电子技术二年级单片机原理及应用B卷答案周剑华

单片机原理及应用期末考试B卷答案

一、单项选择题（每小题1.5分，共10小题，共计15分）

二、填空题（每小空1分，共10小空，共计10分）

1、器件

2、40 32~39 21~28

3、2 0 1

4、顺序程序分支程序循环程序

5、子程序

三、计算题（每小题10分，共3小题，共计30分）

1、（1）（110011）2=1*25+1*24+1*21+1*20=32+16+2+1=（51）10

（2）（100.11）2=1*22+1*2-1+1*2-2=4+0.5+0.25=（4.75）10

2、（1）（127）10=（1111111）2

（2）（20.5）10=（10100.1）2

3、（1）（1EA）16=（111101010）2

（2）（F0.D1）16=（11110000.11010001）2

四、为下列程序每条指令后面加上注释，并计算结果（注释2分，结果每个1分，每小题4分，共5小题，共计20分）

1、将寄存器R0所指向地址30H中的数据传送到累加器A里面A5H 0

2、累加器A的数据与寄存器R0所指向单元30H的内容的低四位数据进行互换，高四位不

变75H AAH

3、累加器A中数据7AH和立即数30H进行逻辑或操作，结果保存到累加器A中

7AH 1

4、带进位循环左移指令，对累加器A中数据7AH进行带进位循环左移操作

F5H 0

5、累加器A中数据7A和30H地址所存数据A5H进行逻辑与操作，结果保存到累加器A

中20H 1

五、试编写两字节无符号数的加法运算程序并画出程序流程图。设被加数放在30H与31H单元，加数放在40H与41H单元，结果和保存在20H与21H 单元中。（编写程序5分，画出程序流程图5分。共计10分）

程序：CLR C

MOV A，30H

SUBB A，40H

MOV 20H，A

MOV A，31H

SUBBC A，41H

MOV 21H，A

六、简答题（每小题5分，共3小题，共计15分）

1、答：（1）中央处理器CPU （计算器，控制器）；（2）存储器：程序存储器（ROM)、数据存储器（RAM)；（3）总线（地址总线，数据总线，控制总线）；（4）可编程输入/输出（I/O)接口；（5）定时器/计数器；（6）串行口；（7）振荡器及时钟电路；（8）中断系统；（9）数模D/A 、模数A/D 转换器。

（5）~（9）可以省略。写出四部分就可给全分。

2、答：分为四类，掩膜ROM 、可编程ROM （EPROM ）、紫外线可擦除电可编程ROM （EPROM ）、电可擦除可编程ROM （EEPROM ）。

掩膜ROM ：厂家按用户要求写入内容，用户不可更改； 可编程ROM （EPROM ）：开发现场由用户自行写入，内容一旦写入就不能再进行更改； 紫外线可擦除电可编程ROM （EPROM ）：电信号编程而用紫外线擦除，内容由用户写入，但可以反复擦除重新写入；

电可擦除可编程ROM （EEPROM ）：也可写成E 2PROM ，电信号编程也用电信号擦除，断电后信息不丢失，可以随时进行读/写操作。也称闪存。 3、答：共有6步，第一步，分析任务，确定算法；

第二步，确定程序流程； 第三步，分配存储单元； 第四步，编写程序；

第五步，编译程序，烧录到芯片； 第六步，通电运行调试。

数据流程图如图左所示，

学生程序流程图中含有开始结束起止框、处理框和数据流程线，并且流程线箭头方向一致，处理框顺序合适就算对。中间的处理框也可以按指令顺序编写。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

单片机原理及应用期末考试试卷及答案

苏州经贸职业技术学院 2009-2010学年第二学期 《单片机原理及应用》期终试卷（A） 班级：姓名：学号：成绩： 一﹑填空题(将正确答案填在题干的空白处。1分×35=35分) 1、十进制数－47用8位二进制补码表示为：11010001B。 2、89C51含4KB Flash ROM，128B的RAM，在物理上有4个独立的存储器 空间。 3、若8031单片机的晶振频率fosc＝12MHz，则振荡周期为1/12us ，状态周期为1/6us ，机器周期为1us ，执行MUL AB指令需要时间为4us 。 4、假定A=85H，R0=20H，（20H）=0AFH。执行指令：ADD A，＠R0后，累加器 A的内容34H ，CY的内容1 ，AC的内容1 ，OV的内容1 。 5、假定DPTR的内容为8100H，累加器A的内容为40H，执行下列指令： MOVC A，@A+DPTR 后，送入A的是程序存储器8140H 单元的内容。 6、PSW中RS1 RS0=10H时，R2的地址为12H 。 7、ROM在物理上分为片内ROM 和片外ROM ，在逻辑上两者统一编址。 8、MCS-51单片机当EA=1时，首先使用的是片内程序存储器，存储容量超过4KB时开始使用外部程序存储器；EA=0时，则仅仅使用片外程序存储器。 9、MCS—51单片机访问片外存储器时，利用ALE 信号锁存来自P0 口的低8位地址信号。 10、欲使P1口的高4位输出1，而低4位不变，应执行一条ORL P1，#0F0H指令。 11、12根地址线可选4KB个存储单元，32KB存储单元需要15 根地址线。 12、设80C51 fosc=12MHz，定时器工作在方式0，则最大定时时间为8192μs。 13、异步串行数据通讯有单工、半双工和全双工共三种传送方式。 14、51单片机的中断系统最多可以有 2 个嵌套。 15、8031单片机指令MOV是访问内RAM ，最大范围为256B ，MOVX是访问外RAM ，最大范围为64KB，MOVC是访问ROM ，最大范围为64KB 。 二、单项选择（1分×15=15分） 1、MCS-51上电复位后，SP的内容是（B） （A）00H （B）07H （C）60H （D）70H 2、80C51是（C）

电子技术基础试卷及答案

《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷 一、单项选择题 1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。(2 分) A.R×1 B.R×10 C.R×100或R×1k D.R×10k 2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。(2 分) A.变大 B.先变大后变小 C.变小 D.不变 3.二极管正反向电阻相差( )。(2 分) A.越小越好 B.越大越好 C.无差别最好 D.无要求 4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。(2 分) A.正、反向电阻都为零 B.正、反向电阻都为无穷大 C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧 D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧 5.变容二极管工作时,应加( )。(2 分) A.反向电压 B.正向电压 C.正向电压或反向电压 6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。(2 分) A.基本正常 B.击穿 C.烧坏 D.电流为零 7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。(2 分) A.正偏 B.反偏 C.零偏

8.2AP9表示( )。(2 分) A.N型材料整流管 B.N型材料稳压管 C.N型材料普通管 D.N型材料开关管 9.变容二极管常用在( )电路中。(2 分) A.高频 B.低频 C.直流 10.用于整流的二极管型号是( )。(2 分) A.2AP9 B.2CW14C C.2CZ52B D.2CK84A 二、判断题 11.( )发光二极管可以接收可见光线。(2 分) 12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。(2 分) 13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。(2 分) 14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。(2 分) 15.( )有两个电极的元件都叫二极管。(2 分) 16.( )二极管具有单向导电性。(2 分) 17.( )光电二极管可以将光信号转化成为电信号。(2 分) 18.( )PN结是一种特殊的物质,一般情况下不能导电。(2 分) 19.( )二极管是线性元件。(2 分) 20.( )二极管加正向电压时一定导通。(2 分) 三、填空题 21. 硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。(4 分) 22.PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电 源的极，N区接电源的极。(4 分)

单片机原理及应用在线考试试题答案

中国石油大学（北京）远程教育学院期末考核 《单片原理及应用》 说明：共100分，每题20分，在下题中任选5题。 1.MCS-51的时钟周期、机器周期、指令周期是如何分配的？当振荡频率为10MHz时，一 个机器周期为多少毫秒？ 参考第二章第四节。MCS-51典型的指令周期为一个机器周期，每个机器周期由6个状态周期组成，每个状态周期由2个时钟周期（振荡周期）组成。一个机器周期=6×一个状 态周期=12×一个时钟周期=12× 答： 为使单片机能够完成取指、译码、执行指令等操作，需要为单片机提供时钟信号以产生必要的时序。单片机振荡电路中的振荡信号对应的周期叫振荡周期（时钟周期）。对振荡周期12分频后得到的信号周期叫做机器周期，即12个时钟周期，是1个机器周期。一个机器周期宽度为6个状态周期，并依次表示为S1~S6。每个状态周期由2个时钟周期（振荡周期）组成。Mcs51单片机的111条指令，执行时，所花费的时间，称为指令周期。 一个机器周期=6×一个状态周期=12×一个时钟周期=12×=12×1/10=1.2 us=0.0012ms 2.指出下列指令中画线的操作数的寻址方式？ MOV R0, #55H ；立即寻址 MOV A, 2AH ；直接寻址 MOV A, @R1 ；寄存器间接寻址 MOV @R0, A ；寄存器寻址 ADD A, R7 ；寄存器寻址 MOVX A, @DPTR ；寄存器间接寻址 MOV DPTR, #0123H ；立即寻址 MOVC A, @A+DPTR ；基址加变址寻址 INC DPTR；寄存器寻址 参考第三章第二节指令寻址方式 3.外部RAM中从1000H到10FFH有一个数据区，现在将它传送到外部RAM中2500H单元 开始的区域中，编程完成上述功能。 参考第三章第三节数据传送类指令和第六章第二节外部存储器扩展 START: MOV R0，#00H MOV DPTR，#1000H LOOP: MOVX A，@DPTR MOV DPH，#25H MOVX @DPTR，A MOV DPH，#10H

电工电子技术课后答案

1 《电工电子技术》（第二版）节后学习检测解答 第1章节后检验题解析 第8页检验题解答： 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换；电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂，电路元件是理想的，电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向，但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说，某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出，因此在求解电路列写方程式时，各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向，方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时，参考方向下某电量前面取正号，即假定该电量的实际方向与参考方向一致，若参考方向下某电量前面取负号，则假定该电量的实际方向与参考方向相反；求解结果某电量为正值，说明该电量的实际方向与参考方向相同，求解结果某电量得负值，说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在，参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为：在图1-5中，五个二端元 件分别代表电源或负载。其中的三个元件上电 流和电压的参考方向已标出，在参考方向下通 过测量得到：I 1＝－2A ，I 2＝6A ，I 3＝4A ，U 1＝80V ，U 2＝－120V ，U 3＝30V 。试判断哪些元 件是电源？哪些是负载？ 解析：I 1与U 1为非关联参考方向，因此P 1=－I 1×U 1=－（－2）×80=160W ，元件1获得正功率，说明元件1是负载；I 2与U 2为关联参考方向，因此P 2=I 2×U 2=6×（－120）=－720W ，元件2获得负功率，说明元件2是电源；I 3与U 3为关联参考方向，因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ，元件3获得正功率，说明元件 3是负载。根据并联电路端电压相同可知， 元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压，因此可得：U 4=40V ，左高右低；U 5=90V ，左低右高。则元件4上电压电流非关联，P 4=－40×（－2）=80W ，元件4是负载；元件5上电压电流关联，P 5=90×4=360W ，元件5是负载。 验证：P ＋= P 1+P 3+ P 4+ P 5=160+120+80+360=720W P －= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率，符合功率平衡。 第16页检验题解答： 图1-5检验题4电路图I 1 元件1 U 1 ＋－I 2 元件2 U 2 －＋I 3 元件3 U 3 ＋－元件4 元件5

电子技术基础与技能试题及答案

电子技术基础与技能试题 使用教材：电子技术基础与技能试题围：全册 ：高等教育版次：第2版 学校名称：礼县职业中等专业学校 一、填空题 1、二极管最主要的电特性是，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。 2、三极管的三个工作区域是，，。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大器。 3、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为。 4、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。 5、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、R id= 、K CMR= 、R O = 6、三端集成稳压器CW7805输出电压V，CW7915输出电压V。 7、74LS系列的TTL与非门电路常使用的电源电压为V，一般要求其输出高电平电压大于等于V，输出低电平电压小于等于V，CMOS集成门电路的电源电压在V 围均可正常工作，建议使用V电源供电。 8、晶体三极管截止时相当于开关，而饱和时相当于开关。 9、异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 10、已知某触发器的真值表如下（A、B为触发器的输入信号）所示，其输出信号的逻辑表达式为。

真值表 A B Q n+1说明 0 0 Q n保持 0 1 0 置0 1 0 1 置1 1 1 Q n翻转 二、单选题 1、下列使用指针式万用表判断二极管极性的正确步骤是（）。 ａ．用万用表红黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 ｂ．将万用表的电阻挡旋钮置于Ｒ×１００或Ｒ×１ｋ挡，调零。 ｃ．以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的二极管一端为正极，红表笔所接的二极管一端为负极。 ｄ．交换万用表表笔再测一次。如果二极管是好的，两次测量的结果必定一大一小。 A．ａｂｃｄ B. ｂａｄｃ C. ｃｄａｂ D. ｂｃｄａ 2、对于桥式整流电路，正确的接法是（）。 3、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为（）

单片机原理及应用试卷和答案(三套试卷和答案)

试卷一 一、填空题（20分，每小题2分） 1、－19D的二进制的补码表示为11101101B。 2、89C51含4KB掩膜ROM，128B的RAM，在物理上有4个独立的存储器空间。 3、通过堆栈操作实现子程序调用，首先要把PC 的内容入栈，以进行断点保护。调 用返回时再进行出栈操作，把保护的断点弹回 PC。 4、74LS138是具有3个输入的译码器芯片，其输出作为片选信号时，最多可以选中8 块芯片。 5、PSW中RS1 RS0=10H时，R2的地址为12H。 6、假定DPTR的内容为8100H，累加器A的内容为40H，执行下列指令： MOVC A，@A+DPTR 后，送入A的是程序存储器8140H单元的内容。 7、设SP=60H，片内RAM的（30H）=24H，（31H）=10H，在下列程序段注释中填执 行结果。 PUSH 30H ；SP=61H，（SP）=24H PUSH 31H ；SP=62H，（SP）=10H POP DPL ；SP=61H，DPL=10H POP DPH ；SP=60H，DPH=24H MOV A，#00H MOVX @DPTR，A 最后执行结果是执行结果将0送外部数据存储器的2410H单元。 8、在中断系统中，T0和T1两引脚扩展成外部中断源时，计数初值应当是（TH）=（TL）= 0FFH。 9、12根地址线可寻址4KB存储单元。 二、选择题（10分，每小题1分） 1、MCS-51响应中断时，下面哪一个条件不是必须的（C） （A）当前指令执行完毕（B）中断是开放的 （C）没有同级或高级中断服务（D）必须有RETI 2、执行PUSH ACC指令，MCS-51完成的操作是（A） （A）SP+1→SP，（ACC）→（SP）；（B）（ACC）→（SP），SP－1→SP （C）SP－1→SP，（ACC）→（SP）；（D）（ACC）→（SP），SP+1→SP 3、89C51是（C） （A）CPU （B）微处理器 （C）单片微机（D）控制器 4、关于MCS-51的堆栈操作，正确的说法是（C） （A）先入栈，再修改栈指针（B）先修改栈指针，再出栈 （C）先修改栈指针，再入栈（D）以上都不对

单片机原理期末考试试题_附答案

单片机原理期末考试试 题_附答案 This model paper was revised by LINDA on December 15, 2012.

单片机原理及应用期末考试试题汇总 1、单片机是将微处理器、一定容量的 RAM 和ROM以及(I/O)口、定时器等电路集成在一块芯片上而构成的微型计算机。 2、单片机89C51片内集成了(4)KB的FLASH ROM，共有(5)个中断源。 3、两位十六进制数最多可以表示(256)个存储单元。 4、89C51是以下哪个公司的产品（ C ） A、INTEL B、AMD C、ATMEL D、PHILIPS 5、在89C51中，只有当EA引脚接(高)电平时，CPU才访问片内的Flash ROM。 6、是非题：当89C51的EA引脚接低电平时，CPU只能访问片外ROM，而不管片内是否有程序存储器。T 7、是非题：当89C51的EA引脚接高电平时，CPU只能访问片内的4KB空间。F 8、当CPU访问片外的存储器时，其低八位地址由(P0)口提供，高八位地址由(P2)口提供，8位数据由(P0)口提供。9、在I/O口中，(P0)口在接LED时，必须提供上拉电阻，(P3)口具有第二功能。10、是非题：MCS-51系列单片机直接读端口和读端口锁存器的结果永远是相同的。F 11、是非题：是读端口还是读锁存器是用指令来区别的。T 12、是非题：在89C51的片内RAM区中，位地址和部分字节地址是冲突的。F 13、是非题：中断的矢量地址位于RAM区中。F 14、MCS-51系列单片机是属于（B）体系结构。 A、冯诺依曼 B、普林斯顿 C、哈佛 D、图灵 15、89C51具有?( 64?) KB的字节寻址能力。 16、是非题：在89C51中，当CPU访问片内、外ROM区时用MOVC指令，访问片外

电工电子技术基础考试试卷答案

《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_）

单片机原理与应用试题及答案

单片机原理与应用试题 及答案 https://www.wendangku.net/doc/b76222105.html,work Information Technology Company.2020YEAR

单片机原理与应用试卷及答案 一、填空题 1、10110110B 作为无字符数时，十进制数值为182；作为补码时，十进制数值为—74. 2、原码01101011B 的反码为01101011B ；补码为01101011B 。 3、由8051的最小系统电路除芯片外，外部只需要复位电路和时钟（晶振）电路，如果由8031的最小系统，还需要扩展外部ROM 电路。 4、若已知8051RAM 的某位地址为09H ，则该位所处的单元地址为21H 。 5、C51语言中，指令#define ADC XBYTE[OXFFEO]能够正确编译的前提是包含头文件absacc.h ，该指令的作用是定义一个外部地址单元为OXFFEO 。 二、选择题 1、程序和常数都是以（二进制）的形式存放在单片机程序的存储器中。 2、下列哪一个选项的指令语句不是任何时候都可以被C51正确编译（uchar; k=ox20) 3、当PSW 的RS0和RS1位分别为1和0时，系统选用的寄存器组为（1组） 4、若某存储器芯片地址线为12根，那么它的存储容量为（4KB ） 5、已知T osc =12MHZ ，TH1=177，TL1=224，TMOD=ox10，则从定时器启动到正常溢出的时间间隔为（20ms ） 三、简答题 答：①新建工程项目②配置工程项目属性③创建源文件④将源文件加入项目⑤保存项目 3、PSW 寄存器有何作用其各位是如何定义的 4、 答：标志寄存器PSW 是一个8位的寄存器，它用于保存指令执行结果的状态，以供工程查询和判别。 C （PWS.7）：进位标志位 AC （PWS.6）：辅助进位标志位 FO （PWS.5）：用户标志位 RS1、RS0（PWS.4、PWS.3 PSW DOH

《电工电子技术基础》 试卷A及参考答案

华中师范大学成人专科学年第二学期 《电工电子技术基础》试卷（A卷） 考试时间：90分钟闭卷任课老师： 班级：学号：姓名：成绩： 一、填空：(每空2分，共40分) 1、基尔霍夫电流定律：I= A。； 2、欧姆定律：买了一个日光灯,功率P=40W，电压220V，I= A . 因为它的功率 因数只有0.5，应该在它的两端并联可以其提高功率因数。 3、电路如图，其戴维南等效电路的参数： U AB= V ；R AB= Ω； 4、单相交流电路： 已知：0 2202sin(31460) u t V =+；则有效值U= V；频率是 HZ。 5、对称三相四线制电路中，相电压是220V，线电压为： V； 6、三相交流异步电动机的转差率S= 。 7、三相交流异步电动机定子旋转磁场的转速是： 8、三极管的放大条件是： 9、判断R F的反馈类型：。 10、组合电路如图，输出F= 。 11、三端集成稳压器W7809能够输出 V电压。 12、三相四线制电路中，则中线的作用为。 13、能实现F=0 的逻辑门是。 14、可以实现Q Q n= +1的电路是：。 装 订 线

15、安全电压是： V。 16、热继电器的热元件应该连接到。 17、变压器铁心有：两种损耗。 二、简答题：（每题4分，共20分） 1、交流电路的有功功率、无功功率及视在功率的表达式？其中cos 被称为什么？答： 2、三相异步电动机的调速方法有哪些？ 答： 3、画出接触器的线圈符号及触头的符号。 答： 4、单相桥式整流电路，已知变压器副边电压U2 =20V，则输出平均电压U O =？若一个二极管开路，则输出平均电压U O =？ 答： 5、变压器有几个功能？写出表达式。 答：

单片机原理试题库答案

单片机原理及应用复习题及答案 一、选择题（在每个小题四个备选答案中选出一个或几个正确答案，填在题的括号中） 1、80C51基本型单片机内部程序存储器容量为（C）。 （A）16KB （B）8KB （C）4KB （D）2KB 2、在80C51单片机应用系统中，可以作为时钟输出的是（C）引脚。 （A）EA（B）RST （C）ALE （D）PSEN 3、在80C51的4个并行口中，能作为通用I/O口和高8位地址总线的是（C）。 （A）P0 （B）P1 （C）P2 （D）P3 4、当优先级的设置相同时，若以下几个中断同时发生，（D）中断优先响应。 （A）并口（B）T1 （C）串口（D）T0 5、在80C51中，要访问SFR使用的寻址方式为（AB）。 （A）直接寻址（B）寄存器寻址（C）变址寻址（D）寄存器间接寻址 6、以下的4条指令中，不合法的指令为（D）。 （A）INC A （B）DEC A （C）INC DPTR （D）SWAP ACC 7、当需要扩展一片8KB的RAM时，应选用的存储器芯片为（B）。 （A）2764 （B）6264 （C）6116 （D）62128 8、若想扩展键盘和显示，并希望增加256字节的RAM时，应选择（A）芯片。 （A）8155 （B）8255 （C）8253 （D）8251 9、80C51单片机要进行10位帧格式的串行通讯时，串行口应工作在（B ）。 （A）方式0 （B）方式1 （C）方式2 （D）方式3 10、80C51复位初始化时未改变SP的内容，第一个入栈的单元地址为（A）。 （A）08H （B）80H （C）00H （D）07H 11、MCS—51单片机的复位信号是( A )有效。 A.高电平 B.低电平 C.脉冲 D.下降沿 12、若MCS-51单片机使用晶振频率为6MHz时，其复位持续时间应该超过( B )。 A.2μs B.4μs C.8μs D.1ms 13、若PSW.4=0,PSW.3=1，要想把寄存器R0的内容入栈，应使用( D )指令。 A.PUSH R0 B.PUSH @R0 C.PUSH 00H D.PUSH 08H 14、能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为( C )。 A.掩膜ROM B.PROM C.EPROM D.EEPROM 15、在片外扩展一片2764程序存储器芯片要( B )地址线。 A.8根 B.13根 C.16根 D.20根 16、定时器/计数器工作方式1是( D )。 A.8位计数器结构 B.2个8位计数器结构 C.13位计数结构 D.16位计数结构 17、设MCS-51单片机晶振频率为12MHz，定时器作计数器使用时，其最高的输入计数频率应为 ( C ) A.2MHz B.1MHz C.500KHz D.250KHz 18、已知1只共阴极LED显示器，其中a笔段为字形代码的最低位，若需显示数字1，它的字形代码应为( A )。 A.06H B.F9H C.30H D.CFH

单片机原理及应用试题库答案

《单片机原理及应用》试题库 一、填空题 1．单片机就是把（CPU）、( 输入/输出)、和( 存储器)等部件都集成在一个电路芯片上，并具备一套功能完善的( 指令系统)，有的型号同时还具备( AD )和( DA )等功能部件，其简称为( 微处理器)或(微控制器)。 2．Intel公司典型的单片机有( MCS-51系列)和( MCS-96系列)。 3．单片机具有体积( 下)、重量( 轻)、价格( 低)、功耗( 小)、控制功能强、运算速度快、运用灵活、易于产品化、抗扰能力( 强)等特点，故在国民经济建设、军事及家用电器等领域均得到了广泛的应用。 4．微处理器本身不是计算机，它是微型计算机的核心部件，又称它为（CPU ）。它包括两个主要部分：（运算器）、（控制器）。 5．当扩展外部存储器或I/O口时，P2口用作（地址线的高8位）。 6．MCS－51单片机内部RAM区有（ 4 ）个工作寄存器区。 7．MCS－51单片机内部RAM区有（128 ）个位地址。 8．89C51单片机片内RAM中位寻址区的地址范围是（20H—2FH ），工作寄存器区的地址范围是（00H—1FH ），片内程序存储器中寻址区的地址范围是（0000H—07FFH ）。 9．MCS-51有（ 4 ）个并行I\O口。 10．MCS-51的堆栈是软件填写堆栈指针临时在（30H—7FH ）内开辟的区域. 11．MCS-51片内（20H—2FH ）范围内的数据存储器，既可以字节寻址又可以位寻址。 12．程序状态标志字寄存器PSW中的PSW.7的含义是（进位和借位标志位）；PSW.0的含义是（奇偶校验位）。 13．若不使用89C51片内的程序存储器，引脚（EA’）必须接地。 14．MCS-51中凡字节地址能被（0和8 ）整除的特殊功能寄存器均能寻址。 15．MCS-51有4组工作寄存器，它们的字节地址范围是（00H—1FH ）。 16．当MCS-51引脚（ALE ）信号有效时，表示从P0口稳定地送出了低8位地址. 17．在单片机的RESET端出现（两个机器周期以上的高电平时），便可以可靠复位，复位后的程序指针PC指向（0000H ）地址。 18．MCS-51系列单片机有:（外部中断0）, （外部中断1 ）, （定时/计数器T0溢出中断）, （定时/计数器T1溢出中断）, （串行口）等5个中断请求源。 39．KeiL C51软件中，工程文件的扩展名是__UV2______，编译连接后生成可烧写的文件扩展名是__hex_______。

电工电子技术试题(含答案)

一选择题： 1、理想二极管的反向电阻为（ B ）。 A 零 B 无穷大 C 约几百千欧 D 以上都不对 1.在换路瞬间，下列各项中除( B )不能跃变外，其他全可跃变。 (a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流 4.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法 正确的是（ D ）。 (A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率 (C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗 5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压 V t u BC )180sin(2380-=ω，则相电压=C u （ D ）。 (a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω (c) V t )120sin(2380+ω （d ）2202sin(30)t ω+ 6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同 (f1>f2)的两电源下，此时线圈的磁通Φ1和Φ2 关系是( B )。 (a)Φ1 >Φ2 (b)Φ1<Φ2 (c)Φ1=Φ2 7.一负载电阻为RL ，经变压器接到内阻R0＝800Ω的电源上，变压器 原、副绕组的额定电流为2A ／20A ，若使从变压器原绕组看进去的等 效负载电阻RL ′＝R0时，则RL 等于（ B ）

(a) 0.8Ω (b) 8Ω (c) 80Ω (d) 800Ω k的电阻中通过2mA的电流，试问电阻两端的电压是（ D ）。 1、3Ω A、10V B、6mV C、1.5V D、6V 2、有一额定值为5W 500Ω的线绕电阻，其额定电流为（ D ）。 A、2500 B、100 C、1 D、0.1 3、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W，如将它接到110V 的电源上，则取用的功率为（ B ）W。 A、125 B、250 C、500 D、1000 1. 稳压管起稳压作用，是利用它的（ D ）。 A 正向特性 B 单向导电性 C 双向导电性 D 反向击穿特性 2.某一负载消耗的有功功率为300W，消耗的无功功率为400var，则 该负载的视在功率为（ c ）。 (a)700VA (b)100VA (c)500VA 3.图右所示电路中P点电位为( a ) (a)5V (b)4V (c)3V (d)2V 2. 采用差分放大电路是为了（ B ） A 加强电路对称性 B 抑制零点漂移 C 增强放大倍数

电子技术基础与技能试题及答案

使用教材：电子技术基础与技能试题范围：全册出版社：高等教育出版社版次：第2版 学校名称：礼县职业中等专业学校 一、填空题 1、二极管最主要的电特性是，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。 2、三极管的三个工作区域是，，。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大器。 3、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB，总的电压放大倍数为。 4、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。 5、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、R id= 、K CMR= 、R O = 6、三端集成稳压器CW7805输出电压 V，CW7915输出电压 V。 7、74LS系列的TTL与非门电路中通常使用的电源电压为 V，一般要求其输出高电平电压大于等于 V，输出低电平电压小于等于 V， CMOS集成门电路的电源电压在 V 范围内均可正常工作，建议使用 V电源供电。 8、晶体三极管截止时相当于开关，而饱和时相当于开关。 9、异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 10、已知某触发器的真值表如下（A、B为触发器的输入信号）所示，其输出信号的逻辑表达式为。

二、单选题 1、下列使用指针式万用表判断二极管极性的正确步骤是（）。 ａ．用万用表红黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 ｂ．将万用表的电阻挡旋钮置于Ｒ×１００或Ｒ×１ｋ挡，调零。 ｃ．以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的二极管一端为正极，红表笔所接的二极管一端为负极。 ｄ．交换万用表表笔再测一次。如果二极管是好的，两次测量的结果必定一大一小。 A．ａｂｃｄ B. ｂａｄｃ C. ｃｄａｂ D. ｂｃｄａ 2、对于桥式整流电路，正确的接法是（）。 3、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为（） A.=100 B.=50 C.=150 图1

单片机原理及应用试题及答案

广西工学院 2002 — 2003 学年第 2 学期课程考核试题考核课程单片机原理及应用考核班级自动化00级 学生数 145 印数 150 考核方式闭卷考核时间 120 分钟 一．填空题（每空1分，共20分） 1、单片机与普通计算机的不同之处在于其将CPU 微处理器、存储 器和I/O口三部分集成于一块芯片上。 2、使用双缓冲方式的D/A转换器，可实现多路模拟信号的同时输出。习题11.4 3、通过堆栈操作实现子程序调用，首先就要把PC的内容入栈，以进行断点保 护。调用返回时，再进行出栈保护，把保护的断点送回到PC。习题2.17 4、在基址加变址寻址方式中，以累加器A作变址寄存器， 以DPTR或PC 作基址寄存器。3.3 5、假定累加器A中的内容为40H，执行指令 1000H：MOVC A,@A+PC 后，把程序存储器1041H单元的内容送入累加器A中。 6、在寄存器间接寻址方式中，其“间接”体现在指令中寄存器的内容不是操作 数，而是操作数的地址。3.10 7、假定A=83H，（R0）=17H，（17H）=0B5H，执行以下指令： ANL A,#17H ORL 17H,A XRL A,@R0 CPL A 后，A的内容为4BH 。 解析： ANL A,#17H ；A中83H与17H相与，（A）=03H ORL 17H,A ；（17H）中0B5H与（A）中03H相或，（17H)=B7H XRL A,@R0 A ;(A)中03H与（17H)中B7H异或，（A）=B4H

CPL A ;对A取反， A=4BH 8、已知程序执行前有A=01H，SP=42H，（41H）=FFH，(42H)=FFH。下述程序执行后： POP DPH POP DPL MOV DPTR,#3000H RL A MOV B,A MOVC A,@A+DPTR PUSH A MOV A,B INC A MOVC A,@A+DPTR PUSH A RET ORG 3000H DB 10H,80H,30H,80H,50H,80H 请问：A= 80H，SP= ，（41H）= ，（42H）= 。 9、在存储器扩展中，无论是线选法还是译码法，最终都是为了扩展芯片的片选端提供信号。 10、在MCS-51中，PC和DPTR都用于提供地址，但PC是为了访问程序存 储器提供地址，而DPTR是为访问数据存储器提供地址。 11、16KB RAM存储器的首地址若为3000H，则末地址为 H。 解析：1000H=0001 0000 0000 0000B=2^12=4K,16K就是4000H,即：0100 0000 0000 0000B=2^14 所以末地址为：7000H-1=6FFFH

电工电子技术基础习题参考答案

电工电子技术基础习题参考答案 第一章 1-1题略 （a）u＝iR+Us （b）u＝-iR+Us 1-2题略 解：设各支路参考电流I1、I2、I；参考电压U AB，电压源Us、电流源Is。 如图所示，联立方程。 I1+ I2-I＝0 基尔霍夫电流定律：ΣI＝0 I1 R1+U AB-Us＝0 基尔霍夫电压定律：ΣU＝0 U AB＝I R2 部分电路欧姆定律：U＝I R 参数代入 I1+ 2-I＝0 I1 +U AB-2＝0 U AB＝I 解得 I1＝0 I＝2A U AB＝2V 所求电流I＝2A。

1-3题略 解：（1）设电压源Us1、电压源Us2。如图所示，联立方程。 -I1+ I2-I3＝0 基尔霍夫电流定律（节点A）：ΣI＝0 -I1 R1+U3-U S1＝0 基尔霍夫电压定律（回路1）：ΣU＝0 I2 R2+U3- Us2＝0基尔霍夫电压定律（回路2）：ΣU＝0 参数代入 -0.003+ 0.001-I3＝0 -0.003·10000-30+U3＝0 0.001·20000+U3- 80＝0 解得 I3＝-2mA U3＝60V （2）说明元件3是电源，电压源Us1、电阻R1、R2是负载输入功率，电压源Us2、元件3是输出功率。 （3）演算电路功率 总输出功率：P O＝P US2+ P3 ＝Us2·I2+（- I3）·U3 ＝Us2·I2- I3·U3 ＝80·0.001 -（- 0.002）·60 ＝80mW+120mW ＝200mW 总输入功率：Pi＝P US1+ P R1+ P R2 ＝Us1·I1 + I12·R1 + I22·R2 ＝30·0.003 +（0.003）2·10000 +（0.001）2·20000 ＝90mW +90mW+20mW ＝200mW 电路功率演算结果：总输入功率等于总输入功率，功率平衡。

电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷五（本科）及其参考答案 试卷五 一、填空和选择题（每小题2分共16分） 1．半导体二极管的重要特性之一是。 （A）温度稳定性（B）单向导电性（C）放大作用（D）滤波特性2．在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生失真。 （A）截止失真（B）饱和v失真（C）双向失真（D）线性失真3．多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带。 （A）变宽（B）变窄（C）不变（D）与单级放大电路无关4．电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻。 （A）等于零（B）比直流等效电阻小 （C）等于直流等效电阻（D）远远大于直流等效电阻 5．放大电路产生零点漂移的主要原因是。 （A）采用了直接耦合方式（B）采用了阻容耦合方式 （C）采用了正、负双电源供电（D）增益太大 6．二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为。 （A）20dB/十倍频程（B）-20dB/十倍频程 （C）40dB十倍频程（D）-40dB/十倍频程 7．当有用信号的频率低于100Hz时，应采用滤波电路。 （A）低通（B）高通（C）带通（D）带阻 8．在图1-8所示电路中，稳压管D Z的稳定电压V Z = 6V，最小稳定电流I zmin = 5mA，输入电压V I = 12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下I L的数值最大不应超过。 （A）40mA （B）45mA （C）55mA （D）60mA 图1-8 二、（14分） 分压式射极置共射放大电路如图2所示，已知BJT的β =100，V BE = 0.7V。电路处于正常放大状态。 （1）估算电路的静态工作点； （2）画出简化的H参数小信号等效电路； （3）求放大电路通带内的电压增益、输入电阻和输出电阻。 图2 三、（12分） 放大电路如图3 a、b、c、d所示。

电工电子技术课后 答案第二版 (徐淑华 著)

习 题 二 2-2 图2.17所示电路换路前已处于稳态。试求（1）换路后瞬间的)0(),0(),0(),0(),0(),0(L C 21L C ++++++u i i i i u 。（2）换路后电路到达新的稳定状态时的)(),(),(),(),(),(L C 21L C ∞∞∞∞∞∞u i i i i u 。 解：（1）16 (0)311 i A -= =+ 23 (0) 1.52 i A -== 3(0)(0) 1.5L i i A --== 4(0)(0) 1.5c l u i R V --== 由换路定则：(0)(0) 1.5c c u u V +-== (0)(0) 1.5L L i i A +-== 1313 26 1.5 (0)(0) 2.25(0)0 (0)0 L i i A R R i u ++++-== =+== （2）换路后达到新的稳定状态 113466 ()()2111 ∞=∞= ==++++L i i mA R R R 24()0,()0()()2()0 c c L L i i u R i V u ∞=∞=∞=∞=∞= 2-3 求图 2.18所示电路S 接通和断开两种情况下的时间常数。已知：μF 01.0, Ω100, V 2204321======C R R R R U 。 解：接通时：04312//(//)100//(10050)60R R R R R =+=+=Ω 670600.0110610R C s τ--==??=? 断开时：0432//()100//20066.7R R R R =+==Ω 6 7066.70.0110 6.6710R C s τ--==??=? u L Ω i 1 R 1 R 3 i 3 i L 图2.17 习题2-2的电路 + - C 图2.18 习题2-3的电路