重庆万国半导体科技有限公司12英寸功率半导体芯片制造及封装测试
重庆市职业病防治院
建设项目职业病危害评价报告信息网上公开表一、评价报告基本情况
报告编号渝职防预评字〔2016〕第08号评价类别预评价
项目名称12英寸功率半导体芯片制造及封装
测试生产基地项目
风险类别严重
报告编制人张立
建设单位重庆万国半导体科技有限公司建设单位联系人戚远林
项目地理位置重庆市两江新区水土高新技术产业园
现场调查人员张立、汪运调查时间2016.09.14 采样、检测人员——采样检测时间——
建设单位陪同人员戚远林
报告评审专家蒋学明荣、梁道康、王华、雷勇、
黄进
评审时间2017.03.08
二、项目简介
重庆万国半导体科技有限公司成立于2016年，由美国万国半导体股份有限公司（AOS）与渝富集团、两江新区战略性新兴产业股权投资基金合资经营。
美国万国半导体（ALPHA&OMEGA Semiconductor，简称“AOS 公司”）成立于2000年，总部位于美国硅谷，是一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的企业，主要从事功率半导体器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成电路产品)的产品设计和生产制造。目前AOS公司在美国俄勒冈有一座8英寸晶圆厂、在上海松江有二座封装工厂，在美国硅谷、台湾、上海均设有研发中心，拥有一批技术领先的功率半导体领域专业研究团队。其产品市场涉及笔记本电脑、液晶电视、手机、家电、通讯设备、工业控制、照明应用、汽车电子等领域。主要客户包括三星、LG、飞利浦、Intel、东芝、西部数据、惠普、Sony、戴尔、联想、比亚迪、长虹等全球知名品牌商。
三、建设项目（用人单位）存在的职业病危害因素及检测结果
通过工程分析，拟建项目生产过程中可能产生或存在的职业病危害因素有硫酸、磷酸、硝酸、盐酸、氨气、氯气、氟气、氪气、氮气、氢气、一氧化碳、二氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、二氧化硫、二氧化锡、二氧化硅、三氯化硼、四氟化碳、甲基磺酸、甲基磺酸锡、甲醇、氢氧化钾、氢氧化钠、苯酚、甲醛、异丙醇、丙酮、氟化氢、溴化氢、砷化氢、磷化氢、硫化氢、过氧化氢、一氧化二氮、二氟甲烷、三氟化氮、六氟化钨、正硅酸乙酯、丙二醇甲醚醋酸酯、八氟环戊烯、1，4-丁二醇二缩水甘油醚、乙二醇、松油醇、硅烷、硼烷、砷烷、氯硅烷、氯化钙、次氯酸钠、六甲基二硅胺、二氢呋喃、乙酸丁酯、酚醛树脂、乳酸乙酯、醋酸乙酯、柴油、臭氧、甲烷、金属镍与难溶性镍化合物、乙醇、其他粉尘（硅粉尘）、铜尘、噪声、高温、工频电场、激光辐射、χ射线等。
职业病危害因素及分布情况一览表
序号评价单元岗位/工序作业
方式
可能存在或产生的
职业病危害因素
备注
1 芯片
厂房
化学品
供应单
元
酸性化学品房巡检
硫酸、磷酸、硝酸、盐酸、过
氧化氢、氟化氢
根据生产负荷，作业人员对供
气气瓶进行更换，更换频率为
每日2次，每次更换时间2-3
分钟。在正常情况下，作业人
员均不直接接触化学毒物。但
是在更换气瓶操作不当或出现
意外、维修以及发生管道、容
器“跑、冒、滴、漏”等突发
事件，作业人员可短时间大量
接触。
有机化学品房巡检
异丙醇、丙二醇甲醚醋酸酯、
乙二醇、六甲基二硅胺、光阻
剂（酚醛树脂、乳酸乙酯、醋
酸乙酯）、清洗剂（异丙醇、
烷烃）
碱性化学品房巡检
氨气、显影液（二氢呋喃、乙
酸丁酯）
碱性气体房巡检氨气
腐蚀性气体房巡检
氯气、氟气、氪气、三氯化硼、
盐酸、溴化氢、八氟环戊烯、
六氟化钨、三氟化氮、一氧化
二氮、二氟甲烷
大宗气体房巡检氮气、氢气、二氧化碳
可燃气体房巡检一氧化碳
毒性气体房巡检
硼烷、磷化氢、砷烷、氯硅
烷
硅烷站巡检硅烷
方式职业病危害因素
洁净生产单元蚀刻区巡检
氟化氢、氯气、四氟化碳、
溴化氢、丙酮、异丙醇、蚀刻
液（硝酸、氢氟酸）
洁净区作业人员会使用丙酮、
异丙醇擦拭地面，可通过皮肤
和呼吸道直接接触。但用量小、
范围小、频率低。建议工艺允
许情况下不采用丙酮和异丙醇
擦洗。
清洁区巡检氟化氢、盐酸、丙酮、异丙醇
研磨区巡检
过氧化氢、氨气、硫酸、丙酮、
异丙醇、研磨液（二氧化硅）
黄光区巡检
丙酮、异丙醇、光阻剂（酚醛
树脂、乳酸乙酯、醋酸乙酯）
薄膜区巡检氟化氢、正硅酸乙酯人工更换HF气瓶。
扩散区巡检
砷化氢、磷化氢、三氟化硼、
丙酮、异丙醇、χ射线
离子注入机可产生电离辐射，
射线种类为χ射线。设备自带
防护设施，设备壁内侧采用铅
板防护，并对放射源进行了有
效屏蔽。
2 封装厂房
背面减薄
巡检
噪声、其他粉尘（硅粉尘）
研磨机在进行研磨减薄过程
中会产生噪声和其他粉尘
（硅粉尘）。
背面处理
氟化氢、硫酸、硝酸、一氧
化氮、二氧化氮
硅腐蚀液中含有氟化氢、硫
酸、硝酸，清洗过程中会产
生酸性废气。
背面金属蒸发
高温、金属镍与难溶性镍化
合物
高真空蒸发镀膜为全密闭设
备，通过电加热将金属高温
蒸发后在晶片背面镀上一层
金属镀膜。
晶片中测噪声
晶片中测过程中会产生噪
声。
表面处理车间
上下件
人工
上下
件
硫酸、硝酸、氟化氢、甲基
磺酸、甲基磺酸锡、甲醇、
二氧化锡、二氧化氮、氢氧
化钾、噪声
操作工通过传送带上下件。
表面处理车间
槽区域
巡检
硫酸、硝酸、氟化氢、甲基
磺酸、甲基磺酸锡、甲醇、
二氧化锡、二氧化氮、氢氧
化钾、噪声
槽区巡检或加处理液。
去锡回收硝酸、二氧化氮、二氧化锡通过硝酸进行去锡回收。
表面处理
实验室
人工
在通
风橱
内配
溶剂
硫酸、硝酸、二氧化氮、盐
酸、氢氧化钾
表面处理实验室人员会使用
硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化
钾等化学试剂。
方式职业病危害因素
芯片切割
人工
上下
料，设
备自
动作
业噪声、其他粉尘（硅粉尘）
芯片切割机运行时产生噪
声，切割过程中，会有少量
的粉尘产生。
芯片清洗丙酮、异丙醇、乙醇清洗液的主要成分含有丙酮、异丙醇、乙醇。
目视站1 X射线X射线测量仪可产生电离辐射，射线种类为χ射线。
粘片1，4-丁二醇二缩水甘油醚装片机自动在芯片上对位点银浆。
银浆烘烤高温、松油醇银浆烘烤时，由于银浆中含有松油醇，烘烤过程松油醇会挥发。
打线噪声操作工人工上下料过程产生噪声，打金线机自动对位上金丝、铜丝或铝丝。
目视站2 X射线X射线测量仪可产生电离辐射，射线种类为χ射线
塑封噪声、高温、苯酚、甲醛塑封料为环氧树脂混合物，塑封温度约175℃~185℃。
塑封后烘烤高温、苯酚、甲醛塑封后烘烤时洗模料中剩余的脂肪族酯挥发产生苯酚、甲醛。
激光打标臭氧、激光辐射使用激光打标机在芯片上打上标记。
切废切筋噪声、铜尘操作工人工上下料，切筋切废机自动切废，切割过程中，会有少量的铜尘产生。
切脚成型噪声、铜尘操作工人工上下料，切脚成型机自动切脚，切割过程中，会有少量的铜尘产生。
电测噪声通过芯片测试设备对产品进行性能测试，操作工人工上下件，设备自动测试，测试过程中不使用化学试剂。
包装噪声通过包装机对产品包装并出货。
3 公用工程及辅助
设施
废水处理站巡检
噪声、硫酸、氢氧化钠、盐酸、
氯化钙、氟化氢、硫化氢
处理酸碱废水加入氢氧化
钠、硫酸调节pH，用氯化钙
处理含氟废水。机泵等设备
运行产生噪声。
方式职业病危害因素
纯水站巡检噪声、氢氧化钠、次氯酸钠、
氯气
纯水制备设备运行过程中产
生噪声；原水中会加入氯化
钠、次氯酸钠和氢氧化钠。
变电站巡检工频电场变配电装置运行过程中有工频电场产生。
空压站巡检噪声空压机运行产生噪声。
发电机房巡检噪声、高温、柴油、一氧化
氮、二氧化氮、一氧化碳、
二氧化碳、二氧化硫
柴油发电机运行过程中产生
一氧化碳、氮氧化物等有毒
气体及噪声和高温。
锅炉房巡检噪声、高温、甲烷、一氧化
碳、二氧化碳、一氧化氮、
二氧化氮
燃气锅炉运行时产生噪声，
散发热量。天然气燃烧尾气
主要有一氧化碳、二氧化碳
和氮氧化物。
化学品库巡检硫酸、磷酸、硝酸、盐酸、
过氧化氢、氟化氢
化学品库内存放有桶装的硫
酸、磷酸、硝酸、盐酸、过
氧化氢、氟化氢溶液。
危险品库巡检丙酮、异丙醇危险品库内存放有桶装的丙酮、异丙醇。
通过对拟建项目工程分析、原辅材料年耗量及类比调查分析评估后，认为拟建项目工作场所产生或存在的氯气、氨气、溴化氢、砷化氢、磷化氢、氟化氢、硫化氢、盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、甲醇、丙酮、异丙醇、氢氧化钾、过氧化氢、甲基磺酸、一氧化碳、二氧化氮、噪声、高温、χ射线等职业病危害因素为重点评价因子。
四、评价结论与建议
4.1评价结论
职业卫生综合评价一览表
序号评价内容评价依据评价结论
1 总体布局《工业企业设计卫生标准》（GBZ 1-2010）
《工业企业总平面设计规范》（GB50187-2012）
《电子工业职业安全卫生设计规范》（GB50523-2010）
基本
符合
2 生产工艺及设备布局《工业企业设计卫生标准》（GBZ 1-2010）
《生产过程安全卫生要求总则》（GB/T 12801-2008）
符合
序号评价内容评价依据评价结论
3 职业病危害防护设施《中华人民共和国职业病防治法》
《工业企业设计卫生标准》（GBZ 1-2010）
《电子工业防尘防毒技术规范》（AQ4201-2008）
《电子工业洁净厂房设计规范》（GB50472-2008）
《电子工业职业安全卫生设计规范》（GB50523-2010）
《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》（GB18871-2002）
基本
符合
4 职业病防护用品《中华人民共和国职业病防治法》
《个体防护装备选用规范》（GB/T11651-2008）
《有机溶剂作业场所个人职业病防护用品使用规范》(GBZ/T195-2007)
符合
5 建筑卫生学《工业企业设计卫生标准》（GBZ 1-2010）
《建筑采光设计标准》(GB50033-2013)
《建筑照明设计标准》(GB50034-2013)
《电子工业洁净厂房设计规范》（GB50472-2008）
《工业建筑供暖通风与空气调节设计规范》(GB50019-2003)
基本
符合
6 辅助用室《工业企业设计卫生标准》（GBZ 1-2010）基本符合
7 应急救援《工业企业设计卫生标准》（GBZ 1-2010）
《生产经营单位生产安全事故应急预案编制导则》（GB/T 29639-2013）
基本
符合
8 职业卫生管理《中华人民共和国职业病防治法》
《工作场所职业卫生监督管理规定》（国家安全生产监督管
理总局令〔2012〕47号）
《放射工作人员职业健康管理办法》等
基本
符合
拟建项目存在的有害因素中氨气、氯气、氟化氢、磷化氢、一氧化碳、二氧化氮列入了高毒物品目录（2003年版），硫酸、砷化氢属于确认人类致癌物（G1），按照《职业性接触毒物危害程度分级》（GBZ230-2010）标准的要求，属于“极度危害”。在生产过程中若不注意防护，易对人体健康造成危害。有毒化学原料年用量较大（达数百吨），分布广泛、接触人数较多，且存在强酸强碱等腐蚀性物质。生产现场存在空压机、冷冻机组、发电机组等高噪声源设备，且存在有限空间作业。虽然拟建项目生产过程自动化、密闭化程度高，原料和产品均通过密闭管道输送，正常生产情况下作业人员不直接接触，
但在发生意外事故或设备检维修时可能存在高浓度接触而导致作业人员急性职业中毒。因此，根据职业病危害因素的分布情况、毒性大小、接触情况等。本报告经综合评估后认为，重庆万国半导体科技有限公司12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目职业病危害风险分类为严重。
4.2评价建议
（1）在初步设计阶段，建设单位应当进行建设项目职业病防护设施进行设计，编制“职业病防护设施设计专篇”。专篇编制完成后，应当组织职业卫生专家组对“职业病防护设施设计专篇”进行评审，评审通过后，按照有关规定组织职业病防护设施的施工。
（2）配套建设的职业病防护设施必须与主体工程同时投入生产和使用。建设项目试运行期间，建设单位应当及时进行职业病危害控制效果评价。
（3）用人单位应按照《职业病危害项目申报办法》（国家安全生产监督管理总局令〔2012〕48号）的要求，在建设项目竣工验收后30日内向所在地安全生产监督管理部门进行作业场所职业病危害申报，并接受其监督管理。
（4）项目建成投产后，建设单位须对新上岗和转岗人员进行职业卫生知识培训，并进行考核，考核不合格者一律不准上岗作业。培训内容应包括职业卫生法律法规、所在岗位职业病危害及其防护措施、设备操作、物料的MSDS、个人职业病防护用品的正确使用与维护、急救常识和急救方法、危害标识识别、事故应急报告程序、疏散路径、事故实例和实际演练等。
（5）投产后，用人单位应遵守《女职工劳动保护特别规定》中女职工禁忌从事的劳动范围之规定，将本单位属于女职工禁忌从事的劳动范围的岗位书面告知女职工。女职工在孕期不能适应原劳动的，用人单位应当根据医疗机构的证明，予以减轻劳动量或者安排其他能够
适应的劳动。对怀孕7个月以上的女职工，用人单位不得延长劳动时间或者安排夜班劳动，并应当在劳动时间内安排一定的休息时间。
（6）委托有资质的职业卫生技术服务机构对本项目接触职业病危害因素的作业人员进行上岗前的职业健康检查，其中应包括接触氨、盐酸、硫酸、氟化氢、磷化氢、高温、噪声等危害因素的作业人员以及视屏作业人员，以发现有无职业禁忌证。同时接触不同的职业病危害因素应合并相应的检查项目进行体检。
五、技术审查专家组评审意见及结论
1、P26补充涉及“电离辐射源”的岗位、设备等分析描述内容。
2、P47原辅材料：明确“硫酸”等使用浓度，贮存方式等，进一步分析“研磨液”、“蚀刻液”、“光阻剂”等化学成分。
3、P52表2-9，明确“数量”表示的单位。
4、P99“X射线危害分析与预测”，电离辐射防护应补充职业健康监护内容。
5、P128第7章，补充X射线等电离辐射防护措施建议。
6、P135完善高毒物品危害告知卡设置建议，补充“电离辐射”警示标识及中文说明书设置建议。
7、P15竖向布置，补充各种蒸汽、挥发性气体管道的布置情况。
8、P60类比项目和建设目的职业危害有遗漏（如X线、三氟甲烷、二氟甲烷、氨等）。
9、P78职业病危害辨识应补充乙醇、镍及化合物的识别（因用量不小）。
10、核实图2-1是否为全年风玫瑰图。
11、评价依据中化学物等检测方法建议取消。
12、资料性附件页码有误。
13、评价依据中将AQ/T4208-2010更换为GBZ/T229。
14、表3-20核实类比检测数据。
15、P130，核实是否需要设置氨报警装置。
16、补充《特殊气体系统工程技术规范》GB50646。
17、正文4.1.4小节核实要求气体配送管道内设置气体检测器并
和排风或新鲜连锁的可行性，尤其是外管廊。
结论：修改后通过。
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
半导体封装、测试项目立项申请报告(规划方案)
半导体封装、测试项目立项申请报告（规划方案） 第一章基本信息 一、项目承办单位基本情况 （一）公司名称 xxx投资公司 （二）公司简介 公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。 公司实行董事会领导下的总经理负责制，推行现代企业制度，建立了科学灵活的经营机制，完善了行之有效的管理制度。项目承办单位组织机构健全、管理完善，遵循社会主义市场经济运行机制，严格按照《中华人民共和国公司法》依法独立核算、自主开展生产经营活动；为了顺应国际化经济发展的趋势，项目承办单位全面建立和实施计算机信息网络系统，建立起从产品开发、设计、生产、销售、核算、库存到售后服务的物流电子网络管理系统，使项目承办单位与全国各销售区域形成信息互通，有效
提高工作效率，及时反馈市场信息，为项目承办单位的战略决策提供有利的支撑。 上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入9142.85万元，同比增长17.97%（1392.39万元）。其中，主营业业务半导体封装、测试生产及销售收入为7630.04万元，占营业总收入的83.45%。 根据初步统计测算，公司实现利润总额1925.37万元，较去年同期相比增长329.70万元，增长率20.66%；实现净利润1444.03万元，较去年同期相比增长237.99万元，增长率19.73%。 二、项目概况 （一）项目名称 半导体封装、测试项目 （二）项目选址 xxx科技谷 （三）项目用地规模 项目总用地面积19022.84平方米（折合约28.52亩）。 （四）项目用地控制指标 该工程规划建筑系数50.10%，建筑容积率1.30，建设区域绿化覆盖率7.58%，固定资产投资强度173.08万元/亩。 （五）土建工程指标
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程0001
盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electro n Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dime nsioi n Measureme nt) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic )及塑胶(plastic )两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割( die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bon d)、圭寸胶(mold )、剪切/ 成形(trim / form )、印字(mark )、电镀(plating )及检验(inspection )等。 (1) 晶片切割(die saw ) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说：以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之 晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mou nt / die bo nd ) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线 架则经由传输设备送至弹匣( magazi ne )内，以送至下一制程进行焊线。 ⑶焊线(wire bond ) IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路( Integrated Circuit ;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械
半导体封装测试企业名单
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 申报企业名称 武汉新芯集成电路制造有限公司 上海集成电路研发中心有限公司 无锡华润微电子有限公司 中国电子科技集团公司第五十五研究所 华越微电子有限公司 中国电子科技集团公司第五十八研究所 珠海南科集成电子有限公司 江苏东光微电子股份有限公司 无锡中微晶园电子有限公司 无锡华普微电子有限公司 日银IMP微电子有限公司 中电华清微电子工程中心有限公司 中纬积体电路（宁波）有限公司 深圳方正微电子有限公司 北京华润上华半导体有限公司 福建福顺微电子有限公司 北京半导体器件五厂 贵州振华风光半导体有限公司 企业类别 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 常州市华诚常半微电子有限公司 锦州七七七微电子有限责任公司 北京燕东微电子有限公司 河南新乡华丹电子有限责任公司 西安微电子技术研究所 长沙韶光微电子总公司 威讯联合半导体（北京）有限公司 英特尔产品（上海）有限公司 上海松下半导体有限公司 南通富士通微电子股份有限公司 瑞萨半导体（北京）有限公司 江苏长电科技股份有限公司 勤益电子（上海）有限公司 瑞萨半导体（苏州）有限公司 日月光半导体（上海）有限公司 星科金朋（上海）有限公司 威宇科技测试封装有限公司 安靠封装测试（上海）有限公司 上海凯虹电子有限公司 天水华天科技股份有限公司 飞索半导体（中国）有限公司 无锡华润安盛科技有限公司 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装
集成电路封装测试题 期末2017
1、引线键合技术的分类及结构特点？ 答： 1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压 焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引 力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。 2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量， 通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅 杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。于是，劈刀 就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅 速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。这种形变也破坏了Al层界面的氧 化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固 的焊接。 3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。这是由于它操作方 便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。现代的金丝球焊机往往 还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。可实 现微机控制下的高速自动化焊接。因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、 小功率晶体管的焊接。 2、载带自动焊的分类及结构特点？ 答：TAB按其结构和形状可分为 Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um， Cu-PI双层带 Cu-粘接剂-PI三层带 Cu-PI-Cu双金属 3、载带自动焊的关键技术有哪些？ 答：TAB的关键技术主要包括三个部分： 一是芯片凸点的制作技术； 二是TAB载带的制作技术； 三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ） 4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？ 答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点； 电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。先整体形成UBM 层并用作电镀的导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。电镀形成了厚的凸点。 印刷焊料凸点：焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上，然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点：这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。可用Au 丝线或者Pb 基的丝线。 化学凸点：化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。
半导体封装及测试技术
半导体芯片封装及测试技术 价值评估咨询报告书 深华（２００４）评字第０１８号 深圳大华天诚会计师事务所 中国?深圳
目录 评估咨询报告书摘要 (2) 资产评估咨询报告书 (3) 一、 委托方与资产占有方简介 (3) 二、 评估目的 (3) 三、 评估范围和对象 (3) 四、 评估基准日 (5) 五、 评估原则 (5) 六、 评估依据 (5) （一） 主要法律法规 (5) （二） 经济行为文件 (5) （三） 重大合同协议、产权证明文件 (6) （四） 采用的取价标准 (6) 七、 评估方法 (6) 八、 评估过程 (7) 九、 评估结论 (7) 十、 特别事项说明 (7) 十一、 评估报告评估基准日期后重大事项 (8) 十二、 评估报告法律效力 (8) 十三、 评估报告提出日期 (8) 十四、 备查文件 (8)
评估咨询报告书摘要 我所接受ＰＡＹＴＯＮ技术有限公司的委托，根据国家有关资产评估的规定，本着客观、独立、公正、科学的原则，按照公认的资产评估方法，对ＰＡＹＴＯＮ技术有限公司拥有的半导体芯片封装测试专用技术的价值进行了评估工作。本所评估人员按照必要的评估程序对委托评估的资产实施了实地勘测、市场调查与询证，对委估资产在评估基准日２００４年６月２４日所表现的市场价值作出了较为公允地反映。评估结果为２０，５００，０００．００美元，大写美元贰仟零伍拾万元整。 郑重声明： 以上内容摘自资产评估报告书，欲了解本评估项目的全面情况，应认真阅读资产评估报告书全文。 本评估结论系对评估基准日资产咨询价值的反映。评估结论系根据本报告书所述原则、依据、前提、方法、程序得出，评估结论只有在上述原则、依据、前提存在的条件下，以及委托方和资产占有方所提供的所有原始文件都是真实与合法的条件下成立。 评估报告中陈述的特别事项是指在已确定评估结果的前提下，评估人员揭示在评估过程中己发现可能影响评估结论，但非评估人员执业水平和能力所能评定估算的有关事项，请报告使用者关注。
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以
0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold） 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form） 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于
半导体封装测试工厂-- -- 较详细
上海华旭微电子有限公司 上海芯哲微电子科技有限公司 沈阳中光电子有限公司 超威半导体公司 葵和精密(上海) 新义半导体 快捷半导体 安靠封测(上海) 东莞乐依文半导体有限公司 日月光(威海) 日月光(上海)威宇半导体 日月芯 嘉盛半导体 罗姆电子(天津)有限公司 长风 尼西 成都亚光电子股份有限公司 宏茂微电子 上海斯伦贝谢智能卡技术有限公司飞思卡尔半导体 晶诚（郑州）科技有限公司 银河微电子 捷敏电子 捷敏电子(合肥） 通用半导体 通用半导体(西安爱尔) 超丰 勤益电子(上海) 广州半导体器件 桂林斯壮半导体 无锡华润华晶微电子 合肥合晶 华越芯装电子 苏州奇梦达公司 英飞凌科技（无锡）有限公司 江苏长电科技股份有限公司 吉林市华星电子有限公司 凯虹电子 开益禧半导体 京隆科技 震坤 乐山菲尼克斯(ON Semi) 菱生
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瑞特克斯（成都）电子 潮州市创佳微电子有限公司 恒诺微电子(嘉兴)有限公司 恒诺微电子上海 英特尔产品成都 英特尔产品上海 上海松下半导体 苏州松下半导体 矽品 日立半导体（苏州）有限公司 江门市华凯科技有限公司 江阴长电先进封装有限公司 阳信长威电子有限公司长威电子 星科金朋 浙江金凯微电子 长沙韶光微电子 深圳世纪晶源科技有限公司
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程 A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。 举例来说:以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M 微量。
欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin)，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶(mold) 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形(trim / form) 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。 (6) 印字(mark)及电镀(plating) 印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序 一、IC 检测 1.缺陷检查 Defect Inspection 2.DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印 有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图 案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3.CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC 封装 1.构装( Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(die saW、黏晶(die mou nt / die bond)、焊线(wire bo nd)、圭寸胶(mold)、剪切 / 成形(trim / form )、印字(mark)、电镀(plati ng)及检验(in spection)等。 (1)晶片切割( die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒( die)切割分离。举例来说： 以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的 64M 微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撑避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2)黏晶( die mount / die bond)
半导体封装方式
半导体封装简介: 半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型 （Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。典型的封装工艺流程为： 划片装片键合塑封去飞边电镀打印切筋和成型外观检查成品测试包装出货。 一、DIP双列直插式封装 1. 适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2. 芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集 成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式 封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。 采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好 的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊 接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的 区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 三、PGA插针网格阵列封装 一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和 拆卸上的要求。ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。 1. 插拔操作更方便，可靠性高。 2. 可适应更高的频率。
IC半导体封装测试流程
IC半导体封装测试流程 更多免费资料下载请进：https://www.wendangku.net/doc/b710568059.html,好好学习社区
IC半导体封装测试流程 第1章前言 1.1 半导体芯片封装的目的 半导体芯片封装主要基于以下四个目的[10, 13]： ●防护 ●支撑 ●连接 ●可靠性 图1-1 TSOP封装的剖面结构图 Figure 1-1 TSOP Package Cross-section 第一，保护：半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产条件控制，恒定的温度（230±3℃）、恒定的湿度（50±10%）、严格的空气尘埃颗粒度控制（一般介于1K到10K）及严格的静电保护措施，裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下才不会失效。但是，我们所生活的周围环境完全不可能具备这种条件，低温可能会有-40℃、高温可能会有60℃、湿度可能达到100%，如果是汽车产品，其工作温度可能高达120℃以上，为了要保护芯片，所以我们需要封装。 第二，支撑：支撑有两个作用，一是支撑芯片，将芯片固定好便于电路的连接，二是封装完成以后，形成一定的外形以支撑整个器件、使得整个器件不易损坏。 第三，连接：连接的作用是将芯片的电极和外界的电路连通。
引脚用于和外界电路连通，金线则将引脚和芯片的电路连接起来。载片台用于承载芯片，环氧树脂粘合剂用于将芯片粘贴在载片台上，引脚用于支撑整个器件，而塑封体则起到固定及保护作用。 第四，可靠性：任何封装都需要形成一定的可靠性，这是整个封装工艺中最重要的衡量指标。原始的芯片离开特定的生存环境后就会损毁，需要封装。芯片的工作寿命，主要决于对封装材料和封装工艺的选择。 1.2 半导体芯片封装技术的发展趋势 ● 封装尺寸变得越来越小、越来越薄 ● 引脚数变得越来越多 ● 芯片制造与封装工艺逐渐溶合 ● 焊盘大小、节距变得越来越小 ● 成本越来越低 ● 绿色、环保 以下半导体封装技术的发展趋势图[2,3,4,11,12,13]： 图1-2 半导体封装技术发展趋势 Figure 1-2 Assembly Technology Development Trend 小型化
中国半导体封装测试工厂
中国半导体封装测试工厂 上海华旭微电子有限公司 上海芯哲微电子科技有限公司 沈阳中光电子有限公司 超威半导体公司 葵和精密(上海) 新义半导体 快捷半导体 安靠封测(上海) 东莞乐依文半导体有限公司 日月光(威海) 日月光(上海)威宇半导体 日月芯 嘉盛半导体 罗姆电子(天津)有限公司 长风 尼西 成都亚光电子股份有限公司 宏茂微电子 上海斯伦贝谢智能卡技术有限公司飞思卡尔半导体 晶诚（郑州）科技有限公司 银河微电子 捷敏电子 捷敏电子(合肥） 通用半导体 通用半导体(西安爱尔) 超丰 勤益电子(上海) 广州半导体器件 桂林斯壮半导体 无锡华润华晶微电子 合肥合晶 华越芯装电子 苏州奇梦达公司 英飞凌科技（无锡）有限公司 江苏长电科技股份有限公司 吉林市华星电子有限公司 凯虹电子开益禧半导体 京隆科技 震坤 乐山菲尼克斯(ON Semi) 菱生 骊山微电子 绍兴力响微电子 绍兴力响微电子有限公司 美光半导体 巨丰电子 上海纪元微科 美国芯源系统 南方电子 南通富士通微电子股份有限公司美国国家半导体有限公司 华微 凤凰半导体 飞利浦 清溪三清半导体 瑞萨半导体 威讯联合 三星电子(半导体) 晟碟半导体 三洋半导体 三洋 上海旭福电子 永华电子 汕头华汕电子 深爱半导体 矽格电子 中芯国际 中芯国际 中芯国际 中芯国际 飞索半导体 深圳赛意法电子 天水华天微电子 东芝半导体 芯宇 优特半导体（上海） 新康电子/威旭 晶方半导体科技(苏州)有限公司无锡华润安盛科技有限公司 无锡红光微电子
厦门华联电子有限公司 扬州晶来半导体有限公司 矽德半导体 扬州市邗江九星电子有限公司 广东粤晶高科 中星华电子 瑞特克斯（成都）电子 潮州市创佳微电子有限公司 恒诺微电子(嘉兴)有限公司 恒诺微电子上海 英特尔产品成都 英特尔产品上海 上海松下半导体 苏州松下半导体 矽品 日立半导体（苏州）有限公司 江门市华凯科技有限公司 江阴长电先进封装有限公司 阳信长威电子有限公司长威电子 星科金朋 浙江金凯微电子 长沙韶光微电子 深圳世纪晶源科技有限公司 国内的十大封装测试企业（这是05年的排名了）： 1.飞思卡尔(Freescale)(天津) 2.RF(MicroDevices)(北京) 3.深圳赛意法(Sig-STMicro) 4.Intel(上海) 5.上海松下(Matsushita)半导体 6.南通富士通(Fujitsu)微电子 7.苏州英飞凌(Infineon) 8.北京瑞萨(Renesas)半导体 9.江苏长电科技 10.乐山菲尼克斯(Phenix)半导体
半导体封装测试-百度文库(精)
半导体封装测试 半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装测试是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。 目录 过程 形式 高级封装实现封装面积最小化 表面贴片封装降低PCB设计难度 插入式封装主要针对中小规模集成电路 相关链接 过程 形式 高级封装实现封装面积最小化 表面贴片封装降低PCB设计难度 插入式封装主要针对中小规模集成电路 相关链接 展开 过程
封装过程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后,被切割为小的晶片(Die,然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架架的小岛上,再利用超细的金属(金、锡、铜、铝导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad连接到基 板的相应引脚(Lead,并构成所要求的电路;然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护,塑封之后,还要进行一系列操作,如后固化(Post Mold Cure、切筋和成型 (Trim&Form、电镀(Plating以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试,通常经过入检(Incoming、测试(Test和包装(Packing等工序,最后入库出货。典型的封装工艺流程为:划片装片键合塑封去飞边电镀打印切筋和成型外观检查成品测试包装出货。 编辑本段 形式 半导体器件有许多封装形式,按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA 到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的需求,改善了半导体器件的性能;芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装面积减到最小。 编辑本段 高级封装实现封装面积最小化 芯片级封装CSP 几年之前封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍,但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水平,所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的
半导体制造公司集成电路封装测试生产项目环评公示
德州仪器半导体制造（成都）有限公司集成电路封装测试生产项目 第二次环评公示 1、建设项目的概况简述： 建设单位：德州仪器半导体制造（成都）有限公司 项目名称：集成电路封装测试生产项目 建设地点：成都高新区西部园区成都高新综合保税区科新路原厂区范围内进行，不新征土地，不新增建筑。 建设性质：新建 生产规模及产品大纲：本项目建成后，德州仪器（成都）将形成集成电路年封装测试 39.24亿只，代表产品包括扁平无引线封装(QFN)与薄小外形电晶体封装(SOT)。 投资总额：97760万元 劳动定员：德州仪器现有员工580人，本项目满产预计新增员工880 人。本项目投产后，德州仪器成都公司将拥有员工1460人。 工作制度：年工作日365 天，生产线工人实行四班两运转工作制，每班工作10 小时，管理人员实行单班工作制。 建设进度：预计投产时间2014年11月。 2、建设主要污染源 本项目主要污染物产生的种类和来源如下： 废水 （1）清洗废水，主要来源于封装生产线研磨清洗和划片清洗过程排水； （2）空调排水、冷却排水、锅炉排水，主要来源于空调加湿器排水，工艺冷却排水，循环冷却水系统冷却塔排水，冰机及锅炉排水； （3）生活污水，主要源于盥洗间污水、餐厅污水、洗衣房污水； 废气 （1）锅炉排气：主要来源于锅炉； （2）一般排气：主要来源于封装测试厂房生产过程； 固体废物 （1）废塑封树脂：主要来源于塑封、固化过程；
（2）废环氧树脂：主要来源于粘片工序； （3）废框架：主要来源于粘片与切筋成型工序； （4）废金属：主要来源于键合工序； （5）其他固体废物：主要有废包装材料、废塑料制品、不合格品、废日光灯管、废空气过滤芯、办公生活垃圾等。 3、污染物处置措施 废水：本项目废水包括生产废水和生活污水。 本项目依托原有废水处理系统处理生产废水，主要为研磨、切片清洗废水，废水主要成分为SS。 生活污水主要有厂区盥洗间污水，经化粪池预处理，餐饮污水设置隔油池作撇油处理。 生产废水和生活污水处理达标后排入开发区市政污水管网，进入高新区西区污水处理厂处理。 废气：主要为锅炉废气。通过锅炉烟囱排入大气。 噪声：高噪声设备主要为冷冻机组、真空泵、风机以及水泵等动力设备，通过合理布置声源，采取相应的隔声、减振、消声、吸声等降噪措施，厂界能够做到达标排放。 固废：本项目固体废物年产生量106.5吨，分为危险废物和一般废物两类：危险废物，年产生量约16.5吨。包括： ①塑封使用环氧树脂产生的废环氧树脂料管（产生量6 t/a），主要有害物质为塑料； ②废含汞灯管，产生量约0.5t/a。 ③废框架等电子混合废料，产生量约10t/a； 一般废物，年产生量约29吨。包括：废包装材料、废金属。废包装材料、废金属送废品回收商回收。废水处理污泥，产生20吨/年，包括：背面减薄/划片废水处理污泥； 厂区办公垃圾约60t/a，送城市垃圾场统一处置。 4、环境影响分析 废水排放影响分析：本项目达产后，生产废水排放总量为917m3/d，主要污
半导体和测试设备介绍
第一章.认识半导体和测试设备(1) 本章节包括以下内容， 晶圆（Wafers）、晶片（Dice）和封装（Packages） 自动测试设备（ATE）的总体认识 模拟、数字和存储器测试等系统的介绍 负载板（Loadboards）、探测机（Probers）、机械手（Handlers）和温度控制单元（Temperature units） 一、晶圆、晶片和封装 1947年，第一只晶体管的诞生标志着半导体工业的开始，从那时起，半导体生产和制造技术变得越来越重要。以前许多单个的晶体管现在可以互联加工成一种复杂的集成的电路形式，这就是半导体工业目前正在制造的称之为"超大规模"（VLSI，Very Large Scale Integration）的集成电路，通常包含上百万甚至上千万门晶体管。 半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路；一片晶圆上这种单个的电路被称为die（我前面翻译成"晶片"，不一定准确，大家还是称之为die好了），它的复数形式是dice.每个die都是一个完整的电路，和其他的dice没有电路上的联系。
当制造过程完成，每个die都必须经过测试。测试一片晶圆称为"Circuit probing"（即我们常说的CP测试）、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在这个过程中，每个die都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书（Specification），通常包括电压、电流、时序和功能的验证。如果某个die不符合规格书，那么它会被测试过程判为失效（fail），通常会用墨点将其标示出来（当然现在也可以通过Maping图来区分）。 在所有的die都被探测（Probed）之后，晶圆被切割成独立的dice，这就是常说的晶圆锯解，所有被标示为失效的die都报废（扔掉）。图2显示的是一个从晶圆上锯解下来没有被标黑点的die，它即将被封装成我们通常看到的芯片形式。 注：本标题系列连载内容及图片均出自《The Fundamentals Of Digital Semiconductor Testing》
芯片测试的几个术语及解释(CP、FT、WAT)
CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。 现在对于一般的wafer工艺，很多公司多吧CP给省了；减少成本。 ＣＰ对整片Ｗａｆｅｒ的每个Ｄｉｅ来测试 而ＦＴ则对封装好的Ｃｈｉｐ来测试。 ＣＰＰａｓｓ才会去封装。然后ＦＴ，确保封装后也Ｐａｓｓ。 WAT是Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定； CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal （if needed），对一些基本器件参数的测试，如vt,Rdson,BVdss,Igss,Idss等，一般测试机台的电压和功率不会很高； FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CP passed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试； Pass FT还不够，还需要作process qual和product qual CP测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。 CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平 FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平 对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT 测试时间;但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求) 一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了)。 在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。 CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，另1个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子，碰到大电流测试项CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得FT 的测试项比CP少很多。 应该说WAT的测试项目和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）测的! 而CP的项目是从属于FT的（也就是说CP测的只会比FT少），项目是完全一样的；不同的是卡的SPEC而已；因为封装都会导致参数漂移，所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保
集成电路芯片封装技术复习题
一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。 2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。 5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。 6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。 7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。 8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。 9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、 光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。 11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。 13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。 14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。 15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、 丝网印刷、钢模板印刷三种。 16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。 2、陶瓷封装 陶瓷封装能提供高可靠度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar 或Alloy42合金引脚架材料间能形成紧密接合的特性。
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_百度文库(精)
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程.txt-两个人同时犯了错，站出来承担的那一方叫宽容，另一方欠下的债，早晚都要还。-不爱就不爱,别他妈的说我们合不来。A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4 封胶（mold）