最新模拟电路部分习题答案

模拟电路部分习题答案

第二章晶体二极管及应用电路

2-1 .填空

(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元

素；P型半导体是在本征半导体中掺入

三价元素。

(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流会

增大。

(3)PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。

(4)晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在

放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。

(5)结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。(正偏、反偏) 2-2 .判断下

列说法正确与否。

(1 )本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。()

(2)P型半导体带正电，N型半导体带负电。()

(3 )结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。

()

(4)只要在稳压管两端加反向电压就能起

稳压作用。()

(5)晶体管工作在饱和状态时发射极没有

电流流过。()

(6)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。()

(7)PN结在无光照、无外加电压时，结电

流为零。()

(8)若耗

尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。() 答案：(1)对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。

(2)错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。

(3)对；结型场效应管

在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。

(4)错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。

(5)错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有

电流流过。

(6)对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价

元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。

(7)对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。

(8)错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽

型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3 ?怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？

答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。

2-4 ?二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？

本题可以通过二极管端电压的极性判断其工作状态。一般方法是断开二极管，并以它的两个极作为端口，利用戴维南定理求解端口电压，若该电压是二极管正偏，则导通，若反偏则截止。

（a）图将二极管断开，从二极管的两个极为端口向外看，如题2-1解（a）图所示，则A-B间电压为12-6=6V,二极管处于正偏，导通。

（b）图将二极管断开，从二极管的两个极为端口向外看，如题2-1解（b）图所示，则A-B间电压为3-2=1V，二极管处于正偏，导通。

（c）当有两只二极管时，应用以上方法分别判断每只管子的状态。如题2-1解（c）图

所示首先断开上面二极管D i,则下面二极管D2截止，所以D i两端电压为正偏导通；然后

再断开下面二极管D2，如题2-1解（d）图则D i两端电压为正偏导通，则D2两端电压为负截止，综上所述，D1导通、D2截止。

（d）根据前面分析方法，可知D3截止，D2、D4导通。

⑹，?⑻

题2-1U解a

2-5.电路如题2-11图所示，稳压管的稳定电压U z=8V，设输入信号为峰值15V三角

波，试画出输出U o的波形。

解：如图所示。三角波正半周时，当电压幅值小于稳压管的稳压值时，稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值；三角波负半周时，稳压

管正向导通，假设正向电阻为0,则输出电压为零。

2-6 ?如题2-12图所示，电路中两只稳压管完全相同，U z=8V , U i"5sin「t，试画出

输出U o的波形。

解：如图所示。三角波正半周时，当电压幅值小于稳压管的稳压值时，下面一只稳压管

截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值；三角波负半周时，上面一只稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值。

2-7、2-8、2-9 略

2-10 ?电路及二极管伏安特性如图所示，常温下U T P6mV电容C对交流信号可视为短路,

u i为正弦波，有效值为10mV问

(1 )二极管在输入电压为零时的电流和电压各为多少？

(2)二极管中流过的交流电流有效值为多少？

^3

+.1

ev

-\

8V ./

题2-14图门

解：在分析这类电路时，应首先分析静态电流和电压，即静态工作点Q然后求出在

Q点下的动态电阻，再分析动态信号的作用。

题2-11图

“

(1 )利用图解法可以方便地求出二极管的Q点。在动态信号为零时，二极管导通,

电阻R中电流与二极管电流相等。因此，二极管的端电压可写为

u D二V J D R，在二极管的伏安特性坐标系中作直线，与伏安特性曲线的交点就是Q 点，如图所示。读出Q点的坐标值，即为二极管的直流电流和电压，约为

U D■- 0.7V, I D- 2.6mA

(2 )根据二极管动态电阻的定义，Q点小信号情况下的动态电阻为

2.6

儿牛豈mA=1mA

第三章晶体三极管及其应用电路3-1试画出用PNP、NPN型三极管组成的单管共射放大电路的原理图，标出电源电压的极性，静态工作电流I B、I C的实际方向及静态电压U BE、U CE的实际极性。

解：用PNP型三极管组成的单管共射放大电路的原理图如题3-4图(a)所示。

其中静态工作电流I B、I C的实际方向如图中箭头所示，静态电压U BE<-0.7V、U CE<-0.3V。

根据已知条件，二极管上的交流电压有效值为10mV故流过的交流电流有效值为

用NPN型三极管组成的单管共射放大电路的原理图如题3-4图(b)所示。

U CE>0.3V。

R L

题3-4图

3-2电路如图3-5所示。说明这些电路能否对交流电压信号进行线性放大，为什么?

题3-5 图

分析：解决此问题需要进行以下几个方面的判断。

1. 判别三极管是否满足发射结正偏、集电结反偏的条件，具备合适的静态工作点。

2. 判断有无完善的直流通路。

3. 判断有无完善的交流通路。

4. 在前三个条件满足的条件下，最后根据电路给出的参数进行计算，根据计算结果判断 三极管是否工作

在放大区。但是如果电路没有给出电路参数，该步骤可以省略。默认 电路参数取值合适。 解：

a 不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。

b 不能。电源V c

c 使发射结反偏，不能提供合适的静态工作点。

c 不能。基极电压 V BB 使发射结满足正偏条件，但是集电结不是反偏，电路不具备合适的 静态工作点。

d 不能。°2

电容使集电极交流接地，从而使输出电压交流部分为零。

e 能。有合适的直流偏置电路，输入能加到三极管上，输出也能够送到负载上。

3-3放大电路如题 3-9图所示。已知 V CC =3V , U B =0.7V , R C =3 k Q R B =150 k Q 晶体管 VT 的输出特性曲线如题 3-9图a 所示。试求： 1.

放大电路的静态工作点 I CQ 和U CEQ ；

2. 若R L =m ，求输入电压 u i 为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值； 3?若R L =7k Q,输出最大不失真电压的幅值。

R

B1

R

B2

(a ) (b )

V CC

+ u o

解： 1.

放大电路的静态工作点I CQ 和U CEQ 计算如下。

根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下:

U

CEQ =V CC —CQ R C =3-3|CQ

分别令匕=0, U CE =0,代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点, （0，1），连接M 、N 得到直流负载线。

1

i c (mA)

3.0 -

题3-9图b 题3-9直流负载线

根据直流通路，得基极静态工作电流为

l BQ =15.3 J A l CQ = 0.38mA U CEQ = 1.25V

2.

R L = a 时，输入电压U i 为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。

i c (mA)

3.0 1 :

匚:V cc

+ U o

题3-9

图

2.5 2.0 1.5

1.0 0.5 0.25

r I

-i B =60A -i B =50A i B =4QA i B =3QA i B =20A

i B =10A i B =0(A

0.5

1

1.5

2

2.5

3

LtE (V)

题3-S 图a

M （3，0），N

2.5 2.0 1.5 1.0 0.5

I CQ

0.25

…厂 「厂

T

—iB =60 |J A

i B =50 J -i B =40 J A i B =30 J i B =20 J i B =10 J i B =0 J

U CE (V)

1

BQ

V cc -u BE

R B

3-0.7 150k

直流负载线MN 与i B =l B =15.3 J A 的输出特性曲线的交点

Q 就是静态工作点。

Q 点坐标

0.5

1

U CEQ 1.5

2 2.5 3

交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为 图b 所示。

i i c (mA) 3.0

若 R L = 8, 如题3-9

1 1

R c

〃R L

"

" 3k

2.5 2.0 1.5 1.0 0.5

I CQ

0.25

i B =60 pA ---- i B =50 p A i B =40

p A i B =30 p A i B =20

p A i B =10 p A

:—iB=0 p A

3

U CE (V)

题3-9图c 题3-9交流负载线

输入电压 U i 为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为

U

o,max =min U o,max1,U o,max2 "

如果三极管VT 的饱和压降U ces =0.3V,则 U o,max1 二U CEQ - U ces = 1.25—0.3 = 0.95(V )

I CQ

U o,max^' 1

Q

—-I CQ R C 〃R L =0.38 3 = 1.14V

/ R C // R L

U o,max = 0.95V

3?若R L =7k Q,交流负载线斜率为

1 1 1

R c // R L 一 3k//7k 一 2.1k

输入电压u 为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为

U

o,max

二 min U

U

o,ma1 ,U o,max2

o,max1

=u CEQ -U ces =1.25 - 0.3 =0.95 V

I CQ

*U o,max2 二〔

=I CQ

R c 〃 R L =0.38 2.1 =0.80 V

/(R C

〃R L

)

-U o,max =0.80 V

3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的 3=100, U BE = — 0.3V 。

1 .估算直流工作点I CQ 和U CEQ 。

2?若偏置电阻R B 1、R B 2分别开路，试分别估算集电极电位 U c 值，并说明各自的工作状态;

3.若R B 1开路时，要求l cQ =2mA ，试确定R B 2应该取多大的值。

Q

2

U o,max 0.5

1

1.5

U CEQ

U o,max1

---

解：

1.直流工作点I CQ 和U CEQ 估算。

-U CEQ ~V C^ _ 1

' I BQ R E _I C Q R C

= 12-101 0.53 M A

1.3k -53 mA 2k

=11.82V

2?若偏置电阻R B 1开路，管子的静态工作电流为

I BQ V C C —U E B

0.020 mA

R B2 1 ： R E 470k

1 100 1.3k

.集电极电位 U c =2 |BQ R C =100 0.020 2 =4 V

P U EC =Vcc 1 ' I BQ R C -（1 ■ - ） I BQ R E

=12 -4 -101 0.020 1.3 = 5.4 V

此时三极管的发射结正偏、极点结反偏，管子处于放大状态。 若偏置电阻R B 2开路，

1

BQ

u C =0

此时管子处于截止状态。 3. 若R B 1开路时，有

------- V CC

R E 12V 1.3k Q

U B

1

BQ

1

CQ R B 1

R

B2

V

CC

-U B _U EB _

1「R E

=-I B =53 mA

470

12 =11.63 V

15 470

12-11.63-0.3 = 0.53 M A

101 1.3k

12-0.3 VT

题3-12图

I V CC U EB

1

BQ 二

R

B2 +仆+ P )R E

I CQ = ' 'I BQ

若要求|CQ =2mA，有

1 Vcc—U EB

2 mA

屜「：R E

3-7 在电路如题3-13 图中，已知V cc=6V , U BEQ=0.7V , R S=500Q, R c=4k Q, 体管VT

的h fe=50, r bb=300 Q。

(1 )估算直流工作点I CQ。

(2)画出放大电路的简化h参数等效电路。

(3)估算放大电路的输入电阻和R L= a时的电压增

益A U。

(4)若R L=4k Q 时，求电压增益A u=u o/u i和A US=U O/U S。

解：

1.估算直流工作点I CQ。

I CQ=b fe l B=50 17.7 pA = 0.89(mA)

2?放大电路的简化h参数等效电路如题3-13图a。

题3-13图a

100

12-0.3

R B2 1 100 1.3K

解得R B2 = 453.7k Q

R B=300k Q,晶

I BQ

V cc _U BE

R B

6-0.7

300k

= 17.7 叭

题3-13图

r i 二 R B //h je =300K//1.77K = 1.75k Q h fe(R c 〃R L )

50(4k//oo) A u

113

U

h ie

1.77k

4. 若R L =4 k Q 时，电压增益 A U 和A us 的计算。

h fe R C // R L 50 4k // 4k

A u 二

57

h ie

1.77k

r i 1.77

A us A J

57 - —44 A +R s 0.5 1.77

3-8在题3-15图所示放大电路中，已知晶体管的 U BE =0.7V , 3=100, r bb=100 Q, R s =200 Q,

各电容足够大。

1. 画出直流通路；计算静态工作点。

2.

画出交流通路及交流等效电路，计算 r i 、r 。、A U 、A us 。

题3-15图

解：

1.直流通路如题

3-15图a ；静态工作点计算如下。

V cc

/■

> 10V

R 1 R 2 20 k Q 80 k Q 「

R c 2k Q 题3-15图a

3 ?估算放大电路的输入电阻和 R L = 时的电压增益 A u 。

h

ie 26mV

= r bb' 1

BQ =300 26

+-------- 0.017 = 1.77k

Q

V cc

+ u o

VT

I BQ

Vy -U BE

生

07

30

Q

(R R ) 1 R C

100k 101 2

I - ■ I BQ -100 30.8(A = 3.08mA

U CEQ =V cc - 1「I BQ R C =10-101 30.8 10” 2 103

=3.8V

2.交流通路及交流等效电路如题 3-15图b 、题3-15图c 所示.o

「i 、A U 、A us 、 r o 的计算如下。

r =

R 〃h ie = 20k//944 = 0.94 k Q

r 。=R 2〃 R C =2k//80k =1.98 k Q

八

B(R 2〃 R j //R L )

100"80k 〃20k 〃2k )

A u

125

h ie

0.944k

3-10 如题 3-16 图所示电路，已知 R s =50 Q, R B 1 =33K Q , R B 2=10K Q , R C =1K Q , R L =1K Q ，晶 体管的 h ie =1.2 K Q 3=50o

1.

画出交流通路及简化 h 参数等效电路。

2. 计算 r i 、A u 、A us 、r o 。

解：

1?交流通路及简化 h 参数等效电路如题 3-16图a 、题3-16图b o

26m V

h e =血十 ---------- =100 +

1

BQ

26

30.8 10” = 944 Q

「i 「i

R s

0.94

0.94 0.2

125—103

+ u

。

+ 题3-15图c

题3-15图b

U s

R S

题3-16图

2. r i 、A u 、A"、r o 计算如下。

r i ^R 1 // R 2 // h ie =33k//10k//1.2k =1.04 k Q

题3-21图

分析：题3-21图电路为CB 组态放大电路。在进行低频小信号分析时， 可以使用CB 组态的

h 参数模型，也可以使用比较熟悉的

CE 组态的h 参数模型。

R s

U s

U i

R BI

〃R

B 2

题3-16图a 图题3-16图电路的交流通路

题3-16图b 图题3-16图的交流等效通路

1 R C

〃

R L

_ 50 1k // 1k

- 1.2k

--21

r i

r

i R

s

1.04k

1.04k 0.05

21 二-20

3- 13已知共基放大电路如题

3-21图所示。已知晶体管

电路中的电容对交流可视为短路。 VT 的 h fe =50, r bb =50 Q, U BEQ =0.7V,

1. 求静态工作点。

2. 画出h 参数等效电路；求中频电压增益A u,输入电阻和输出电阻。

—O

-q R B 1

[

-R C

3k Q

30k Q

V CC R B2 1

15k Q

1 R E 1

+

L

2k Q

u

+ U s

R L U

O

R C r

| ] h fe i b

]h ie —

+ U O

A

US

+ 12v

VT

R L 3k Q

+ C 3

i

解：

方法一：

1.直流电路如题3-21图a所示。

U B

R

B2

R g1

R

B2

V

CC

I

EQ

U B -U BE

RE"-

I CQ hfe I EQ

I BQ I

CQ = ------ & h ie

V CC + 12v

:R B 1

30k Q

R C 3k Q

VT

R B 2 15k

Q

R E 2k Q

题3-21图a

15 12=4(V)

15 30

4

一°.7 =1.65( mA) 2k 50 1.65 =1.62(mA) 51 1.62 (mA) =0.03(mA) 50

3-21图b 所示。

U

o

U CEQ 二V CC -I CQ R C R E =12 -1.65 3 2 =3.75(V) 2.利用CB 组态的h 参数模型进行交流特性分析。交流等效电路如题 26 26

ie=b'

1 h fe

50 1 50 I EQ

1.65

853 16

.7 Q

51

bb'

= 853 Q

_ hi e

ib _

1 h fe - h fe 1 h fe

fb

输入电阻 r i 二 R E 〃h ib =16.7 Q //2k Q 二 16.5

Q

输出电阻r^ R c =3 kQ 中频电压增益为 u o A U

-

U i

h fb i e R C //R L h fb

R C 〃R L

-1 3//3 ib

16.7

88

方法二：

1.静态工作点的计算方法同方法一，略

2.利用CE组态的h参数模型进行交流特性分析。交流等效电路如题

26 26

h r‘ 1 he仁?1 50両曲Q

输入电阻

3-21图c所示。+

U

o

U o -h fe i b &〃& h fe R C

〃R L 1 3//3 U i - ib h ie h ie 88

16.7

r i u

i

i

b

h

ie h ie 853

r i

i i 1 + h fe i b 1 + h fe =R c // r - 一16.5 k Q

输出电阻r。= R c = 3 k Q

1 50

= 16.7 Q

第四章场效应管及基本放大电路

4-8电路参数如题4-7图所示，场效应管的

1.静态工作点。

2.电压增益A u。

U Gs,off=- 1V, I DSS=0.5mA ,r ds为无穷大。试求:

3.输入电阻和输出电阻。

h fb i e

解:

1 ?静态工作点计算

将参数代入，得

0.047 3 3. 18-2 10 I DQ =0.41-2 10 I DQ

DQ

— 0.3mA

U GSQ 二 _0.2V

2. 电压增益A u 。

U GS , off

_

g m u GS R D

m D

= _g m R D - -0.78 30 - -23.4

本题目电路中，有旁路电容 C ,此时放大电路的电压增益为,

A U

-g m u GS R D

u GS

--gm R D

g

m

-U GS

U DS 缔数

g m

21 DSS

U GS , off

U GS , off

2

>/l DSS I ^—^0.5X

-1

U GS , off

0.3 二 0.78mS

R D 30K Q

__II Co

+V DD + 18V

C s 10 g

题4-7图

U GSQ

R G2

U DD - 1 DQ R S

R G1

'氏2

1 DQ ~ 1 DSS

1 U GSQ

U GS,off

；

U G SQ

0.047 + 2

I DQ =0.5"03 1 -

U GSQ

?2

? I D

A U

UGS

C i

Ui

R G1 2M Q R G2 47k Q

VT

R G 10M Q

R s

2K Q

3?输入电阻和输出电阻的计算。

r i =R G R G1 // R G2 = 10 M 2 M // 47 K : 10 M Q r o = R D = 30 i K Q

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模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压 为 V；若u i1=1500μV, u i2 =500μV，则差模输入电压u id 为μV，共模 输入信号u ic 为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情 况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小

C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR 越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7．为了使运放工作于线性状态，应（） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 8．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（）。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9．振荡电路的振荡频率，通常是由（）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 10．在串联型线性稳定电路中，比较放大环节放大的电压是（） A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压

模拟电子技术题库 答案

模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9

第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。 2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。 6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。 9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。 10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。 11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。 13、PN 结具有__单向导电_______特性。 14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运 I O

放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

模拟电路模拟试题库与答案

第 页 共 页 1 《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sin ωt,二极管导通压降U D =0.6V,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e 1～r b e 5，解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。

第 页 共 页 2 四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f ,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f =190K Ω,计算合理连线后电路的增益A u . 3.简述D 1,D 2在电路中的作用.如果V CC =12V,R L =8Ω,T 1,T 2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL 所能获得的最大功率P Lmax =? 五、如图5为一运算放大器应用电路A 1、A 2、A 3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i 之间函数关系式和v o ~v o2之间函数关系式。2.图中v i (t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i (t)所对应v o2 与v o 信号波形。(20分)

《数字电路》期末模拟试题及答案

. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1= 2Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)知识分享

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术考试试题大全及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电 压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电 阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用 （）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= （）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大 小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点， 所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息 的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联

大学模电题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，

模拟电路期末试卷答案

――――――――――――――――――――――――――――――――――一．选择题（每小题2分，共20分） 1．稳压管是特殊的二极管，它一般工作在【】状态。【 C 】A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.饱和区 2．利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的【】。【 B 】A.直流参数 B.交流参数 C.静态工作点 D.交流和直流参数 3．在放大电路中，场效应管应工作在【】。【 B 】A.可变电阻区 B.饱和区 C.截止区 D.击穿区 4．P 型半导体的多数载流子为【】。【 B 】A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5．工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运算的主要区别是，前者的运放通常工作在【 A 】A．开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 6．甲类功放效率低是因为【 B 】 A.只有一个功放管 B.静态电流过大 C.管压降过大 D.静态电流过小 7．直接耦合放大器放大倍数越大，零点漂移现象就越【 C 】A.轻 B.与放大倍数无关 C.严重 D.同或门 8．放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入【 D 】 A.电压负反馈 B.交流负反馈 C.电流负反馈 D.直流负反馈 9．石英晶体振荡器的主要优点是【 B 】A．振幅稳定B．频率稳定度高 C．频率高 D.选频特性好 10．为了使高内阻信号源与低阻负载能够很好地配合，可以在信号源与低阻负载之间接入 【 C 】A．共射电路 B. 共基电路 C.共集电路 D. 共集-共基电路 二．填空题（每小题2分，共20分） 1．测得量三极管三个电极对地电位如图2所示， 试判断三极管的工作状态放大。 图2 2．晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 3.放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；容阻耦合变压器耦合。 4．工作在线性区的理想运放器，两个输入端的电位相等称为虚地。 5．正弦波振荡电路发生自激振荡的振幅平衡条件是。 6．迟滞比较器有二个门限电压。 7.在信号处理电路中，有用信号频率高于10 kHz时，可选用高通滤波器。

模拟电路试卷及答案

模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压为 V； 若u i1=1500μV, u i2 =500μV，则差模输入电压u id 为μV，共模输入信号u ic 为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小 C．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是 运载信息的工具，称为（）。 2

模拟电子技术习题与答案

模拟电子技术 第 1 章半导体二极管及其基本应用 1． 1填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载 流子是空穴。 3． PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直 流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V ，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1． 2单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度 D ．晶格缺陷2． PN结形成后，空间电荷区由 ( D ) 构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将 ( C ) 。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1． 3是非题 1．在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) 2．因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× ) 1． 4分析计算题 1．电路如图 T1．1 所示，设二极管的导通电压U D(on) =0.7V，试写出各电路的输出电压 Uo 值。

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。