NSR-2205i12D-SW-02

ＮＳＲ－２２０５ｉ１２Ｄ検収試験項目注：This item is a 6-INCHIRECHIKURU, 22 mm □respond

Measurement, MES to use.

Use of MES: Resist high-resolution resist species 1.20 μ m thick film resist

ＮＳＲ－２２０５ｉ１２Ｄ検収試験方法?条件

注：本項目は、６インチレチクル、２２mm□に対応です。

各項目の露光は、特に記述がないかぎりレベリングは“ON”で行う。

０．ＮＳＲの精度測定

0.1 ＮＳＲの精度測定は、MESを使用する。

0.2 使用するレジストは、ニコンの指定するレジストを使用する。

また膜厚は、1.20μm とする。

保証するレジスト：ｉ線ＴＨＭＲ－ｉＰ１８００（東京応化製）

ＰＦｉ－１５（住友化学製）

ＰＦｉ－１６（住友化学製）

0.3 その他のレジスト又は条件、他の測定機で測定する場合は別途協議を行なう。

１．Force resolution

1.1 Test reticle：Ｒ２２０５ＨＣＤVer. 1.09S以降

Wafer：Bare silicon１枚

1.2 露光

recipe ：２２ＱＩＫ５

露光条件：Best time of exposure

Focus pitch：0.2 μm

1.3 Resist：Positive resist膜厚 1.0μm

1.4 Development：東京応化製ＮＭＤ－３ (

2.38%) 60 秒パドル自動現像

1.5 Measured：Optical microscope, or SEM

View linewidth：0.35μmL&S V/H

Ratings：Figure 1.1 shows the five（Another aspect total of 10 points）

1.6 To determine right and wrong：The focus of the best、The five-point rating、Another aspect of a total of 10 minutes is the target line width

If passed, and divorce.

UL (-10700,10700)

UR (10700,10700)

LL (-10700,-10700)

LR (10700,-10700)

図1.1 Ratings resolution

２Focus repeatable calibration

2.1 Test reticle：Ｒ２２０５ＨＡVer.7.0 以降

2.2 測定：ＤＩＡＧＮＯＳＩＳ，ＣＡＬＩＢＲＡＴＥ

回数：20回

2.3 良否の判定：20 times the measu rement data to calculate 3 σ n-1 to determine.

３．Lens distortion

3.1 Test reticle：Ｒ２２０５ＨＤＩＳVer. 2.87以降

Wafer：ベアシリコン３枚

3.2 露光

Process data：２２ｎＵＳＲＤ

Program data：ＤＩＳ

3.3 測定：ＤＩＡＧＮＯＳＩＳ，ＭＥＡＳＵＲＥ

SMCP file：２２ｎＤＩＳ（ＤＩＳ用）

測定点：Ratings in the shot, as shown in Figure 3.1 points and 37。

INCHIUEHA 6, 27 shots (9 shots × 3 CD) measurement.

INCHIUEHA 8, 36 shots (12 shots × 3 CD) measurement.

3.4 計算：Maintenance V, calculated RENZUDISUTOSHON

?6 INCHIUEHA the average value of 27 shots,

8 INCHIUEHA is calculated at the average value of 36 shots.

?Reticle manufacturing error is corrected.

?Measured in each quadrant of each inverter.

?Reticle rotation error, a 37-point vector is the amount of rotation

To be the minimum compensation.

（At least squares for the correction entered as a constant value of the equipment。）

?Center to perform shift. (Shot in the heart of readings)

3.5 良否の判定：Each rating point, X, Y independent judgement.

図3.1 Lens distortion measurement point

４．Magnification control accuracy

4.1 Test reticle ： Ｒ２２０５ＨＢ Ver.7.0以降

ウェハ ： ベアシリコン ４枚

4.2 露光

： Maintenance V, LC data-collection

プロセス?データ

： ２２ｎＵＳＲＢ

Program data ： ＬＣＭ Sequence ： 図4.1 Shutter open time = 1000(msec)

Shutter close time = 4.29×Power －1000(msec) 4.3 測 定

： ＤＩＡＧＮＯＳＩＳ，ＭＥＡＳＵＲＥ

ＳＭＣＰファイル ： ２２ｎＬＣＭ

測定点

： Figure 4.2 shows the X component Bernier A, B Bernier

component of the Y

6 INCHIUEHA 26 points, 35 points 8 INCHIUEHA is measured.

(X + Y) / 4 and the error rate movements.

4.4 良否の判定

： Data initials for the Heat and cool at the time of strange error

ratio To determine the motion.

:DL :DR

NSR-2205i12D-SW-02

図4.1 倍率制御精度Sequence

図4.2 倍率制御精度測定点

５．最大露光範囲 5.1 テスト?レチクル ： Ｒ２２０５ＨＢ Ver.7.0 以降 ウェハ

： ベアシリコン １枚

5.2 露 光

プロセス?データ

： ２２ｎＵＳＲＢ

プログラム?データ ： ＲＢ 露光条件 ： Best time of exposure, the best focus 5.3 測 定

： 光学顕微鏡

5.4 良否の判定 ： Reticle to test the most peripheral LES moth that there is no exposure

６．Blind reticle 設定精度 6.1 5 maximum exposure to use a range of wafer. 6.2 測定 ： 光学顕微鏡

測定点

： Figure 6.1 on the scale of the blind to read position. 6.3 良否の判定 ： All blind position on the scale of judgement.

4 shot at the wafer in the decision

Initials

Heat Cool

Open Closed

A

B

図6.1 Blind measurement scale reticle

７．Power exposure 7.1 Power Meter ： Nikon 照度計を使用する。 7.2 測 定 ： Maintenance V ，Accumulated exposure measurement stability

Hg lamp replacement after making 。

7.3 良否の判定

： Nikon illuminometer to determine the value of the area.

８．Accumulated exposure control accuracy 8.1 パワーメーター ： Nikon 照度計を使用する。

8.2 測定

： Maintenance V ，Accumulated exposure measurement stability

照度

： IDLE mode and ND filter point of extinction, a total of two

points.

測定点

： 5-point shots in the (central angle of 10 mm and four corners)

to use the average value.

Shutter input time: 100, 200, 400, 800msec, a total of four

points.

8.3 良否の判定

： Nikon luminometer display value determined by using the

following formula.

積算露光制御誤差 ＝（ Ｅｒ－Ｅｉ ）／ Ｅｉ×１００ （％） Ｅｉ ＝ Input time the shutter × 500mW/cm2

Ｅｒ ＝ Actual exposure energy

図17.1 Accumulated exposure control

注意１： The acceptance of the items 、150mW/cm2 ~ 1000mW/cm2 real power and conditions.

The energy exposure, 50 mJ/cm2 or more.

注意２： Power exposure standards which will have 850 mW/cm2 Where exposure standards

for power

500 mW/cm2 and for the past number of aircraft to take for compatibility.

９．照明の均一性 9.1 測 定

： ＤＩＡＧＮＯＳＩＳ，ＬＡＭＰ データ?ファイル ： ２２ＬＡＭＰ 回数

： 各５回

After 30 minutes or more lamps lit to perform 。 9.2 良否の判定

： Each measured at five times the judgement.

１０．Reticle rotation 10.1 Test reticle ： Ｒ２２０５ＨＤＩＳ Ver. 2.87以降 ウェハ

： ベアシリコン ２枚

10.2 露光

プロセス?データ

： ２２ｎＵＳＲＤ

プログラム?データ ： ＲＲ１ ～ ＲＲ１０ Do not unload wafers 、RR1 ～ RR10 を露光する。

RR1 reticle alignment making every line.

10.3 測定

： ＤＩＡＧＮＯＳＩＳ，ＭＥＡＳＵＲＥ

ＳＭＣＰファイル ： ２２ｎＲＲ

測定点

： Figure 10.1, as shown in Figure 10.2 Bernier Signs ○

Y scale

Energy exposure

Inputtime the shutter

100200400800）

（mj/cm2）

to measure ingredients

500 (RR1 times × 10 points 25 times × 2 CD) measurement.

10.4 良否の判定

： 1 RECHIKURUARAIMENTO 25 times the average value of Y,

and the following formula to determine.

Reticle rotation ＝｜Ｍ｜＋３σn-1

Ｍ＝（ΣＹｉ／２０）／２－（ＲＥ／２）－（ＲＲ目標値） （ｉ＝１～１０） ＲE

： Reticle manufacturing error

３σn-1 ： RECHIKURUARAIMENTO every variation of rotation

ＲＲ目標値 ＝ （ ＤＲ（ｙ）－ＤＬ（ｙ） ）／２

ＤＲ（ｙ）、ＤＬ（ｙ）： As shown in Figure 3.1 points y value Bernier

図10.1 Reticle rotation

y 11 y 12 y 13 y 15 y 14 y 21

y 22

y 23

y 25

y 24

y 91 y 92 y 93 y 95 y 94 y 101

y 102

y 103

y 105

y 104

RR1 RR2 RR9 RR100

?

?

??

??（ｉ＝１～５） Ｙ１=（Σy 1i ）／5 Ｙ２=（Σy 2i ）／5

Ｙ９=（Σy 9i ）／5 Ｙ１０=（Σy 10i ）／5

??

?

図10.2 Reticle rotationＢＬ内

１１．Superposition accuracy

11.1 テスト?レチクル：Ｒ２２０５ＨＡVer.7.0 以降

ウェハ：ベアシリコン１０枚

11.2 露光

Process program：２２ｎＵＳＲＡ．ＲＥＧ１（１st露光）

：２２ｎＵＳＲＡ．ＥＧＡ（２nd露光ＬＳＡ）

：２２ｎＵＳＲＡ．ＦＩＡ（２nd露光ＦＩＡ）

：２２ｎＬＩＡ．ＬＩＡ（２nd露光ＬＩＡ）

２ｎｄ露光：Resist image in the superposition of two ways:。

Wafer alignment, EGA 10 points.

Wafer baseline check every two to perform。

11.3 測定：ＤＩＡＧＮＯＳＩＳ，ＭＥＡＳＵＲＥ

ＳＭＣＰファイル：２２ｎＲＥＧ０５

測定点：1000点（5-point shots in 20 points in the wafer × 10 × CD ）のＸ、Ｙ方向To measure.

11.4 良否の判定： A central point shot (200 points) and shot 5 in points (100 points) both

By the following formula to determine.

X, Y independent judgement.

重ね合わせ精度＝｜Ｍ｜＋３σ

n-1

Ｘ：X, Y or 200 points, the average value of 1000 points

σ

：X, Y or 200 points, 1,000 variations

n-1

１２．Orthogonal array

12.1 テスト?レチクル：Ｒ２２０５ＨＢVer.7.0 以降

ウェハ：ベアシリコン３枚

12.2 露光

プロセス?データ：２２ｎＵＳＲＢ

プログラム?データ：ＯＲＴ１

12.3 測定

プロセス?データ：２２ｎＵＳＲＢ

プログラム?データ：ＯＲＴＭ（ＯＦ０度計測）

プログラム?データ：ＯＲＴＭ９０（ＯＦ９０度計測）

Wafer to 0 degrees to 90 degrees, FIA-EGA making measurements.

12.4 良否の判定：0 degrees orthogonal wafer measurement of the degree ORT0, wafer level of 90 degrees orthogonal

ORT90 the measurement when the following formula to determine.

The average value of three wafer decision.

－（ＯＲＴ0＋ＯＲＴ90）／２≦０.４８×１０-6rad（０.１秒）

１３．Stepping accuracy

13.1 テスト?レチクル：Ｒ２２０５ＨＡVer.7.0 以降

ウェハ：ベアシリコン２枚

13.2 露光

プロセス?データ：２２ｎＵＳＲＡ

プログラム?データ：ＳＴＥＰ

13.3 測定：ＤＩＡＧＮＯＳＩＳ，ＭＥＡＳＵＲＥ

ＳＭＣＰファイル：２２ｎＳＴＥＰ

測定点：Figure 4.2 shows the X component Bernier A, B Bernier component of the Y

6 INCHIUEHA 26 points, 35 points 8 INCHIUEHA is measured.

13.4 良否の判定：One for each wafe r 3 σ n-1 to determine the calculation.

X, Y independent judgement.

１４．PURIARAIMENTO wafer再現性

14.1 テスト?レチクル：Ｒ２２０５ＨＢVer.7.0 以降

ウェハ：ベアシリコン１枚

14.2 露光

プロセス?データ：２２ｎＵＳＲＢ

プログラム?データ：ＯＲＴ１

14.3 測定：メンテナンスＶ，ウェハローダ投入再現性

プロセス?データ：２２ｎＵＳＲＢ

プログラム?データ：ＷＬＲＥＰ

回数：60回

14.4 良否の判定：X, Y, θ 3 σ n-1 each to determine the calculation.

１５．処理能力

15.1 テスト?レチクル：Ｒ２２０５ＨＡVer.7.0 以降

ウェハ：ベアシリコン１３枚

15.2 露光

Process program：２２ｎＵＳＲＡ．ＴＨＲＰＴ１（１st露光）

：２２ｎＵＳＲＡ．ＴＨＲＰＴＥ（２nd露光ＬＳＡ）

：２２ｎＵＳＲＡ．ＴＨＲＰＴＦ（２nd露光ＦＩＡ）

：２２ｎＬＩＡ．ＴＨＲＰＴＬ（２nd露光ＬＩＡ）

２ｎｄ露光：Resist image in the superposition of two ways.

Wafer alignment, EGA 10 points.

The exposure time, 105 msec, which timer mode.

15.3 測定：Measured at a stopwatch

The first wafer second shot 12 the second wafer exposure from the end of the first

Shot end of time to measure exposure.

15.4 良否の判定：The above results from a number of prints per hour for processing, to meet a specified value and a good income if

１６．動作試験

16.1 Wafer system

16.1.1 テスト?レチクル：Ｒ２２０５ＨＡVer.7.0 以降

ウェハ：ベアシリコン５０枚

16.1.2 露光

Process data：２２ｎＵＳＲＡ

Program data：ＴＨＲＰＴ１（１st露光）

Program data：ＡＬＲＵＮ（２nd露光）

２ｎｄ露光：Resist image in the superposition of two ways.

Wafer 100 (50 × 2) for continuous exposure.

16.1.3 良否の判定：Recoverable error of judgement at times.

However, unrecoverable error is not acceptable.

16.2 Reticle system

16.2.1 Test reticle：任意

16.2.2 動作：All slots, each one making reticle exchange.

16.2.3 良否の判定：Transportation of abnormal behavior, or by operation error in judgement

１７. Compatibility between equipment

17.1 Compatibility in wafer data

17.1.1 Test reticle：Ｒ２２０５ＨＡVer.7.0 以降

ウェハ：ベアシリコン３枚

17.1.2 露光

プロセス?データ：２２ｎＵＳＲＡ

プログラム?データ：ＲＥＧ１（１st露光）

プログラム?データ：ＥＧＡ（２nd露光）

１ｓｔ露光：Your first set by the NSR-2205i12D selected from the making。

２ｎｄ露光：Resist image in the superposition of two ways.

Wafer alignment, LSA-EGA10 point.

17.1.3 測定：ＤＩＡＧＮＯＳＩＳ，ＭＥＡＳＵＲＥ

ＳＭＣＰファイル：２２ｎＭＡＴＲＥＧ

測定点：Bernier's shot scale central component of X, Y and measuring ingredients.

60 points (20 points in the wafer × 3 CD) measurement.

17.2 Shot in the compatibility of data

17.2.1 Data： 3 lens distortion

17.2.2 計算：Data distortion lens (37 points), usually coordinates

Will be converted at the data and code.

17.3 計算：Maintenance V, LNSCAL

Each wafer in each shot in the wafer and data compatibility of data compatibility

Japanese to take this on a single wafer and data compatibility.

Ｍlmn ＝Ｃm ＋（Ｗln－Ｗl ）

Ｍlmn ：Compatibility Dataｌ＝1～3

Ｃm ：Shot in the compatibility of dataｍ＝1～37

Ｗln ：Compatibility in wafer dataｎ＝1～20

Ｗl ：Offset each wafer

評価点：37（Shot in）×20（In wafer）×３枚＝2220（点）

17.4 良否の判定：Three wafer compatibility of aggregation of data, the number of standards in data

From the judgement。

X, Y independently determine。

１８．合せset leveling surface accuracy

18.1 像面傾斜（露光はレベリングＯＦＦで行う）

18.1.1 テストレチクル：Ｒ２２０５ＨＭＦVer. 5.09 以降

18.1.2 データ?ファイル：２２ＭＦ０９．ＩＮＣ０９

18.1.3 評価点：図18.1参照

18.1.4 測定：ＳＭＰフォーカス計測を使用し、上記評価点のベストフォーカスを求め、

そのフォーカス値より像面傾斜角（近似平面の傾き、θ

Ｘ０、θ

Ｙ０

）を求

める。

18.2 レベリング基準面

18.2.1 ウエハフラットネスの良好なウエハ（TTV≦2.0、レジスト無し）を使用し、ウエハの中心１ショットに対してレベリング駆動後のチップフラットネスを測定する。

18.2.2測定したチップフラットネスの近似平面から、平面の傾き（ｘ、ｙ方向）を求め、

これをレベリング合せ面角（θ

Ｘｌｉ、θ

Ｙｌｉ

）とする。

18.2.3 同一ウエハ、同一ショットにて10回の測定を行う。

18.2.4 10回のレベリング合せ面角の平均値をレベリング基準面角（θ

Ｘｌ、θ

Ｙｌ

）とする。

レベリング合せ面角：θ

Ｘｌｉ

（ｉ＝1～10）

θ

Ｙｌｉ

レベリング基準面角：θ

Ｘｌ＝（Σθ

Ｘｌｉ

）／ｎ（ｉ＝1～10）

θ

Ｙｌ＝（Σθ

Ｙｌｉ

）／ｎ（ｎ＝10）

18.3 評価

18.3.1 18.1.4項で求めた像面傾斜角と18.2.4項で求めたレベリング基準面角の差を計算し

評価する。ｘ、ｙ独立に評価する。

－１.５≦（θ

Ｘｌ－θ

Ｘ０

）≦＋１.５

－１.５≦（θ

Ｙｌ－θ

Ｙ０

）≦＋１.５

NSR-2205i12D-SW-02 １９．レベリング合せ面再現精度

19.1 18.2.3項における10回の測定において、レベリング合せ面角θ

Ｘｌｉ、θ

Ｙｌｉ

（ｉ＝1～

10）

の最大、最小値に対し、レベリング基準面角θ

Ｘｌ、θ

Ｙｌ

との差が、規格値以内であると

き

合格と判定する。θ

Ｘｌ、θ

Ｙｌ

独立に評価する。

レベリング合せ面角：θ

Ｘｌｉ、θ

Ｙｌｉ

（ｉ＝1～10）

レベリング基準面角：θ

Ｘｌ、θ

Ｙｌ

－１.０≦Ｍｉｎ．θ

Ｘｌｉ－θ

Ｘｌ

、Ｍａｘ．θ

Ｘｌｉ

－θ

Ｘｌ

≦＋１.０

－１.０≦Ｍｉｎ．θ

Ｙｌｉ－θ

Ｙｌ

、Ｍａｘ．θ

Ｙｌｉ

－θ

Ｙｌ

≦＋１.０

UL (-10700,10700)

LL (-10700,-10700)

LE (-10700,0)

LC (0,-12000)

図18.1像面傾斜評価点

ＮＳＲ－２２０５ｉ１２Ｄ検収試験成績

６インチレチクル２２mm□

製品番号：ユーザーＩＤ：試験年月日：

検査員：