模拟电子技术练习题
模拟电子技术练习题
一、填空题
1.双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿。
2.函数Y=A(B+C) 的对偶式Y’是＿＿＿＿＿＿反函数?Y是＿＿＿＿＿＿。
3.已知三态与非门输出表达式C
=，则该三态门当控制信号C为＿＿＿电平时，输出为高阻
F?
AB
态。
4.（3FF）16=（＿＿＿＿＿＿）10=（＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿）8421BCD。
5.将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的＿＿＿＿。
6.若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要＿＿＿＿个触发器，有＿＿个无效状态。
7.同步RS触发器的特性方程为Q n+1=____________；若RS触发器的约束方程为R+S=0，表明R、
S信号不能同时为＿＿＿＿＿。
8.下图所示电路中，Y1＝＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；Y2＝＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；Y3＝＿
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
9.调制速率又称_______速率或(信号)码元传输速率。
10数据通信系统根据处理形式的不同，可以分为联机实时系统、远程批量处理系统和_______三类。
11.如果8位并行传输的数据码流其每线速率为2400bit/s，则串行传输的数据传信速率为_____。
12.方差σ2(t)表示随机过程在时刻t对于数学期望值a(t)的_______程度，一般是时间函数。
13.为了反映随机过程不同时刻之间的内在统计特性，采用方差函数C(t1,t2)和_______函数。
14.与基带传输不同，频带传输是一种_______频谱的传输方式。
15.位同步就是使收端定时信号的间隔与接收信号码元间隔完全_______，且定时信号与接收信号码元保持固定的最佳关系。
16.码重是码组中_______的个数。
17.对线性分组码，如果找到了码的_______，那么编码方法就完全确定了。
18.一个完整的DTE/DCE接口标准应包括四个特性，其中_______特性规定了接口两侧为建立、维持、拆除物理连接，以及传送比特电流而在各信号线上采用的动作序列。
https://www.wendangku.net/doc/b910448623.html,ITT(ITU-T)V.24建议中的_______接口适用于DTE与自动呼叫设备之间的接口。
20.在报文交换中，由于报文是经过存储的，为了支持交互式通信，可对不同类型的报文采用设置不同的_______措施。
21.在虚电路方式中，两个用户终端设备开始互相发送和接收数据之前，需要通过网路建立一条_______连接。
22.根据OSI参考模型，数据链路层主要用于建立和拆除数据链路连接、实现_______传输。
23.错收、漏收、重收的用户数据比特数之和与网路传送的用户数据比特总数的比值，定义为_______。
24、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
25、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加
电压（）。
26、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为
（），等效成断开；
27、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
28、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
29、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
30、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
31、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）
负反馈。
32、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
33、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），
（）称为反馈深度。
34、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、
极性相反的两个信号，称为（）信号。
35、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大
器。
36、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；
OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
37、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特
点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
38、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
电路中。
39、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，
称为（）。
40、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题
1．下列说法正确的是（）
a.2个OC结构与非门线与得到与或非门。
b.与门不能做成集电集开路输出结构
c.或门不能做成集电集开路输出结构
d.或非门不能做成集电集开路输出结构
2．下列说法正确的是（）
a.利用三态门电路只可单向传输 b．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低
电平）
c.三态门是普通电路的基础上附加控制电路而构成。
d.利用三态门电路可实现双向传输
3．TTL反相器输入为低电平时其静态输入电流约为（）
a．－100Ma b．＋5mA c．－1mA d．－500mA
4．下列等式不正确的是（）
a.ABC=A+B+C
b. (A+B)(A+C) =A+BC
c. A( B
A+)=A+B d.
AB+A C+BC=AB+A C
5．下列等式正确的是（）
a.A+AB+B=A+B
b. AB+ A B=A+ B
c.A( AB)=A+B
d.
A C
B
+=B C
A+
6．下列描述不正确的是（）
a．D触发器具有两个有效状态，当Q=0时触发器处于0态b．移位寄存器除具有数据寄存功能外还可构成计数器
c．主从JK触发器的主触发器具有一次翻转性
d．边沿触发器具有前沿触发和后沿触发两种方式，能有效克服同步触发器的空翻现象
7、下列描述不正确的是（）
a．译码器、数据选择器、EPROM均可用于实现组合逻辑函数。b．寄存器、存储器均可用于存储数据。
c．将移位寄存器首尾相连可构成环形计数器d．上面描述至少有一个不正确8．下列描述不正确的是（）
a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便
b ．右图所示为由555定时器接成的多谐振荡器
c ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换
d ．上面描述至少有一个不正确 9. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
A. Y=A+BC
B. Y=ABC+ACD
C.
C
B A
C B A Y +?= D.
BC
A C
B A Y +?=
10要实现n 1n Q Q =+，JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿＿＿＿。
A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 11．数值[375]10与下列哪个数相等＿＿＿。
A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 12．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器
13．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿＿＿个计数脉冲CP ，计数器重新回到初态。
A ． M-1 B. M+1 C. M 14．为了把杂乱的、宽度不一的矩形脉冲信号，整形成具有固定脉冲宽度的矩形波信号输出，我们应选
用＿＿＿电路。 A ． 施密特触发器 B. 单稳态触发器 C. 多谐振荡器 三、判断题
1．两个二进制数相加，并加上来自高位的进位，称为全加，所用的电路为全加器（ ） 2．在优先编码器电路中允许同时输入2个以上的编码信号（ ） 3．利用三态门可以实现数据的双向传输。（） 4．有些OC 门能直接驱动小型继电器。（）
5．构成一个5进制计数器需要5个触发器（ ）
6． RS 触发器、JK 触发器均具有状态翻转功能（ ）
7． 当时序逻辑电路存在有效循环时该电路能自启动（ ）
8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而单稳态触发器电路只具有一个稳态（ ） 9．可用ADC 将麦克风信号转换后送入计算机中处理时（ ） 四、化简下列逻辑函数，写出最简与或表达式（共12分） 1．
D)
C B(B B)A A(Y 1++++=
2． Y 2＝Y 2(A,B,C,D) ＝∑m （0，1，8，9，10，11）
3． Y 3＝Y 3(A,B,C,D) = Σm （1，3，5，7，9）+Σd （10，11，12，13，14，15） 五．应用题
3---8译码器74LS138的真值表如下：
3---8译码器74LS138的真值表
请利用3—8译码器和若干与或非门设计一个多输出的组合逻辑电路。
输出的逻辑式为：
Z1=A C+A BC+A B C
Z2=A B+A B C
Z3=A B C+B C+ABC
六、计算题
1、（10分）有四批零件，第一批有2000个零件，其中5%是次品。第二批有500个零件，其中40%是次品。第三批和第四批各有1000个零件，次品约占10%。我们随机地选择一个批次，并随机地取出一个零件。
（1）问所选零件为次品的概率是多少？
（2）发现次品后，它来自第二批的概率是多少？
2、（18分）设随机试验X的分布律为
求X的概率密度和分布函数，并给出图形。
3、（18分）设随机变量X的概率密度函数为()x
=，求:(1)系数a；（2）其分布函数。
f x ae-
4、（18分）已知随机变量X服从[0,]a上的均匀分布。随机变量Y服从[,]
X a上的均匀分布，试求
（1）(),(0)
≤≤；
E Y X X a
（2）E Y
七、简答题
1.解释平稳随机过程自相关函数的性质R(0)=S的物理意义。
2.扰乱器的作用是什么?
3.检错重发(ARQ)常用的三种实现形式是什么?
4.高级数据链路控制规程HDLC有几种类型的数据站?
八、填表题
1.采用水平奇校验所得监督码元如表1所列，请在表1中下划线处填写缺省的信息码元。
2.已知第四类部分响应系统如图3所示，其输出数据序列c k′如表2所列，假设信道传输无误码，收
端判决规则为：
C k =
请在表2中填入其他数据序列。
表2
九、分析计算题
1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：①二极管导通还是截止？②UA0=？
2、已知电力如图示：Vcc=12V ，RB=300K Ω，RE=RL=2K Ω，
Rs=500Ω， UBE Q ≈0，C1=C2=30uF ，rbe=1.5K ，β=100，Us=10sinwt mV 求：① ICQ ② UCEQ ③ Au （取小数点后2位） ④ Ri ⑤ R0
3、具有电流源的差分电路如图所示，已知UBEQ=0.7V ，β=100，rbb=200Ω，试求：（1）V1、V2静态工作点ICQ 、UCQ ；（2）差模电压放大倍数Aud ；（3）差模输入电阻Rid 和输出电阻RO ；
练习题答案
一、填空题
1.截止区；饱和区。
2.Y’=A+BC；?C
B
A
Y?
+
=。
3.高。
4.（1023）10 ；（0001 0000 0010 0011）8421BCD。
5.乘积。
6.四； 5 。
7.n
n Q
R
S
Q+
=
+1；1（或有效）。
8．B
A
Y=
1；BC
A
Y+
=
2
；AB
Y=
3
9.符号或波特率或信号10.分时处理系统11.19.2kbit/s
12.偏差或偏离13.相关14.搬移15.相等16.非零码元(或“1”的个数) 9.生成矩阵(或生成多项式) 10.规程11.200系列12.优先级
17.逻辑上的或逻辑或虚电路18.无差错19.残留差错率
20、21、22、23、
24、导通截止单向
25、反向少数温度无关
26、零无穷大
27、电流电压
28、正偏反偏
29、增加减小
30、共射极共集电极共基极
31、直流电流
32、A/1+AF 1/F
33、1+AF fH –fL 1+AF
34、共模差模
35、交越甲乙
36、双 单
37、小于近似等于1 大 小 38、零点 温度 集成 39、调幅 载波信号 40、KUxUy 二选择题
1． a 2．b 3． c 4． c 5． a 6． a 7．D 8 B 9、C 10、 D
11、 B 12、 B 13、C 14、B 二、 判断题
1． × 2． √ 3． √ 4． √
5． × 6． × 7．× 8． √ 9． √
四、化简下列逻辑函数，写出最简与或表达式
B Y 1= C
B B A Y 2?+=
D
Y 3=
五．应用题
答：Z1=A C +A BC+A B C= m3+m4+m5+m6
Z2=A B+A B C=m2+m3+m5
Z3=A B C +B C +ABC =m0+m2+m4+m7 六、计算题
1、（10分）有四批零件，第一批有2000个零件，其中5%是次品。第二批有500个零件，其中40%是次品。第三批和第四批各有1000个零件，次品约占10%。我们随机地选择一个批次，并随机地取出一个零件。
（3） 问所选零件为次品的概率是多少？
（4） 发现次品后，它来自第二批的概率是多少？
解：（1）用i B 表示第i 批的所有零件组成的事件，用D 表示所有次品零件组成的事件。
()()()()123414
P B P B P B P B ====
()()()()12341002000.050.4
20005001001000.1
0.1
1000
1000
P D B P D B P D B P D B =====
===
()11110.050.40.10.10.16254
4
4
4
P D =?
+?+?+?=
（2）发现次品后，它来自第二批的概率为，
()()()
()
2220.250.40.6150.1625
P B P D B P B D P D ?=
=
=
2、（18分）设随机试验X 的分布律为 求X 的概率密度和分布函数，并给出图形。
解：()()()()0.210.520.33f x x x x δδδ=-+-+-
()()()()0.210.520.33F x u x u x u x
=-+-+-
3、 （18分）设随机变量X 的概率密度函数为()x
f x ae -=，求:(1)系数a ；（2）其分布函数。
解：（1）由()1f x dx ∞-∞
=?
()
00
()2x
x
x
f x dx ae
dx a
e dx e dx a ∞∞∞---∞
-∞
-∞
=
=+
=?
?
?
?
所以12
a =
（2）()1()2
x x t
F x f t dt e
dt --∞
-∞
=
=
?
?
所以X 的分布函数为
()1,02
11,02
x
x e x F x e x -?
?-≥??
解：（1）对[0,]x a ∈有，()2
a X E Y X +=
（2）/23(())224a X a a EY E E Y X E a ++??===
=
???
4、（18分）已知随机变量X 服从[0,]a 上的均匀分布。随机变量Y 服从[,]X a 上的均匀分布，试求
（3）(),(0)
≤≤；
E Y X X a
（4）E Y
七、简答题
1.平稳随机过程自相关函数的性质R(0)=E［ξ2(t)］=S为平均功率。
2.答案1：扰乱器的作用是将数据序列中存在的短周期序列按某种规律变换为长周期序列，以便恢复接收端的定时。
答案2：扰乱器的作用是在发端将传送的数据序列中存在的短周期序列或全“0”(“1”)序列按某种规律变换(扰乱)为长周期序列。
3.答案：停发等候重发；
返回重发；
选择重发。
4.答案：3种类型的数据站：主站、从站和组合站。
八、填表题
1.答案：
九、分析与计算题
1、解：1）二极管V截止2）UA0=-4V
2、解：1）ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2）AU=0.99 3）Ri=122k 4) Ro=20Ω
3、解：1）ICQ1=0.5mA UCEQ1=6V
模拟电子技术习题
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型 + + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U 2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用 （一）二极管的符号及伏安特性曲线： （二）二极管的特性：单向导电性 （三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型 （四）典型习题 1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。 （a）（b）（c） 2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。 （a）（b） 3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。 （a）（b）（c） 4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。 （a）（b） 二. 三极管及场效应管的应用 （一）三极管的符号及伏安特性曲线： i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const 此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线 （二）三极管的电流控制作用：B C i i β= （三）三极管放大电路的直流通路和交流通路： （四）三极管的交流等效电路： （五）三极管放大电路的组态 （六）放大电路的分析方法 交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。 图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。 （七）放大电路的非线性失真 饱和失真：工作点位于饱和区 截止失真：工作点位于截止区 注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。 （八）放大电路静态工作点稳定问题 Q 点不合适， 的波形要失真； ，A u 与I B 有关。 在电路中引入直流负反馈。 be L c u r R //R A ）（?- =β o u 模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2 第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 项目一习题参考答案 1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。 2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。 3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。 4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。 5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。 6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。 图1.52 题6图 解：（a）VD导通，U AB=-6V。 （b）VD截止，U AB=-12 V。 （c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。 （d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。 7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。 图1.53 题7图 解：（a） （b） 8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。试画出u i与的波形。 解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V； 3.7V>u i>- 4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i； u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。 9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。 半导体器件的基础知识 电路如图所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 图 解图 解：波形如解图所示。 电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝。试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。 图 解：u O 的波形如解图所示。 解图 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图所示电路中电阻R 的取值范围。 图 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 图 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。试分别画出u O1和u O2的波形。 图 解图 解：波形如解图所示 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 图 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。 (120) 1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。 A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子 2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。 A．扩散B．漂移C．小D．大 3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。A．双极B．空穴C．单极D．自由电子 4．负反馈放大电路的含义是（）。 A．输出与输入之间有信号通路 B．电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路之外还有信号通路 D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB 6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。 A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路 7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。 A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容 8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强 9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。 A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。 A．带阻B．带通C．低通D．有源 11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。 A．比较B．滤波C．调整 (210) 1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。（） 3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（） 1．设图3-1中二极管、为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压= ？（4分） 第一章习题解答 1.1 解： 由公式：)1(-=T D u u s D e I i 可求得电流外加电压为V u D 5.0=时 A A e i mv v D μμ5.22)1(101.03 10 265.06 =-?=-?- 时V u D 7.0= mA mA e i mv V D 3.49)1(101.03 10 267.09=-?=-?- 1.2 解： ① 当R=1ΩK 时 假设二极管导通 V U V U on D 7.3)3()(0-=+-= mA K V R U I L 7.317.300-=Ω -== mA I I I mA K V R U V I on D 6.17.33.53.51)7.039(39021) (2=-=+==--= --= ②当R=4K Ω时，也假设二极管导通 00,I U 同① mA I I I mA K V I 4.27.33.13.14)7.039(0212-=-=+==--= V K mA R I U mA I I mA K V R R V I I L L 8.118.18.18.1)14(990 002021-=Ω?-==-=-==Ω +=+= =∴ 二极管截止，故 1.3解： a ： 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 2导通后，A 点电位下降为-6V 迫使V 1反向截止 V U AO 6-= b ：21,V V 反向截至，V U AO 10= c. 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 1导通后，将使A 、O 点电位差为零。电位相等,V 1导通，V 2截止。 d. 21,V V 均正向反偏，V 1导通21,V V 公共端电位为零，能保证V 2导通，A 点电位也为零，V 0U AO =。 1.4 解： 9mA .4mA )1.27(I I I 7mA 560V )1.26(R U 6V I 1mA .21K 1V .2R U I 1V .237V .03U U 01201L 00on D 0=-=-==Ω -=-= =Ω == =?=?=）（ 1.5 解： I U 变化1V ±时，相当于给6V 直流电源串接一个变化范围为1V ±的信号源，由二极管的动态电阻d r 为： 6mV .272100U U U 6mV .271V R R //3r R //3r U 3.59mA .426mV I U r 000L d L d 0Q T d ±=?±='=±?+= ?Ω ===）（ 1.6 解： a ： b ： 模拟电子技术综合复习 题有答案 集团标准化工作小组 [Q8QX9QT-X8QQB8Q8-NQ8QJ8-M8QMN] 1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA 变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] 硅管锗管锗管 17、增强型 PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出U CE≈0，可能是因为 A 。短路 ① 6V 0V 图1 ① 3V 9V 图2 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流 min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。 首先假设稳压管工作在稳压状态，则有 ① I U 为10V ，8-=-=-=-Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R 小于5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态，起普通二极管的作用。 ∴V U I 10=时，V U R R R U I L L O 3.3=+= ； ②I U 为15V ，3-=-= -=-Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 小于5mA, 所以稳压管不工作在稳压状态，起普通二极管的作用。 V U I 15=时，5L O I L R U U V R R = =+； ③I U 为35V ，17-=-= -=Z L I Z Z D R R L U U U I I I mA R R 介于 min 5Z I mA =与 max 25Z I mA =之间。所以稳压管工作在稳压状态。 ∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时，mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-= ，故稳压管将被烧毁。 1.15电路如图P1.15所示，T 的输出特性如图Pl.14所示,分析当I u =4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则 与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3k Ω，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 k Ω B ．300 k Ω C ．300 Ω D ．400 k Ω 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 A ．串联电流负反馈 B ．串联电压负反馈 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图所 示电路中U O1和U O2各为多少伏。 解：U O1＝6V，U O2＝5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
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