集成电路的分类及使用

集成电路的分类及使用

概述

集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、电

容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器

件，英文缩写为IC，也称芯片。集成电路是60年代出

现的，当时只集成了十几个元器件。后来集成度越来

越高，也有了今天的P－III。

分类

集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大类别，而具体功能更是数不胜数，其应用遍及人类生活的方方面面。集成电路根据内部的集成度分为大规模、中规模、小规模三类。其封装又有许多形式。“双列直插”和“单列直插”的最为常见。消费类电子产品中用软封装的IC，精密产品中用贴片封装的IC等。

对于CMOS型IC，特别要注意防止静电击穿IC，最好也不要用未接地的电烙铁焊接。使用IC也要注意其参数，如工作电压，散热等。数字IC多用＋5V 的工作电压，模拟IC工作电压各异。集成电路有各种型号，其命名也有一定规律。一般是由前缀、数字编号、后缀组成。前缀表示集成电路的生产厂家及类别，后缀一般用来表示集成电路的封装形式、版本代号等。常用的集成电路如小功率音频放大器LM386就因为后缀不同而有许多种。LM386N是美国国家半导体公司的产品，LM代表线性电路，N代表塑料双列直插。

集成电路型号众多，随着技术的发展，又有更多的功能更强、集成度更高的集成电路涌现，为电子产品的生产制作带来了方便。在设计制作时，若没有专用的集成电路可以应用，就应该尽量选用应用广泛的通用集成电路，同时考虑集成电路的价格和制作的复杂度。在电子制作中，有许多常用的集成电路，如NE55 5（时基电路）、LM324（四个集成的运算放大器）、TDA2822（双声道小功率放大器）、KD9300（单曲音乐集成电路）、LM317（三端可调稳压器）等。

这里有些集成电路的样子：

标准的双列直插集成电路：标准的单列直插集成电路：

集成电路介绍

集成电路IC是封在单个封装件中的

一组互连电路。装在陶瓷衬底上的分立元

件或电路有时还和单个集成电路连在一

起，称为混合集成电路。把全部元件和电

路成型在单片晶体硅材料上称单片集成

电路。单片集成电路现在已成为最普及的

集成电路形式，它可以封装成各种类型的

固态器件，也可以封装成特殊的集成电

路。

通用集成电路分为模拟（线性）和数字两大类。模拟电路根据输入的各种电平，在输出端产生各种相应的电平；而数字电路是开关器件，以规定的电平响应导通和截止。有时候集成电路标有LM（线性类型）或DM（数字类型）符号。

集成电路都有二或三个电源接线端：用VCC、VDD、VSS、+V、-V或GN D来表示。这是一般应用所需要的。

双列直插式是集成电路最通用的封装形式。其引脚标记有半圆形豁口、标志线、标志圆点等，一般由半圆形豁口就可以确定各引脚的位置。双列直插式的引脚排列图如图T306所示。

集成电路命名方法

集成电路命名方法见表B312

使用TTL集成电路与CMOS集成电路的注意事项

(1)使用TTL集成电路注意事项

①TTL集成电路的电源电压不能高于＋5.5V使用，不能将电源与地颠倒错接，否则将会因为过大电流而造成器件损坏。

②电路的各输入端不能直接与高于＋5.5V和低于-0.5V的低内阻电源连接，因为低内阻电源能提供较大的电流，导致器件过热而烧坏。

③除三态和集电极开路的电路外，输出端不允许并联使用。如果将图T30 6双列直插集电极开路的门电路输出端并联使用而使电路具有线与功能时，应在其输出端加一个预先计算好的上拉负载电阻到VCC端。

④输出端不允许与电源或地短路。否则可能造成器件损坏。但可以通过电阻与地相连，提高输出电平。

⑤在电源接通时，不要移动或插入集成电路，因为电流的冲击可能会造成其永久性损坏。

⑥多余的输入端最好不要悬空。虽然悬空相当于高电平，并不影响与非门的逻辑功能，但悬空容易受干扰，有时会造成电路的误动作，在时序电路中表现更为明显。因此，多余输入端一般不采用悬空办法，而是根据需要处理。例如：与门、与非门的多余输入端可直接接到VCC上；也可将不同的输入端通过一个公用电阻（几千欧）连到VCC上；或将多余的输入端和使用端并联。不用的或门和或非门等器件的所有输入端接地，也可将它们的输出端连到不使用的与门输入端上。如图T307所示。

对触发器来说，不使用的输入端不能悬空，应根据逻辑功能接人电平。输入端连线应尽量短，这样可以缩短时序电路中时钟信号沿传输线的延迟时间。一般不允许将触发器的输出直接驱动指示灯、电感负载、长线传输，需要时必须加缓冲门。

（2）使用CMOS电路的注意事项

CMOS集成电路由于输入电阻很高，因此极易接受静电电荷。为了防止产生静电击穿，生产CMOS时，在输入端都要加上标准保护电路，但这并不能保证绝对安全，因此使用CMOS 集成电路时，必须采取以下预防措施。

①存放CMOS集成电路时要屏蔽，一般放在金属容器中，也可以用金属箔将引脚短路。

②CMOS集成电路可以在很宽的电源电压范围内提供正常的逻辑功能，但电源的上限电压（即使是瞬态电压）不得超过电路允许极限值、…电源的下限电压（即使是瞬态电压）不得低于

系统工作所必需的电源电压最低值Vmin，更不得低于VSS。

③焊接CMOS集成电路时，一般用20Ｗ内热式电烙铁，而且烙铁要有良好的接地线。也可以利用电烙铁断电后的余热快速焊接。禁止在电路通电的情况下焊接。

④为了防止输入端保护二极管因正向偏置而引起损坏，输入电压必须处在VDD 和VSS 之间，即VSS＜ｕ1＜VDD。

⑤调试CMOS电路时，如果信号电源和电路板用两组电源，则刚开机时应先接通电路板电源，后开信号源电源。关机时则应先关信号源电源，后断电路板电源。即在CMOS本身还没有接通电源的情况下，不允许有输入信号输入。

⑥多余输入端绝对不能悬空。否则不

但容易受外界噪声干扰，而且输入电位不

定，破坏了正常的逻辑关系，也消耗不少

的功率。因此，应根据电路的逻辑功能需

要分别情况加以处理。例如：与门和与非

门的多余输入端应接到VDD或高电平；

或门和或非门的多余输入端应接到VSS

或低电平；如果电路的工作速度不高，不需要特别考虑功耗时，也可以将多余的输入端和使用端并联。如图T308所示。

以上所说的多余输入端，包括没有被

使用但已接通电源的CMOS电路所有输

入端。例如，一片集成电路上有4个与门，

电路中只用其中一个，其它三个门的所有

输入端必须按多余输入端处理。

⑦输入端连接长线时，由于分布电容

和分布电感的影响，容易构成LC振荡，

可能使输入保护二极管损坏，因此必须在

输入端串接一个10~20kΩ的保护电阻R，如图T309所示。

⑧CMOS电路装在印刷电路板上时，印刷电路板上总有输入端，当电路从机器中拔出时，输入端必然出现悬空，所以应在各输入端上接入限流保护电阻，如图T309所示。如果要在印刷电路板上安装CMOS集成电路，则必须在与它有关的其它元件安装之后再装CMOS 电路，避免CMOS器件输入端悬空。

⑨插拔电路板电源插头时，应该注意先切断电源，防止在插拔过程中烧坏CMOS的输入端保护二极管。

语音集成电路

电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC 一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。

别看语音IC应用电路很简单，但是它确确实实是一片含有成千上万个晶体管芯的集成电路。其内部含有振荡器、节拍器、音色发生器、ROM、地址计算器和控制输出电路等。音乐片内可存储一首或多首世界名曲，价格很便宜，几角钱一片。音乐门铃都是用这种音乐片装的，其实成本很低。

不同的语言片内存储了各种动物的叫声，简短语言等，价格要比音乐片贵些。但因为有趣，其应用越来越多。会说话的计算器、倒车告警器、报时钟表等。语音电路尽管品种不少，但不能根据用户随时的要求发出声音，因为商品化的语音产品采用掩膜工艺，发声的语音是固定的，使成本得到了控制。

一般语音集成电路的生产厂家都可以特别定制语音的内容，但因为要掩模，要求数量千片以上。近年来出现的OTP语音电路解决了这一问题。OTP就是一次性可编程的意思，就是厂家生产出来的芯片，里面是空的，内容由用户写入（需开发设备），一旦固化好，再也不能擦除，信息也就不会丢失。它的出现为开发人员试制样机提供了方便，特别适合于小批量生产。

业余制作采用可录放的语言电路是十分方便的，UM5506、ISD1400、ISD25 00等，外围元件极少。bitbaby第一次知道可录放语音集成电路，是在90年代的无线电杂志上，记得那时是UM5101和T6668，都是用41256等DRAM的。那时多想有那么一套，不用磁带就可以录音的怪物，还能在放音时随意变调呢。早期的数码留言机也用它们，由于使用DRAM，如果没有后备电池，一旦断电后，所有的信息都会丢失。

现在采用EEPROM的语音电路大大方便了电子爱好者，它随录随放，不怕掉电，使用方便，外围元件少。只是价格较贵些，每秒钟成本约1元人民币。这类语音录放集成电路首推（美国）ISD公司的ISD系列。国内、台湾都有厂家生产兼容的芯片及软包封的芯片、模块，但从结构来看，猜想来自于ISD。

如果您对语音集成电路很感兴趣，请密切留意bitbaby的网站。为了让您更好地了解语音IC，bitbaby以后将把精心收集的语音IC应用图集贴到网上来，以方便您查询使用。

这是软包封的ISD1420芯片：

数字集成电路

数字集成电路产品的种类很多。数字集成电路构成了各种逻辑电路，如各种门电路、编译码器、触发器、计数器、寄存器等。它们广泛地应用在生活中的方方面面，小至电子表，大至计算机，都是由数字集成电路构成的。

结构上，可分成TTL型和CMOS型两类。74LS/HC等系列是最常见的TTL 电路，它们使用5V的电压，逻辑“0”输出电压为小于等于0.2V，逻辑“1”输出电压约为3V。CMOS数字集成电路的工作电压范围宽，静态功耗低，抗干扰能力强，更具优点。数字集成电路有个特点，就是它们的供电引脚，如16脚的集成电路，其第8脚是电源负极，16脚是电源正极；14脚的，它的第7脚是电源的正极。

通常CMOS集成电路工作电压范围为3~18V，所以不必像TTL集成电路那样，要用正正好好的5V电压。CMOS集成电路的输入阻抗很高，这意味着驱动CMOS集成电路时，所消耗的驱动功率几乎可以不计。同时CMOS集成电路的耗电也非常的省，用CMOS集成电路制作的电子产品，通常都可以用干电池供电。

CMOS集成电路的输出电流不是很大，大概为10mA左右，但是在一般的电子制作中，驱动一个LED发光二极管还是没有问题的。此外，CMOS集成电路的抗干扰能力也较强，即行话所说的噪声容限较大，且电源电压越高，抗干扰能力越强。

电子制作中常用的数字集成电路有4001、4011、4013、4017、4040、4052、4060、4066等型号，建议多买些备用。市场上的数字集成电路进口的较多，产品型号的前缀代表生产公司，常见的有MC1XXXX（摩托罗拉）、CDXXXX（美国无线电RCA）、HEFXXXX（飞利浦）、TCXXXX（东芝）、HCXXXX（日立）等。一般来说，只要型号相同，不同公司的产品可以互换。

需要注意的是，CMOS集成电路容易被静电击穿，因此需要妥善保存。一般要放在防静电原包装条中，或用锡箔纸包好。另外焊接的时候，要用接地良好的电烙铁焊接，或者索性拔掉插头，利用余热焊接。不过说实话，现在的CMOS 集成电路因为改进了生产工艺，防静电能力都有很大提高，不少人都不太注意为CMOS集成电路防静电，IC却也活着。

模拟集成电路

模拟集成电路被广泛地应用在各种视听设备中。收录机、

电视机、音响设备等，即使冠上了“数码设备”的好名声，却

也离不开模拟集成电路。实际上，模拟集成电路在应用

上比数字集成电路复杂些。每个数字集成电路只要元器件良好，一般都能按预定的功能工作，即使电路工作不正常，检修起来也比较方便，1是1，0是0，不含糊。模拟集成电路就不一样了，一般需要一定数量的外围元件配合它工作。那么，既然是“集成电路”，为什么不把外围元件都做进去呢？这是因为集成电路制作工艺上的限制，也是为了让集成电路更多地适应于不同的应用电路。

对于模拟集成电路的参数、在线各管脚电压，家电维修人员是很关注的，它们就是凭借这些判断故障的。对业余电子爱好者来说，只要掌握常用的集成电路是做什么用的就行了，要用时去查找相关的资料。

集成电路材料、结构与理论

分类材料电导率 导体铝、金、钨、铜等105S ·cm -1 第二章IC 制造材料、结构与理论 2.1 集成电路材料 1 半导体硅、锗、砷化镓、 磷化铟等10-9~102S ·cm -1 绝缘体SiO 2、SiON 、Si 3N 4等10-22~10-14S ·cm -1IC 的衬底材料----构建复杂的材料系统、固态器件、集成电路 IC 的基本元件是依据半导体特性构成的

半导体特性： 掺入杂质可改变电导率---制造不同的半导体材料 热敏效应---热敏器件、热稳定性下降 光电效应---光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器 注入电流----发光，可制造发光二极管和激光二极管。 2

2.1.1 硅(Si) ?基于硅的多种工艺技术： 双极型晶体管（BJT ） 结型场效应管（J-FET ）3P 型、N 型MOS 场效应管 双极CMOS （BiCMOS ） ?来源丰富、技术成熟、集成度高、晶圆尺寸大、芯片速度快、价格低廉?占领了90％的IC 市场

2.1.2 砷化镓(GaAs) ?具有更高的载流子迁移率， 和近乎半绝缘的电阻率 能工作在超高速超高频 4 ?GaAs 的优点: 电子迁移率高，f T 达150GHz ，毫米波、超高速电路 导带价带位置—电子空穴直接复合--可制作发光器件LED\LD\OEIC—光纤数字传输禁带宽度—载流子密度低--更高的温度/更好的抗辐射性能 兼顾速度与功耗，在微米毫米波范围内GaAs IC 处于主导地位 ?GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和HBT

2.1.3磷化铟(InP) ?能工作在超高速超高频 ?三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT ?电子空穴直接复合—发光器件、OEIC ?GaInAsP/InP系统发出激光波长0.92-1.65um 覆盖了玻璃光纤的最小色散（1.3um）和最小衰减 （1.55um）的两个窗口，广泛应用于光纤通信系统中。 ?技术不够成熟 5

数字集成电路的分类

数字集成电路的分类 数字集成电路有多种分类方法，以下是几种常用的分类方法。 1.按结构工艺分 按结构工艺分类，数字集成电路可以分为厚膜集成电路、薄膜集成电路、混合集成电路、半导体集成电路四大类。图如下所示。 世界上生产最多、使用最多的为半导体集成电路。半导体数字集成电路（以下简称数字集成电路）主要分为TTL、CMOS、ECL三大类。 ECL、TTL为双极型集成电路，构成的基本元器件为双极型半导体器件，其主要特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、集成度较低。双极型集成电路主要有 TTL(Transistor-Transistor Logic)电路、ECL(Emitter Coupled Logic)电路和I２L(Integrated Injection Logic)电路等类型。其中TTL电路的性能价格比最佳，故应用最广泛。

ECL，即发射极耦合逻辑电路，也称电流开关型逻辑电路。它是利用运放原理通过晶体管射极耦合实现的门电路。在所有数字电路中，它工作速度最高，其平均延迟时间tpd可小至1ns。这种门电路输出阻抗低，负载能力强。它的主要缺点是抗干扰能力差，电路功耗大。 MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。 MOS集成电路又分为PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。 MOS电路中应用最广泛的为CMOS电路，CMOS数字电路中，应用最广泛的为4000、4500系列，它不但适用于通用逻辑电路的设计，而且综合性能也很好，它与TTL电路一起成为数字集成电路中两大主流产品。CMOS数字集成电路电路主要分为4000（4500系列）系列、54HC/74HC系列、54HCT/74HCT系列等，实际上这三大系列之间的引脚功能、排列顺序是相同的，只是某些参数不同而已。例如，74HC4017与CD4017为功能相同、引脚排列相同的电路，前者的工作速度高，工作电源电压低。4000系列中目前最常用的是B系列，它采用了硅栅工艺和双缓冲输出结构。 Bi-CMOS是双极型CMOS（Bipolar-CMOS）电路的简称，这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出级采用双极型三极管，因此兼有CMOS电路的低功耗和双极型电路输出阻抗低的优点。 （1）TTL类型 这类集成电路是以双极型晶体管（即通常所说的晶体管）为开关元件，输入级采用多发射极晶体管形式，开关放大电路也都是由晶体管构成，所以称为晶体管-晶体管-逻辑，即Transistor-Transistor-Logic，缩写为TTL。TTL电路在速度和功耗方面，都处于现代数字集成电路的中等水平。它的品种丰富、互换性强，一般均以74（民用）或54（军用）为型号前缀。 ① 74LS系列（简称LS，LSTTL等）。这是现代TTL类型的主要应用产品系列，也是逻辑集成电路的重要产品之一。其主要特点是功耗低、品种多、价格便宜。 ② 74S系列（简称S，STTL等）。这是TTL的高速型，也是目前应用较多的产品之一。其特点是速度较高，但功耗比LSTTL大得多。

集成电路的分类

逻辑电路的分类 按功能结构分类 集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。 按制作工艺分类 集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。 膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。 按集成度高低分类 集成电路按集成度高低的不同可分为： SSIC 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuits) MSIC 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuits) LSIC 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits) VLSIC 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits) ULSIC特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits)

GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路(Giga Scale Integration)。 按导电类型不同分类 集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。 双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。 按用途分类 集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。 1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。 2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电

音响线用途及分类解析

音响线用途及分类 摘要：实现了一种全集成可变带宽中频宽带低通滤波器，讨论分析了跨导放大器-电容(OTA—C)连续时间型滤波器的结构、设计和具体实现，使用外部可编程电路对所设计滤波器带宽进行控制，并利用ADS软件进行电路设计和仿真验证。仿真结果表明，该滤波器带宽的可调范围为1～26 MHz，阻带抑制率大于35 dB，带内波纹小于0．5 dB，采用1．8 V电源，TSMC 0．18μm CMOS工艺库仿真，功耗小于21 mW，频响曲线接近理想状态。关键词：Butte 音响线是指连接各类音响器材并组成一套系统的联接线，主要有信号类和功率类和电源类线材。由于音响和视频类产品是供人欣赏的媒介产品，所以存在文化，环境不同而引起的审美观点的差别。由于音响和视频的产品已大量进入普通家庭，人们希望通过各类线材来简单调节系统，以满足自身的审美观点，虽然这种调节只是微量的，所以不同生产厂家的产品是存在着自身特殊的个性，首先是由于导体材料，绝缘材料和制作工艺的不同引起不可避免的差别，其次各个生产厂家通过材料的选择和线材的结构设计来人为控制线材性能的差别，来满足不同消费群的需要。所以说不存在最好的材料，只存在着最适用的材料。 从理论上讲，音响线材料的好坏，只能从保真角度上来讨论，即我们希望制造出线材使通过此线材的信号与输入信号完全相同。从产品生产厂家来说由于不同市场需求，产品必须有两种产品。一种是尽量保真产品，在专业市场的需求，另一种是无意或有意使线材产生善意的失真，以满足普通家庭的需求，即非专业使用。 ①低电平信号线（话筒线），通常指通过电位几十μV到几十mV，电位几十nA~几十μA这样线的重点要解决的是屏蔽问题。一般结构变化不多，均匀2芯或3芯反螺旋的减少电感和噪声。每芯一般为 φ0.12×20铜线，PEF或PE绝缘加屏蔽 φ0.12×6×16，外皮为PVC。为了进一步提高信噪比，有些厂家在每条芯线外再加一层导电PE，这样可提高信噪比20-40dB。成品线一般为平衡结构

优质耐火砖的区分及分类

耐火砖具有强度高、抗磨损、抗冲刷能力强及施工后不需要养护可立即投入生产等特点.产品用途：广泛适用比粘土质和高铝质隔热耐火砖复杂，在隔热衬火材转总产量中所占比重很小。耐火砖在其生产过程中，其物理化学变化一般都未达到烧成温度下的平衡状态。也有烧成不充分的耐火砖，因而在回转窑作用中再受高温作用时，为保持炉墙的整体性和稳固性，采取每隔5～8层，在砌砖层高度相同重合的地方，内外墙互相拉固的砌筑法，即将耐火砖的一半插入另一砖层中，或用金属锚固件固定。耐火粘土研磨工业、化工工业陶瓷工业等方面也有重要用途。大多数的耐火砖由于其本身液相的产生及孔隙的填充，发生不可逆的重烧收缩。 因此，高温体积稳定性，在选用烧成带耐火砖时必须予以考虑。回转窑耐火砖的主要作用是保护窑筒体不受高温气体和高温物料的损害，保证生产的正常进行。在工业生产中，烧成带耐火砖的使用寿命很短，往往导致计划外停窑检修，是影响水泥窑优质、高产、低耗和年运转率的关键因素。 高铝质隔热耐火砖，泡沫剂的制备。耐火砖具有冲刷能力强及施工后不需要养护可立即投入生产等特点.产品用途：广泛适用于冶金、化工、电力、垃圾焚烧炉、水泥窑窑口、下料箱、冷却机及循环流化床锅炉的布风板、放渣管、炉膛密相区、炉膛出口、旋风分离器等要求抗磨损、抗热震能力强的热工设备上。 耐火砖按照种类及含铝量的不同可以分为：粘土耐火砖，高铝耐火砖，白云石耐火砖，镁铬耐火砖，抗剥落耐火砖，磷酸盐耐火砖，碳化硅耐火砖，硅莫耐火砖几大类。 1、粘土耐火砖：粘土耐火砖是用途最为广泛的一种砖，他的三氧化二铝含量在30%-60%，主要应用炉窑，锅炉内衬，厨房设备等上面； 2、高铝耐火砖：故名思议，就是Al2O3的含量比较高，耐火度高于粘土耐火砖，三氧化二铝含量在70%以上，抗酸碱侵蚀性好，适宜水泥窑烧成带等处，使用 寿命长但价格高，有很多不重要的炉窑都用粘土耐火砖代替； 3、白云石耐火砖：这种耐火砖比较抗酸碱，挂窑皮性能好，抗侵蚀性好，但有砖中多少有f-CaO，水容易泡化，不利益运输，保存起来也不是很方面，所以，比较少用； 4、镁铬耐火砖：一般在比较震动的炉窑上用途少，多用于烧成带，抗热震性能差，加上正六价Cr有剧毒，对环保不利，这种耐火砖逐渐被

集成电路测试

第一章 集成电路的测试 1.集成电路测试的定义 集成电路测试是对集成电路或模块进行检测，通过测量对于集成电路的输出回应和预期输出比较，以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程，是验证设计、监控生产、保证质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理 输入Y 被测电路DUT（Device Under Test）可作为一个已知功能的实体，测试依据原始输入x 和网络功能集F（x），确定原始输出回应y，并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因此，测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件，并分析其输出的正确性。测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处理得到测试结果。 3.集成电路故障与测试 集成电路的不正常状态有缺陷（defect）、故障（fault）和失效（failure）等。由于设计考虑不周全或制造过程中的一些物理、化学因素，使集成电路不符合技术条件而不能正常工作，称为集成电路存在缺陷。集成电路的缺陷导致它的功能发生变化，称为故障。故障可能使集成电路失效，也可能不失效，集成电路丧失了实施其特定规范要求的功能，称为集成电路失效。故障和缺陷等效，但两者有一定区别，缺陷会引发故障，故障是表象，相对稳定，并且易于测试；缺陷相对隐蔽和微观，缺陷的查找与定位较难。 4.集成电路测试的过程 1.测试设备 测试仪：通常被叫做自动测试设备，是用来向被测试器件施加输入，并观察输出。测试是要考虑DUT的技术指标和规范，包括：器件最高时钟频率、定时精度要求、输入\输出引脚的数目等。要考虑的因素：费用、可靠性、服务能力、软件编程难易程度等。 1.测试界面 测试界面主要根据DUT的封装形式、最高时钟频率、ATE的资源配置和界面板卡形等合理地选择测试插座和设计制作测试负载板。

专题复习 物质的性质、用途、变化及分类

专题一 物质的性质、用途、变化及分类 物质的变化和性质和用途 【知识网络】 物质的变化和性质的关系 《物质的性质、用途、变化及分类》 主备人： 审核人： 审核时间：

课型：复习班级：姓名： 一、【复习目标】 1.物理变化与化学变化的涵义及判断（会判断和辨别易分辨的、典型的物理变化和化学变化）； 2.物理性质和化学性质的判断，根据物质的性质掌握物质的用途； 二、【复习重点、难点】 1.物理变化与化学变化； 2.物理性质和化学性质的判断 三、【复习过程】 （一）（知识整理） 1. 2.物理性质、化学性质----物理性质与化学性质的比较 （二）典例解析 例1．“钻石恒久远，一颗永流传”，这句广告词被美国《广告时代》评为20世纪的经典广告之一。该广告词能体现的钻石的性质是（） A. 硬度大 B. 不能导电 C. 化学性质稳定 D. 熔点低 例2.下列变化属于化学变化的是（） A. 牛奶酸败 B. 冰雪融化 C. 试管破裂 D. 干冰升华 例3.下列说法中正确的是（） A．物理变化和化学变化一定同时发生 B．爆炸一定是化学变化 C．燃烧一定是化学变化 D．化学变化一定有发光发热、变色、生成沉淀、生成气体的现象中的一种或几种发生。

例4．下列物质的用途，主要利用化学性质的是（） A. 铜制造电线 B. 活性炭吸附冰箱中的异味 C. 氧气供给呼吸 D. 稀有气体作为霓虹灯的填充气 例5.2003年12月23日，川东气矿发生井喷事故：高压天然气携带一种有毒气体从地下喷出，向四周扩散。所到之处，牲畜、飞鸟和没撤离的人员大量伤亡，水源被严重污染。前线队和救援队迅速进入事故地点，并点燃了喷出的气体，切断了有毒气体的来源。救援队员发现，低洼地的人、畜死亡率高，但是有一位老人摔倒在水田边，头埋在潮湿的草丛中而幸免于难。 （1）该气体在空气中充分燃烧，生成二氧化硫和水，则此气体中一定有的元素是和。（填元素符号） （2）请推测这种气体具有的性质：。 （3）根据该气体的性质，说明老人幸免于难的原因：。 例6、我们的化学教材中有大量彩图，描述了有关物质的变化和性质：①潺潺的流水能蒸发成水蒸气②水蒸气可能变成天空中的白云③白云变成了雨滴或雪花降落到地面④铁矿石冶炼钢铁⑤钢铁可能变成铁锈⑥煤着火燃烧，残余一堆灰烬。 请你分析，其中属于物理性质的是（填序号，下同），属于化学性质的是，属于物理变化的是，属于化学变化的是。 （三）巩固提高 1．如下图所示的变化属于化学变化的是：（） 2．下列物质的用途由其化学性质决定的是（） A. 用熟石灰降低土壤酸性 B. 用生铁制铁锅 C. 用16%的食盐溶液选种 D. 用氦气填充气球3．古诗词是古人为我们留下的宝贵精神财富。下列诗句中只涉及物理变化的是（） A．野火烧不尽，春风吹又生B．春蚕到死丝方尽，蜡炬成灰泪始干 C．只要功夫深，铁杵磨成针D．爆竹声中一岁除，春风送暖入屠苏 4．生活中处处充满化学。下列关于生活中的化学知识叙述正确的是（） A．可用纯碱溶液除去水壶中的水垢 B．当发现厨房中的燃气灶漏气时，应关闭燃气阀门，开窗通风 C．冬天用炉火取暖时，室内放一盆水可防止煤气中毒 D．波尔多液可用铁桶盛放 5．某农科所试用“汽水”（碳酸饮料）浇灌植物，改良碱性土壤，调节土壤pH，同时还能起到的作用是（） A．有利于植物的呼吸 B．加速光合作用的进行 C．代替氮肥 D．在植物上方形成温室 6．北京在申办2008年奥运会时提出了“科技奥运、人文奥运、绿色奥运”的口号。为了使2008年北京奥运会办成绿色奥运会，下列做法不可取的是（） A．关闭所有的化工企业 B．用天燃气逐步取代民用燃煤

水泥窑用耐火材料有哪几种类型

现如今，耐火材料被应用在各行各业中来，在整个的高温工业中起着至关重要的作用，同时在水泥回转窑中，耐火材料是保证水泥回转窑正常运行的重要材料，其性能及使用寿命对窑的运转率和熟料的产质量有很大的影响，因此要选择合适的耐火材料。那么在水泥回转窑内常用的耐火材料品种有哪些呢？下面简单给大家介绍一下。 (1)铝硅质系列耐火砖 除水泥回转窑过渡带热端和烧成带以外，铝硅质系列耐火砖可以应用于整个预分解窑烧成系统，如不动衬墙、窑门、冷却机、三次风管、燃烧器等。铝硅质系列耐火砖主要有耐碱系列砖、高铝质(抗剥落)系列砖、硅莫系列砖等。 (2)碱性耐火砖

回转窑的上过渡带靠近烧成带的部位以及烧成带，其衬里承受的火焰温度最高可达2000℃，物料温度也达1350~1400℃以上，此外还要承受硫碱化合物的渗透，熟料熔体(液相)渗透和热震、氧化还原、筒体椭圆变形等机械应力作用等，因此是衬里承受应力最为苛刻的部位，只有碱性耐火材料才能满足此工况下的使用需求。 (3)隔热耐火材料 隔热耐火材料组织结构的显著特点是气孔率高、气孔孔径较大，具有绝热性能;因其体积密度小，重量轻，所以通常又称为轻质耐火材料。隔热耐火材料的产品品种较多，通常依据材料的化学矿物组成或生产用原料来进行分类和命名，也有根据使用温度和材料的形态来进行分类的。目前，国内外预分解窑系统主体隔热材料用得最多的是硅酸钙板;另轻质浇注料、隔热耐火砖等的使用量在逐年增加。非主体隔热材料主要为陶瓷纤维制品。

(4)预热器用陶瓷内筒 对一些碱、氯、硫等有害成分较高的生产线，预热器金属内筒损坏较重。为减缓化学腐蚀，国外出现了抗碱、硫、氯等有害物侵蚀的陶瓷内筒。这种内筒十分适合工业废燃料燃烧的工况环境，非常适合水泥窑协同处置废弃物的生产线系统。 上述耐火材料性能各异，在水泥窑内使用的部位也不尽相同。只有了解这些耐火材料的物理及化学性能，才能正确合理地选用性价比最高的耐火材料，确保回转窑的运转率最大。 以上就是金京窑业带给大家的分享，希望对大家有所帮助，同时也感谢大家一直以来对金京窑业的关注与支持！

数字集成电路--电路、系统与设计(第二版)复习资料

第一章 数字集成电路介绍 第一个晶体管，Bell 实验室，1947 第一个集成电路，Jack Kilby ，德州仪器，1958 摩尔定律：1965年，Gordon Moore 预言单个芯片上晶体管的数目每18到24个月翻一番。(随时间呈指数增长) 抽象层次：器件、电路、门、功能模块和系统 抽象即在每一个设计层次上，一个复杂模块的内部细节可以被抽象化并用一个黑匣子或模型来代替。这一模型含有用来在下一层次上处理这一模块所需要的所有信息。 固定成本（非重复性费用）与销售量无关；设计所花费的时间和人工；受设计复杂性、设计技术难度以及设计人员产出率的影响；对于小批量产品，起主导作用。 可变成本 （重复性费用）与产品的产量成正比；直接用于制造产品的费用；包括产品所用部件的成本、组装费用以及测试费用。每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+固定成本/产量。可变成本=（芯片成本+芯片测试成本+封装成本）/最终测试的成品率。 一个门对噪声的灵敏度是由噪声容限NM L （低电平噪声容限）和NM H （高电平噪声容限）来度量的。为使一个数字电路能工作，噪声容限应当大于零，并且越大越好。NM H = V OH - V IH NM L = V IL - V OL 再生性保证一个受干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛回到额定电平中的一个。 一个门的VTC 应当具有一个增益绝对值大于1的过渡区(即不确定区)，该过渡区以两个有效的区域为界，合法区域的增益应当小于1。 理想数字门 特性：在过渡区有无限大的增益；门的阈值位于逻辑摆幅的中点；高电平和低电平噪声容限均等于这一摆幅的一半；输入和输出阻抗分别为无穷大和零。 传播延时、上升和下降时间的定义 传播延时tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。 上升和下降时间定义为在波形的10%和90%之间。 对于给定的工艺和门的拓扑结构，功耗和延时的乘积一般为一常数。功耗-延时积(PDP)----门的每次开关事件所消耗的能量。 一个理想的门应当快速且几乎不消耗能量，所以最后的质量评价为。能量-延时积(EDP) = 功耗-延时积2 。 第三章、第四章CMOS 器件 手工分析模型 ()0 12' 2 min min ≥???? ??=GT DS GT D V V V V V L W K I 若＋－λ ()DSAT DS GT V V V V ,,m in min ＝ 寄生简化：当导线很短，导线的截面很大时或当 所采用的互连材料电阻率很低时，电感的影响可 以忽略：如果导线的电阻很大(例如截面很小的长 铝导线的情形)；外加信号的上升和下降时间很慢。 当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互 连材料电阻率很低时，采用只含电容的模型。 当相邻导线间的间距很大时或当导线只在一段很短的距离上靠近在一起时：导线相互间的电容可 以被忽略，并且所有的寄生电容都可以模拟成接 地电容。 平行板电容：导线的宽度明显大于绝缘材料的厚 度。 边缘场电容：这一模型把导线电容分成两部分： 一个平板电容以及一个边缘电容，后者模拟成一 条圆柱形导线，其直径等于该导线的厚度。 多层互连结构：每条导线并不只是与接地的衬底 耦合（接地电容），而且也与处在同一层及处在相邻层上的邻近导线耦合（连线间电容）。总之，再多层互连结构中导线间的电容已成为主要因素。这一效应对于在较高互连层中的导线尤为显著，因为这些导线离衬底更远。 例4.5与4.8表格 电压范围 集总RC 网络 分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 例4.1 金属导线电容 考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线，计算总的电容值。 平面(平行板)电容： ( 0.1×106 μm2 )×30aF/μm2 = 3pF 边缘电容： 2×( 0.1×106 μm )×40aF/μm = 8pF 总电容： 11pF 现假设第二条导线布置在第一条旁边，它们之间只相隔最小允许的距离，计算其耦合电 容。 耦合电容： C inter = ( 0.1×106 μm )×95 aF/μm2 = 9.5pF 材料选择：对于长互连线，铝是优先考虑的材料；多晶应当只用于局部互连；避免采用扩散导线；先进的工艺也提供硅化的多晶和扩散层 接触电阻：布线层之间的转接将给导线带来额外的电阻。 布线策略：尽可能地使信号线保持在同一层上并避免过多的接触或通孔；使接触孔较大可以降低接触电阻(电流集聚在实际中将限制接触孔的最大尺寸)。 采电流集聚限制R C , (最小尺寸)：金属或多晶至n+、p+以及金属至多晶为 5 ~ 20 Ω ；通孔(金属至金属接触)为1 ~ 5 Ω 。 例4.2 金属线的电阻 考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线。假设铝层的薄层电阻为0.075Ω/□，计算导线的总电阻： R wire ＝0.075Ω/□?(0.1?106 μm)/(1μm)＝7.5k Ω 例4.5 导线的集总电容模型 假设电源内阻为10k Ω的一个驱动器，用来驱动一条10cm 长，1μm 宽的Al1导线。 电压范围 集总RC 网络 分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 使用集总电容模型，源电阻R Driver ＝10 k Ω，总的集总电容C lumped ＝11 pF t 50% = 0.69 ? 10 k Ω ? 11pF = 76 ns t 90% = 2.2 ? 10 k Ω ? 11pF = 242 ns 例4.6 树结构网络的RC 延时 节点i 的Elmore 延时： τDi = R 1C 1 + R 1C 2 + (R 1+R 3) C 3 + (R 1+R 3) C 4 + (R 1+R 3+R i ) C i 例4.7 电阻-电容导线的时间常数 总长为L 的导线被分隔成完全相同的N 段，每段的长度为L/N 。因此每段的电阻和电容分别为rL/N 和cL/N R (= rL) 和C (= cL) 是这条导线总的集总电阻和电容()()()N N RC N N N rcL Nrc rc rc N L DN 2121 (22) 22 +=+=+++?? ? ??=τ 结论：当N 值很大时，该模型趋于分布式rc 线;一条导线的延时是它长度L 的二次函数;分布rc 线的延时是按集总RC 模型预测的延时的一半. 2 rcL 22＝RC DN = τ 例4.8 铝线的RC 延时.考虑长10cm 宽、1μm 的Al1导线,使用分布RC 模型，c = 110 aF/μm 和r = 0.075 Ω/μm t p = 0.38?RC = 0.38 ? (0.075 Ω/μm) ? (110 aF/μm) ? (105 μm)2 = 31.4 ns Poly ：t p = 0.38 ? (150 Ω/μm) ? (88+2?54 aF/μm) ? (105 μm)2 = 112 μs Al5： t p = 0.38 ? (0.0375 Ω/μm) ? (5.2+2?12 aF/μm) ? (105 μm)2 = 4.2 ns 例4.9 RC 与集总C 假设驱动门被模拟成一个电压源，它具有一定大小的电源内阻R s 。 应用Elmore 公式，总传播延时： τD = R s C w + (R w C w )/2 = R s C w + 0.5r w c w L 2 及 t p = 0.69 R s C w + 0.38 R w C w 其中，R w = r w L ，C w = c w L 假设一个电源内阻为1k Ω的驱动器驱动一条1μm 宽的Al1导线，此时L crit 为2.67cm 第五章CMOS 反相器 静态CMOS 的重要特性：电压摆幅等于电源电压 → 高噪声容限。逻辑电平与器件的相对尺寸无关 → 晶体管可以采用最小尺寸 → 无比逻辑。稳态时在输出和V dd 或GND 之间总存在一条具有有限电阻的通路 → 低输出阻抗 (k Ω) 。输入阻抗较高 (MOS 管的栅实际上是一个完全的绝缘体) → 稳态输入电流几乎为0。在稳态工作情况下电源线和地线之间没有直接的通路(即此时输入和输出保持不变) → 没有静态功率。传播延时是晶体管负载电容和电阻的函数。 门的响应时间是由通过电阻R p 充电电容C L (电阻R n 放电电容C L )所需要的时间决定的 。 开关阈值V M 定义为V in = V out 的点(在此区域由于V DS = V GS ，PMOS 和NMOS 总是饱和的) r 是什么：开关阈值取决于比值r ，它是PMOS 和NMOS 管相对驱动强度的比 DSATn n DSATp p DD M V k V k V V ＝ ，r r 1r +≈ 一般希望V M = V DD /2 (可以使高低噪声容限具有相近的值)，为此要求 r ≈ 1 例5.1 CMOS 反相器的开关阈值 通用0.25μm CMOS 工艺实现的一个CMOS 反相器的开关阈值处于电源电压的中点处。 所用工艺参数见表3.2。假设V DD = 2.5V ，最小尺寸器件的宽长比(W/L)n 为1.5 ()()()()()()()() V V L W V V V V k V V V V k L W L W M p DSATp Tp M DSATp p DSATn Tn M DSATn n n p 25.125.55.15.35.320.14.025.1263.043.025.10.163.01030101152266==?==----?-???----=－－－＝ 分析： V M 对于器件比值的变化相对来说是不敏感 的。将比值设为3、2.5和2，产生的V M 分别为 1.22V 、1.18V 和 1.13V ，因此使PMOS 管的宽度小于完全对称所要求的值是可以接受的。 增加PMOS 或NMOS 宽度使V M 移向V DD 或GND 。不对称的传输特性实际上在某些设计中是所希望的。 噪声容限：根据定义，V IH 和V IL 是dV out /dV in = -1(= 增益)时反相器的工作点 逐段线性近似V IH = V M - V M /g V IL = V M + (V DD - V M )/g 过渡区可以近似为一段直线，其增益等于 在开关阈值V M 处的增益g 。它与V OH 及V OL 线的交点 用来定义V IH 和V IL 。点。

74系列集成电路的分类及区别

74系列集成电路的分类及区别 2008-12-26 13:42:44| 分类：默认分类| 标签：|字号大中小订阅 74系列集成电路大致可分为6大类： 74××（标准型）； 74LS××（低功耗肖特基）； 74S××（肖特基）； 74ALS××（先进低功耗肖特基）； 74AS××（先进肖特基）； 74F××（高速）。 HC为COMS工作电平； HCT为TTL工作电平，可与74LS系列互换使用； HCU适用于无缓冲级的CMOS电路。 这9种74系列产品，只要后边的标号相同，其逻辑功能和管脚排列就相同。根据不同的条件和要求可选择不同类型的74系列产品，比如电路的供电电压为3V就应选择74HC系列的产品。 补充: ．74 –系列 这是早期的产品，现仍在使用，但正逐渐被淘汰。 2．74H –系列 这是74 –系列的改进型，属于高速TTL产品。其“与非门”的平均传输时间达10ns左右， 但电路的静态功耗较大，目前该系列产品使用越来越少，逐渐被淘汰。 3．74S –系列 这是TTL的高速型肖特基系列。在该系列中，采用了抗饱和肖特基二极管，速度较高，但品 种较少。 4．74LS –系列 这是当前TTL类型中的主要产品系列。品种和生产厂家都非常多。性能价格比比较高，目前 在中小规模电路中应用非常普遍。 5．74ALS –系列 这是“先进的低功耗肖特基”系列。属于74LS –系列的后继产品，速度（典型值为 4ns）、功耗（典型值为1mW）等方面都有较大的改进，但价格比较高。 6．74AS –系列 这是74S –系列的后继产品，尤其速度（典型值为1.5ns）有显著的提高，又称“先进超高 速肖特基”系列。 7．74HC –系列 54/74HC –系列是高速CMOS标准逻辑电路系列，具有与74LS –系列同等的工作度和CMOS 集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。74HCxxx是74LSxxx同序号的翻版，型号最 后几位数字相同，表示电路的逻辑功能、管脚排列完全兼容，为用74HC替代74LS提供了方 便。 74AC –系列 该系列又称“先进的CMOS集成电路”，54/74AC 系列具有与74AS系列等同的工作速度和与 CMOS集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。 ACT 高性能CMOS逻辑门系列(输入TTL兼容具缓冲功能) AC 高性能CMOS逻辑门系列(具缓冲功能)

报告的含义、作用、类别、格式、写法及范文解析

报告的含义、作用、类别、格式、写法及 范文解析 十一、报告 (一)含义、功用和性质 “报告”，是“适用于向上级机关汇报工作，反映情况，答复上级机关的询问”的公文文体。 “报告”是写给上级、主管部门或权力机关的报请性上行公文，党、政和人民团体企事业部门都使用。过去报告和请示是一类中的两种，近些年为了避免混淆而误事，完全区分开来。报告偏重于汇报情况、意见、建议，而“请示”则是专为请求批准的。我党我国一向重视报告制度，因而这种公文是沟通上下级情况、意见，以更有效地实行领导而使机关体系正常运转的重要工具。“懒”(该报的不报)和“滥”(不用报的老报)是妨害它发挥作用的两种不良倾向。 (二)类别 1．例行报告。即下级机关由于工作任务、性质的需要，定期向上级写报告。分日报、双日报、三日报、周报、旬报、半月报、月报、季报，一旦按需要定下期限后，就必须在固定时间上报。例行报告不能变成“例行公事”，而要随着工作的进展，反映新情况、新问题、新思路，写出新意。不需要例行报告的，不要规定出例行报告。

2．综合报告。反映本机关全面情况或全面工作全局改革的意见、思路，以便上级了解全局、进行全面指导的报告。要注意反映的情况、问题得全面，意见建议要有根据，有可行论证，但不一定是请示批准后才实施。它可以和总结工作、计划安排结合起来。要有分析，有综合，有新意，有重点，不要写成流水账。 3．专题报告。指向上级反映本机关的某项工作、某个问题、某一方面的情况，或解决其问题有新的举措设想，要求上级对此有所了解的报告。应上级要求或机关主动报都可以。大致是做了某项工作，有了某种成就或经验(中心工作报告)，发生了什么问题或出了错误捅了漏子(紧急情况报告或检讨报告)，召开了会议解决了某一问题(会议报告)遇到了什么问题，初步考虑怎么解决(意见反映报告)等。要迅速及时，一事一报。呈报、呈转要分清写明。 (三)“报告”的格式和写法 报告的格式大致是这样：标题，包括事由和公文名称。上款，收文机关或主管领导人。正文，结构与一般公文相同。从内容方面看。报情况的，应有情况、说明、结论三部分，其中情况不能省略；报意见的，应有依据、说明、设想三部分，其中意见设想不能省去。从形式上看，复杂一点的要分开头、主体、结尾。开头使用多的是导语式、提问式给个总概念或引起注意。主体可分部分加二级标题或分条加序码。

镁铬砖的分类及应用

本文摘自再生资源回收-变宝网（https://www.wendangku.net/doc/b810097103.html,） 镁铬砖的分类及应用 镁铬砖是以氧化镁(MgO)和三氧化二铬(Cr2O3)为主要成分，方镁石和尖晶石为主要矿物组分的耐火材料制品。这类砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。下面简单介绍一下镁铬砖的分类及应用。 一、分类标准 本标准适用于镁砂及铬铁矿制成的镁铬砖。 1、分类 ①砖按理化指标分为MGe-20、MGe-16、MGe-12、MGe-8四种牌号。 ②砖的分型应符合YB844-75《耐火制品的分型和定义》的规定。 ③砖的形状和尺寸按GB2074-80《炼铜炉用镁铬砖形状及尺寸》的规定，并可按需方图纸生产。 2、技术要求表 指标项目MGe-20MGe-16MGe-12MGe-8 MGO,%,不小于40 45 55 60 Cr2O3,%,不小于20 16 12 8 1550 1550 1550 1550 0.20MPa荷重软化开始温度,℃, 不低于

显气孔率,%,不大于23 23 23 23 常温耐压强度,MPa,不小于24.5 24.5 24.5 24.5 ①砖的理化指标应符合表1的规定。 ②砖的尺寸允许偏差及外观应符合表2的规定。 ③宽度0.26～0.50mm，长度不大于40mm的裂纹，每面不得超过三条。 3、试验方法 ①砖的检验制样按GB7321-87《致密定形耐火制品试验的制样规定》进行。 ②化学分析按GB5070-85《镁铬质耐火材料化学分析方法》进行。 ③荷重软化温度的检验按YB370-75《荷重软化温度检验方法》进行。 ④显气孔率的检验按GB2997-82《致密定形耐火制品显气孔率、吸水率、体积密度和真气孔率试验方法》进行。

集成电路的发展与应用

粉体（1）班学号：1003011020 集成电路技术的发展与应用 摘要: 集成电路（Integrated Circuit,简称IC）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。 关键词：集成电路模拟集成电路电子元件晶体管发展应用集成电路对一般人来说也许会有陌生感，但其实我们和它打交道的机会很多。计算机、电视机、手机、网站、取款机等等，数不胜数。除此之外在航空航天、星际飞行、医疗卫生、交通运输、武器装备等许多领域，几乎都离不开集成电路的应用，当今世界，说它无孔不入并不过分。 在当今这信息化的社会中,集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础。无论是在军事还是民用上,它已起着不可替代的作用。 一、集成电路的定义、特点及分类介绍 1、什么是集成电路：所谓集成电路（IC），就是在一块极小的硅单晶片上，利用半导体 工艺制作上许多晶体二极管、三极管及电阻、电容等元件，并连接成完成特定电子技术功能的电子电路。从外观上看，它已成为一个不可分割的完整器件，集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路，目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中。[1] 2、集成电路的特点：集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、 芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。 3、集成电路的分类： （1）按功能结构分类：集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大系。

试按表121所列的数字集成电路的分类依据

1.1.1 试按表1. 2.1所列的数字集成电路的分类依据，指出下列器件属于何种集成度器件：(1) 微处理器；(2) IC 计算器；(3) IC 加法器；(4) 逻辑门；(5) 4兆位存储器IC 。 解：(1) 微处理器属于超大规模；(2) IC 计算器属于大规模；(3) IC 加法器属于中规模；(4) 逻辑门属于小规模；(5) 4兆位存储器IC 属于甚大规模。 1.1.2 一数字信号的波形如图1.1.1所示，试问该波形所代表的二进制数是什么？ 解：0101 1010 1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数和8421BCD 码（要求转换误差不大于2-4）： (1) 43 (2) 127 (3) 254.25 (4) 2.718 解：(1) 43D=101011B=53O=2BH ； 43的BCD 编码为0100 0011BCD 。 (2) 127D=1111111B=177O=7FH ； 127的BCD 编码为0001 0010 0111BCD 。 (3) 254.25D=11111110.01B=376.2O=FE.4H ； 0010 0101 0100.0010 0101BCD 。 (4) 2.718D=10.1011 0111B=2.56O=2.B7H ； 0010.0111 0001 1000BCD 。 1.2.3 将下列每一二进制数转换为十六进制码： (1) 101001B (2) 11.01101B 解：(1) 101001B=29H (2) 11.01101B=3.68H 1.2.4 将下列十进制转换为十六进制数： (1) 500D (2) 59D (3) 0.34D (4) 1002.45D 解：(1) 500D=1F4H (2) 59D=3BH (3) 0.34D=0.570AH (4) 1002.45D=3EA.7333H 1.2.5 将下列十六进制数转换为二进制数： (1) 23F.45H (2) A040.51H 解：(1) 23F.45H=10 0011 1111.0100 0101B (2) A040.51H=1010 0000 0100 0000.0101 0001B 1.2.6 将下列十六进制数转换为十进制数： (1) 103.2H (2) A45D.0BCH 解：(1) 103.2H=259.125D (2) A45D.0BCH=41024.046D 2.1.3 用逻辑代数证明下列不等式 (1) B A B A A +=+ 由交换律 ))((C A B A BC A ++=+，得 B A B A A A B A A +=++=+))(( (2) AC AB C AB C B A ABC +=++ AC AB B C A C B C A C B C B BC A C AB C B A ABC +=+=+=++=++)() ()( (3) ()E CD A E D C CD A C B A A ++=++++ ()E CD A E CD CD A E D C CD A A E D C CD A C B A A ++=++=+++=++++_____ )( 2.1.4 用代数法化简下列等式 (1) )(A BC AB + AB AB ABC A BC AB =+=+)( (2) ))((B A B A + B A B A B A =+))(( (3) )(_______ C B BC A + C AB C C B C A C B AB C B C B A C B BC A +=++++=+++=+) )(()(_______ (4) B C CB BC A ABC A ++++_____ C A B C CB BC A ABC A +=++++_____ (5) ________ ____________________B A B A B A AB +++ 0_________ ____________________________=+=+++A A B A B A B A AB (6) _________________________________________________ ___________________________)()()()(B A B A B A B A ?++++