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AbleBond 84-1A银胶

Able

AbleBOND

BOND84-1A(导电银胶)

F or LED Display(发光二极管)

FILLER TYPE：SILVER填充剂银

Viscosity@25℃粘度18,000cps Work Life@25℃有效日期两星期Recommended Cure Condition建议热化方式60分钟@150℃Cure Option供选择的建议热化方式10分钟@200℃Die Shear Strength(70milC)@25℃晶片推剪强度6000psi

SiAg Plated/Cu L/F矽与镀银之间铜导线架

Volume Resistively体积电阻抗0.0002ohm-cm Ionic Data离子数值

Chloride氯50ppm Sodium钠5ppm Potassium钾5ppm

Glass Transition Temperature(Tg)玻璃转换温度99℃

Coefficient of Thermal Expansion(TMA)温度膨胀系数Below Tg53ppm℃

Above Tg23ppm℃

Thermal Conductivity@121℃热传导性LIBU(ft x hr x℉) Storage Life@-40℃储存期限1年

E环氧导电银胶使用说明书

H20E环氧导电银胶使用说明书一．H20E是双组分，100%固含量银填充环氧树脂胶黏剂，专为导电粘接而设计。由于该产品具有很高的热传导率，因此它也被广泛的应用于热处理方面。H20E使用方便，可用于自动机械分配，丝网印刷，移印或手工操作。 H20E可耐受300°C到400°C的高温，并且耐湿性极佳，可达到JEDECⅢ 级、Ⅱ级的塑封耐湿要求。通泰化学。二．外观、固化及性能 Ⅰ.银色，光滑的触变性膏状 Ⅱ.固化设备可选择烘箱、加热板、隧道炉等，最低固化温度条件为：175℃/45秒或150℃/5分钟或120℃/15分钟或80℃/3小时 Ⅲ.粘度： BROOKFIELD转子粘度计设置为100rpm/23℃时,2200-3200厘泊（cps）操作时间：2.5天（通常可认为是胶黏剂粘度增加一倍所需要的时间）保质期：-40℃低温隔绝水汽，六个月~一年触变指数：3.69，（表示胶流变性能的参数，一般可认为触变指数越高，胶的流动性越低，越易维持胶体原有形态。）玻璃化温度：≥80℃ 硬度：ShoreD75 线性热膨胀系数：低于玻璃化温度时30×10-6in/in/℃ 高于玻璃化温度时158×10-6in/in/℃ 芯片粘接强度：>5kg（2mm×2mm）或1700psi 热分解温度：425℃（10%热重量损失）连续工作温度：-55℃至200℃ 间歇工作温度：-55℃至300℃ 储能模量：808,700psi 填料粒径：≤45微米体积电阻：≤0.0004欧姆-厘米热导率：2.5W/mK 产品由树脂、银粉、固化剂、稳定剂等成分按化学反应配比混合成单一组分。银粉和树脂、固化剂的密度差异比较悬殊，在液态状况下，容易导致沉淀，一般针筒包装H20E产品在解冻后需要在48小时内使用完毕，故针筒包装产品均根据使用量定单针筒包装含量。

半导体工艺流程

1清洗集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。图1-6硅片清洗工艺示意图工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2

3、扩散扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就

固晶机使用说明

固晶机使用说明一、准备工作 1、料盒（20个槽，实际只装19片支架，从第二个槽开始，杯帽朝里，杯身朝外）支架如图： 2、扩晶（扩晶机温度在40-50℃） 1）将晶圆环拆开，内圆放在扩晶机上 2）扩晶前按扩晶机红色按钮，将机器内部的残存的气体排出，防止扩晶时气压太大将芯片模顶破 3）再把芯片模放在内圆所在区域的上方，保证芯片在模上方，模的边缘的四边都在晶圆内环的外边，最边上的芯片距离内圆环要超过2个厘米。 4）盖上夹具锁住，轻按绿色按钮向上扩模到适合位置，再将外圆环放上，将最右边的按钮按住，使外圆铐住内圆，将多余的长出圆环的模用小刀裁掉

5）取出晶圆，打开锁具，清理多余的模 3、胶水（冷藏银胶取出后续要解冻到室温） 1）将银胶盘正确安装到固晶机上，将刮片螺旋刮片网上旋转至银胶盘1-2个毫米 2）确定银胶盘在转动，添加银胶，胶量自行控制，待胶添加完毕将螺旋刮片慢慢往下转至银胶盘内胶水平状态即可二、程序编辑 1）自动固晶-》上下料操作-》单上料盒（第一槽为空）-》下一格-》WHY取料位-》夹具开-》进料-》返回 2）返回学习程式，选择空的程序数字进入，输入符号确认 3）矩阵系列-》重温/修改 4）设置对点一、对点二，固晶点（先找到位置，再鼠标点击相应的按钮） ①对点一位置②对点二位置

固晶点位置 5）输入行数与列数（竖着为行横为列）设置第一点、第二点、第三点，计算矩阵 ①第一点②第二点③第三点 6）返回-》返回-》修改/重温-》多群组操作-》添加群组，设置对点一、对点二，打钩打开跟踪（先找到位置，再鼠标点击按钮） 7）返回-》返回-》重温/修改-》确认第一组群对点一对点二，固晶点位置-》下个组群对点一对点二，固晶点位置

半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)

常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）

半导体的生产工艺流程

半导体的生产工艺流程微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。一、洁净室一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一般要求至 17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与 UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔

HE环氧导电银胶使用说明书

H E环氧导电银胶使用说明书文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688]

连续工作温度：-55℃至200℃ 间歇工作温度：-55℃至300℃ 储能模量：808,700psi 填料粒径：≤45微米体积电阻：≤0.0004欧姆-厘米热导率：2.5W/mK 产品由树脂、银粉、固化剂、稳定剂等成分按化学反应配比混合成单一组分。银粉和树脂、固化剂的密度差异比较悬殊，在液态状况下，容易导致沉淀，一般针筒包装H20E 产品在解冻后需要在48小时内使用完毕，故针筒包装产品均根据使用量定单针筒包装含量。

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验第十章:高级光刻工艺第十一章:掺杂第十二章:淀积第十三章:金属淀积第十四章:工艺和器件评估第十五章:晶圆加工中的商务因素第十六章:半导体器件和集成电路的形成第十七章:集成电路的类型第十八章:封装附录:术语表

#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。目的完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。一个工业的诞生电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程0001

盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 A.晶圆封装测试工序一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electro n Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dime nsioi n Measureme nt) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic )及塑胶(plastic )两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割( die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bon d)、圭寸胶(mold )、剪切/ 成形(trim / form )、印字(mark )、电镀(plating )及检验(inspection )等。 (1) 晶片切割(die saw ) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说：以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mou nt / die bo nd ) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣( magazi ne )内，以送至下一制程进行焊线。 ⑶焊线(wire bond ) IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路( Integrated Circuit ;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械

自动点胶机操作说明

自动点胶机操作说明在当今客户需求不断变化、新技术不断涌现以及竞争力不断加剧的环境下，鑫晖德的所有员工都深切体会到服务在获取竞争优势中的重要性。因而自公司成立初期我们就建立了完善的服务体系，为用户提供高速度高精度高性能操作简单的桌面自动点胶机设备.快捷型流水线点胶机设备。点胶机：点胶机又称涂胶机，滴胶机，打胶机等，是专门对流体进行控制，并将流体点滴、涂覆于产品表面或产品内部的自动化机器。点胶机主要用于产品工艺中的胶水、油漆以及其他液体精确点、注、涂、点滴到每个产品精确位置，可以用来实现打点、画线、圆型或弧型。点胶机分类第一类：普通型点胶机 1、控制器式点胶机：包括自动点胶机、定量点胶机、半自动点胶机、数显点胶机、精密点胶机等。 2、桌面型自动点胶机设备：高性能自动点胶机设备分为 1)200MM 2)300MM 3)400MM500MM行程. 主要包括全自动点胶机设备.自动点胶机设备.台式点胶机、台式三轴点胶机、台式四轴点胶机、台式五轴点胶机、或者桌面式自动点胶机、3轴流水线点胶机、多头点胶机、多出胶口点胶机、划圆点胶机、转圈点胶机、喇叭点胶机、手机按键点胶机、机柜点胶机.电池点胶机.uv点胶机.单液点胶机.双液点胶机.AB胶点胶机.电机点胶机.LCD屏点胶机.LCD触摸屏点胶机.LED户外显示屏灌胶机.数码管灌胶机. 变压器点胶机设备锡膏点胶机设备晶体管点胶机马达点胶机摄像头点胶机晶片点胶机PvC点胶机滴塑点胶机电感点胶机cob点胶机磁芯点胶机螺丝点胶机高频头点胶机镜头点胶机芯片固定点胶机瞬干胶点胶机三维点胶机椭圆点胶机手套点胶机硅胶点胶机三防漆喷涂点胶机 LED点胶机LED喷射点胶机视觉点胶机电脑点胶机等。第二类：自动型点胶机

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结：半导体元件制造过程可分为前段（FrontEnd）制程晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、晶圆针测制程（WaferProbe）；後段（BackEnd）构装（Packaging）、测试制程（InitialTestandFinalTest）一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。二、晶圆针测制程经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型）半导体制造工艺分类二MOSIC的基本制造工艺：根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

宽禁带半导体材料和工艺设计

宽禁带半导体材料与工艺 1.1 宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。第二代半导体GaAs与Si相比除了禁带宽度增大外，其电子迁移率与电子饱和速度分别是Si的6倍和2倍，因此其器件更适合高频工作。GaAs场效应管器件还具有噪声低、效率高和线性度好的特点但相比第三代半导体GaN和SiC，它的热导率和击穿电场都不高，因此它的功率特性方面的表现不足。为了满足无线通信、雷达等应用对高频率、宽禁带、高效率、大功率器件的需要从二十世纪九十年代初开始，化合物半导体电子器件的研究重心开始转向宽禁带半导体。我们一般把禁带宽度大于2eV的半导体称为宽禁带半导体。宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。 1.2 主要的宽禁带半导体材料近年来，发展较好的宽禁带半导体材料主要是SiC和GaN，其中SiC的发展更早一些，碳化硅、氮化镓、硅以及砷化镓的一些参数如下图所示：

图1-1 半导体材料的重要参数如上图所示，SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs，相应的本征载流子浓度小于硅和砷化镓，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体材料。击穿场强和饱和热导率也远大于硅和砷化镓。 2.1 SiC材料纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。 SiC是IV-IV族二元化合物半导体，也是周期表IV族元素中唯一的一种固态化合物。构成元素是Si和C，每种原子被四个异种原子所包围,形成四面体单元(图25a)。原子间通过定向的强四面体SP3键(图25b)结合在一起，并有一定程度的极化。SiC具有很强的离子共价键，离子性对键合的贡献约占12%,决定了

银胶

银胶编辑目录 1对环境的影响? 2对环境的影响? 涂层整银胶银浆环氧银浆银胶型号及其用途说明 TeamChem Company作为世界高端电子胶粘剂的领导品牌，公司以“您身边的高端电子粘结防护专家”为服务宗旨。公司开发的导电银胶、导电银浆、贴片红胶、底部填充胶、TUFFY胶、LCM密封胶、UV胶、异方性导电胶ACP、太阳能电池导电浆料等系列电子胶粘剂具有最高的产品性价比，公司在全球拥有一百多家世界五百强客户。 TeamChem Company是全球导电银胶产品线最齐全的企业，产品涵盖高导热银胶、耐高温导电银胶、常温固化银胶、快速固化银胶、各向异性导电胶等特殊用途的导电银胶。其产品性能优异,剪切力强,流变性也很好,并且吸潮率低。应用范围涉及LED、大功率LED、LCD、TR、IC、COB、EL冷光片、显示屏、晶振、石英谐振器、太阳能电池、光伏电池、蜂鸣器、电子元器件、集成电路、电子组件、电路板组装、液晶模组、触摸屏、显示器件、照明、通讯、汽车电子、智能卡、射频识别、电子标签、太阳能电池等领域。现把公司导电银胶的型号及其用途总结如下： A6/HA6系列，触摸屏引出线专用导电银胶，具有优良的导电性和粘接性。 A7/HA7系列，特别适合用于EL冷光片和ITO玻璃。也可用于薄膜按键开关及软性线路板等他们不能耐高温导电和粘接的场合。 1对环境的影响?编辑 A6/HA6系列，双组分，A：B=1：1；特别适合薄膜太阳能电池用。电子线路的修补粘接和导电电热，如薄膜开关粘结、电极引出、跳线粘结、导线粘结、ITO粘结、电路修补、电子线路引出及射频元件的粘接、电子显微镜台上器件粘结、生物传感器、金属与金属间的粘结导电、细小空间的灌注等用途。

半导体工艺整理资料

第一章微电子工艺引论 1．硅片、芯片的概念硅片：制造电子器件的基本半导体材料硅的圆形单晶薄片芯片：由硅片生产的半导体产品 2．* 什么是微电子工业技术？微电子工业技术主要包括哪些技术？微电子工艺技术：在半导体材料芯片上采用微米级加工工艺制造微小型化电子元器件和微型化电路技术。包括超精细加工技术、薄膜生长和控制技术、高密度组装技术、过程检测和过程控制技术等 3．集成电路制造涉及的5 个大的制造阶段的内容集成电路制造阶段：硅片制备、芯片制造、芯片测试/ 拣选、装配与封装、终测 4. IC工艺前工序，IC工艺后工序，以及IC工艺辅助工序 IC工艺前工序：薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积（如溅射、蒸发）等掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术 IC工艺后工序：划片、封装、测试、老化、筛选 IC工艺辅助工序：超净厂房技术；超纯水、高纯气体制备技术；光刻掩膜版制备技术；材料准备技术 5．微芯片技术发展的主要趋势提高芯片性能（速度、功耗）提高芯片可靠性（低失效）降低芯片成本（减小特征尺寸，增加硅片面积，制造规模） 6．什么是关键尺寸（CD）？芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸特别是硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD 第二章半导体材料 1 ．本征半导体和非本征半导体的区别是什么？本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在99.999999%（8~10个9） 2 ．为何硅被选为最主要的半导体材料？硅材料：硅的丰裕度——制造成本低熔点高（1412 0C）――更宽的工艺限度和工作温度范围 SiO2的天然生成 3. GaAs相对硅的优点和缺点各是什么？优点： a）比硅更高的电子迁移率，高频微波信号响应好一一无线和高速数字通信 b）抗辐射能力强――军事和空间应用 c）电阻率大――器件隔离容易实现 d）发光二极管和激光器主要缺点 a）没有稳定的起钝化保护作用的自然氧化层 b）晶体缺陷比硅高几个数量级 c）成本高第三章圆片的制备 1．两种基本的单晶硅生产方法直拉法(CZ法)、区熔法 2．晶体缺陷根据维数可分为哪四种？ a) 点缺陷—空位、自填隙等 b) 线缺陷—位错 c) 面缺陷—层错

半导体工艺流程

集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1－6所示。图1－6硅片清洗工艺示意图工具的清洗基本采用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化热氧化是在800~1250℃高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2→SiO2

扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B 2H 6）作为N －源和磷烷（PH 3）作为P +源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH 3 → 2P + 3H 2 4、离子注入离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的基片涂胶后基片光刻胶阻挡层

5种主流射频半导体制造工艺

5种主流射频半导体制造工艺嘉兆科技 1、GaAs 半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80 %的功率增加效率(PAE: power addedefficiency)，非常的适用于高层(high tier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为MESFET 金属半导体场效应晶体管，后演变为HEMT ( 高速电子迁移率晶体管)，pHEMT( 介面应变式高电子迁移电晶体)目前则为HBT ( 异质接面双载子晶体管)。异质双极晶体管(HBT)是无需负电源的砷化镓组件，其功率密度(power density)、电流推动能力(current drive capability)与线性度(linearity)均超过FET，适合设计高功率、高效率、高线性度的微波放大器，HBT 为最佳组件的选择。而HBT 组件在相位噪声，高gm、高功率密度、崩溃电压与线性度上占优势，另外它可以单电源操作，因而简化电路设计及次系统实现的难度，十分适合于射频及中频收发模块的研制，特别是微波信号源与高线性放大器等电路。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4-6 英寸，比硅晶圆的12 英寸要小得多。磊晶圆需要特殊的机台，

半导体的生产工艺流程(精)

半导体的生产工艺流程微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining,原本就肇源于半导体组件的制程技术,所以必须先介绍清楚这类制程,以免沦于夏虫语冰的窘态。一、洁净室一般的机械加工是不需要洁净室(clean room的,因为加工分辨率在数十微米以上,远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界,空间单位都是以微米计算,因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上,便有可能影响到其上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。为此,所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中,这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级,有一公认的标准,以class 10为例,意谓在单位立方英呎的洁净室空间内,平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小,洁净度越佳,当然其造价也越昂贵(参见图2-1。为营造洁净室的环境,有专业的建造厂家,及其相关的技术与使用管理办法如下: 1、内部要保持大于一大气压的环境,以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机,将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定,大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主,尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配,使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出,都必须经过空气吹浴 (air shower 的程序,将表面粉尘先行去除。

6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源,为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣,除了眼睛部位外,均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内,工作人员几乎穿戴得像航天员一样。当然,化妆是在禁绝之内,铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外,水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water。一则防止水中粉粒污染晶圆,二则防止水中重金属离子,如钾、钠离子污染金氧半(MOS 晶体管结构之带电载子信道 (carrier channel,影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率 (resistivity 来定义好坏,一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格;为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡,才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂,其在半导体工业之使用量极为惊人! 8、洁净室所有用得到的气源,包括吹干晶圆及机台空压所需要的,都得使用氮气(98%,吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮!以上八点说明是最基本的要求,另还有污水处理、废气排放的环保问题,再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作硅晶圆 (silicon wafer 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体,显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程,大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky 拉晶法 (CZ法。拉晶时,将特定晶向 (orientation 的晶种 (seed,浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt 中,并同时旋转拉出,硅原子便依照晶种晶向,乖乖地一层层成长上去,而得出所谓的晶棒 (ingot。晶棒的阻值如果太低,代表其中导电杂质 (impurity dopant 太多,还需经过FZ 法 (floating-zone 的再结晶 (re-crystallization,将杂质逐出,提高纯度与阻值。辅拉出的晶棒,外缘像椰子树干般,外径不甚一致,需予以机械加工修边,然后以X 光绕射法,定出主切面 (primary flat 的所在,磨出该平面;再以内刃环锯,削下一片片的硅晶圆。最后经过粗磨 (lapping、化学蚀平 (chemical etching 与拋光 (polishing 等程序,得出具表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚度,与其外径有

绿光激光头GreenLaserHead使用说明书

绿光激光头（Green Laser Head）使用说明书南京长青激光 1.介绍本手册介绍如何使用基于mGreen模组，输出功率在900 mW左右的光纤耦合miniLaser绿光激光头。 2.绿光激光头的描述绿光激光头由两部分组成，一部分是808-nm半导体激光器，另一部分是mGreen模组，如图1所示，激头体积大约10 cm3，尺寸为59（长）× 12（宽）× 15（高）mm3。图1. miniLaser绿光激光头外形尺寸（仅供参考）

3.绿光激光器的组成为了驱动一台绿光激光头，我们需要一台电流源（驱动电流至少为 3 A，驱动电压约为2 V），一个半导体制冷片，带风扇的热沉，热敏电阻，导热硅脂或银胶，以及一台温度控制器电源。图2给出了一台运转的绿光激光器示意图。值得注意的是，电流源的纹波电流要小于5 mA （RMS）并具有LD保护功能；半导体制冷片的热处理能力至少为10 W；不要用手直接碰触激光头，把激光头安装在半导体制冷片上时，必须佩戴防静电腕带；绿光激光头的底部必须与半导体制冷片接触良好以保证充分散热；激光器可在连续和调制两种工作方式下运转。对于调制模式，重复频率可达2 kHz。图2 绿光激光器结构

4.操作过程请参照图2和如下步骤在半导体制冷片上安装绿光激光头。第一步：通过导热硅脂或银胶将半导体制冷片固定在热沉上。在此之前，确保半导体制冷片工作良好；第二步：通过导热硅脂或银胶将铜片和温度传感器固定在半导体制冷片上；第三步：通过导热硅脂或银胶将绿光激光头固定在铜片上。参照如下步骤驱动绿光激光器：第一步：将半导体制冷片的正负极，温度传感器的连接线同温度控制器电源连接好；第二步：将绿光激光头的正负极同电流源连接好；第三步：打开温度控制器，参照规格说明设定半导体制冷片的温度，例如22摄氏度，如果需要的话，打开风扇；第四步：打开电流源，缓慢增加绿光激光头的驱动电流到最大值，可参照规格说明，如3 A。第五步：在预热1-3分钟后，测量绿光输出功率；第六步：精确调节绿光激光器工作温度以获得最大输出功率；第七步：测试绿光激光器性能，包括各种测量，如功率，光斑尺寸，光束质量，发散角，稳定性等；第八步：缓慢降低绿光激光器驱动电流至零，之后关掉电流源；第九步：关掉温度控制器和风扇电源。

半导体工艺要点精

半导体工艺要点 1、什么是集成电路通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能 2、集成电路设计与制造的主要流程框架设计-掩模板-芯片制造-芯片功能检测-封装-测试 3、集成电路发展的特点特征尺寸越来越小硅圆片尺寸越来越大芯片集成度越来越大时钟速度越来越高电源电压/单位功耗越来越低布线层数/I/0引脚越来越多 4、摩尔定律集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸(多晶硅栅长)倍，这就是摩尔定 5、集成电路分类 6、半导体公司中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）上海华虹(集团)有限公司上海先进半导体制造有限公司

台积电(上海)有限公司上海宏力半导体制造有限公司 TI 美国德州仪器 7、直拉法生长单晶硅直拉法法是在盛有熔硅或锗的坩埚内，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制温度场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，晶体便在籽晶下按籽晶的方向长大。 1.籽晶熔接: 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击 2.引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引晶”，又称“下种”。“缩颈”是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm 3.放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。在放肩时可判别晶体是否是单晶，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征—棱的出现可帮助我们判别，<111>方向应有对称三条棱，<100>方向有对称的四条棱。 4.等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。 5.收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。

半导体工艺学

请回答以下问题：题目：（1）请回答以下几个概念：【20分】（1）场区、（2）有源区、（3）键合、（4）负载效应、（5）钝化。题目：（2）集成电路工艺主要分为哪几大部分，每一部分中包括哪些主要工艺、并简述各工艺的主要作用。【20分】题目：（3）在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰植和热电子效应!请详尽解释其原理!【15分】题目：（4）在电极形成或布线工艺中,用到金属Ti,请详尽说明金属Ti的特性、金属Ti 的相关工艺、以及金属Ti在电路中的作用!【15分】题目：（5）在光刻胶工艺中要进行，软烘，曝光后烘焙和坚膜烘焙，请详细说明这三步工艺的目的和条件。【15分】题目：（6）请对Si（以一种含有Cl元素的刻蚀气体为例）和SiO2（以一种含有F元素的刻蚀气体为例）刻蚀工艺进行描述，并给出主要的化学反应方程式。【15分】参考答案：题目一答案: (1) 场区是指一种很厚的氧化层,位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域,可以起到隔离晶体管的作用 (2) 有源区是指硅片上做有源器件的区域,有源区主要针对MOS而言,只要源极,漏极以及导电沟道所覆盖的区域称为有源区. (3) 键合是指将芯片表面的铝压点和引线框架上或基座上的电极内端(有时称为柱)进行电连接最常用的方法,常用的键合方法有热压键合、超声键合、热超声键合. (4) 刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度称为刻蚀速率,它通常正比于刻蚀剂的浓度, 要刻蚀硅片表面的大面积区域,则会耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来;如果刻蚀的面积比较小,则刻蚀就会快些.这称为负载效应. (5) 钝化是使金属表面转化为不易被氧化的状态，而延缓金属的腐蚀速度的方法.热生长SiO2的一个主要优点是可以通过束缚硅的悬挂键,从而降低它的表面态密度,这种效果称为表面钝化,它能防止电性能的退化并减少由潮湿、离子或其它外部沾污物引起的漏电流通路. 题目二答案: 答:集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可分为六大基本类：晶片制造、薄膜制作、刻印、刻蚀、掺杂、封装。

AD8930自动固晶机操作说明书(林学治)2

厦门华联电子有限公司光电事业部@分厂 AD8930自动固晶机操作指导书拟制：审核：批准：会签：发布日期：2011-11-01 实施日期：2011-11-01 本文件属厦门华联电子有限公司所有任何组织不得以未授权的方式使用本文件

目录 1. 设备介绍………………………………………………………………………………（3-4） 2. 安全操作注意事项 (4) 3. 开关机步骤……………………………………………………………………………（5-6） 4. 操作键盘及菜单各功能按钮介绍 (6) 5. 一般设定及编程步骤…………………………………………………………………（6-9） 6. 基本操作设定 (9) 6.1 吸嘴更换 (10) 6.2 顶针更换 (10) 6.3 银胶更换 (11) 6.4 芯片更换 (11) 6.5 抓晶、固晶三点一线调节………………………………………………………（12-13） 6.6 左右升降台参数设定……………………………………………………………（13-14） 6.7 点胶光学校正…………………………………………………………………（14-15） 6.8 装片光学校正…………………………………………………………………（15-16） 6.9 芯片PR设定……………………………………………………………………（16-18） 6.10芯片设定………………………………………………………………………（18-19） 7. 自动焊接………………………………………………………………………………（19-21）

AD8930自动固晶机操作指导书1设备介绍 1.1设备外观见如下图1。