三极管教案

应用“行为引导型教学法”对《电子装接》课程内容“三极管的基础知识”课堂教学的

一、教学目的

引用“行为引导型教学法”对《电子装接》课程中“三极管的基础知识”的研讨与学习，运用先进的ZPZ教学方法让同学们在课堂上积极投入和生动的学习【轻松的了解、理解、掌握】三极管的相关知识。

二、教学要求：

“三极管”是《电子装接》教材中，4种常用电子元器件之一。它的相关知识，直接关系到学生今后学习整个教材和焊接基本技能的训练。因此，它在电子专业的学期教学过程中，是具有基础性和奠基性的地位。

为此，主持人教师把“三极管”作为一个“学习领域”设计出来。同时，为了完成这个“学习领域”的学习任务，再设计岀4个“学习环境”——旧式教案的“学习目的”，便于师生共同把握。

【学习环境1】．了解三极管的外形及封装形式

【学习环境2】．理解二极管与三极管的内在联系

【学习环境3】．掌握三极管内部结构示意图及电器图形符号

【学习环境4】．在课堂的学习训练和今后的实际生产过程中会正确的使用与维护三极管。

三、教学重、难点：

１．三极管的内部结构及图形符号是重点

２．三极管的应用（焊接操作）与维护是难点

四、教学模式：

运用“行为引导型教学法”中的“引导课文法”（大白板）、“卡片图示法”（粘贴板）、“大脑风暴法”（同样使用“卡片图示法”）、社会调查方式，在课堂内外师生共同进行学习。

五、主持人教师：

六、课时：70分钟

七、教学过程设计：

1.引言( 主持人教师讲,大约用5分钟)：

各位同学：大家好！

60年前的12月16日（今天之前××天），是人类科技史上值得书写的日子：在美国的“贝尔实验室”，诞生了世界上第一个电子管。从那时到今天，人类认识史和科技史的发展，迅猛异常，证明了人类对物质世界的认识和探索，是没有止境的；同时，科技的每一步发展，都给人类的生活——物质生活与精神生活，带来数不清的进步和变化。仅是电子科技和电子工业方面的发展状况，电子工业与科技革新，就天天改变着我们“地球村”50多忆人的命运与生活现状，（以现在人们习以为常的“手机”为例；以中国的“常娥1号”探月工程为例……）大家都能感受到“日新月异”和“飞速发展”的许许多多的事实。今天我们要学习的知识，是电子管相关的基础性内容。希望大家能够有兴趣并积极投入教学活动中。（331字）

大家知道，由于半导体器件具有体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和转换效率高等诸多优点，因而在现代电子技术中得到了广泛的应用。

今天，我将和现场同学一起来研讨半导体器件中最常用的半导体器件“三极管”的基础知识，下面我们将分小组进行学习。一共分成四个小组（１～８号同学为第一小组、９～16号同学为第二个小组、17~24号同学为第三个小组、25~32号同学为第四个小组），每一组学员一起讨论我所分给的任务。（小老师到每个小组和学员共同讨论，最后每一组派出一个代表上台做“成果展示汇报”发言，把本组成员讨论的结果分享给所有的学员并接受在场所有的学员提问。）

２.分配任务：(全堂课上，师生讨论１５分钟、小组代表发言２２分钟、其他同学现场提问１５分钟，共用５５分钟)

（１），第一组成员讨论三极的外形与封装形式

讨论目的：从三极管的外形与封装形式首先来认识三极管，通过对三极管的外形与封装形式来认识不同样式、不同封装形式的三极管，讨论出不同样式与不同封装形式的三极管各用在什么地方。

代表发言（需５分钟）：

a.三极管的外有形有。。。。。（本组成员把准备好的三极管外形展示给所有的学员）

b.三极管的封装形式有。。。。。。。。。（本组成员把准备好的三极管外形展示给所有的学员）

c.不同的封装形式与实际应用之间的联系（我们在实际应用中，对于普通的电路或产品大多都采用塑料封装的三极管，而对于一些要求较高的电路或产品大多都采用金属封装的三极管，在成本方面塑料封装的三极管要比金属封装的三极管便宜的多）。

现场所有的学员提问（大约３分钟）：

（1）不同的封装形式有什么区别？

（2）不同的封装形式在应用上有什么区别。

（3）不同的外形、封装形式内在有什么联系？

（4）世界上第一个晶体三极管是什么时候诞生的？在哪里诞生的？

（５）不同的封装形式与外形在应用上有什么区别？

（２）第二组成员讨论三极管内部结构与电器图形符号

讨论目的：由三极管不同的外形与封装形式联想到其内部结构，通过讨论让所有学员知道无论三极管的外形与封装形式怎样变化其内部结构都是一样。

代表发言（需６分钟）：（本组成员把准备好的三极管内部结构剖面图展示给大家）。

a.三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN 管和PNP 管。

b.无论是NPN 型还是PNP 型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区。

c.由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E ）、基极（B ）和集电极（C ）。

d.发射区和基区之间的PN 结称为发射结，集电区和基区之间的PN 结称为集电结。

e.发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。

现场所有的学员提问（大约５分钟）：

（１）三极管是怎么制成的？

（２）为什么把三极管内部的三个区域分别称为“发射区、基区和集电区”？ （３）为什么把三极管的三个电极分别称为“Ｅ、Ｂ、Ｃ”？

（４）三极管内部载流子是怎样运动的？

（５）两种不同类型（ＮＰＮ、ＰＮＰ）的三极管有什么区别？

（３）第三组成员讨论二极管与三极管的联系

讨论目的：从二极管的内部结构与三极管内部结构相结合，让学员明白它们二者之间的联系。

代表发言（需５分钟）：a.二极内部结构是由一个PN 结构成（本组成员把准备好的二极管内部结构剖面图展示给大家）。

b.三极管内部是由两个PN 结构成。

c.从某种意义上说三极管就是由两只二极管构成（但两只二极管不能直接构成一只三极管，而是通过一定的工艺加工而制成的）。

现场所有的学员提问（大约３分钟）：

（１）二极管是怎么构成的？

（２）能不能把一只三极管改成一只二极管？

（３）两只二极管的正极（或负极）直接连接起来能不能构成一只三极管使用？为什么？

（４）.第四个小组讨论三极管在实际应用中的正确使用与维护讨论目的：从三极管的结构与实际应用出法,从三极管的成本预算出法,让所有学员明白正确使用三极管与维护的重要性。

代表发言（需６分钟）:我们这一组所讨论的是三极管的正确使用与维护.讨论的结果主要表现在以下几个方面:

a.三极管在实际应用中引线成形时注意引脚变形的程度。

b.三极管在安装时应注意三个电极所对应的位置.(基极、发射极、集电极对应于电路板上的Ｅ、Ｂ、Ｃ)。Ｃ.三极是个怕热的元器件，在焊接时注意防止烙铁的温度过高而损坏。

现场所有的学员提问（大约４分钟）：

（１）三极管为什么是一个怕热的元器件？

（２）如果焊接时温度过高三极管会有什么样的影响？

（３）二极管、三极管在制造工艺上有什么区别？

（４）制造一只三极管需要多少时间和哪些工艺？

（５）在使用三极管时要意哪些安全？

（６）不同的外形与封装形式在制造工艺上和材料上都有什么样的区别？八、课堂总结（需５分钟）

１．每组成员派一个学员上台来总结，（围绕本节课所研讨的内容，围绕本组所讨论的内容简单的进行总结，在大白板上以图片的形式展示出来）。

外形与二极管联系内部结构使用与维护

2. 主讲教师总结(简单、明了的进行总结、需１分钟)

九、课堂评介（需５分钟）（运用“小圆点投票”办法……）

让全体学员参与本次课堂的评价，评出哪一组讨论的最激烈，哪一组的代表发言最生动，全体学员以彩色小圆点的方式在大白板上投票来进行评价，最终以小圆点最多的小组或个人（小老师）为优秀学员。

十、课后作业（需２分钟）

１．第一组、第二组的成员下来调查厂家制造一只三极管需要经过哪些工序和多长时间？（下一节上课时每一组派一位代表上台来发言，把调查的结果告诉给大家）。

２．第二组、第三组的成员下来调查市场上一只普通三极管、大功率三极管需要多少钱？全校所有电子班损坏一只三极管将消耗我校实习费用的开支？（下一节上课时每一组派一位代表上台来发言，把调查的结果告诉给大家）。

十一、本节课结束

（全文3387字——图表所占面积计算成字数在内）

三极管替换及常用开关三极管

三极管替换及常用开关三极管 三极管替换及常用开关三极管 gaost 发表于2009-5-4 8:44:00 8 推荐 一、三极管的类型及材料 初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作(工作总结)时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。 三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作(工作总结)时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作(工作总结)性能。 2. BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。 3. PCM是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作(工作总结)时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作(工作总结)，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。 4. 特征频率fT。随着工作(工作总结)频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。 三、一般小功率三极管的选用 小功率三极管在电子电路中的应用最多。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作(工作总结)频率大概是多少。如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右；电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右；UHF 频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作(工作总结)频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz，

电子技术实验课教学案例

电子技术实验课教学案例 引言： 模拟电子技术基础是电子技术应用专业的一门核心课程，也是电子信息类专业整个知识和能力体系的重要支柱之一，由于教学内容存在基本概念抽象，知识点分散，分析方法多样，器件和电路类型复杂等问题，加上学生学习基础较差，理解能力较弱，学生学习兴趣不高，教学效率不高，教学效果欠佳。围绕任何处理号教和学的关系，笔者尝试从淡化理论教学，加强实践（试验）教学入手，激发学生学习兴趣，增强教学的互动性，从而提高教学效果。 背景 按照教学计划的安排，第四周应该进行固定偏置式三极管放大电路的静态与动态工作过程的观察这个实验。这个实验的目的主要是结合理论知识，用仪器和仪表去测量电路的静态工作点和对比观察输入输出波形的大小和相位关系，验证理论教学的正确性。授课对象是五年制高职三年级学生，53人，男女生几乎各占一半。由于理论教学任务完成得较好，课前布置了学生预习实验内容，笔者估计这次实验应该能够顺利完成。 问题 可是，等到学生实验正式开始后，很多意想不到的事情发生了，教师的教学组织受到了很大的干扰，致使实验教学受到了很大的影响。 教学课程 教师：今天，我们在实验室上课，同学们分组做实验，研究固定偏置式三极管放大电路的静态与动态工作过程，课前布置了大家预习，相信大家对实验的过程，所有仪器，仪表的使用和操作已经有了比较全面的认识，我在教师台再把一些关键词强调一下。 学生：部分学生点头表示明白，小部分学生低头在摆弄实验教材。 教师：在实验台上接搭号电路，提醒大家注意：本次实验原理难度并不大，但测量项目较多，仪器仪表的接线也比较复杂，请务必注意测量放大电路的静态工作点时，万用表测量项目和量程的装换，红黑表笔极性要注意，不然很容易造成万用表损坏，影响实验的正常进行，信号发生器，示波器首先按照要求调试号，接线关系要弄清楚，正确接入电路，不然看不到波形，实验无法成功，也就无法对理论教学进行验证了。 学生：有的在思考老师讲的话，有的在小声议论，有的用万用表测量自身电阻大小。

三极管的识别检测教学方案计划设计

《三极管的识别和检测》 教 学 设 计

江苏省靖江中等专业学校 教学设计思想 对于高职院校五年制大专电子专业的学生来讲，《电子产品的装配与调试》是一门理论与实践紧密结合的课程。这门功课是学生通向就业之路的大门，也是电子类学生必须掌握的一门专业技能课。 《电子产品的装配与调试》在专业学习中占据了比较重要的地位，但是它也是很多学生学习的难点。传统的授课方式无法满足学生的学习需要，实践性强是这门功课最显著的特点，因此，如何改变传统教学模式，围绕教、学、做为一体，项目式、一体化教学一直是我们探索和实践的方向。下面我通过三极管的识别和检测这一教学章节的具体教学实践，具体阐述我的教学思想和方案。 教学思想：采用项目引领，任务驱动的模式，通过任务驱动和教师引导让学生自主学习动手参与。 一、以“情境聚焦”激发学习兴趣 学生的学习兴趣是学生学习的动力，也是学好一门功课的基础。对于一门比较枯燥的专业课来讲，如何激发学生的学习兴趣至关重要。在设计这节课的教学环节时，所

有任务的提出都采用“情境聚焦”的方式，例如：由音乐门铃引出三极管，由实物、图片引出认识三极管。通过我们日常生活中常见的现象引出课题，同时在授课过程中多采用多媒体教学手段，以播放视频、动画等方式让学生集中注意力，这样就可以把学生的学习兴趣激发出来，让他们带着热情去了解枯燥的知识点。 二、以“项目总结”梳理学习要点 这节课的教学过程总共提出了三个学习任务及拓展任务，在每个教学环节结束，我都会根据学生看一看、听一听和做一做等学习步骤得出的结论进一步进行总结和归纳，形成学习要点。学生要做的就是掌握这些知识点并把这些知识点应用到具体的实践操作中去。 三、以“思考实践”巩固学习效果 做中学，教中做，教、做、学一体式本堂课的主要教学特点。课堂中，老师把大量的教学内容用提问的方式给出，引发学生思考，引导他们自己寻求答案，而老师只需要把他们的答案进行系统的总结归纳。学习效果的巩固则依靠操作过程来完成，真正使学生做到融学于做。 教学方案

半导体三极管的工作原理(精)

半导体三极管的工作原理 半导体三极管的工作原理 PNP 型半导体三极管和NPN 型半导体三极管的基本工作原理完全一样，下面以NPN 型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程，进而介绍它的工作原理。半导体三极管常用的连接电路如图15-3 (a) 所示。半导体三极管内部的电流传输过程如图15-3 (b) 所示。半导体三极管中的电流传 输可分为三个阶段。 1 发射区向基区发射电子 电源接通后，发射结为正向连接。在正向电场作用下，发射区的多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此，发射区的电子很容易在外电场的作用下越过发射结进入基区，形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然，基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射 区，形成空穴电流IEP。但由于基区的杂质浓度很低，与从发射区来的电子流相比， IEP可以忽略不计，所以发射极电流为: 2. 电子在基区中的扩散与复合 从发射区扩散到基区的电子到达基区后，由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大，靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。在扩散过程中，电子有可能与基区的空六相遇而复合，基极电源、EB不断提供空穴，这就形成了

基极电流IBN 。由于基区很薄，而空穴浓度低，电子与空穴复合的机会很少，大部分电子继续向集电区扩散。此外，半导体三极管工作时，集电结为反向连接，在反向电场作用下，基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c 因基区载流子很少.电子更少，故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。漂移运动形成的电流ICBO的数值很小，而且与 外加电场的大小关系不大，它被称为集电极反向饱和电流因此，基极电流为 3. 集电极电流的形成 由于集电结加的是反向电场，经过基区继续向集电区方向扩散的电子是逆电场方向的，所以受到拉力，加速流向集电区.形成电子流ICN 。如果考 虑集电极饱和电流ICBO的影响，集电极电流应为: 从半导体三极管外电路看，流入管子的电流必须等于流出的电流，所以 从半导体三极管电流传输过程中可以看出，集电极电流IC很大，而基极电流IB 很小。另外，由于三极管本身的结构已定，所以IC和IB在相当大 的一个范围内总存在一个固定的比例关系，即 其中β表示IC与IB的关系.称为共发射极的直流放大系数，β大于1 ，一般为20 -200 。 由于IC和IB存在一定的比例关系，而且IE=lC+IB，所以半导体三极管起着一种电流分配器的作用，即把发射极电流IE 按一定的分配关系分成I C和IB。IC远大于IB 。因存在这种分配关系，所以只要使IB略有增加， IC就会增加很多，这就起到了放大作用。

课题三(三极管)

《电子技术》培训项目 培训课题4 半导体三极管的识别与检测 1、培训目的和任务 ⑴、了解三极管的类型及型号。 ⑵、会用万用表识别三极管的极性。 2、培训课时：10课时 3、培训原理和技术 晶体三极管是应用最广的电子器件之一，它有NPN和PNP两种类型。材料上分为Ce和Si，但是其检测方法基本一致。 型号及外观的识别 第一部分为3，代表三极管，第二部分是A、B、C、D等字母，表示材料和特性，由此便可知其材料和类型。 如：3AX32 3BX75 锗材料 3CG25 3DG75 硅材料 封装形式有两种：塑料和金属封装 塑料封装一般都为低频三极管，金属封装的都为高频三极管。 4、培训仪器和器材 指针式万用表一只 数字万用表一只

不同型号的三极管若干 5、培训内容和步骤 用数字万用表二极管档测量晶体三极管，判断管型方法： （1）先找b(基极)，测2次，2次都导通就为b，如果正（红）表笔接的为b，且是NPN型三极管；如果是负（黑）表笔接的为b，是PNP 型三极管。如果显示是0.4V（400mv）以上为硅材料，0.4V以下为锗。（2）找e（发射极），c（集电极），仔细对比基极和其它两个引脚之间的两次电压大小，电压大的一次为e脚，PNP型（负）黑表笔接的为B,NPN型（正）红表笔接的为B。 ⑴、根据测量所得相关数据，说明硅材料和锗材料三极管其正反向电

⑵、测试数据 6、考核评价 （1）三极管的读识法：（15分）（2）读法：（20分） （3）元件的读识：（20分）（4）万用表测试元件：（20分）

（5）操作总体效果：（15分）（6）使用设备和工具：（10分）

常用开关管对照

常用开关管、场管、IC参数、国内外相似替换型号 分类:液晶屏维修实例 2009.7.9 12:15 作者：龙哥 | 评论：0 | 阅读：0 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 N PN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD177 2 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538 2SC4633 1500V,0.03A,7W 2SC4451,2SC4576 NPN 2SC4686A 1500V,0.05A,10W 2SC4578 NPN 2SC4833 500V,5A,35W BUT11AF,2SC3310,2SC3570,2SC4026 NPN 2SC4054,2SC4160,2SC4073,2SC4371 2SC4834 500V,8A,45W BU306F,BUT12AF,2SC3626,2SC4130, NPN

半导体三极管——教学设计

半导体三极管——教学设计 一、教学目标 1、知识与技能： （1）知道半导体三极管的内部结构及类型； （2）了解半导体三极管的工作过程； （3）知道半导体三极管的三种工作状态并能分析简单的电路。 2、过程与方法： 培养学生自主、探究学习的能力。 3、情感态度价值观： 培养学生善于发现，仔细观察，勤于动脑，感受技术魅力。 二、教学方法 讲授法、讨论法 三、教学重点 三极管的三种工作状态 四、教学难点 三极管的内部工作原理 五、学情分析 学生在这之前学习过二极管，知道二极管的单向导电性，正向偏置与反向偏置的区别，也知道二极管的导通压降。但是对二极管的内部结构原理没有做深入的了解。所以学生对二极管尤其是三极管是非常陌生的，可以说重来没有接触过，所以在学习的过程中难免有惧怕的心理。而我上课的班级据我了解基础比较薄弱。所以在进行教学设计的难度必须要有所把控。 六、教学过程 1、引入 展示如图所示的电路图，让学生找图中一共有几种类型不同的电子元器件？考察学生的观察力 继续询问学生认识其中的哪几种？引出这堂课的主角——半导体三极管 2、正课 （1）回顾

二极管的相关知识：二极管的符号、单向导电性、导通压降、正向偏置、反向偏置等，最后指出二极管是由一个PN结，两个电极和管壳组成。导出三极管的内部结构。 （2）三极管的内部结构的介绍来总结三极管的特点 推出另一种三极管PNP，让学生观察二者的区别，进一步总结三极管的特点 （3）重点讲解三极管的三种工作状态 1、截止状态 2、放大状态 3、饱和状态 以NPN为例，从表面上看三极管可以简单的看出两个背靠背的二极管，但它并不具备放大功能，三级管若要实现放大功能，必须从三极管的内部结构和外部所加的电源极性来保证。

1.2半导体三极管教案

课题名称半导体三极管 授课时 间 授课班级授课地 点 第课 时 教学目标知识与能力目标： 1、掌握三极管的结构、分类、符号和基本联接方式； 2、理解三极管的电流放大作用； 3、掌握三极管的特性曲线及主要参数。 方法与过程目标： 在教师的任务布置、引导、实验演示、实物展示及知识提炼的教学模式下，学生通过自主学习、小组合作学习、完成练习、观察及思考总结，完成本节知识的学习。 情感态度与价值观目标： 1、通过自学培养学生的自主学习能力； 2、通过小组合作学习培养学生相互之间团结协作的精神。 教 学重点1、三极管的结构和电流放大作用； 2、三极管的输入输出特性曲线。 教 学难点1、三极管的电流放大作用； 2、三极管的三种工作状态判别。 教 学准备 PPT 、三极管的三种基本联接方式、输入输出特性的视频、Multisim仿真图、同步练 教 学 资 源 课件、书本、教学视频、Multisim仿真软件 教 学 文 件 同步练 实施阶段： 教 学过程教学内容 教学 方法 教师 活动 学生 活动 时间 分配 学习情 在我们日常生活中用到的喇叭、音响、扩音器等， 起到声音放大作用的设备，其核心元件就是今天我们 要认识的新朋友——三极管，它也是半导体材料所制 成的，那么，我们就来认识一下它的外形结构、符号 情境 导入 展示 相关 设备 听 讲、 思考 3′

境及相关特点。图片 并导 入讲 解任务一：半导体三极管基础知识 定向自学1、知道三极管的结构、符号、分类； 2、知道三极管的电流分配关系和电流放大作用； 3、知道三极管的基本联接方式。 读书 指导 法 布置 任务 巡视 指导 自学 完成 相应 练习 15′ 初 步检测自学书本第10-13页，完成同步练习【任务一】中的1、2、3、5题。 精心点拨一、半导体三极管的基本结构与分类 1、基本结构、符号 三区：发射区、基区、集电区。 三极：发射极E、基极B、集电极C。 两结：发射结、集电结。 实际上发射极箭头方向就是发射结正向电流方 向。 注：（1）发射区掺杂浓度较大，利于发射载流子 （2）基区很薄，掺杂少，易于载流子通过。 （3）集电区比发射区体积大且掺杂少，利于收集载 流子。 2、分类：NPN管（一般为硅管）和PNP管（一般为锗 管） 二、三极管的电流放大作用 请观察如下实验，并在下表中记录数据 讲授 法 实物 展示 法 问答 法 练习 法 拿出 实物 进行 讲解 并提 问， 引导 学生 回答 在黑 板上 画出 三极 管的 符号 并特 别强 调发 射极 箭头 的朝 向， 布置 学生 在草 稿纸 上画 边观 察边 听 讲， 回答 问题 并做 记录 边听 讲边 在草 稿纸 上跟 随老 师画 三极 管的 符号 观察 实验 并记 17′

《万用表判断三极管的电极》教学设计

《万用表判断三极管的电极》教学设计 一、教学目的 1、熟练掌握用万用表判断三极管的类别 2、熟练掌握用万用表判断三极管的电极 二、教学重点 三极管基极、集电极、发射极的判别 三、教学难点 三极管集电极、发射极的判别 四、教学方法 本节课采用探究式教学的方法。从三极管的构造入手。启发、引导学生一起分析、并总结出用万用表判断三极管的类别和电极的方法。然后教师通过视频展示台做示范动作，学生感性学习如何判断三极管的电极。最后学生分组训练、老师巡回辅导，依据注意事项纠正学生的操作动作。老师的辅导以讲清几个注意事项为主，分析在实际测量中常出现的问题。学生通过引导、思考、练习最终掌握用万用表判断三极管的电极的基本技能，为以后实践维修打下一定的技能基础。 四、教学工具 幻灯片视频展示台 MF47型万用表三极管若干 五、教学课时 一课时

六、教学步骤和内容 1、三极管类别及基极的判断 ●理论依据 ●NPN型三极管基极到发射极和基极到集电极均为PN结的正向 阻值 ●PNP型三极管基极到发射极和基极到集电极均为PN结的反向 阻值 ●判断方法 ●将万用表欧姆档拨至R×1K档的位置，用黑表笔接三极管的 某一极，再用红表笔分别去接触另外两个电极，直至出现测得的两个电阻都很小并验证PN结时，黑表笔所接的电极是三极管的基极，并且三极管为NPN型三极管。当测的两个电阻值 都很大并验证PN结时，黑表笔所接的是基极，三极管为PNP 型三极管。 2、三极管集电极和发射极的判断 ●理论依据 ●三极管处于放大状态的条件：发射结正偏，集电结反偏 ●判断方法 ●确定基极以后，假定其余的两个电极中的一个是集电极，将黑 表笔接到此电极，红表笔接到假设的发射极上。用手指把假设的集电极和已读出的基极捏起来。看表针指示，并记下来此阻值的读数。然后再作相反的假设，作同样的测试并记下此阻值

谈谈三极管的开关功能

谈谈三极管的开关功能 三极管的工作机理本质上就是通过be之间的电流来控制ce之间的电流。所以b极叫基极也叫控制极。本科生们关于三极管的一个粗糙的印象是三极管有放大作用，至于放大什么东西，可能有相当一部分人也含糊不清。我们这里说的放大，当然是指be间的电流来控制gemfield倍于它的流经ce之间的电流，这个gemfield，通常是100左右。形象的说，Ic就是将Ib放大100倍所得的电流。 三极管的工作有三种状态，即截止状态、线性放大状态、饱和状态。其实我本人是非常不喜欢这三个名字的。只是另起炉灶的话，会浪费更多的精力，也就罢了。不过深刻了解了这三种工作状态，以后便可以真正做到胸有成竹，从而看透电路中万变不离其宗的三级管用法。 那就先说截止状态吧。在描述三极管工作条件时，经常会蹦出正偏或者反偏这类词语，比如集电结反偏。这些词语也是令我很讨厌的一类词语，仿佛就是一个个骗子，将初始时我们对于森林的好奇最终引向了弥漫着雾气的杂草丛生的沼泽地带。所以我先费些笔墨来解释一下这个词语。所谓正偏，即两极间加的电压与PN结的导通方向一致，如本例中的2n5550 安森美NPN硅管，对于b、e构成的发射结来说，b极电位高于e极电位，就叫发射结正偏，相反则叫反偏！而对于b、c构成的集电结来说，b极电位高于c极电位，就叫集电结正偏，相反就叫反偏。 那么这个2n5550三极管什么时候处于截止状态呢？我们说当我们打开三极管的钥匙——be间的电压，有一个开启的电压，大约在0.5到0.6v之间。注意是b比e高0.5到0.6v，也就是说当b的电位比e 的电位高不出这个电压时，比如是0.4v或者0.1v或者-0.1v，我们就说三极管陷入了截止状态。这个时候，从c流向e的电流很小——只有1微安以下，因为我们还不具备开启三极管的钥匙。在multisim 10的电路仿真中，当ce间的电压为5v，Vbe钥匙电压为0.4v时，流经ce电流（Ic）为800多纳安。ce之间5v 这个还算可以的电压才仅仅产生了Ic纳安级渺小的电流。只能说ce间的电阻太大了。所以说，这个时候的ce间电阻很大，我们把它近似于开路。 所以对截止状态做个总结时，我们就说当be这把开启钥匙没有达到开启电压时（0.5到0.6）时，ce开路。这时的三极管你可以说它是装饰物，也可以说它是石头，甚至你把它从电路中拿走也没关系。这就是第一个我们要阐述的三极管的官员状态——我在休息，什么也不做。 不过不幸的是，下面还有一大段话要啰嗦。这些谆谆教诲对于三极管的任意一种工作状态都是适用的： 截止状态也不是说因为不用工作，所以就没有什么参数限制了。这是不对的，就像官员上班时间也在休息，甚至都有人在打麻将，ok，这是没关系的，反正也不会丢掉乌纱帽。但你不能放火烧房子，这个就不行了。同样，三极管在be的电位差不足前面提到的那个钥匙电压时不工作，但是be之间的电位差也不能太低了。比如，是一个很大的负值，这就是说e的电位反而比b的电位高很多。我们都知道三极管的be之间像一个pn结，那么毫无疑问也有一个反向耐压值。所以这块儿也有一个这样的值，就是说发射极的电位不能比基极高出那么多的一个值，是多少呢？对于2N5550来说，是6v，也就是说当Vbe<-6v时，三极管的发射结可能会被反向击穿。

三极管的特性曲线

三极管的特性曲线 教学目标: 掌握共射级三极管的输入、输出特性曲线 掌握三极管输出特性曲线的分区及各区的特点 会判断三极管的工作状态 教学重点： 三极管输出特性曲线的分区及各区的特点 教学难点： 三极管的工作状态的判断 教学方法： 讲授、分析、练习法 教学过程： 一、新课引入 三极管在电路应用时，有三种组态（连接方式），以基极为公共端的共基极组态、以发射极为公共端的共发射极组态和以集电极为公共端的共集电极组态，如图所示。 共发射极 共集电极 共基极 由于三极管的接地方式不同，三极管的伏安特性也不同，其中共发射极（简称共射）特性曲线是最常用的。 u i

二、新课讲授 1．共射输入特性曲线 当U CE 为某一定值时，基极电流i B 和发射结电压 u BE 之间的关系曲线入下图所示。 当U CE =0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相似，存在死区电压U on （也称开启电压），硅管U on ≈0.5V ，锗管约0.1V 。只有当U BE 大于U on 时，基极电流i B 才会上升，三极管正常导通。硅管导通电压约0.7V ，锗管约0.3V 。 随着U CE 的增大输入特性曲线右移，但当U CE 超过一定数值（U CE >1）后，曲线不再明显右移而基本重合。 2．共射输出特性曲线 在基极电流I B 为一常量的情况下，集电极电流i C 和管压降u CE 之间的关系曲线入下图所示。 BE 0 40 输入特性曲线

1）截止区 I B =0曲线以下的区域称为截止区。 2）饱和区 u CE 较小的区域称为饱和区。三极管饱和时的u CE 值称为饱和电压降U CES ，小功率硅管约为0.3V ，锗管约为0.1V 。 3）放大区 一族与横轴平行的曲线，且各条曲线距离近似相等的区域称为放大区。此时，表现出三极管放大时的两个特性：①电流受控，即Δi C =βΔi B ；②恒流特性，只要I B 一定，i C 基本不随u CE 变化而变化。 例：如图说示是某三极管的输出特性曲线，从曲线上可以大致确定该三极管在U CE =6.5V ，I B =60μA （b 点）附近的β和β值。 解：在图示的输出特性曲线上作U CE =6.5V 的垂线，与I B =60μA 的 输出特性曲线交于 b 点，由此可得该点对应的4160 105.23 B C =?= =I I β 4020 10)7.15.2(3 B C =?-=??=i i β

识别检测晶体三极管(公开课教案)

电子技术基础公开课教案 授课课题：识别、检测晶体三极管 授课时数：1课时 【教学目标】 1、使出学生掌握电子元器件的有关知识； 2、培养学生综合运用万用表检测三极管的能力。 【教学重点】 1、三极管类型和三个极极性检测。 【教学难点】 1、晶体三极管的三个极极性检测。 【教学准备】 各电子元器件若干、指针式万用表。 【教学方法】 教法：分组教学，教师讲解演示。 学法：学生实际操作。 【复习导入】： 任务一：三极管的类型和结构： 按两个PN结组合方式不同，三极管可分为PNP型、NPN型两类。如果边是N区，中间夹着P区，就称为NPN型三极管；反之，则称为PNP型三管。如图所示。 【新课内容】： 任务二：三极管的检测 1、三极管基极判断

万用表置于R×1k挡。用万用表的第一根表笔依次接三极管的一个引脚，而第二根表笔分别接另两根引脚，以测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当第一根表笔接某电极，而第二根表笔先后接触另外两个电极均测得较小电阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。 2、三极管类型判断 如果接基极b的第一根表笔是红表笔，则可判定三极管为PNP型；如果是黑表笔接基极b，则可判定三极管为NPN型。 3、判别几点几和发射极 当基极b确定后，可再接着判别发射极e和集电极c。若是NPN型管，可将万用表的黑表笔和红表笔分别接触两个待定的电极，然后用手捏紧黑表笔和b 极（不能将两级短路，即相当于接一电阻），观察表针摆动幅度。然后将黑、红表笔对调，按上述方法重测一次。比较两次表针摆动幅度，摆动较大的一次黑表笔所接的为c极，红表笔接的为e极。 【小结】： 本次课主要是学习掌握使用万用表检测晶体三极管的极性及类别。 【布置作业】 反复练习，能熟练掌握使用万用表检测晶体三极管的极性及类别的方法。【课后反思】

三极管和MOS管做开关用时的区别

三极管和MOS管做开关用时的区别 ?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 ?（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

三极管及放大电路基础教案..

第2章三极管及放大电路基础 【课题】 2.1 三极管 【教学目的】 1．掌握三极管结构特点、类型和电路符号。 2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．理解三极管的三种工作状态的特点，并会判断三极管所处的工作状态。 4．理解三极管的主要参数的含义。 【教学重点】 1．三极管结构特点、类型和电路符号。 2．三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．三极管的三种工作状态及特点。 【教学难点】 1．三极管的电流分配关系和对电流放大作用的理解。 2．三极管工作在放大状态时的条件。 3．三极管的主要参数的含义。 【教学参考学时】 2学时 【教学方法】 讲授法、分组讨论法 【教学过程】 一、引入新课 搭建一个简单的三极管基本放大电路，通过对放大电路输入信号及输出信号的测试，引导学生认识三极管，并知道三极管能放大信号，为后续的学习打下基础。 二、讲授新课 2.1.1 三极管的基本结构 三极管是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结构成的。 两个PN结把整块半导体基片分成三部分，中间部分是基区，两侧部分分别是发射区和集电区，排列方式有NPN和PNP两种， 2.1.2 三极管的电流放大特性 三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，这就是三极管的电

流放大特性。 要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。 三极管三个电极的电流(基极电流B I 、集电极电流C I 、发射极电流E I )之间的关系为： C B E I I I +=、B C I I = --β、B C I I ??=β 2.1.3 三极管的特性曲线 三极管外部各极电流与极间电压之间的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极之间的电压CE V 为定值时，输入回路中的基极电流B I 与加在基-射极间的电压BE V 之间的关系曲线。 三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，也存在一段死区。 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流B I 为定值时，输出电路中集电极电流C I 与集-射极间的电压CE V 之间的关系曲线。B I 不同，对应的输出特性曲线也不同。 截止区：0=B I 曲线以下的区域。此时，发射结处于反偏或零偏状态，集电结处于反偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于断开状态。 饱和区：曲线上升和弯曲部分的区域。此时，发射结和集电结均处于正偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于闭合状态。 放大区：曲线中接近水平部分的区域。此时，发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流放大作用。 2.1.4 三极管的主要参数 1. 性能参数：电流放大系数- -β、β，集电极-基极反向饱和电流CBO I ，集电极-发射极反向饱和电流CEO I 。 2. 极限参数：集电极最大允许电流CM I 、集电极-发射极反向击穿电压CEO BR V )(、集电极最大允许耗散功率CM P 。

三极管基础知识练习(3)教学文案

三极管基础知识练习 (3)

晶体三极管与单级低频小信号放大器章节练习（2015.6） 一、判断题（对的打“√”，错的打“×”） 1、为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压； （） 2、无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位；（） 3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用；（） 4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化；（） 5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小；（） 6、对于NPN型三极管，当V BE ﹥0时，V BE ﹥V CE ，则该管的工作状态是饱和状态；（） 7、已知某三极管的发射极电流I E ＝1.36mA，集电极电流I C ＝1.33mA，则基极电流I B ＝30μ A；（） 8、某三极管的I B ＝10μA时，I C ＝0.44mA；当I B ＝20μA时，I C ＝0.89mA，则它的电流放大系 数β＝45； 9、三极管无论工作在何种工作状态，电流I E ＝I B ＋I C ＝（1＋β）I B 总是成立；（） 10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换；（） 11、三极管是一种电流控制器件；（） 12、同一只三极管的β和 数值上很接近，在应用时可相互代替；（） 13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相；（） 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大，是由于三极管提供了较大的输出信号能量；（）

15、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响； （ ） 16、在单管放大电路中，若V G 不变，只要改变集电极电阻R C 的值 就可改变集电极电流I C 的值；（ ） 17、三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态工作点，交流分量用来表示信号的变化情况；（ ） 二、选择题 1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V ， 则该三极管是 （ ） A ．硅材料的NPN 管 B ．硅材料的PNP 管 C ．锗材料的NPN 管 D ．锗材料的PNP 管 3、三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（ ） A ．发射结为反向偏置 B ．集电结为正向偏置 C ．始终工作在放大区 4、在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压可表示为（ ） A ．0c c v i R = B ．0c c v i R =- C ．0c c v I R = D ．0c c v I R =- 5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则a 、b 、c 三个电极分别为( ) A 、集电极、发射极、基极 B 、集电极、基极、发射极 C 、发射极、集电极、基极 D 、基极、集电极、发射极 6、采用分压式偏置电路可以（ ）。

晶体二极管的特性与检测教案

晶体二极管的特性与检测教案 松江区劳技中心丁珏 一、教学目标： 知识与技能 1、知道晶体二极管的特性、符号和种类； 2、学会用万用表判断整流二极管的极性、发光二极管的好坏。 过程与方法 1、自主探究发现整流二极管的特性； 2、学生在熟练运用万用表的基础上，通过自主探究学习，对整流二极管进行极性判断，对发光二极管进行筛选。 3、在掌握有关知识点技能的基础上，通过拓展探究第二种判断极性的方法。情感态度与价值观 通过晶体二极管的检测，感悟团结协作、主动探究的乐趣。 三、教学重点： 通过自主探究，让学生发现整流二极管的单向导电性，确定判断极性的方法。 四、教学难点： 对二极管单向导电性的理解 五、教学用具： 多媒体设备、万用表、整流二极管、发光二极管、电池夹。 六、教学步骤：

文字符号（V） 图形符号 该图中的箭头表示电流的允许 通过的方向。 2、内部结构： 由P型半导体和N型半导体组成，中间是PN结 3、主要分类：教师介绍（1）整流二极管：用于整流电路，将交流电变成直流电；（2）发光二极管：用于指示灯（3）光电二极管：将光信号转变为电信号的一种电子器件。（4）稳压二极管：稳定电压。 4、整流二极管特性与检测：（1）、特性：教师提出具体要求引导学生主动探究 引导：通过观察二次指针情况，能得出什么结论？ （2）、极性判断 教师提出具体要求引导学生主 动探究 引导：根据特性和红黑棒上电流的流向，如何判断极性？ 初步了解 联系生活中的二极管 进行思考 主动探究寻找并总结 特性：单向导电性： （即电流只能从二极 管的正极流向负极） 交流探究设计判断极 性 结论：当电路导通时， 与黑表棒相连接的是 二极管的正极。 学生活动 表达及意义 知道分类及 日常的应用 引导学生自 主探究的能 力，初立探 究意识 提高学生自 主探究的能 力 达成目标 步骤

三极管开关电路分析

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图1 基本的三极管开关 因此，基极电流最少应为： ( 流值。由于基极回路只是一个电阻和基射极接面的串联电路，故 (

为了避免混淆起见，本文所介绍的三极管开关均采用NPN三极管，当然NPN三极管亦可以被当作开关来使用，只是比较不常见罢了。 例题1 试解释出在图2的开关电路中，欲使开关闭合(三极管饱和) 所须的输入电压为何﹖并解释出此时之负载电流与基极电流值﹖ 解﹕由2式可知，在饱和状态下，所有的供电电压完全跨降于负载电阻上，因此 由方程式 (1) 可知 因此输入电压可由下式求得﹕ 图2 用三极管做为灯泡开关 由例题得知，欲利用三极管开关来控制大到1.5A的负载电流之启闭动作，只须要利用甚小的控制电压和电流即可。此外，三极管虽然流过大电流，却不须要装上散热片，因为当负载电流流过时，三极管呈饱和状态，其VCE趋近于零，所以其电流和电压相乘的功率之非常小，根本不须要散热片。 二、三极管开关与机械式开关的比较 截至目前为止，我们都假设当三极管开关导通时，其基极与射极之间是完全短路的。事实并非如此，没有任何三极管可以完全短路而使VCE=0，大多数的小信号硅质三极管在饱和时，VCE(饱和) 值约为0.2伏特，纵使是专为开关应用而设计的交换三极管，其VCE(饱和) 值顶多也只能低到0.1伏特左右，而且负载电流一高，VCE(饱和) 值还会有些许的上升现象，虽然对大多数的分析计算而言，VCE(饱和) 值可以不予考虑，但是在测试交换电路时，必须明白VCE(饱和) 值并非真的是0。 虽然VCE(饱和)的电压很小，本身微不足道，但是若将几个三极管开关串接起来，其总和的压降效应就很可观了， 不幸的是机械式的开关经常是采用串接的方式来工作的，如图3(a)所示，三极管开关无法模拟机械式开关的等效电 路(如图3(b)所示)来工作，这是三极管开关的一大缺点。表 步进电机控制工作原理 直流电机的PWM冲调速控制技术 消除按键抖动电路 伺服电机工作原理LED驱动原理

半导体三极管及其基本电路试题及标准答案

第二章半导体三极管及其基本电路 一、填空题 1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。 2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。 3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时， 与之间的关系。 5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。 6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则 I B，这样可克服失真。 7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。 9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。 10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。 11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。 12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。 14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作

三极管开关电路分析及Rb计算

1.输入电压Vin，输入电阻Rin，三极管导通电压取0.6V，三极管电流放大倍数是B，输出电阻(在C极的电阻)是Rout。这样很好计算了： 5V / Rout = A， A / B = C，所以C是你最小的基极电流。 如果你的输入电压Vin也用5V，那么(5 - 0.6)/C = Rin，你就可以选Rin了，为使三极管可靠饱和，选(5 - 0.6)/Rin > C就可以了。 2.先求I先求Ic=Vc/Rc Ib=Ic/B 基极电阻Rb=(Vb-Vbe)/Ib c=Vc/Rc Ib=Ic/B 基极电阻Rb=(Vb-Vbe)/Ib 举例： 已知条件：输入Vi=5V，电源电压Vcc=5V，三极管直流放大系数beta=10. 查规格书得，集-射饱和电压Vcesat=0.2V，此时集电极电流Ic=10mA（或其它值），则集电极电阻Rc=（Vcc-Vcesat）/Ic = （5-0.2）/10 = 480 欧。 则Ib=Ic/beta=10/10=1 mA，基极限流电阻Rb=（Vi-Vbe）/Ib=（5-0.6）/1=4.4K，取为4.2K。 这时要注意，输入高电平为5V是理想情况，有可能在2.5V（输入的一半）以上就为高了，这时我们以5V输入而得到的基极电流很可能不够，因此要重新计算。以2.5V为逻辑电平的阈值来计算，则Rb==（Vi-Vbe）/Ib=（2.5-0.6）/1=1.9K，取为1.8K，或2K。 如何使三极管工作于开关状态?? 如何使三极管工作于开关状态 晶体三极管的实际开关特性决定于管子的工作状态。晶体三极管输出特性三个工作区，即截止区、放大区、饱和区,如图4.2.1(b)所示。 如果要使晶体三极管工作于开关的接通状态，就应该使之工作于饱和区； 要使晶体三极管工作于开关的断开状态，就应该使之工作于截止区，发射极电流 iE=0，这时晶体三极管处于截止状态，相当于开关断开。集电结加有反向电压，集电极电流iC=ICBO，而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时，iB并不是为0，而等于-ICBO。基极开路时，外加电源电压VCC使集电结反向偏置，发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时，晶体管并未进入截止状态，这时iE=iC =ICEO还是较大的。晶体管进入截止状态，晶体管基极与发射极之间加反向电压，这时只存在集电极反向饱和电流ICBO，iB =-ICBO，iE=0，为临界截止状态。进一步加大基极电压的绝对值，当大于VBO时，发射结处于反向偏置而截止，流过发射结的电流为反向饱和电流IEBO，这时晶体管进入截止状态iB = -(ICBO+ IEBO)，iC= ICBO。发射结外加正向电压不断升高，集电极电流不断增加。同时基极电流也增加，随着基极电流iB 的增加基极电位vB升高，而随着集电极电流iC的增加，集电极电位vC却下