华之美半导体MOS管型号选型指南9-10(精)
量产状态量产量产量产量产量产量产 FDC6333/FDC6327/FDC6420 直接替代型号 AOD4185/AOD4189/AOD413A SUD25P03/EMB25P03
AOD4185/AOD4189/AOD413A SUD50P03/EMB50P03
AOD4185/AOD4189/AOD413A SUD85P03/EMB85P03
AOD4185/AOD4189/AOD413A SUD50P04/EMB40P04 ME70P04/IPI70P04
AOD403/IRF4905 AOD407/IRFR5505 IRFR9024N/IRLR9343
AOD413/SPP3095/IRFR5305/ IRFR9024/P1604ED/AP4435GH AOD407/AOD409
ME50P06/SUP50P06/SUD50P06 IRF4905/MTD50P06/NTB50P06
STP13P10/FQP13P10/AOD404 IRFR5410/IRFR912N AP15N03/PHD15N03/AP15N03/ PHD15N03/PHP15N03/APM3055 AP50N03/PHD50N03/AP45N03/PHD45N03/
PHP45N03/AOD452/AOD472 SPB80N03/SPP80N03/AP80N03/PHD80N03
AP75N03/PHD75N03/PHP75N03/FQD75N03 量产量产量产量产量产量产量产BSC120N03/AOT210L/AOT424/AOD4132/ AOD492/IRL3803/IRL8113/IRLR8113/ IRL2203N/IRLR7833/SUP90N03 量产量产量产量产量产量产量产
BSC60N04/SUP60N04/SUD60N04 BSC80N04/SUP80N04/SUD80N04
IRF1404/MXP4004 SSFT4003 IRF1404/MXP4004 SSFT4003
IRF3205/MXP6008/UF3205/SSF5508 KIA3205/JCS3205C/WFP3205/AOT424
AOD4184/IRFR020/AOD442/AOD454 IRLR024N/AP9971GH/IRFR2905
STP50N06/IRFZ44N/SUD50N06/SSF6808
量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产
AP50N06/PHD50N06/FQP50N06/FTD50N06 CEP75N06/NTP75N06/MTP75N06/ RFP75N06/SUP75N06/AOT2606/ AOT2608/IRFZ48V/IRF1018E
IRFP3305/AOT466/AOT1606/AOT1608 AOT260/AOT262/AOT264/AOT266
IRFB3306/AOT466/AOT1606/AOT1608 AOT260/AOT262/AOT264/AOT266
STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/ AOT430/IRF3607/LTP75N08
STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/ AOT430/IRF3607/LTP75N08
STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/ AOT430/IRF3607/LTP75N08
STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/ AOT430/IRF3607/LTP75N08
STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/ AOT430/IRF3607/LTP75N08
IRF1010E/NEC4145/AOT430/2SK4145/ UF1010/RU7088/AOT428
STP75NF80/STP75NF75/IRF1010E/NEC4145/ AOT430/2SK4145/LTP75N08
IRF1607/IRF1407/IRF3808 IRFB3307/AOT270AL/AOT472
IRF3207/IRF2907/IRF3077/RU190N08 AOT270/AOT472/AOT280/AOT480
IRF3207/IRF1404 RU190N08 STP75NF75/IRF1010E/2SK4145/
AOT430/IRF3607/LTP75N08 IRFB3307/AOT282 AOT284/AOT482 IRF3808 AOT280 IRFP2907 AOT480 STP75NF80/STP75NF75/IRF1010E/NEC4145/
AOT430/2SK4145/LTP75N08 STP75NF80/STP75NF75/IRF1010E/NEC4145/
AOT430/2SK4145/LTP75N08 IRF530 IRF3710/IRF540/SSF1010 MXP1018
IRFB4610/IRFB4710/IRFB4510 IRF8010/AOT296/AOT298/AOT412
IRF2807/SSF7509 MXP1010
量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产状态量产 IRLB4030/IRFB4310 AOT1100/AOT290/AOT410 IRF4310/AOT1100/ AOT290/AOT410 IRFB4110/IRFB4310 AOT1100/AOT290/AOT410
IRLB4030/IRFB4310 AOT1100/AOT290/AOT410 STP6N10 STP10N10/2SK2504/ FDS3672/IRFR3410 FQD17N10/IRLU3410/STP16N10/UTC19N10
SSP19N10/SPB19N10/SSP16N10/SPB16N10
UTC25N10/STP25N10/UTC19N10/SSP25N10
SPB25N10/IRFR120N/IRFR3410/AOD478 AOT414/AOT416/IRF1310/RFP40N10 MTP40N10/MTB40N10/SUD40N10/SUP40N10
FDD2572/SUM40N15/SGL40N15/AOD254
AOD256/AOD4454/IRFR4615/IRFR24N15D IRFB52N15D/IRFB41N15D/IRF3415/ IRFB4615/IRFB5615/STP50N15/IXTH50N15 STP2N20 IRF630 AOD2210/IRFR4620/ IRFR15N20D IRFB38N20D/IRFB42N20D/STP40N20
FQA40N20/IXFH40N20/SSH40N20 直接替代型号 FQP1N60/FQN1N60/
UTC1N60/STP1N60 FQP2N60/FQN2N60/ UTC2N60/STP2N60/ 2SK3067
FQP4N60/FQN4N60/ UTC4N60/STP4N60 FQP5N60/FQN5N60/ UTC5N60/STP5N60 FQP7N60/FQN7N60/ UTC7N60/STP7N60 FQP8N60/FQN8N60/ UTC8N60/STP8N60 FQP10N60/FQN10N60/ UTC10N60/STP10N60 量产量产量产量产量产量产
量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产量产 FQP12N60/FQN12N60/
UTC12N60/STP12N60 FQP20N60/FQN20N60/ UTC20N60/STP20N60
FQP4N65/FQN4N65/ UTC4N65/STP4N65 FQP5N65/FQN5N65/ UTC5N65/STP5N65 FQP7N65/FQN7N65/ UTC7N65/STP7N65 FQP8N65/FQN8N65/ UTC8N65/STP8N65 FQP10N65/FQN10N65/ UTC10N65/STP10N65 FQP12N65/FQN12N65/
UTC12N65/STP12N65 FQP13N50/FQN13N50/ UTC13N50/STP13N50
FQP20N50/FQN20N50/ UTC20N50/STP20N50 FQP6N70/FQA6N70/FQB6N70
SVF6N70/IXTH6N70/UTC6N70 FQP9N70/FQA9N70/FQB9N70
SVF9N70/WFW9N70/UTC9N70 FQP3N80/FQN3N80/ UTC3N80/STP3N80
FQP7N80/FQN7N80/ UTC7N80/STP7N80 FQP10N80/FQA10N80/
UTC10N80/STP10N80 FQP9N90/FQN9N90/ UTC9N90/STP9N90
IRF830 IRF840 IRF730 IRF740 IRF630 IRF640 DMZ6005
明纬电源型号分类
AC/DC-机壳型交换式电源供应器 G3系列 基础数据 功 率: 15-150W 输 出: 1 2 3 4 说明: ﹡小型化 ﹡高信赖度,可承受5G 震动与70℃高工作环温,全机使用105℃ 高寿命电解电容,可承受300VAC 突波输入达5秒 ﹡适合使用于较严苛的工作环境 型号: RS-15 RS-25 RS-35 RS-50 RS-75 RS-100 RS-150 R D-35 RD-50 RD-65 RD-85 RD-125 RID-50 RID-65 R ID-85 RID-125 RT-50 RT-65 RT-85 RT-125 RQ-50 R Q-65 RQ-85 RQ-125 NE 系列 基础数据 功 率: 15-150W 输 出: 1 2 3 说明: * 小型化,具备完整保护功能 * 最经济的低瓦数安规符合机型系列 型号: NES-15 NES-25 NES-35 NES-50 NES-75 NES-100 N ES-150 NED-35 NED-50 NED-75 NED-100 NET-35 NET-50 NET-75 NES-200 NES-350
G2系列 基础数据 功率: 25-1000 W 输 出: 1 2 3 4 说 明: * 200W 以上机型不具备CE(S-240除外) * 15年以上市场销售之常青安规机型,现正有数百万台各式机种 应用于各类型终端设备中 型号: S-25 S-40 S-60 S-100F S-150 S-210 S-250 S-320 D-60 ID-60 T-60 IT-60 Q-60 IQ-60 D-120 T-120 Q -120 Q-250 T-40 SE-200 SE-350 SE-450 SE-600 SE- 1000 SE-1500 SC-150 G1系列 基础数据 功率: 15-350W 输出: 1 2 3 说明: * 最低价系列机型,适合高度竞争的终端应用场合 * 20年以上市场销售之常青机型,现正有数百万台各式机种应 用于各类型终端设备中 * 无安规认证 型号: S-15 S-35 S-50 S-100 S-145 S-201 S-350 D-30 I D-30 T-30 D-50 ID-50 T-50 PFC 系列 基础数据 功 率: 75-750W 输 出: 1 3 4 说明: * 建主动式功率因子矫正功能(active PFC) * 全围电压输入,功能完整
MOS功率与选型
品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls
关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3
MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）
明纬电源型号分类
AC/DC-机壳型交换式电源供应器 G3系列基础数据 功 率: 15-150W 输 出 : 1 2 3 4 说明: ﹡小型化 ﹡高信赖度,可承受5G震动与70℃高工作环温,全机使用105℃高寿命电解电容,可承受300VAC突波输入达5秒 ﹡适合使用于较严苛的工作环境 型号: RS-15RS-25RS-35RS-50RS-75RS-100RS-150 RD-35RD-50RD-65RD-85RD-125RID-50RI D-65RID-85RID-125RT-50RT-65RT-85RT-12 5RQ-50RQ-65RQ-85RQ-125 NE系列基础数据 功 率: 15-150W 输 出 : 1 2 3 说明: * 小型化,具备完整保护功能 * 最经济的低瓦数安规符合机型系列 型号NES-15NES-25NES-35NES-50NES-75NES-100 NES-150NED-35NED-50NED-75NED-100NET-35
: NET-50NET-75NES-200NES-350 G2系列基础数据 功 率: 25-1000W 输 出 : 1 2 3 4 说明: * 200W以上机型不具备CE(S-240除外) * 15年以上市场销售之常青安规机型,现正有数百万台各式机种应用于各类型终端设备中 型号: S-25S-40S-60S-100F S-150S-210S-250S -320D-60ID-60T-60IT-60Q-60IQ-60D-1 20T-120Q-120Q-250T-40SE-200SE-350S E-450SE-600SE-1000SE-1500SC-150 G1系列基础数据 功率: 15-350W 输 出: 1 2 3 说明: * 最低价系列机型,适合高度竞争的终端应用场合 * 20年以上市场销售之常青机型,现正有数百万台各式机种应用于各类型终端设备中 * 无安规认证
IR功率MOS管选型
I D Continuous Drain Current (A)70°Micro3 Surface Mount Packages V (BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()?I D Continuous Drain Current 25°C (A) R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case Outline Key Part Number P D Max.Power Dissipation (W)https://www.wendangku.net/doc/ba7696579.html, N-Channel Logic Level IRLML2402*912570.54200.25 1.20.95230H1 IRLML2803 91258 0.54 30 0.25 1.2 0.93 230 P-Channel Logic Level IRLML6302*912590.54-200.6-0.62-4.8230H1 IRLML5103 91260 0.54 -30 0.6 -0.61 -4.8 230 * Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7V Measured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case. 1Micro3 SO-8 D-Pak D -Pak SOT-227 Micro6 SOT-223 Micro8 2 Illustrations not to scale
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
mos管选型指导
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
常用mos管(选型)
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应
明纬电源产品手册RFP-M1M3-3A-SPEC-CN
?RF 遥控器时尚超薄，重量轻，便于携带；接收器小巧，便于安装。?RF 遙控具有低功耗，远距离，障碍物穿透能力强，独立ID ，无干扰。 ???1台接收器兼容6台不同功能的遙控器，用一台接收器即可体验到调光、调色遥控器操作简单明了。 ??? 5年保固 ?LED 灯带照明。??LED 装饰灯。 特性■应用■4096级灰度等级(市面产品多为256级),调光更柔和细腻，动态变化更丰富多彩。温、RGB 控制。 自动休眠功能，当触摸遥控器处于无人操作超过30S ，能自动进入待机状态，延长电池使用时间。室内LED 照明。描述 ■RF 系列控制器具有极强的无线信号穿透力；独立ID 码，抗干扰。接收器最多能同时学习 10个遥控器，搭配 不同遥控器可以实现调光、调色温及RGB 控制；灰度等级高，使调光更柔和细腻，动态变化更丰富多彩。 电气规格 接收器 型号：M3-3A 输入电压：12~24VDC 最大负载电流：3Ax3CH 最大负载功率：108W (12V )/216W (24V )灰度等级：最大4096x4096x4096工作温度：-30℃~55℃ 产品尺寸：L135xW30xH20(mm )重量（净重）：47g 遥控器型号：M1 工作电压：DC3V (battery CR2032)工作频率：433.92MHz 遥控距离：40~50m 工作温度：-30℃~55℃产品尺寸：L104xW58xH9(mm )重量（净重）：42g 包装：0.14Kg;50pcs/7.53Kg/L44xW32xH21cm 工作湿度：20~90%RH ,无冷凝工作湿度：20~90%RH ,无冷凝总重量（毛重）：0.14Kg(吸塑包装)
常用MOS管选型参考
常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应
明纬电源型号有哪些_明纬开关电源的使用方法
明纬电源型号有哪些_明纬开关电源的使用方法 明纬电源介绍明纬电源是我们生活常用电源的一种，如电脑，电视机，碟机，充电器等电源型号也各有不同，其公司历史悠久，电源产品优质口碑好，既安全又耐用，它的总公司在中国台湾，由于其明纬电源的发展前景好，而又其公司的理念更是为更好地服务人民，明纬电源有限公司已在全国许多较繁荣的地方建立了分公司。 明纬开关电源的优势是什么1、明纬开关电源性价比很高，在整个国际市场上占有率很高。明纬电源的质量主要体现在电源所用的元器件上。 2、像电解电容、电源IC等重要元器件都是从国外进口的！且明纬的生产技术和设备都是从美、德两国引进来的。 3、明纬开关电源的品种也很齐全，有用于工业自动化控制、军工设备、科研设备、LED 照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表、医疗设备、半导体制冷制热、空气净化器，电子冰箱，液晶显示器，LED灯具，视听产品，电脑机箱，数码产品和仪器类等领域的电源;有宽电源、低频、高频、防雷、防水等电源。 明纬电源型号1、明纬开关电源-高性能G3系列 RS-25-24 RS-35-24 RS-50-24 RS-75-24 RS-100-24 RS-150-24 RD-35-24 RD-50-24 RD-65-24 RD-85-24 RD-125-24 RID-50-24 RID-65-24 RID-85-24 RID-125-24 2、明纬开关电源-NE系列 NES-15-24 NES-25-24 NES-35-24 NES-50-24 NES-75-24 NES-100-24 NED-35-24 NED-50-24 NED-75-24 3、明纬开关电源-通用型G2系列 S-25-24 S-40-24 S-60-24 S-100F-24 S-150-24 S-210-24 S-240-24 D-60-24 ID-60-24 D-120-24 S-250-24 S-320-24 4、明纬开关电源-经济型G1系列 S-15-24 S-35-24 S-50-24 S-100-24 S-145-24 S-201-24 S-350-24
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧 MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。 MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压 额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。 此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS 管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。 第三步为确定电流 确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。 电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。 器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：最大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。 对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。 对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
MOS管常见型号 全
MOS管常见型号 场效应管分类型号简介封装 1.MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 2.MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 3.MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 4.MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 5.MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 6.MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 7.MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 8.MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 9.MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 10.MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 11.MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 12.MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 13.MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 14.MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 15.MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 16.MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 17.MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 18.MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 19.MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 20.MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 21.MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 22.MOS FET IRF9520 TO-220 23.MOS FET IRF9540 TO-220 24.MOS FET IRF9610 TO-220 25.MOS FET IRF9620 TO-220 26.MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P 27.MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P 28.MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P 29.MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK 30.MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK 31.MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK 32.MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK 33.MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK 34.MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK 35.MOS FET IRFR9020TF D-PAK 36.MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F 37.MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F 38.MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F 39.MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F 40.MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F
4166 Mos 管 datasheet
Vishay Siliconix Si4166DY N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET ? Power MOSFET ?100 % R g and UIS Tested APPLICATIONS ? Low-Side DC/DC Conversion - Notebook PC - Gaming PRODUCT SUMMARY V DS (V)R DS(on) (Ω)I D (A)a Q g (Typ.)30 0.0039 at V GS = 10 V 30.521.5 nC 0.0055 at V GS = 4.5 V 25.6 Notes: a.Based on T C = 25 °C. b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.c.t = 10 s. d.Maximum under Steady State conditions is 80 °C/W. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted Parameter S ymbol Limit Unit Drain-Source Voltage V DS 30 V Gate-Source Voltage V GS ± 20 Continuous Drain Current (T J = 150 °C)T C = 25 °C I D 30.5A T C = 70 °C 24.5 T A = 25 °C 20.5b, c T A = 70 °C 16.5b, c Pulsed Drain Current I DM 70 Continuous Source-Drain Diode Current T C = 25 °C I S 5.9 T A = 25 °C 2.7b, c Single Pulse Avalanche Current L = 0.1 mH I AS 30 Avalanche Energy E AS 45 mJ Maximum Power Dissipation T C = 25 °C P D 6.5W T C = 70 °C 4.2 T A = 25 °C 3.0b, c T A = 70 °C 1.9b, c Operating Junction and Storage T emperature Range T J , T stg - 55 to 150 °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter S ymbol Typical Maximum Unit Maximum Junction-to-Ambient b, d t ≤ 10 s R thJA 3441°C/W Maximum Junction-to-Foot (Drain)Steady State R thJF 1519
明纬电源NES-100系列规格书明纬电源选型手册明纬电源型号表
100W
■
NES-100
: LED 100% 2 ： / /
(
)
2
3 4 5
、
(Typ.)
(Typ.)
(Typ.)
(Typ.)
、
6
(
7)
MTBF
NES-100-5 NES-100-7.5 NES-100-9 NES-100-12 NES-100-15 12V 5V 15V 7.5V 9V 20A 8.5A 11.2A 7A 13.6A 0 ~ 11.2A 0 ~ 13.6A 0 ~ 8.5A 0 ~ 20A 0 ~ 7A 100.8W 102W 100W 105W 102W 120mVp-p 120mVp-p 120mVp-p 80mVp-p 120mVp-p 4.75 ~ 5.5V 7.13 ~ 8.3V 8.55 ~ 9.9V 11.4 ~ 13.2V 14.25 ~ 16.5V 1.0% 1.0% 1.0% 2.0% 1.0% 0.5% 0.5% 0.5% 0.5% 0.5% 0.5% 0.5% 0.5% 0.5% 0.5% 1000ms, 20ms/230VAC 1000ms,20ms/115VAC( ) 30ms/230VAC 25ms/115VAC( ) 85 ~ 132VAC/176~264VAC( ) 248 ~ 373VDC 47 ~ 63Hz 83% 81% 84% 81% 80% 2A/115VAC 1.2A/230VAC ：45A <2mA / 240VAC 110%~ 150% : ， 5.75 ~ 6.75V 8.6 ~ 10.1V 10.4 ~ 12.2V 13.8 ~ 16.2V 17.25 ~ 20.25V : ， -20～+60℃ ( " ") 20 ~ 90% RH, -40 ~ +85℃, 10 ~ 95% RH 0.03%/℃ (0～50℃) 10 ~ 500Hz, 2G 10 / , X、Y、Z 60 UL60950-1, CB(IEC60950-1),CCC GB4943.1:2011 I/P-O/P:3KVAC I/P-FG:2KVAC O/P-FG:0.5KVAC I/P-O/P, I/P-FG, O/P-FG:100M Ohms / 500VDC / 25℃/ 70% RH EN55022 (CISPR22) Class B, EN61000-3-2,-3 EN61000-4-2,3,4,5,6,8,11, EN55024, EN61000-6-1,A ≥320.7K hrs. MIL-HDBK-217F (25℃) 159*97*38mm (L*W*H) 0.55Kg; 30pcs/17.5Kg/0.97CUFT
230VAC、 ， 。 。 2000 、25℃ 0.1uf 47uf 。 。 “N” ， 。 “L” 。 。 ， 20MHZ 。
NES-100-48 48V 24V 4.5A 2.3A 0 ~ 4.5A 0 ~ 2.3A 110.4W 108W 150mVp-p 120mVp-p 22.8 ~ 26.4V 45.6 ~ 52.8V 1.0% 1.0% 0.5% 0.5% 0.5% 0.5%
NES-100-24
86%
86%
27.6 ~ 32.4V
55.2 ~ 64.8V
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
， ： GB4943.1 DC
： 12" 、 : , : 0% 100% ， ， ，
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File Name:NES-100-SPEC 2013-07-15