表示固定H原子的坐标
afix 13 表示固定垂直于某个平面的H原子的坐标
afix 23 表示固定亚甲基上的H原子的坐标
afix 137 表示固定甲基上的H原子的坐标（好像是afix 33）
afix 43 表示固定类似于苯环上的H原子的坐标
dfix （限定两个指定原子间的距离）
hfix （限制氢原子在固定的位置上，如hfix 43 N6）
在原子的数字信息部分查找是否有H原子的产生（即付利叶计算出来的H原子），如果有则要把它固定起来（afix 2 表示固定温度因子，精修坐标；afix 3表示固定坐标，精修温度因子），以防在精修时其随处飘动，引起漂移值不稳定等。
保存后退出。
继续用xl精修，看是否符合标准（也可以省略此步，因为H原子还没有加完）
5.5.3用xp程序进行理论加氢
打开xp
输入fmol
输入kill $q
去掉所有的q峰
输入hadd
理论加氢（constr）
输入pers或者proj
查看H原子加的是否正确，如果不正确则要用“kill 原子名”干掉。
输入file name.ins
回车
输入quit
5.5.4 继续用xl精修
几轮精修之后，看标准是否达到，如果没有达到，还要继续查找原因，修改ins文件。
产生数据信息的ins文件中的命令，可以将这些命令加在unit和wght之间：Bond $h (产生包括h原子在内的键长键角)
Conf （产生扭角）
Acta （产生cif文件）
Htab （产生可能的氢键，在lst文件中找）
Eqiv （和htab一起使用，指定形成氢键的两个原子的名称，将产生分子间和分子内有键合作用的原子的对称性代码，并将信息写在cif中）
Size a b c （晶体三个方向的大小，依此计算透过率）
mpla c1 c2 c3 c4…
mpla c7 c8 c9…
（计算由c1 c2 c3 c4 and c7 c8 c9产生的两个平面的夹角，在lst文件中）
输入这些命令后，精修一轮就可产生相应的信息。一直精修到达到标准，才能算是完成精修任务。
可以通过调整wght来修正S值。
5.5.5 用xp画图
点击xp
A 画椭球图
输入fmol
输入info
显示所有原子和q峰的坐标和位移参数信息等。
输入kill $q
输入proj
调整好视角，以保证所有的原子都能看清晰且美观。
输入labl a b
a=0，表示没有任何标注
a=1，表示不标注H原子，原子序号不用括号
a=2，表示不标注H原子，原子序号用括号
a=3，表示标注H原子，原子序号不用括号
a=2，表示标注H原子，原子序号用括号
b，表示标注字体的大小，一般简单的椭球图用300左右
输入telp a b c d cell
telp cell表示画出带晶胞框的棍球图
telp 0 -50 0.05 20 less $h
其中0表示：立体角度
-50表示：位移椭球图的概率百分比，负值表示是椭球图，一般选择
-30或者-50
0.05表示：键的半径，默认值是0.09，一般用0.05
20表示：观察的距离
如果用less $q则表示：不画所有的氢原子。
回车后，将出现椭球图，对原子进行标记（敲回车可以跳过原子，用backspace 可以倒退，如果原子标记的字体大小不合适，要从labl命令从新开始）。
标记完毕后，自动退出，此时会让输入要保存的*.plt的文件名。
输入draw *
选a后回车
输入要输出的图像文件的名称
选回车保存成黑白图，选c保存成彩色图
等一分钟左右
此时就会有*.ps文件生成，该文件可以用photoshop打开。
B 画晶胞堆积图
输入fmol
输入kill $q
输入proj
调整好视角，以保证所有的原子都能看清晰且美观。也可以用matr命令来调整视角。
输入pbox a b
a表示在当前图形的位置下要堆积的晶胞格子的宽度
b表示在当前图形的位置下要堆积的晶胞格子的深度
当前图形的位置下要堆积的晶胞格子的高度是宽度的0.75倍
输入matr x
x =1表示从a轴的方向看；x =2表示从b轴的方向看；x =3表示从c轴的方向看
输入pack
表示堆积。此时会出现堆积的图形，可以对堆积出的分子进行删减。选择倒数第二项退出，表示保存了此pack图形。
输入proj
调整方向
输入labl a b
输入telp cell
如果要命名部分原子，就要一直按回车键直至退出。如果没有命名原子，可以按esc键退出。
输入要保存的*.plt的文件名
输入draw命令，以下同画椭球图的命令。
提示：画完椭球图后可以直接pbox和pack命令进行堆积图的处理；堆积图处理后，用fuse命令删除原子后可以进行椭球图的处理。
5.5.6 xp程序的其他有用的命令
输入envi C1 3
显示出距离C1原子为3埃的所有原子，用此法可以寻找是否有氢键的存在？输入sgen 2565
长出由2565对称操作长出来的原子
1555：1表示对称操作的编号；三个5依次表示轴a，b，c的方向。
如果向a轴正方向平移一个单位，则对称号码为：1655；
如果向b轴正方向平移一个单位，则对称号码为：1565；
如果向c轴正方向平移一个单位，则对称号码为：1556；
1555 = +x，+y，+z
2555 = -x，-y，-z
3555 = 0.5-x，0.5+y，0.5-z
4555 = -0.5+x，-0.5-y，-0.5+z
输入sgen C1 C2 C3 N4 N5 N7 S8 3566
长出这些原子
输入join bond-type keywords
Bond-type=1表示实线（缺省值）；=2表示空心线；=3表示虚线
Keywords表示要连接的两个原子的标志号码。
输入mpln keywords
如输入mpln C1 C2 C3 C4
mpln C7 C8 C9 C10
将计算出由C1C2C3C4和C7C8C9C10确定的两个最小二乘平面以及两个平面简单夹角。
氢键的形成经验距离：
X-H…Y，X…Y=3.2-4.0埃，H…Y<3埃
一些正常键长数据
C-C = 1.53，1.51，1.47
C-N = 1.47-1.50
C-O（H）= 1.41-1.44，1.30（羧酸根的）
C=O = 1.19-1.23，1.21-1.23（羧酸根的）
C-Cl = 1.72-1.85
C-NO2 = 1.21-1.22
C-S = 1.82
晶体结构解析基本步骤
晶体结构解析基本步骤 Steps to Crystallographic Solution (基于SHELXL97结构解析程序的SHELXTL软件，尚需WINGX和DIAMOND程序配合) 注意：每一个晶体数据必须在数据所在的目录(E:\STRUCT)下建立一子目录(如E:\STRUCT\AAA)，并将最初的数据备份一份于AAA目录下的子目录ORIG，形成如右图所示的树形结构。 一. 准备 1. 对IP收录的数据, 检查是否有inf、dat和f2(设为sss.f2, 并更名为sss.hkl)文件; 对CCD 收录的数据, 检查是否有同名的p4p和hkl(设为sss.hkl)文件 2. 对IP收录的数据, 用EDIT或记事本打开dat或inf文件, 并于记录本上记录下相关数据(下面所说的记录均指记录于记录本上)： ⊕从% crystal data项中，记下晶胞参数及标准偏差(cell)；晶体大小(crystal size)；颜色(crystal color)；形状(crystal habit)；测量温度(experiment temperature)； ⊕从total reflections项中，记下总点数；从R merge项中，记下Rint＝?.???? % (IP收录者常将衍射数据转化为独立衍射点后传给我们); ⊕从unique reflections项中，记下独立点数 对CCD收录的数据, 用EDIT或记事本打开P4P文件, 并于记录下相关数据： ⊕从CELL和CELLSD项中，记下晶胞参数及标准偏差; ⊕从CCOLOR项中，记下晶体颜色; 总点数；从CSIZE项中，记下晶体大小; ⊕从BRA V AIS和SYMM项中，记下BRA V AIS点阵型式和LAUE群 3. 双击桌面的SHELXTL图标(打开程序), 呈 4. New, 先在“查找范围”选择数据所在的文件夹(如E:\STRUCT\AAA), 并选择衍射点数据文件(如sss.hkl),?单击Project Open,?最后在“project name”中给一个易于记忆和区分的任务名称(如050925-znbpy). 下次要处理同一结构时, 则只需Project 在任务项中选择050925-znbpy便可 5. 单击XPREP , 屏幕将显示DOS式的选择菜单: ⊕对IP收录的数据, 输入晶胞参数后回车(下记为
单晶结构解析步骤
shelxtl open new name xp fmol kill $q proj select the good direction exit telp 0 -30 plotfile enter file name draw file name select file(ps file) black and white cell fmol kill $q matr 1=a 2=b 3=c pbox 5 15 pack select (space=keep, enter=del) fmol telp cell enter file name draw file name select file type(a=psfile) black and white(enter) plane xp read file name fmol mpln atom1 atom 2..... enter angle xp read file name fmol
mpla n(atom number) atom1 atom 2..... mpla n(atom number) atom1 atom 2..... mpla n(atom number) atom1 atom 2..... enter fmol kill link matr pbox pack undo c**? C**? telp cell xl 计算方法 在ins中任何地方插入 mpla 虚拟平面的原子个数（例如六个原子只有四个可能共平面，即输入4），后面连续输入可能共平面的4个原子，后面在输入其他两个平面外的原子。 例如c1 c2 c3 c4 c5 n1中，c1 c2 c4 c5 共平面 mpla 4 c1 c2 c4 c5 c3 n1 txt 运行xcif 选择t 两次回车 输入文件名.txt 选择def 回车直到选择q 理论加氢 在ins中输入 HFIX 要加氢的原子 保存ins 运行XL 打开RES 拷贝相应的数据到ins中即可。 CHEMICAL DRAW 选中画笔 点出两个点 按ESC 点选择键 选中画笔 鼠标移动至出现小手
交通信号灯原理图绘制详细步骤解析
交通灯信号灯电路原理图绘制 一、任务目标 (1)能力目标:能运用Protel99SE绘图软件绘制各类模拟电路。 (2)知识目标:能熟练说出Protel99SE绘图软件中电路原理图(简称原 理图)编辑环境下基本命令及功能。 (3)素质目标:培养良好的劳动纪律观念;能养成认真绘图的习惯。 二、工作任务 Protel99SE一个易于使用的具有大量元件库的原理图编辑器，主要用于原 理图的设计。它可以为印制电路板设计提供网络表。该编辑器除了具有强大的原 理图编辑功能以外，其分层组织设计功能、设计同步器、丰富的电气设计检验功 能及强大而完善的打印输出功能，使用户可以轻松完成所需的设计任务。 本任务是利用Protel99SE 完成“交通信号灯原理图的绘制与分析”，通 过本任务的具体实践，操作者将具备绘制简单图纸的能力，同时结合本实际产品 三、任务实施 下面是Protel99SE设计原理图的基本流程图 1.绘制原理图前的必要准备 1.1 建立一个新的数据库
1.1.1 启动Protel 99 SE 双击桌面带有Protel 99 SE图标 1.1.2选择主菜单区的【文件】/【新建】选项 其中数据库的位置一栏中，是选择文件要保存的目录，根据本题目的要
求，我们选择及其的最后一个硬盘并新建一个文件夹。 另外数据库文件名是我们要建立的数据库的名字，根据要求我们修改为D08101.ddb 此时，点击确定。一个合适的数据库就建立成功了。
1.1.3双击【Document】图标，进入数据库操作界面,执行菜单命令【文件】/【新建文件】，出现如图所示的选择类型对话框。 1.1.4点击【Schematic Document】图标，选中原理图编辑器图标，单击【确定】按钮或双击该图标就可以完成新的原理图文件的创建，如图所示。默认的文件名为“sheet1.sch”，文件名可以修改，例如改为“D08101.sch”。
晶体结构解析的过程XP
晶体结构解析的过程 (2010-06-10 16:49:31) 转载 分类：晶体解析 标签： 杂谈 1、挑选直径大约为0.1–1.0mm的单晶。 CCD的准直管直径有0.3mm，0.5mm，0.8mm；分别对应得晶体大小是0-0.3mm, 0.3-0.5mm, 0.5-0.8mm. 2、选择用铜靶还是钼靶？ 铜靶要求θmax〉=66度，最大分辨率是0.77埃 钼靶要求θmax〉=25度，最大分辨率是0.36埃 3、用smart程序收集衍射数据：得到大约一千张倒易空间的衍射图像，300M 大小。其中matrix图像45张，分成三组，每组15张，用以判定晶体能否解析。 4、用saint程序还原衍射数据：得到很多文件，但是只有三个文件是我们需要的：-ls，p4p，raw。 -ls文件中包含有最大的和最小的θ角，有效地精修衍射点数目。好像不同的机器或者还原程序得到的文件不同，有的是hkl，abs。 5、用shelxtl程序处理上述数据，并画出需要的图形。 5.1 装好shelxtl程序，新建一个project，输入要建立工程的名字，然后打开要解析的p4p或者raw文件。 5.2 用xprep程序确立空间群，建立指令文件 这个过程基本上是一直按回车键的过程（除了在要输入化学成分的时候改动一下和在是否建立指令文件的时候输入Y即可），一般不会出错。如果出错，那就要重新对空间群进行指认（出错可能是出现在下面的精修过程中）。 一般Mean（I/sigma）〉2才可以，越大越好。
得到ins，hkl，pcf三个重要数据文件。 其中ins文件：包含分子式，空间群等信息； hkl文件：包含的是衍射点的强度数据； pcf文件：记录了晶体物理特征，分子式，空间群，衍射数据收集的条件以及使用的相关软件等信息。 5.3 选择要解析的方法：直接法（TREF）还是帕特深法（PATT）？ 如果晶体中含有重原子如金属原子，那就要用PATT法；如果晶体中没有原子量差异特别大的原子，就用TREF法。默认的方法是直接法。 5.4 用xs程序解析粗结构 得到res文件：包含了ins文件的内容和所有的Q峰信息。 5.5 用xp程序与xl程序完成原子的指认，付利叶加氢或理论加氢，画图等。 达到比较好的结果标准： A 化学上合理（键长、键角、价态） B R1 <0.08（0.06），wR2 <0.18（0.16），goof=S=1+-0.2(1.00) C R(int)<0.1,R(singma)<0.1 D Maximum=0.000 5.5.1 原子的指认 打开xp 输入fmol
单晶结构解析XP作图
单晶结构解析XP作图： 1、画结构图 打开Shelxtl软件→导入res文件→打开XP程序→输入fmol→kill $q→kill $h→envi （中心对称原子）→回车后寻找不同于1555对称操作的代码如2555→sgen 2555→proj(查看结构)→利用操作按钮转动结构找出最佳摆放位置(高度不能大于宽度)→labl 2 500(2 500是默认的大小) →telp 0 -30 0.05 0(后面四个数据分别确定结构的模型和一些参数) →回车回车直到出现Plotfile：(在这里输入名字，这里画结构图，可以统一命名为jiegou) 后回车将会出现命名所有原子的图（根据鼠标位置提醒依次在原子周围左键点击）→draw jiegou→回车后会出现SLPT device[L]:（输入a或者h）再回车输入jiegou，然后回车直到光标不闪位置→出现了xp《图标说明结构图已经画好→quit 注：红色字体为结构需要对称操作才能显示一个完整的分子结构所进行的操作。 图片操作解析 在这里找到res 文件的位置
2导入res 文件后，打开XP 操作系统输入fmol 后回车 3输入kill $h $q 4 proj 后出现下图所示
5 按步骤画图 命名所有原子
二、作堆积图 Fmol→matr 1(代表a方向堆积) →pbox 15 15→pack 然后点 击按钮sgen/fmol保存（倒数第二个）→proj cell→telp cell →命名duiji 后出现一个命名原子的图框，标出O a b c→draw duiji→a或h→duiji→→quit 1、 当出现这个时表 明图已经画好
直方图制作步骤详细讲解
直方图制作步骤 1）定义：直方图是数据分布形态分析的工具。 在质量管理中，如何预测并监控产品质量状况？如何对质量波动进行分析？直方图就是一目了然的把这些图表化处理的工具。它通过对收集到的貌似无序的数据进行处理，来反映产品质量的分布情况，判断和预测产品质量及不合格率。直方图是针对某产品或过程的特性值，把50个以上的数据进行分组，并算出每组出现的次数，画成以组距为底边，以频数为高度的一系列连接起来的直方矩形图。 2）直方图制作步骤 ①收集数据：收集数据时，对于抽样分布必须特别注意，不可取部分样品，应全部均匀的加以随机抽样，所收集的数据个数应大于50以上。 例:某厂成品尺寸规格为130~160mm，按随机抽样方式抽取60个样本，其测定值如下： 单位：mm 138142148145140141 139140141138138139 144138139136137137 131127138137137133 140130136128138132 125141135131136131 134136137133134132 135134132134121129 137132130135135134 136131131139136135 ②找出每组数据中最大值（L），与最小值（S） A B C D E F 138142148145140141 139140141138138139 144138139136137137 131127138137137133 140130136128138132 145141135131136131 134136137133134132 135134132134121129 137132130135135134 136131131139136135 ③求全部数据中的最大值和最小值 A L1=145S1=131 B L2=142S2=127
最详细的WesternBlot过程步骤详解
最详细的W e s t e r n B l o t 过程步骤详解
最详细的W e s t e r n B l o t 过程步骤详解 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】
Western Blot详解(原理、分类、试剂、步骤及问题解答) Western免疫印迹（Western Blot）是将蛋白质转移到膜上，然后利用抗体进行检测。对已知表达蛋白，可用相应抗体作为一抗进行检测，对新基因的表达产物，可通过融合部分的抗体检测。 本文主要通过以下几个方面来详细地介绍一下Western Blot技术: 一、原理 二、分类 i.放射自显影 ii.底物化学发光ECL ECF iv.底物DAB呈色 三、主要试剂 四、主要步骤 五、实验常见的问题指南 1.参考书推荐 2.针对样品的常见问题 3.抗体 4.滤纸、胶和膜的问题 的相关疑问 6.染色的选择 7.参照的疑问
8.缓冲液配方的常见问题 9.条件的摸索 10.方法的介绍 11.结果分析 一、原理 与Southern或Northern杂交方法类似，但Western Blot采用的是聚丙烯酰胺凝胶电泳，被检测物是蛋白质，“探针”是抗体，“显色”用标记的二抗。经过PAGE分离的蛋白质样品，转移到固相载体（例如硝酸纤维素薄膜）上，固相载体以非共价键形式吸附蛋白质，且能保持电泳分离的多肽类型及其生物学活性不变。以固相载体上的蛋白质或多肽作为抗原，与对应的抗体起免疫反应，再与酶或同位素标记的第二抗体起反应，经过底物显色或放射自显影以检测电泳分离的特异性目的基因表达的蛋白成分。该技术也广泛应用于检测蛋白水平的表达。 二、分类 现常用的有底物化学发光ECL和底物DAB呈色，体同水平和实验条件的是用第一种方法，目前发表文章通常是用底物化学发光ECL。只要买现成的试剂盒就行，操作也比较简单，原理如下（二抗用HRP标记）：反应底物为过氧化物+鲁米诺，如遇到HRP，即发光，可使胶片曝光，就可洗出条带。
晶体解析的步骤
晶体解析的步骤 Steps to Crystallographic Solution (基于SHELXL97结构解析程序和DOS版SHELXTL画图软件。在DOS下操作) 注意： 1. 每一个晶体数据必须在D:/STRUCT下建立一子目录(如D:\STRUCT\AAA)，并将最初的数据备份一份于AAA目录下的子目录ORG; 2. 此处用了STRUCT.BAT批文件，它存在于C:\根目录下，内有path= c:\nix; c:\exe; d:\ struct; c:\windows\system32 (struct为工作目录，exe为SHELXL97程序，nix为SHELXTL 画图) 3. 在了解DOS下操作之后，可在WIN的WINGX界面下进行结构解析工作，画图可用XP 或DIAMOND软件进行。 一. 准备 1. 检查是否有inf、dat和f2(设为sss.f2)文件 2. 用EDIT或记事本打开dat或inf文件, 并于记录本上记录下相关数据(下面所说的记录均指记录于记录本上)： ⊕从% crystal data项中，记下晶胞参数及标准偏差(cell)；晶体大小(crystal size)；颜色(crystal color)；形状(crystal habit)；测量温度(experiment temperature)； ⊕从R merge项中，记下Rint＝?.???? %； ⊕从total reflections项中，记下总点数； ⊕从unique reflections项中，记下独立点数 3. 双击桌面的DOS图标(或Win2000与WinNT的“命令提示符”) 4. 键入STRUCT(属于命令，大小写均可。下同) 5. 进入欲处理的数据所在的文件夹(上面的1~2工作也可在这之后进行) 6. 键入XPREP sss.f2 (屏幕显示DOS的选择菜单) 7. 选择[4]，回车(下记为
整理晶体结构解析步骤
晶体结构解析步骤Steps to Crystallographic Solution (基于SHELXL97结构解析程序和DOS版SHELXTL画图软件。在DOS下操作) 注意：1. 每一个晶体数据必须在D:/STRUCT下建立一子目录(如D:\STRUCT\AAA)，并将最初的数据备份一份于AAA目录下的子目录ORG; 2. 此处用了STRUCT.BA T批文件，它存在于C:\根目录下，内有path= c:\nix; c:\exe; d:\ struct; c:\windows\system32 (struct为工作目录，exe为SHELXL97程序，nix为SHELXTL画图) 3. 在了解DOS下操作之后，可在WIN的WINGX界面下进行结构解析工作，画图可用XP 或DIAMOND软件进行。 一. 准备 1. 检查是否有inf、dat和f2(设为sss.f2)文件 2. 用EDIT或记事本打开dat或inf文件, 并于记录本上记录下相关数据(下面所说的记录均指记录于记录本上)： ⊕从% crystal data项中，记下晶胞参数及标准偏差(cell)；晶体大小(crystal size)；颜色(crystal color)；形状(crystal habit)；测量温度(experiment temperature)； ⊕从R merge项中，记下Rint＝?.???? %； ⊕从total reflections项中，记下总点数； ⊕从unique reflections项中，记下独立点数 3. 双击桌面的DOS图标(或Win2000与WinNT的“命令提示符”) 4. 键入STRUCT(属于命令，大小写均可。下同) 5. 进入欲处理的数据所在的文件夹(上面的1~2工作也可在这之后进行) 6. 键入XPREP sss.f2 (屏幕显示DOS的选择菜单) 7. 选择[4]，回车(下记为) 8. 输入晶胞参数(建议在一行内将6个参数输入，核对后) 9. 一系列运行(对应的操作动作均为按)之后，输入分子式(如, Cu2SO4N2C4H12。此分子式仅为估计之用。注意：反应中所有元素都应尽可能出现，以避免后续处理的麻烦) 10. 退出XPREP运行之前，机器要求输入文件名，此时一定要输入文件名，且不与初始的文件名同名。另外，不要输入扩展名。如可输入aaa 11. 检查是否产生有PRP、PAR和INS文件(PRP文件内有机器对空间群确定的简要说明) 12. 更名：REN aaa.f2 aaa.hkl 13. 用EDIT或记事本打开aaa.ins文件，在第二~三行中，用实际的数据更改晶胞参数及其偏差(注意：当取向改变了，晶胞参数也应随之对应)，波长用实际波长。 二．解结构 14. 键入SHELXS aaa或XS aaa，(INS文件中, TREF为直接法，PATT为Pattersion法) 15. XP，(进入XP程序)(可能产生计算内址冲突问题，注意选择处理) 16. READ or REAP aaa (aaa.res 为缺省值，若其它文件应是文件名.扩展名，如aaa.ins) 17. FMOL, (不要H原子时，为FMOL LESS $H，或FMOL后，KILL $H, ) (读取各参数，屏幕上显示各原子的键合情况) 18. MPLN/N, (机器认为最好取向) 19. PROJ, (随意转动，直至你认为最理想取向)
单晶结构解析技巧
单晶结构解析技巧 1. 通常，H原子的处理方法作者要给出: (1)一般通过理论加H，其温度因子为固定值，可通过INS等文件查看 (2) 水分子上H原子可通过Fourier syntheses得到 (3)检查理论加上的H原子是否正确，主要看H原子的方向。若不正确则删去再通过Fourier syntheses合成得到 (4) 检查H原子的键长、键角、温度因子等参数是否正常。通过检查分子间或分子内的H键是否合理最易看出H键 的合理性 (5) 技巧：有时通过Fourier syntheses得到的H原子是正确的，可一计算其温度因子等参就变得不正常，则可以固定 其参数后再精修（如在INS中的该H原子前用afix 1,其后加afix 0） (6) 各位来说说方法与心得？ 2. 胡老师，下面的问题怎么解决啊？谢谢您。 220_ALERT_2_B Large Non-Solvent C Ueq(max)/Ueq(min) ... 3.70 Ratio 222_ALERT_3_B Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 4.97 Ratio 342_ALERT_3_B Low Bond Precision on C-C bonds (x 1000) Ang (49) B 级提示当然得重视了。建议你先把H撤消，精修到C的热椭球不太变形和键长趋正常。 如做不到就要看空间群？衍射点变量比太小？以至追查到原始数据的录取参数和处理等。 这些粗略意见仅供参考，如何？ 3. 在XP中画图时，只有一部分，想长出另外的对称部分。我是envi完了，然后sgen长出来的，可是和symm显示的对称信息不一样。比如：我根据envi的结果用sgen O1 4555得到的是O1A而不是O1D，这跟文献中标注的不一样啊，怎么统一呢？很困扰，忘达人指教。 xp里是按顺序编号的，第一个sgen出的的统一为A,依次标号。你如果想一开始就统一D的话，重新name一下 4. 高氯酸根怎么精修呀？我用的SHETXL6.1版的，最好告诉我怎么用其中的XSHELL来做，我觉得他好用！Method 1DFIX Dfix 1.42 0.02 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Dfix 1.42 0.02 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3O2 O4O3 O4 Method 2SADI Sadi 0.01 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Sadi 0.01 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3 O2 O4 O3 O4 5. 晶体的无序是怎么造成的呀，是晶体培养的问题吗？ 如果无序太多，在解单晶的时候怎么办？我指的是很多的点，没有结构，他们的峰值都大于了0.5 大于0.5没什么的，解完后都在1以下就可以了。特殊的比较大的在重原子附近也没有关系 5. 比较确切的定义是单胞中你测定的或你设想的“化学式”的数目。 在分子晶体中，Z 是分子数，在其它各类晶体中则为化学式个数。 例如有机物一般是分子数目，离子晶体像NaCL只好说化学式为4。
哈尔滨工程大学老师特别讲解相平面法例题解析相平面法例题详细步骤解析
相平面法例题解析： 要求： 1.正确求出对于非线性系统在每个线性区的相轨迹方程，也就是e e -之间关系的方程（或c c -）。会画相轨迹（模型中是给具体数的）。※※关键是确定开关线方程。 2. ※※※如果发生自持振荡，计算振幅和周期。 注意相平面法一般应： 1）按照信号流向与传输关系。线性部分产生导数关系，非线性部分形成不同分区。连在一起就形成了不同线性分区对应的运动方程，即含有c 或者e 的运动方程。 2）※※※根据不同线性分区对应的运动方程的条件方程确定开关线方程。开关线方程确定很关键。 3）※※※根据不同线性分区对应的运动方程，利用解析法（分离变量积分法或者消去t 法）不同线性分区对应的相轨迹方程，即c c -和e e -之间关系。 4）※根据不同分区的初始值绘制出相轨迹，并求出稳态误差和超调、以及自持振荡的周期和振幅等。 例2 问题1. 用相平面法分析系统在输入r (t ) = 4.1(t )时的运动情况。 问题2. 如果发生自持振荡 ，求自持振荡的周期和振幅。 解：问题1：1）设系统结构图，死区特性的表达式： 0,||2 2,22,2x e x e e x e e =≤?? =->??=+<-? 2）线性部分： 2 ()1 ()C s X s s =，则运动方程为：c x = 3）绘制e e -平面相轨迹图。因为e r c =-，c r e =-，c r e =-，c r e =-。代入则 e x r =-+ （1） 当0t ≥，0r =，0r =。代入，则各区的运动方程0, ||2I 2,2II 2,2III e e e e e e e e =≤--?? =->---??=--<----? 由于非线性特性有3个分区，相平面e e -分为3个线性区。 注意，当相平面选好后，输入代入后，最后代入非线性特性。 4） 系统开关线：2e =±。 5） 由题意知初始条件(0)(0)(0)4e r c =-=，(0)(0)(0)0e r c =-=在II 区，则从
创业计划书详细步骤讲解
创业计划书详细步骤讲解 引导语：你的创业计划书，是你事业开展的依据，也是吸引投资人的文件，创业计划书怎么写每一部分内容写哪些东西呢来看看写作创业计划书的步骤解读。 一、怎样写好创业计划书 那些既不能给投资者以充分的信息也不能使投资者激动起来的创业计划书，其最终结果只能是被扔进垃圾箱里。为了确保创 业计划书能“击中目标”，创业者应做到以下几占： 八、、? 1.关注产品 2.敢于竞争 3.了解市场 4.表明行动的方针 5.展示你的管理队伍 6.出色的计划摘要 二、创业计划书的内容 1.计划摘要 计划摘要列在创业计划书书的最前面，它是浓缩了的创业计划书的精华。计划摘要涵盖了计划的要点，以求一目了然，以便读者能在最短的时间内评审计划并做出判断。 计划摘要一般要有包括以下内容：公司介绍；主要产品和业务范围；市场概貌；营销策略；销售计划；生产管理计
划；管理者及其组织；财务计划；资金需求状况等。 在介绍企业时，首先要说明创办新企业的思路，新思想的形成过程以及企业的目标和发展战略。其次，要交待企业现状、过去的背景和企业的经营范围。在这一部分中，要对企业以往的情况做客观的评述，不回避失误。中肯的分析往往更能赢得信任，从而使人容易认同企业的创业计划书。最后，还要介绍一下创业者自己的背景、经历、经验和特长等。企业家的素质对企业的成绩往往起关键性的作用。在这里，企业家应尽量突出自己的优点并表示自己强烈的进取精神，以给投资者留下一个好印象。 (在计划摘要中，企业还必须要回答下列问题：(1)企业所处的行业，企业经营的性质和范围；(2)企业主要产品的内容；(3)企业的市场在那里，谁是企业的顾客，他们有哪些需求； (4)企业的合伙人、投资人是谁；(5)企业的竞争对手是谁，竞争对手对企业的发展有何影响。) 摘要要尽量简明、生动。特别要详细说明自身企业的不同之处以及企业获得成功的市场因素。如果企业家了解他所做的事情，摘要仅需2页纸就足够了。如果企业家不了解自己正在做什么，摘要就可能要写20页纸以上。因此，有些 投资家就依照摘要的长短来“把麦粒从谷壳中挑出来” 2.产品(服务)介绍 在进行投资项目评估时，投资人最关心的问题之一就是，风
皮下注射详细步骤及要点解析和结果判断
皮下注射详细步骤及要点解析和结果判断一、目的 经皮下给药。 二、适应证 1.需迅速达到药效，不能经口服和静脉注射的药物。 2.预防接种。 三、禁忌证 1.对该药过敏。 2.注射局部有各种皮损、炎症、硬结、瘢痕或位于皮肤病处，注射时需避开。四、操作前准备 1.患者准备 1)评估患者治疗情况、用药史及药物过敏史。 2)向患者解释皮下注射目的、操作方法、药物的作用、配合要点。 3)取舒适体位、暴露注射部位皮肤。 4)评估患者注射部位皮肤和皮下组织情况。 2.材料准备 治疗车：车上载有以下物 品： 1)注射盘； 2)消毒用品； 3)1~2ml 注射器及针头； 4)砂轮。 3.操作者准备 洗手，准备帽子、口罩。 五、操作步骤 1．药品准备： 1)用安尔碘消毒药瓶。 2)取出注射器，检查活塞，拔下针帽，检查针头。 3)核对和抽取药液并排气至针乳头处，套好针帽。 注意：记录注射时间、药品名称、浓度、剂量和患者的反应。 严格执行查对患者床号、姓名、药品名称、药品剂量、时间、用法。2．注射部位的选择：上臂三角肌下缘、股外侧、腹部、后背。 3.消毒：用 75%酒精棉签消毒注射部位皮肤，直径大于 5cm。 4.注射：
1)二次核对和排气。 2)左手夹棉签并绷紧皮肤，右手持注射器进针，小指固定皮肤，针尖斜面向上与皮肤成300—400 角，迅速将针头的 1/2~2/3 刺入皮下。 3)左手抽回血，如无回血即可推药。 4)注射完毕，用无菌干棉签按压在针刺处，快速拔针，按压片刻。 注意：避开皮损、硬结等处，过瘦的患者注射时可捏起注射部位皮肤。推药速度应缓慢、均匀。 5.注射后处理： 1)合理安置患者。 2)收拾物品。 3)洗手。 4)记录。 六、并发症及处理 断针：原因常为进针手法不当；针头质量差或已有损坏未查出；患者肌肉紧张、身体移动。 预防和处理：熟练掌握注射手法；操作前认真检查注射器质量；协助患者采取舒适体位；若发生断针，操作者保持镇静，嘱患者勿移动，一手固定局部．下压皮肤，暴露针梗，另一手持止血钳夹住断端，迅速拔出；若针头断端已埋入皮下，应让患者保持原体位，采用外科手术切开取针。 七、相关知识 长期注射者，应教育患者建立轮流交替注射部位的计划，以避免局部出现硬结、影响药物吸收。
洗发水详细使用步骤解析
洗发水详细使用步骤解析 洗发水是我们生活中必不可少的洗浴用品，特别是女孩子，在出门前总喜欢把头发洗干净再去见人，因为一把柔顺清爽的头发会很加分。很多人洗头都是很随便地把洗发水抹在头发上揉搓，差不多了的时候用水冲洗干净就完事了。但是一个正确的洗头过程却往往没有那么简单，下面小编就来给大家介绍一下怎样正确使用洗发水。 洗头前 根据自身实际情况，挑选一款适合自己的洗发水，选择品牌的洗发水质量会好很多。像油性头发则选择清爽去油配方的洗发水，干性发质的则适合于含保湿物质的配方。此外，在去屑、修护等方面上特别讲究的可以选择有某种功效的洗发水，像宝洁的海飞丝去屑洗发水、沙宣修护系列等。在洗头之前一定要调好水温，温水最宜，不刺激，最好在头发打湿之前先用梳子把头发理顺，这样子在洗头的时候头发不容易打结。接着用温水把头发彻底打湿浸透，可以更好地洗掉污垢，并且避免损伤头皮。 洗头中 当头发湿润后，在手心上倒适量的洗发水，加水轻轻揉搓至起泡，然后再涂抹到头发上，这样子可减少对头皮的刺激，并且更容易将全部头发浸润在泡泡中。
轻轻地揉搓头发3-5分钟，但其实头皮的清洗也十分重要，所以这个时候不仅仅搓头发，也要轻柔地清洗一下头皮，特别是后脑勺的地方，很容易堆积皮脂，使头皮滋生细菌产生头屑，因此要花较多的时间在后脑勺头皮的清洗上。如果时间允许的话，可以做一下头部按摩动作，用指关节轻轻按摩头部的穴位，如果配合着宝洁的潘婷系列洗发水，更能够深层滋润发干，预防发丝受损，可以对头皮起到放松作用。值得注意的是，去屑系列的洗发水不易过于频繁地使用，这样不仅不会滋润头皮，还会分解剥落那些干燥、疏松的皮肤表面，使头屑更加严重，最好是每个星期1-2次的使用次数。同时使用洗发水的根本目的是要清洗头发和头皮的污垢、油脂，改善头发生长的环境，而如果希望让头发快速变柔顺服帖，则可以配合使用护发素。 洗头后 揉搓完之后，一定要用温水将头发和头皮冲洗干净，因为洗发水的残留会刺激头皮。洗完头后及时将头发冲洗，有助于头发干净清爽，加以毛巾轻轻包裹吸收头发的水滴。洗完头之后感受一下头发的状况变化，因为一直用同一种洗发水是不能达到最好的护发效果的，大家可以根据不同的头发状况选择不同的洗发水。
丝印网版制作的方法及详细步骤解析(69476)
网版制作的方法 制版方法 使用材料 直接制版法 感光浆感光膜片 直间接制版法 感光膜片 间接制版法 间接菲林 1、直接制版法 ⑴感光浆直接制版法 方法：在绷好的网版上涂布一定厚度的感光浆(一般为重氮盐感光浆)，涂布后干燥，然后用制版底片与其贴合放入晒版机内曝光，经显影、冲洗、干燥后就成为丝网印刷网版。 工艺流程：感光浆配制已绷网——脱脂——烘干——涂膜——烘干——曝光——显影— —烘干——修版——最后曝光——封网 各工段的方法及作用 脱脂：利用脱脂剂除去丝网上的油脂使感光浆和丝网完全胶合在一起才不易脱膜。 烘干：干燥水分，位避免网布因温度过高而使张力变化，其温度应控制在40～45℃。感光浆配制：将光敏剂用纯净水调匀后加入感光浆中搅拌均匀，放置8小时以后再用。涂膜：利用刮槽将感光浆均匀地涂在丝网上，按涂膜方式分为自动涂布机涂膜和手工涂膜， 涂膜次数可根据实际情况而定。 涂膜时首先应涂刮刀面，目的是先将网纱间地空隙补满，避免气泡产生，接下来才涂布印刷面(与PCB接触的一面)，目前使用的自动涂布机每涂布一次约可增加膜厚3um，故阻焊网版涂布方式大多选择为：刮刀面涂布两次——烘干——印刷面涂布三次——烘干——印刷 面涂布三次——烘干——印刷面涂布三次——烘干。 涂膜方法正误说明： A.正确的涂膜刮刀面、印刷面厚度适宜，符合要求。 B.薄的涂膜(印刷面)缺点：耐用性差。 C.刮刀面涂膜太厚缺点：因刮刀面感光浆太厚，使感光不均，显影时水冲洗后，表面粗 糙油墨灌入膜层，使膜层脱落，导致网版寿命减短。 D.刮刀面涂膜太薄缺点：耐用性差。 烘干：使感光浆干燥均匀，避免感光浆外干内湿，温度过高会让外面感光浆先干而里面 未干，而使网版寿命减短，其温度应保持在40~45℃，时间10分钟左右，根据不同的膜厚适当调整烘干时间。 曝光：适当的曝光可使感光浆感光聚合，通过底版显影出清晰的图像。 影响网版质量的因素： A.正确的曝光能量 B.曝光及的抽真空度 C.曝光机玻璃的清洁 一般曝光能量用曝光时间来调节，制作中应根据网版目数、膜厚采用分级曝光法通过使用曝光测算片来测定各类网版的正确曝光时间。 测算片使用方法： ①预先估测的曝光时间再加一倍的时间进行曝光，以正常方式显影，显影后选出效果最
最详细的Western_Blot过程步骤详解
Western Blot详解(原理、分类、试剂、步骤及问题解答) Western免疫印迹（Western Blot）是将蛋白质转移到膜上，然后利用抗体进行检测。对已知表达蛋白，可用相应抗体作为一抗进行检测，对新基因的表达产物，可通过融合部分的抗体检测。 本文主要通过以下几个方面来详细地介绍一下Western Blot技术: 一、原理 二、分类 i.放射自显影 ii.底物化学发光ECL ECF iv.底物DAB呈色 三、主要试剂 四、主要步骤 五、实验常见的问题指南 1.参考书推荐 2.针对样品的常见问题 3.抗体 4.滤纸、胶和膜的问题 5.Marker的相关疑问 6.染色的选择 7.参照的疑问
8.缓冲液配方的常见问题 9.条件的摸索 10.方法的介绍 11.结果分析 一、原理 与Southern或Northern杂交方法类似，但Western Blot采用的是聚丙烯酰胺凝胶电泳，被检测物是蛋白质，“探针”是抗体，“显色”用标记的二抗。经过PAGE分离的蛋白质样品，转移到固相载体（例如硝酸纤维素薄膜）上，固相载体以非共价键形式吸附蛋白质，且能保持电泳分离的多肽类型及其生物学活性不变。以固相载体上的蛋白质或多肽作为抗原，与对应的抗体起免疫反应，再与酶或同位素标记的第二抗体起反应，经过底物显色或放射自显影以检测电泳分离的特异性目的基因表达的蛋白成分。该技术也广泛应用于检测蛋白水平的表达。 二、分类 现常用的有底物化学发光ECL和底物DAB呈色，体同水平和实验条件的是用第一种方法，目前发表文章通常是用底物化学发光ECL。只要买现成的试剂盒就行，操作也比较简单，原理如下（二抗用HRP 标记）：反应底物为过氧化物+鲁米诺，如遇到HRP，即发光，可使胶片曝光，就可洗出条带。
jade分析物相及晶胞参数和晶粒尺寸计算过程
《无极材料测试技术》课程作业 对编号01N2009534的样品XRD测试数据进行物相分析，并计算其平均晶粒尺寸大小与晶胞参数。 1.物相分析过程 使用MDI Jade5.0软件对样品XRD测试数据进行分析，以定性分析样品的物相。 1.1.数据的导入 将测试得到的XRD测试数据文件01N2009534.txt直接拖动到Jade软件图标上，导入数据，得到样品XRD衍射图（图1-1）。 图1-1 数据导入Jade5.0后得到的XRD图 1.2.初步物相检索 右键点击键，弹出检索对话框，设定初步检索条件：选择所有类型的数据库；检索主物相（Major Phase）；不使用限定化学元素检索（Use Chemistry前方框不打钩）（如图1-2所示）。点击“OK”开始检索，得到的检索结果见图1-3。 从初步检索结果可以看出，最可能的物相有四个：CaB5O8(OH)B(OH)3(H2O)3（图1-3）、CaB6O10·5H2O（图1-4a）、Ca2.62Al9.8Si26.2O72H4.56（图1-4b）和C20H20N16O8S4Th（图1-4c）。其中前三个均为无机物，第四个为有机金属化合物。
从结果分析，由图1-4b、c中可以看出，这两种物相的标准衍射峰没有与样品衍射峰中的最强峰匹配，因此样品中不含有第三、四中物相或者其主晶相不是第三、四种物相。而从图1-3以及图1-4a中可以看出，两种物相的衍射峰与样品的衍射峰几乎都能对上，并且强弱对应良好，因此样品中主晶相可能为CaB5O8(OH)B(OH)3(H2O)3或CaB6O10·5H2O或者两者的混合物。 图1-2 初步物相检索条件设定 图1-3 经过初步检索得到的检索结果
结构解析的教程
结构解析的教程 2005年3月31日星期四[1] : 1 现在，我能理解大家觉得XP不好用，因为WIN版要不断地找mouse、按菜单确实麻烦。而DOS版的SHELXTL，只用键盘指令，顺序无非是：1、XPREP准备；2、SHELXS（或XS）解初模型；3、XP（投原子）；4、SHELXL同性修正（或差值F峰合成）；5、XP（4和5步重复，直到找出所有非H原子）；6、原子排序（用EDIT或XP的SORT；7、编辑INS文件，加入BOND $H 和ANIS；8、SHELXL（异性修正）；9、加H（或差值F峰合成或理论加H）。接下来是，修正至收敛，找H键(必要时用Platon程序协助)，计算平面性、二面角、pi-pi作用距离，产生晶体学CIF文件及晶体学表。 当然，在转换成晶体学表之前必须转到WIN窗口运行WinGX之Platon V alidate检查一下结构的合理性，并逐一解决它。 面对着WIN版，我就觉得别扭。WIN版的高手，请问以上DOS版的解析顺序适用于WIN版吗？我已好久没有解过单晶结构了（忙于非晶结构），这几天很想录一个晶体，学学WIN版。但愿DOS 版的顺序适用于WIN版，否则我宁愿残缺的DOS版。 WinGX的LST文件打开时字太小了，不好玩！但它作为界面倒不错，特别是可用成“超链接”式。Diamond没有经验，只觉得太耗时了，但画图挺好看的。它对无机物画图是VERY GOOD，但对有机或配合物画图中H又如何处理啊(H键经常是会出现的）？H老是钩三搭四的。有经验的大虾说一说 2大致顺序基本一样，我一般是这么用的：XPREP—>XS—>XShell<—>XL(直接在XShell下refine,且最后可以直接勾选acta产生.cif)只是不知道在ShelXTL下怎么修占位度呢？ 3在DOS下可以在批处理文件中加入path=d:\shelex;%path% 在win2000中可以以下操作, 在“我的电脑”按右键选“属性”再选“高级”中间一项“环境变量”新建一项您的目录。不过如果是在DOS下使用SHELEX好像不需要安装。 4那就用wingx里面集成的SHELX吧，功能是一样的呀！ 把那个表打印出来，相应的内容一填，一扫描，发到他们的邮箱里，就Ok
晶体结构分析讲义(上)
晶体结构分析 主讲人：吴文源 2010.5
1.Shelxtl 使用流程 ※解析原始文件有hkl文件（或raw文件），包含衍射数据；p4p文件，包含晶胞参数 ※为一个晶体的数据建立project，该项目下所有文件具有相同的文件名；一旦在XPREP 中发生hkl文件的矩阵转换，则需要输出新文件名的hkl等文件，因此要建立新的project。※首先运行XPREP，寻找晶体的空间群 ※然后运行XS，根据XPREP设定的空间群，寻找结构初解 ※在Xshell中观察初解是否合理，如不合理，需重回XPREP中设定其他的空间群 2.Xshell 使用流程 ※找出重原子或者确定性大的原子 ※找出其余非氢原子 ※精修原子坐标 ※精修各项异性参数 ※找到氢原子(理论加氢或差值傅里叶图加氢) ※反复精修，直到wR2等指标收敛。最后的R1<0.06(0.08) wR2<0.16(0.18) ※通过HTAB指令寻找氢键，判定氢的位置是否合理，并且将相关氢键信息通过HTAB和EQIV指令写进ins文件中 ※将原子排序(sort) 3.cif 文件生成和检测错误流程 ※在步骤1、2完成后，在ins文件中加入以下三条命令 bond $H conf acta ※此时生成了cif和fcf文件，将cif文件拷贝到planton所在文件夹中检测错误，也可以通过如下在线检测网址：https://www.wendangku.net/doc/b52824407.html,/services/cif/checkcif.html ※根据错误提示信息，修改或重新精修，将A、B类错误务必全部消灭，C类错误尽量消灭。 4.Acta E 投稿准备流程 投稿前，请务必切实做好如下工作： ※按步骤1、2、3解析晶体并生成相应cif和fcf文件。 ※准备结构式图(Chemical structural diagram)、分子椭球图(Molecular ellipsoid diagram)和晶胞堆积图(Packing diagram)，最好是pdf格式。 ※按要求撰写文章的文字部分，填写cif中相应段落，注意格式要求！ _publ_section_title 题目 _publ_section_abstract 摘要 _publ_section_related_literature 相关文献 _publ_section_comment 评论 _publ_section_exptl_prep 制备方法 _publ_section_exptl_refinement 精修说明 _publ_section_references 参考文献 _publ_section_figure_captions 插图说明 _publ_section_table_legends 表格说明 _publ_section_acknow ledgements 致谢 ※将cif中需要填写的其他部分（在cif的标准空白样本中以！标注）全部完成，并再次检查整个cif文件格式和内容。
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