三极管承认测试方法
电子元件承认方法—三极管
1.主题内容与适用范围
本标准规定了本公司荧光灯用三极管的技术要求，检（试）验方法。
本标准适用于本公司用三极管的批量使用前的质量性能确认。
2. 所用仪器
UI9600热敏参数筛选仪、晶体管图示仪、温度巡检仪、10X以上放大镜、温度计、0－150mm 游标卡尺，稳压恒流源、手提式压力蒸气灭菌器等。
4.技术要求
4.1 外观：
目测，必要时借助放大镜观察，主要包括以下内容：
4.1.1标识清晰可辨（标识包括：规格型号、商标、生产日期等信息）。
4.1.2三极管无破损、断脚现象。
4.1.3 三极管引脚光亮无生锈（也做可焊性试验）。
4.2 可焊性试验：
三极管的引脚浸入按部标要求的助焊剂中，浸入235℃±5℃的锡槽内锡面距引脚根部约2mm，时间2±0.5S，取出冷却后，焊锡面积就大于90%。
4.3 外形尺寸
用精度0.01mm 的游标卡尺测量。
4.3 电参数测试
4.3.1 集电极-发射极电压（V C E O）:
①打开QT2晶体管图示仪，预热5分钟后调整光标至左上方零点位置；
②输出电压选择5000V（红灯亮），功耗电阻选择1K，Y=200 uA /div， X=200V/div；
③将三极管的B极悬空，C级接“－”，E级接“＋”（接于测试二极管的反向击穿电压位
置,最好用引线将CE两端引出再按二极管方式测试）。
④调节仪器峰值电压，使其有一定的输出量；按下红色按扭，按如下图，根据刻度读数：
4.3.2 集电极-基极电压（V C B O）；
方法同 4.3.1 E极极悬空，测试CB两极击穿电压。
4.3.3发射极-集电极（V E B O）；
①打开QT2晶体管图示仪，预热5分钟后调整光标至左上方零点位置；
②输出电压选择50V，功耗电阻选择10Ω，Y=200 uA /div， X=2V/div；
③将三极管的C极悬空，EB极分别接于仪器CE接口；
④调节仪器峰值电压，如图有电流产输出时可按刻度读数；
4.3.4集电极-基极截止电流（I C B O）;
①. 将三极管置入105℃±2℃的烘箱内存放1小时，用高温线与相应的电极连
接引出，采用QT2测试仪测试三极管的ICEO，功耗电阻选择0，Y=10uAiv,X=200V/div,调节峰值电压，使其有一定输出量
②. 三极管的集电极接“＋”，发射极接“－”。
③.按“测试“按钮，根据显示读出并计录数据。
4.3.5直流增益（H F E）
①打开QT2晶体管图示仪，预热5分钟后调整光标至左下方零点位置；
②输出电压选择10V，功耗电阻选择1Ω，Y、X根据具体三极管的电参数而定；
③三极管的各个极与图示仪的相应接线连接（E-E，B-B，C-C）；调节峰值电压，使基线调
到10根（按10族读数）；
④放大倍数根据以下公式计算：
hFE=△IC/△IB=IC×Y轴刻度/(Ib轴刻度×曲线条数)
另：可根据设定Ib 采用UI9600测试。
4.3.6集电极-发射极饱和压降（V C E S）；
如上图：读取HFE图饱和区的偏移度，测试结果要求不大于0.8V。
4.3.6存贮时间（Ts）；
①打开UI9600晶体热敏参数筛选仪，预热5分钟。
②根据三极管型号和电流（或与生产厂家协议），设定IC，（同时测β时调节Ib）。
③三极管的各个极与测试仪的测试接口连接（E-E，B-B，C-C）；
④直接读数；
4.4 可靠性试验；
4.4.1 温升测试
将待测试三极管装入整灯，测试其在常温和特定条件下的温度。
4. 4.2 高温（极限）试验：
将待测试三极管装入整灯，置于特定环境条件下做耐久或可靠性试验。
4. 4.2 高温反偏试验：
将三极管的CB端分别在稳压恒流源的“－”和“＋”，E极悬空，置入135±2℃,的恒温箱内，如下图。给三极管施加80%V CBO的电压，100H后取出冷却2H后三极管ICBO小于100uA。
4. 4.2 高温蒸煮试验：
将三极管用布袋装好置于手提式压力蒸气灭菌器，将灭菌器装上2/3体积的水，设定温度121℃,时间30分钟,关好仪器上盖，打开电源。8H后关12H，循环5次，后烤干冷却2H后测试，漏电流小于100uA。
4. 4.4 热敏参数对比测试。
①打开UI9600晶体热敏参数筛选仪，预热5分钟。
②根据三极管的具体参数设定其测试和加热条件。(仪器设定见《仪器操作说明》)
③三极管的各个极与测试仪的测试接口连接（E-E，B-B，C-C）；
④记录测试值，再按下耐压，记录漏电流；
⑤ 按下加热按扭，加热后速记下漏电流后刷新后记录TS、β、Vbe。
4.8环保要求：第三方检验，出具第三方检测报告。
5、注意事项：
①在进行三极管击穿电压测试（高压加电测）试时，不得接触测试器件以免造成触电危险。
②外接接线测试参数时（如高温反偏试验），应有显眼的标识，以免无意触电。
③ QT2测完后最好输出档为10V，峰值电压调为零。
④高温蒸煮试验时，需每隔半小时到1小时确认其气压是否正常，晚上关掉；显眼处应有相
应的安全标识。
⑤ 高温蒸煮试验应由专人操作。
⑥用图示仪测试放大倍数时（特别是大电流测试），为确保测试精度，读数时间最好控在2S
内。取下三极管时，最好用聂子以免烫伤手。
⑦为确保测试精度，三极管测试时请带手套测试。
实验三 光电三极管特性测试及其变换电路模板
西南交通大学光电专业实验报告 学号：2015114XXX 姓名：XXX 班级：光电X班组号：X 同组人(姓名/学号)：实验名称：光电三极管特性测试及其变换电路本次实验是本学期你所做的第X 个实验实验日期：2018 年 6 月X 日讲指导教师/报告箱号：
极管C极对应组件上红色护套插座，已极对应组件上黑色护套插座。 (4)打开电源，缓慢调节光照度调节电位器，直到光照为3001x (约为环境光照)，缓慢
光照3001x时的光电流。 (5)实验完毕，将光照度调至最小，直流电源调至最小，关闭电源，拆除所有连线。2、光电三极管光照特性测试 (1)组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源驱动及信号处理模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)将开关S2拨到“静态”。 (3)按图3-3所示的电路连接电路图，直流电源选用0-15V可调直流电源，负载RL选择RL=1K欧。 (4)将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。打开电源，调节直流电源电位器，直到显示值为6V左右，顺时针调节该旋钮，增大光照度值，分别记下不同照度下对应的光生电流值、填入表1。若电流表或照度计显示为“1__”时说明超出量程，应改为合适的量程再测试。 (5)调节直流调节电位器到10V左右，重复述步骤(4)，改变光照度值，将测试的电流值填入表2 (6)根据上面所测试的两组数据，在同一坐标轴中描绘光照特性曲线并进行分析。 (7)实验完毕，将光照度调至最小，直流电源调至最小，关闭电源，拆除所有连线。3、光电三极管伏安特性 实验装置原理框图如图3-4所示。 (1)组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源驱动及信号处理模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)将开关S2拨到“静态”。 (3)按图3-4所示的电路连接电路图，直流电源选用0-15V可调直流电源，负载RL选择RL=2K欧。 (4)打开电源顺时针调节照度调节旋钮，使照度值为200Lx，保持光照度不变，调节电源电压电位器，使反向偏压为0V、IV、2V，4V、6V、8V、10V、12V时的电流表读数，填入表3，关闭电源。 (注意:直流电流不可调至高于30V,以免烧坏光电三极管) (5)根据上述实验结果，作出200Lx照度下的光电三极管伏安特性曲线。 (6)重复上述步骤。分别测量光电三极管在100Lx和500Lx照度下，不同偏压下的光生
简易双极性三极管放大倍数检测电路
内蒙古师范大学计算机与信息工程学院《低频电子线路》课程设计报告
简易双极性三极管放大倍数检测电路 计算机与信息工程学院 2011级通信班 张利刚 20111105465 指导教师 张鹏举 讲师 摘要 随着电子测量的不断发展，三极管在集成电路中的应用极为广泛，对于三 极管的特性也有着不同的需求，由于工艺等个方面的不同，晶体管的方大倍数也有区别。 本实验的是实现对两类晶体管放大倍数的测定。实验电路由三极管类型判别电路、三级管放大倍数档位判断电路(利用电压比较器)、显示电路、报警电路和电源电路五部分构成。旨在通过实验电路大致判断出三极管的型号以及放大倍数的大概范围，分别实现三极管类型判断、档位判断、显示放大倍数、报警提示、电源电路设计等功能。 关键词 晶体管 β检测电路 发光二极管 电压比较器 1 设计任务及主要技术指标和要求 （1）设计一个简易双极型三极管电流放大倍数β判断电路，该电路能检测出三极管电流放大倍数β的档位，同时可以通过手动实现对档位的改变。 （2）此简易双极型三极管电流放大倍数β判断电路可由三极管类型判断电路、 三极管电流放大倍数测量电路、三极管电流放大倍数挡位测量电路、显示电路、电源电路等几部分组成。 a ．三极管类型判断电路：要求该电路能够检测出三极管的类型（NPN 或PNP ）； b ．三极管电流放大倍数测量电路：要求该电路能够测出电流放大倍数β； c ．三极管电流放大倍数挡位测量电路：要求该电路至少能够将三极管电流放大倍数β从0－+∞分为8个挡位，并可通过手动调节8个挡位值的具体大小； d ．显示电路：要求该电路能够将不同的三极管电流放大倍数β加以区别显示； e ．电源电路：要求该电路为上述各电路提供12V 直流电源。 2 工作原理 三极管放大倍数 档位测试电路的核心部分是由运算放大器构成的比较器。其工作原理是通过运算放大器的同向输入端的电阻分压得到四个标准电压值，再通过由前级电路的输入进行比较，从而判断不同的档位。规则如下：如果C V 大于标准电压值，则输出低电平；如果 C V 小于标准电压值，则输出为高电平。从而对不同的C V 与分压电阻上的不同电压值进行比较，输出不同的电压值，间
三极管及放大电路基础教案..
第 2 章三极管及放大电路基础 课题】 2.1 三极管 【教学目的】 1．掌握三极管结构特点、类型和电路符号。 2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．理解三极管的三种工作状态的特点，并会判断三极管所处的工作状态。4．理解三极管的主要参数的含义。【教学重点】 1．三极管结构特点、类型和电路符号。 2．三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．三极管的三种工作状态及特点。 【教学难点】 1．三极管的电流分配关系和对电流放大作用的理解。 2．三极管工作在放大状态时的条件。 3．三极管的主要参数的含义。 【教学参考学时】 2 学时 【教学方法】 讲授法、分组讨论法 【教学过程】 一、引入新课 搭建一个简单的三极管基本放大电路，通过对放大电路输入信号及输出信号的测试，引导学生认识三极管，并知道三极管能放大信号，为后续的学习打下基础。 二、讲授新课 2.1.1 三极管的基本结构 三极管是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结构成的。 两个PN结把整块半导体基片分成三部分，中间部分是基区，两侧部分分别是发射区和 集电区，排列方式有NPN和PNP两种， 2.1.2 三极管的电流放大特性 三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，这就是三极管的电 流放大特性。 要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。
三极管三个电极的电流（基极电流1 B、集电极电流l C、发射极电流l E）之间的关系为: I E| |I C I C l B l C、 l B l B 2.1.3三极管的特性曲线 三极管外部各极电流与极间电压之间的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。 1.输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极之间的电压V CE为定值时，输入回路中的基极电流I B与加在基-射极间的电压V BE之间的关系曲线。 三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，也存在一段死区。 2.输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流I B为定值时，输出电路中集电极电流I C与集-射极间的 电压V CE之间的关系曲线。I B不同，对应的输出特性曲线也不同。 截止区：I B 0曲线以下的区域。此时，发射结处于反偏或零偏状态，集电结处于反 偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于断开状态。 饱和区：曲线上升和弯曲部分的区域。此时，发射结和集电结均处于正偏状态，三极管 没有电流放大作用，相当于一个开关处于闭合状态。 放大区：曲线中接近水平部分的区域。此时，发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流放大作用。 2.1.4 三极管的主要参数 1?性能参数：电流放大系数、，集电极-基极反向饱和电流I CBO，集电极-发射极反向饱和电流I CEO。 2.极限参数：集电极最大允许电流I CM、集电极-发射极反向击穿电压V（BR）CEO、集电 极最大允许耗散功率P CM 。 3．频率参数：共发射极截止频率 f 、特征频率f T 。 2.1.5 三极管的分类三极管的种类很多，分类方法也有多种。分别从材料、用途、功率、频率、制作工艺等方面对 三极管的类型予以介绍。 三、课堂小结1．三极管的结构、类型和电路符号。2．三极管的电流放大作用。 3．三极管三种工作状态的特点。4．三极管的主要参数。 四、课堂思考 P37 思考与练习题1、2、3。
光敏三极管特性测试
实验三光敏三极管特性测试 一:实验原理： 光敏三极管是具有NPN或PNP结构的半导体管，结构与普通三极管类似。但它的引出电极通常只有两个，入射光主要被面积做得较大的基区所吸收。光敏三极管的结构与工作电路如图（11）所示。集电极接正电压，发射极接负电压。 二:实验所需部件： 光敏三极管、稳压电源、各类光源、电压表（自备4 1/2位表）、微安表、负载电阻 三:实验步骤： 1、判断光敏三极管C、E极性，方法是用万用 表欧姆20M测试档，测得管阻小的时候红表 棒端触脚为C极，黑表棒为E极。 2、暗电流测试： 按图（11）接线，稳压电源用±12V，调整 负载电阻RL阻值，使光敏器件模板被遮光罩盖 住时微安表显示有电流，这即是光敏三极管的暗 电流，或是测得负载电阻RL上的压降V暗，暗 电流LCEO=V暗/RL。（如是硅光敏三极管，则 暗电流可能要小于10-9A，一般不易测出。 3、光电流测试： 取走遮光罩，即可测得光电流I光，通过实验比较可以看出，光敏三极管与光敏二极管相比能把光电流放大（1+HFE）倍，具有更高的灵敏度。 1、伏安特征测试： 光敏三极管在给定的光照强度与工作电压下，将所测得的工作电压Vce与工作电流记录，工作电压可从+4V~+12V变换，并作出一组V/I曲线。 2、光谱特性测试： 对于一定材料和工艺制成的光敏管，必须对应一定波长的入射光才有响应。按图（11）接好光敏三极管测试电路，参照光敏二极管的光谱特性测试方法，分别用各种光照射光敏三极管，测得光电流，并做出定性的结论。 3、光电特性测试：
图（12）光敏三极管的温度特性图（13）光敏三极管的光电特性曲线 在外加工作电压恒定的情况下，照射光通量与光电流的关系见图（13），用各种光源照射光敏三极管，记录光电流的变化。 4、温度特性测试： 光敏三极管的温度特性曲线如图（12）所示，试在图（11）的电路中，加热光敏三极管，观察光电流随温度升高的变化情况。 思考题：光敏三极管工作的原理与半导体三极管相似，为什么光敏三极管有两根引出电极就可以正常工作？
详解经典三极管基本放大电路
详解经典三极管基本放大电路 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 图1：三极管基本放大电路 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。
三极管型号及参数
这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 S9013是NPN型三极管，放大倍数分为六级，在三极管上有标识： D级：64-91 E级：78-112 F级：96-135 G级：112-166 H级：144-220 I级：190-300 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D63328NPN音频功放开关100V7A40W达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V0. 5A0. 625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150HM Z9015 9015 21 PNP 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150MHZ 9014 901821NPN高频放大30V0.05A0.4W1000MHZ 805021NPN高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 855021PNP高频放大40V1.5A1W100MHZ8050 2N222221NPN通用60V0.8A0.5W25／200NS 2N23694ANPN开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N29074ANPN通用60V0.6A0.4W26／70NS 2N305512NPN功率放大100V15A115WMJ2955 2N34406NPN视放开关450V1A1W15MHZ2N6609 2N377312NPN音频功放开关160V16A50W 2N390421ENPN通用60V0.2A 2N290621CPNP通用40V0.2A 2N2222A21铁NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N671821铁NPN音频功放开关100V2A2W 2N540121PNP视频放大160V0.8050三极管引脚图6A0.625W100MHZ2N5551 2N555121NPN视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5401 2N568512NPN音频功放开关60V50A300W 2N627712NPN功放开关180V50A250W 901221PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 2N667812NPN音频功放开关650V15A175W15MHZ 9012贴片PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 3DA87A6NPN视频放大100V0.1A1W 3DG6B6NPN通用20V0.02A0.1W150MHZ 3DG6C6NPN通用25V0.02A0.1W250MHZ 3DG6D6NPN通用30V0.02A0.1W150MHZ MPSA4221ENPN电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 MPSA9221EPNP电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA42 MPS2222A21NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ
三极管及放大电路基础教案..
第2章三极管及放大电路基础 【课题】 2.1 三极管 【教学目的】 1．掌握三极管结构特点、类型和电路符号。 2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．理解三极管的三种工作状态的特点，并会判断三极管所处的工作状态。 4．理解三极管的主要参数的含义。 【教学重点】 1．三极管结构特点、类型和电路符号。 2．三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．三极管的三种工作状态及特点。 【教学难点】 1．三极管的电流分配关系和对电流放大作用的理解。 2．三极管工作在放大状态时的条件。 3．三极管的主要参数的含义。 【教学参考学时】 2学时 【教学方法】 讲授法、分组讨论法 【教学过程】 一、引入新课 搭建一个简单的三极管基本放大电路，通过对放大电路输入信号及输出信号的测试，引导学生认识三极管，并知道三极管能放大信号，为后续的学习打下基础。 二、讲授新课 2.1.1 三极管的基本结构 三极管是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结构成的。 两个PN结把整块半导体基片分成三部分，中间部分是基区，两侧部分分别是发射区和集电区，排列方式有NPN和PNP两种， 2.1.2 三极管的电流放大特性 三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，这就是三极管的电
流放大特性。 要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。 三极管三个电极的电流(基极电流B I 、集电极电流C I 、发射极电流E I )之间的关系为： C B E I I I +=、B C I I = --β、B C I I ??=β 2.1.3 三极管的特性曲线 三极管外部各极电流与极间电压之间的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极之间的电压CE V 为定值时，输入回路中的基极电流B I 与加在基-射极间的电压BE V 之间的关系曲线。 三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，也存在一段死区。 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流B I 为定值时，输出电路中集电极电流C I 与集-射极间的电压CE V 之间的关系曲线。B I 不同，对应的输出特性曲线也不同。 截止区：0=B I 曲线以下的区域。此时，发射结处于反偏或零偏状态，集电结处于反偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于断开状态。 饱和区：曲线上升和弯曲部分的区域。此时，发射结和集电结均处于正偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于闭合状态。 放大区：曲线中接近水平部分的区域。此时，发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流放大作用。 2.1.4 三极管的主要参数 1. 性能参数：电流放大系数- -β、β，集电极-基极反向饱和电流CBO I ，集电极-发射极反向饱和电流CEO I 。 2. 极限参数：集电极最大允许电流CM I 、集电极-发射极反向击穿电压CEO BR V )(、集电极最大允许耗散功率CM P 。
三极管共射放大电路实验报告
实验名称：三极管共射放大电路 一、实验目的和要求（必填）二、实验内容和原理（必填） 三、主要仪器设备（必填）四、操作方法和实验步骤 五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析（必填） 七、讨论、心得 一、实验目的和要求 1、学习共射放大电路的设计方法。 2、掌握放大电路静态工作点的测量与调整方法。 3、学习放大电路性能指标的测试方法。 4、了解静态工作点与输出波形失真的关系，掌握最大不失真输出电压的测量方法。 5、进一步熟悉示波器、函数信号发生器、交流毫伏表的使用。 二、实验内容 1、静态工作点的调整和测量 2、测量电压放大倍数 3、测量最大不失真输出电压 4、测量输入电阻和输出电阻 5、测量上限频率和下限频率 6、研究静态工作点对输出波形的影响 三、主要仪器设备 1、示波器、信号发生器、晶体管毫伏表 2、共射电路实验板 四、实验原理与实验步骤 单管共射放大电路 1、放大电路静态工作点的测量和调试 准备工作： (1) 对照电路原理图，仔细检查电路的完整性和焊接质量。 (2) 开启直流稳压电源，将直流稳压电源的输出调整到12V，并用万用表检测输出电压。确认后，先关
闭直流稳压电源。 (3) 将电路板的工作电源端与12V 直流稳压电源接通。然后，开启直流稳压电源。此时，放大电路处于工作状态。 静态工作点的调整，调节电位器，使Q 点满足要求(ICQ ＝1.5mA)。 直接测电流不方便，一般采用电压测量法来换算电流。 测电压时，要充分考虑到万用表直流电压档内阻对被测电路的影响 。因此应通过测电阻Rc 两端的压降VRc ，然后计算出ICQ 。 （若测出VCEQ ＜0.5V ，则说明三极管已饱和；若VCEQ ≈+VCC ，则说明三极管已截止。若VBEQ>2V ，则说明三极管已被击穿） 2、测量电压放大倍数 (1) 必须保持放大电路的静态工作点不变！ (2) 从信号发生器输出1kHz 的正弦波，作为放大电路的输入(Vi=10mV 有效值） 。 (3) 用示波器监视输出波形，波形正确后再用交流毫伏表测出有效值。 3、测量最大不失真输出电压 (1) 静态工作点不变，用示波器监视输出波形。 (2) 逐渐增大输入信号幅度，直至输出刚出现失真。 (3) 测量时通常以饱和失真为准(当Q 点位于中间时)。 (4) 交流毫伏表测出有效值。 4、测量输入电阻 实验原理： 放大电路的输入电阻可用电阻分压法来测量，图中R 为已知阻值的外接电阻，分别测出Vs 和Vi ，则 实验步骤： (1) 输入正弦波(幅度和频率?) 。 (2) 用示波器监视输出波形，要求不失真。 (3) 用交流毫伏表测出Vs 和Vi ，计算得到Ri 。 5、测量输出电阻 实验原理： 放大电路的输出电阻可用增益改变法来测量，分别测出负载开路时的输出电压Vo'和带上负载RL 后的输出电压Vo ，则 R V V V R V V V I V R i s i i s i i i i -=-== /) ('o L o L o V R R R V +=L o o o R V V R ???? ??-=1'
光电传感器实验
光电传感器实验研究 电气信息学院 摘要：本实验通过研究光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池的伏安特性和光照特性曲线和光纤通讯基本原理，从而掌握光电传感器的原理。这样可以丰富自己的物理知识，使自己感受物理的魅力，并学会运用物理知识解决生活中的实际问题。 关键词：光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，硅光电池，光纤 光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点。光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变化。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。本实验目的：1、了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。2、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。4、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。 5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。 一、光敏传感器的基本特性及实验原理 1、伏安特性 光敏传感器在一定的入射光强照度下，光敏元件的电流I与所加电压U之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一组伏安特性曲线，它是传感器应用设计时选择电参数的重要依据。某种光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管的伏安特性曲线如图1、图2、图3、图4所示。
完整版三极管及放大电路原理
测判三极管的口诀 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准， 动嘴巴。’下面让我们逐句进行解释吧。 一、三颠倒，找基极 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分 为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R X100或RX1k挡位。图2绘出了万用电表 欧姆挡的等效电路。由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试 的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极（如这两个电极为1、2）,用万用 电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基 极（参看图1、图2不难理解它的道理）。 二、PN结，定管型 找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的 导电类型（图1）。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被 测管即为PNP型。 三、顺箭头，偏转大 找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透 电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 （1）对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的 黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转 角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔TC 极~b极极T红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致（顺箭头”，）所以此 时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。
光照度实验分析
光照度实验 实验一发光二极管（光源）的照度标定实验 一、实验目的 了解发光二极管的工作原理；作出工作电流与光照度的对应关系及工作电压与光照度的对应关系曲线，为以后实验提供数据。 二、基本原理 半导体发光二极管筒称LED。它是由Ⅲ－Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN 结。因此它具有一般二极管的正向导通；反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。其发光原理如图1-1 所示，当加上正向激励电压或电流时，在外电场作用下，在P－N 结附近产生导带电子和价带空穴，空穴由P 区注入N 区，进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。假设发光是在P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发 图1-1 发光二极管的工作原理 光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、价带中间附近）捕获，再与空穴复合，每次释放的能量不大，以热能的形式辐射出来。发光的复量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN 结面数μm 以内产生。发光二极管的发光颜色由制作二极管的半导体化合物决定。本实验使用纯白高亮发光二极管。 三、需用器件与单元 主机箱（0～20mA 可调恒流源、电流表、0～24V 可调电压源，照度表）；照度计探头；发光二极管；通光筒。 四、实验步骤： 照度—电流对应值的测量； 1、按图1-2 配置接线，接线注意＋、－极性。 2、检查接线无误后，合上主机箱电源开关。
三极管基本知识全归纳
1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue 发射极正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。 NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。 NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC
三极管放大电路实验报告
三极管放大电路 1、问题简述： 要求设计一放大电路，电路部分参数及要求如下： （1）信号源电压幅值：0.5V； （2）信号源内阻：50kohm； （3）电路总增益：2倍； （4）总功耗：小于30mW； （5）增益不平坦度：20 ~ 200kHz范围内小于0.1dB。 2、问题分析： 通过分析得出放大电路可以采用三极管放大电路。 2.1 对三种放大电路的分析 （1）共射级电路要求高负载，同时具有大增益特性； （2）共集电极电路具有负载能力较强的特性，但增益特性不好，小于1； （3）共基极电路增益特性比较好，但与共射级电路一样带负载能力不强。 综上所述，对于次放大电路来说单采用一个三极管是行不通的，因为它要求此放大电路具有比较好的增益特性以及有较强的带负载能力。 2.2 放大电路的设计思路 在此放大电路中采用两级放大的思路。 先采用共射级电路对信号进行放大，使之达到放大两倍的要求；再采用共集电极电路提高电路的负载能力。 3、实验目的 （1）进一步理解三极管的放大特性； （2）掌握三极管放大电路的设计； （3）掌握三种三极管放大电路的特性； （4）掌握三极管放大电路波形的调试； （5）提高遇到问题时解决问题的能力。 4、问题解决 测量调试过程中的电路： 增益调试： 首先测量各点（电源、基极、输出端）的波形：
结果如下：
绿色的线代表电压变化，红色代表电源。调节电阻R2、R3、R5使得电压的最大值大于电源电压的2/3。 V A=R2//R3//（1+β）R5 / [R2//R3//（1+β）R5+R1]，其中由于R1较大因此R2、R3也相对较大。 第一级放大输出处的波形调试（采用共射级放大电路）： 结果为： 红色的电压最大值与绿色电压最大值之比即为放大倍数。 则需要适当增大R2，减小R3的阻值。 总输出的调试： 如果放大倍数不合适，则调节R4与R5的阻值。即当放大倍数不足时，应增大R4，减小R5。 如果失真则需要调节R6，或者适当增大电源的电压值，必要时可以返回C极，调节C极的输出。 功率的调试： 由于大功率电路耗电现象非常严重，因此我们在设计电路时，应在满足要求的情况下尽可能的减小电路的总功耗。减小总功耗的方法有： （1）尽可能减小输入直流电压； （2）尽可能减小R2、R3的阻值； （3）尽可能增大R6的阻值。 电路输入输出增益、相位的调试： 由于在放大电路分别采用了共射极和共集电极电路，因此输出信号和输入信号相位相差180度。体现在波形上是，当输入交流信号电压达到最大值是，输出信号到达最小值。 由于工作频率为1kHz，当采用专门的增益、相位仪器测量时需要保证工作频率附近出的增益、相位特性比较平稳，尤其相位应为±180度附近。一般情况下，为了达到这一目的，通常采用的方法为适当增大C6（下图为C1）的电容。 最终调试电路：
光敏三极管的主要技术特性及参数
光敏三极管的主要技术特性及参数 1、光谱特性 光敏三极管由于使用的材料不同，分为错光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。 2、伏安特性 光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。光敏三极管的伏安特性曲线如图下图所示。 3、光电特性 与光照度之间的关光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流I L 系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。 4、温度特性 温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。
5、暗电流I D 在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。 6、光电流I L 在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。 7、集电极一发射极击穿电压V CE 在无光照下，集电极电流IC为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。 8、最高工作电压V RM 在无光照下，集电极电流Ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。 9、最大功率P M 最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。 10、峰值波长λp 当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。 11、光电灵敏度 在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。 12、响应时间 响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 X 10-3--- 1 X 10-7S 。 13、开关时间 1.脉冲上升时间t τ:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10% - 90% 所需的时间。 2.脉冲下降时间t :以输出脉冲后沿幅度的90% - 10% 所需的时间。 t 3.脉冲延迟时间t :从输入光脉冲开始到输出电脉冲前沿的10% 所需的时间。 d 4.脉冲储存时间t :当输入光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90% 所 s 需的时间。
三极管三个管脚识别
三极管三个管脚识别1、由三极管外形判断三个管脚
2、用万用表测量判断 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型),并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型: 将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e: 仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为c 、e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表 测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。
半导体三极管及放大电路基础
半导体三极管及放大电 路基础 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
第二章半导体三极管及放大电路基础 第一节学习要求 第二节半导体三极管 第三节共射极放大电路 第四节图解分析法 第五节小信号模型分析法 第六节放大电路的工作点稳定问题 第七节共集电极电路 第八节放大电路的频率响应概述 第九节本章小结 第一节学习要求 （1）掌握基本放大电路的两种基本分析方法--图解法与微变等效电路法。会用图解法分析电路参数对电路静态工作点的影响和分析波形失真等；会用微变等效电路法估算电压增益、电路输入、输出阻抗等动态指标。 （2）熟悉基本放大电路的三种组态及特点；掌握工作点稳定电路的工作原理。 （3）掌握频率响应的概念。了解共发射极电路频率特性的分析方法和上、下限截止频率的概念。 第二节半导体三极管（BJT） BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，由于PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同 于单个 PN结的特性而具有电流放大，从而使PN结的应 用发生了质的飞跃。本节将围绕BJT为什么具有电流放 大作用这个核心问题，讨论BJT的结构、内部载流子的 运动过程以及它的特性曲线和参数。 一、BJT的结构简介 BJT又常称为晶体管，它的种类很多。按照频率分，有高频管、低频管；按照功率分，有小、中、大功
率管；按照半导体材料分，有硅管、锗管；根据结构不同，又可分成NPN型和PNP型等等。但从它们的外形来看，BJT都有三个电极，如图所示。 图是NPN型BJT的示意图。它是由两个 PN结的三层半导体制成的。中间是一块很薄的P型半导体(几微米~几十微米)，两边各为一块N型半导体。从三块半导体上各自接出的一根引线就是BJT的三个电极，它们分别叫做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称为发射区、基区和集电区。虽然发射区和集电区都是N 型半导体，但是发射区比集电区掺的杂质多。在几何尺寸上，集电区的面积比发射区的大，这从图也可看到，因此它们并不是对称的。 二、BJT的电流分配与放大作用 1、BJT内部载流子的传输过程 BJT工作于放大状态的基本条件：发射结正偏、集电结反偏。 在外加电压的作用下， BJT内部载流子的传输过程为： （1）发射极注入电子 由于发射结外加正向电压V EE，因此发射结的空间电荷区变窄，这时发射区的多数载流子电子不断通过发射
三极管放大实验报告
（一）、实验目的 1.对晶体三极管进行实物识别，了解它们的命名方法和主要技术指标； 2.学习放大电路动态参数（电压放大倍数等）的测量方法； 3.调节电路相关参数，用示波器观测输出波形，对饱和失真失真的情况进行研究； 4.通过实验进一步熟悉三极管的使用方法及放大电路的研究方法。 （二）、实验原理 一、三极管 1. 三极管基本知识 三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管的分类方式很多，按照材料可分为硅管和锗管；按照结构可分为NPN和PNP；按照功能可分为开关管、功率管、达林顿管、光敏管等；按照功率可分为小功率管、中功率管和大功率管；按照工作频率可分为低频管、高频管和超频管；按照安装方式可分为插件三极管和贴片三极管。 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，根据排列方式的不同可将三极管分为PNP和NPN两种。 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN 结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大。 两种不同类型三极管的表示方式如图1所示，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
图1 不同类型三极管表示方式 2．三极管放大原理 （1）发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 （2）基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 （3）集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。 3．三极管的工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。