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芯片74121

? 1999 Fairchild Semiconductor Corporation DS006538

https://www.wendangku.net/doc/b010826486.html,

June 1989

Revised November 1999

DM74121 One-Shot with Clear and Complementary Outputs

DM74121

One-Shot with Clear and Complementary Outputs

General Description

The DM74121 is a monostable multivibrator featuring both positive and negative edge triggering with complementary outputs. An internal 2k ? timing resistor is provided for design convenience minimizing component count and lay-out problems. this device can be used with a single exter-nal capacitor. Inputs (A) are active-LOW trigger transition inputs and input (B) is and active-HIGH transition Schmitt-trigger input that allows jitter-free triggering from inputs with transition rates as slow as 1 volt/second. A high immunity to V CC noise of typically 1.5V is also provided by internal circuitry at the input stage.

To obtain optimum and trouble free operation please read operating rules and one-shot application notes carefully and observe recommendations.Features

s Triggered from active-HIGH transition or active-LOW transition inputs s Variable pulse width from 30 ns to 28 seconds s Jitter free Schmitt-trigger input s Excellent noise immunity typically 1.2V s Stable pulse width up to 90% duty cycle s TTL, DTL compatible

s Compensated for V CC and temperature variations s Input clamp diodes

Ordering Code:

Connection Diagram Function Table

H = HIGH Logic Level ↑ = Positive Going Transition L = LOW Logic Level

↓ = Negative Going Transition

X = Can Be Either LOW or HIGH = A Positive Pulse = A Negative Pulse

Functional Description

The basic output pulse width is determined by selection of an internal resistor R INT or an external resistor (R X ) and capacitor (C X ). Once triggered the output pulse width is independent of further transitions of the inputs and is func-tion of the timing components. Pulse width can vary from a

few nano-seconds to 28 seconds by choosing appropriate R X and C X combinations. There are three trigger inputs from the device, two negative edge-triggering (A) inputs,one positive edge Schmitt-triggering (B) input.

Order Number Package Number

Package Description

DM74121N

N14A

14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300 Wide

Inputs

Outputs

A1A2B Q Q L X H L H X L H L H X X L L H H H X L

H ↓H ↓H H ↓↓H L X ↑ X

↑

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D M 74121

Operating Rules

To use the internal 2 k ? timing resistor, connect the

R INT pin to V CC .2.An external resistor (R X ) or the internal resistor (2 k ?)

and an external capacitor (C X ) are required for proper operation. The value of C X may vary from 0 to any nec-essary value. For small time constants use high-quality mica, glass, polypropylene, polycarbonate, or polysty-rene capacitors. For large time constants use solid tan-talum or special aluminum capacitors. If the timing capacitors have leakages approaching 100 nA or if stray capacitance from either terminal to ground is greater than 50 pF the timing equations may not repre-sent the pulse width the device generates.3.The pulse width is essentially determined by external

timing components R X and C X . For C X < 1000 pF see Figure 1 design curves on t W as function of timing com-ponents value. For C X > 1000 pF the output is defined as:

t W = K R X C X

where [R X is in Kilo-ohm]

[C X is in pico Farad][t W is in nano second][K ≈ 0.7]

4.If C X is an electrolytic capacitor a switching diode is

often required for standard TTL one-shots to prevent high inverse leakage current Figure 2.5.Output pulse width versus V CC and operation tempera-tures: Figure 3 depicts the relationship between pulse width variation versus V CC. Figure 4 depicts pulse width variation versus ambient temperature.6.The “K” coefficient is not a constant, but varies as a

function of the timing capacitor C X . Figure 5 details this characteristic.7.Under any operating condition C X and R X must be kept

as close to the one-shot device pins as possible to min-imize stray capacitance, to reduce noise pick-up, and to reduce I X R and Ldi/dt voltage developed along their connecting paths. If the lead length from C X to pins (10) and (11) is greater than 3 cm, for example,the output pulse width might be quite different from val-ues predicted from the appropriate equations. A non-inductive and low capacitive path is necessary to ensure complete discharge of C X in each cycle of its operation so that the output pulse width will be accu-rate.8.V CC and ground wiring should conform to good high-frequency standards and practices so that switching transients on the V CC and ground return leads do not cause interaction between one-shots. A 0.01 μF to 0.10μF bypass capacitor (disk ceramic or monolithic type)from V CC to ground is necessary on each device. Fur-thermore, the bypass capacitor should be located as close to the V CC -pin as space permits.For further detailed device characteristics and output per-formance please refer to the one-shot application note, AN-366.

FIGURE 1.

FIGURE 2.

FIGURE 3. FIGURE 4.

FIGURE 5.

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DM74121

Absolute Maximum Ratings (Note 1)

Note 1: The Absolute Maximum Ratings are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed. The device should not be operated at these limits. The parametric values defined in the Electrical Characteristics tables are not guaranteed at the absolute maximum ratings.The Recommended Operating Conditions table will define the conditions for actual device operation.

Recommended Operating Conditions

Note 2: T A = 25°C and V CC = 5V

Electrical Characteristics

over recommended operating free air temperature range (unless otherwise noted)Note 3: All typicals are at V CC = 5V, T A = 25°C.

Note 4: Not more than one output should be shorted at a time.

Supply Voltage 7V Input Voltage

5.5V

Operating Free Air Temperature Range 0°C to +70°C Storage Temperature Range

?65°C to +150°C

Symbol Parameter

Min Nom Max Units V CC Supply Voltage

4.75

5 5.25V V T +Positive-Going Input Threshold Voltage 1.4

V at the A Input (V CC = Min)

V T ?Negative-Going Input Threshold Voltage 0.8 1.4V

at the A Input (V CC = Min)

V T +Positive-Going Input Threshold Voltage 1.5

V at the B Input (V CC = Min)

V T ?Negative-Going Input Threshold Voltage 0.8 1.3

at the B Input (V CC = Min)I OH HIGH Level Output Current ?0.4mA I OL LOW Level Output Current 16

mA t W Input Pulse Width (Note 2)40

dV/dt Rate of Rise or Fall of 1V/s Schmidt Input (B) (Note 2)dV/dt Rate of Rise or Fall of 1

V/μs Schmidt Input (A) (Note 2)R EXT External Timing Resistor (Note 2) 1.440k ?C EXT External Timing Capacitance (Note 2)0

1000μF DC Duty Cycle (Note 2)

R T = 2 k ?67%R T = R EXT (Max)

90T A

Free Air Operating Temperature

°C

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ (Note 3)

Max Units V I Input Clamp Voltage V CC = Min, I I = ?12 mA ?1.5

V V OH HIGH Level Output V CC = Min, I OH = Max, 2.4 3.4V

Voltage

V IL = Max, V IH = Min V OL LOW Level Output V CC = Min, I OL = Max,0.2

0.4V Voltage V IH = Max, V IL = Min I I Input Current @V CC = Max, V I = 5.5V 1

mA Max Input Voltage I IH HIGH Level V CC = Max,A1, A240μA Input Current V I = 2.4V B 80I IL LOW Level V CC = Max,A1, A2?1.6mA Input Current

V I = 0.4V

?3.2I OS Short Circuit Output Current V CC = Max (Note 4)?18

?55mA I CC

Supply Current

V CC = Max

Quiescent 1325mA

Triggered

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D M 74121

Switching Characteristics

At V CC = 5V and T A = 25°C (See Test Waveforms and Output Load Section)Symbol Parameter

From (Input)Conditions Min

Max Units To (Output)t PLH Propagation Delay Time A1, A2C EXT = 80 pF 70ns LOW-to-HIGH Level Output to Q R INT to V CC t PLH Propagation Delay Time B to C L = 15 pF 55ns LOW-to-HIGH Level Output Q R L = 400?

t PHL Propagation Delay Time A1, A280ns HIGH-to-LOW Level Output to Q t PHL Propagation Delay Time B 65

HIGH-to-LOW Level Output to Q t W(OUT)

Output Pulse A1, A2 or B C EXT = 80 pF 70

150

Width Using the to Q, Q

R INT to V CC Internal Timing Resistor

R L = 400?C L = 15 pF t W(OUT)

Output Pulse A1, A2C EXT = 0 pF 50

Width Using Zero to Q, Q R INT to V CC Timing Capacitance

R L = 400?C L = 15 pF t W(OUT)

Output Pulse A1, A2C EXT = 100pF 600

800

Width Using External to Q, Q R INT = 10 k ?Timing Resistor

R L = 400?C L = 15pF A1, A2C EXT = 1 μF 6

to Q, Q R INT = 10 k ?R L = 400?C L = 15 pF

Physical Dimensions inches (millimeters) unless otherwise noted

14-Lead Plastic Dual-In-Line Package (PDIP), JEDEC MS-001, 0.300 Wide

Package Number N14A

Fairchild does not assume any responsibility for use of any circuitry described, no circuit patent licenses are implied and Fairchild reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications.

LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein:

1.Life support devices or systems are devices or systems

which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, and (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be rea-sonably expected to result in a significant injury to the user.

2. A critical component in any component of a life support

device or system whose failure to perform can be rea-

sonably expected to cause the failure of the life support

device or system, or to affect its safety or effectiveness.

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芯片的制造过程资料

芯片的制造过程芯片的制造过程制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。

3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。制造芯片的基本原料制造芯片的基本原料:硅、金属材料(铝主要金属材料,电迁移特性要好.铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快）、化学原料等。芯片制造的准备阶段在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器来完成的。而后，将原料进行高温溶化为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel 为研制和生产300毫米硅锭建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使

SYN6288中文语音合成芯片数据手册V1.5

第 1 页 / 共 40 页 2010年6月25日更新 SYN6288中文语音合成芯片数据手册北京宇音天下科技有限公司地址：北京市海淀区上地高新技术区 010-******** 010-******** https://www.wendangku.net/doc/b010826486.html,

第 2 页 / 共 40 页 2010年6月25日更新目录目录.......................................................................................................................................................................2 1．概述 (4) 1.1 产品应用范围..................................................................................................................................................4 1.2 功能特点..........................................................................................................................................................4 1.3 产品功能描述..................................................................................................................................................5 1.4 合成效果..........................................................................................................................................................6 1.5 系统构成框图..................................................................................................................................................6 1.6 封装信息..........................................................................................................................................................7 1.7 IC 引脚结构.. (8) 1.7.1 纵向引脚视图......................................................................................................................................8 1.7.2 横向引脚视图......................................................................................................................................8 1.7.3 引脚定义. (9) 2．芯片控制方式 (10) 2.1 控制命令........................................................................................................................................................10 2.2 芯片回传.. (11) 3．通讯方式 (11) 3.1 异步串行通讯（UART）接口........................................................................................................................12 3.2 通讯传输字节格式. (12) 4．通信帧定义及通信控制 (12) 4.1 命令帧格式....................................................................................................................................................12 4.2 芯片支持的控制命令....................................................................................................................................13 4.3 命令帧相关的特别说明.. (14) 4.3.1 休眠与唤醒说明................................................................................................................................14 4.3.2 设置波特率说明................................................................................................................................14 4.3.3 其它特别说明....................................................................................................................................15 4.4 命令帧举例. (15) 4.4.1 语音合成播放命令............................................................................................................................15 4.4.2 设置波特率命令................................................................................................................................16 4.4.3 停止合成命令....................................................................................................................................17 4.4.4 暂停合成命令....................................................................................................................................17 4.4.5 恢复合成命令....................................................................................................................................18 4.4.6 芯片状态查询命令............................................................................................................................18 4.4.7 芯片进入Power Down 模式命令. (18) 5. 文本控制标记 (18) 5.1 文本控制标记列表........................................................................................................................................19 5.2 文本控制标记使用示例.. (20) 5.2.1标记[v?] --前景播放音量...............................................................................................................20 5.2.2标记[m?]--背景音乐音量.................................................................................................................21 5.2.3标记[t?] ---词语语速 (21)

一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路

一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路超大规模集成电路（Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）是一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路，其集成度大于大规模集成电路。集成的晶体管数在不同的标准中有所不同。从1970年代开始，随着复杂的半导体以及通信技术的发展，集成电路的研究、发展也逐步展开。计算机里的控制核心微处理器就是超大规模集成电路的最典型实例，超大规模集成电路设计（VLSI design），尤其是数字集成电路，通常采用电子设计自动化的方式进行，已经成为计算机工程的重要分支之一。超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits：VLSI) 在一块芯片上集成的元件数超过10万个，或门电路数超过万门的集成电路，称为超大规模集成电路。超大规模集成电路是20世纪70年代后期研制成功的，主要用于制造存储器和微处理机。64k位随机存取存储器是第一代超大规模集成电路，大约包含15万个元件，线宽为3微米。超大规模集成电路的集成度已达到600万个晶体管，线宽达到0.3微米。用超大规模集成电路制造的电子设备，体积小、重量轻、功耗低、可靠性高。利用超大规模集成电路技术可以将一个电子分系统乃至整个电子系统“集成”在一块芯片上，完成信息采集、处理、存储等多种功能。例如，可以将整个386微处理机电路集成在一块芯片上，集成度达250万个晶体管。超大规模集成电路研制成功，是微电子技术的一次飞跃，大大推动了电子技术的进步，从而带动了军事技术和民用技术的发展。超大规模集成电路已成为衡量一个国家科学技术和工业发展水平的重要标志，也是世界主要工业国家，特别是美国和日本竞争最激烈的一个领域。发展现状数十亿级别的晶体管处理器已经得到商用。随着半导体制造工艺从32纳米水平跃升到下一步22纳米，这种集成电路会更加普遍，尽管会遇到诸如工艺角偏差之类的挑战。值得注意的例子是英伟达的GeForce 700系列的首款显示核心，代号‘GK110’的图形处理器，

生物芯片的研究与开发

生物芯片的研究与开发 1.分子印章法DNA芯片原位合成技术: 结合组合化学合成与软光刻微印刷技术的原理，采用成熟的寡核苷酸固相合成工艺，在预先制作的弹性印章上实现空间寻址的核酸原位合成：将不同的寡核苷酸（或多肽）合成试剂涂抹在凹凸不平的印章表面并将其压印到基片特定位点进而进行偶联固定。开发出高密度基因芯片设计软件，并成功制备位点尺寸为30微米的高宽比（大于25）分子印章；建立了一套用于高密度基因芯片制备装置，并成功将软光刻原位合成应用到DNA芯片和肽核酸芯片的制备中。合成偶联效率大于97%，25个碱基的寡核苷酸正确率大于70%。制备出65536/cm2阵列的寡核酸芯片，杂交结果表明该芯片能够有效区分单碱基错配序列。获得美国专利１项，中国专利2项，并有5项中国专利处于二审中。在Laingmur，中国科学等杂志上发表论文16篇。该技术已通过省科学技术厅鉴定。如能建立分子印章法批量化生产的寡核苷酸微阵列芯片的原位合成试生产线，制备出高质量、标准化、低成本的寡核苷酸微阵列芯片来检测与分析基因表达谱、基因突变体、免疫反应、受体结合、蛋白质结合、药物分子等非核酸类的分子识别/结合领域，其应用将遍及生物、医学的各领域，如基因组研究、SNP检测、STR检测、肿瘤研究、药理学研究、药物靶标研究、药物毒性研究、病原体研究、医学诊断、病理学组织研究、微生物与发酵研究等．该芯片技术获得了中国发明专利和美国专利，并被Nature Biotechnology 推荐。 2.管盖基因芯片及其检测系统：管盖基因芯片是将基因探针固定在特制的管盖表面，与置杂交贮液池的图1 基于软光刻技术的高密度基因芯片制备装置。自行研制的用于高密度基因芯片制备的实验装置（左图）；表面亲水处理的PDMS分子印章的电镜照片和全貌图（右图）

芯片供货合同(标准版)格式

Both parties jointly acknowledge and abide by their responsibilities and obligations and reach an agreed result. 甲方：___________________ 乙方：___________________ 时间：___________________ 芯片供货合同格式

编号：FS-DY-20136 芯片供货合同格式芯片销售代理协议书甲方（制造商）：法定代表人：住址：乙方（销售代理人）：法定代表人：住址：第一条约因甲方同意将下列产品（简称产品）的销售代理权授予乙方。乙方享有在中华人民共和国境内（不包括香港、澳门、台湾地区）（简称地区）销售代理产品的权利。第二条乙方的权利和义务 1、作为产品在该地区的代理经销商从事代理产品的销

售活动。 2、可以通过书面形式向甲方订货，乙方每次订货时应向甲方发出书面《订货单》（以下简称《订单》），经双方签字盖章后生效；以传真件、电子邮件等方式发出并经双方确认的订单，应及时补签书面《订货单》。 3、积极促销甲方的产品，并将市场信息和用户意见及时反馈给甲方，并有提出调整销售策略的建议权。 4、为促进产品在该地区的销售，乙方应刊登一切必要的广告并支付广告费用。凡参加展销会需经双方事先商议后办理。 5、每月需实现销售产品适当减少，但必须呈渐增趋势。 6、对甲方提供的价格及其它资料应严格保密，未经甲方书面同意，不得向第三人转让或透露代理委托书及相关资料的内容，否则将承担由此引起的一切后果。 7、每月底应将本月销售情况、库存数量、下月销售计划及时以书面形式报给甲方。第三条甲方的权力和义务

SYN6288语音合成芯片-使用说明

第 1 页 / 共 39 页 2011年9月6日更新 SYN6288中文语音合成芯片数据手册北京宇音天下科技有限公司地址：北京市海淀区上地高新技术区 010-******** 010-******** https://www.wendangku.net/doc/b010826486.html,

第 2 页 / 共 39 页 2011年9月6日更新目录目录.......................................................................................................................................................................2 1．概述 (4) 1.1 产品应用范围..................................................................................................................................................4 1.2 功能特点..........................................................................................................................................................4 1.3 产品功能描述..................................................................................................................................................5 1.4 合成效果..........................................................................................................................................................6 1.5 系统构成框图..................................................................................................................................................6 1.6 封装信息..........................................................................................................................................................7 1.7 IC 引脚结构.. (8) 1.7.1 纵向引脚视图......................................................................................................................................8 1.7.2 横向引脚视图......................................................................................................................................8 1.7.3 引脚定义. (9) 2．芯片控制方式 (10) 2.1 控制命令........................................................................................................................................................10 2.2 芯片回传.. (11) 3．通讯方式 (11) 3.1 异步串行通讯（UART）接口........................................................................................................................12 3.2 通讯传输字节格式. (12) 4．通信帧定义及通信控制 (12) 4.1 命令帧格式....................................................................................................................................................12 4.2 芯片支持的控制命令....................................................................................................................................13 4.3 命令帧相关的特别说明.. (14) 4.3.1 休眠与唤醒说明................................................................................................................................14 4.3.2 设置波特率说明................................................................................................................................14 4.3.3 其它特别说明....................................................................................................................................14 4.4 命令帧举例. (15) 4.4.1 语音合成播放命令............................................................................................................................15 4.4.2 设置波特率命令................................................................................................................................16 4.4.3 停止合成命令....................................................................................................................................17 4.4.4 暂停合成命令....................................................................................................................................17 4.4.5 恢复合成命令....................................................................................................................................17 4.4.6 芯片状态查询命令............................................................................................................................18 4.4.7 芯片进入Power Down 模式命令. (18) 5. 文本控制标记 (18) 5.1 文本控制标记列表........................................................................................................................................18 5.2 文本控制标记使用示例.. (20) 5.2.1标记[v?] --前景播放音量...............................................................................................................20 5.2.2标记[m?]--背景音乐音量.................................................................................................................20 5.2.3标记[t?] ---词语语速 (21)

正确识别SONY CCD型号及芯片组合

正确识别SONY CCD型号及芯片组合虽然本来此文整理者是不想发的，不过安防行业确实很乱，有时做摄像机销售的都会有这个感慨。卖正品真货被客户给嘲笑了一把。一听价格都怀疑是不是自己公司在以暴利销售产品。最近几年SONY的芯片其实一直都有间间断断的断货事件。导致真品的价格一直都是比较高，生产企业没大的量根本无法实现产品价格的大幅度降低。成本不能降，为何产品已是一年比一年低？当然问题有很多，使用质量不好的产品配件，使用更好的生产工艺，使用集团采购降低采购成本，偷漏税，可这些能降低10~20%的价格吧。但事实是市场上的摄像机价格的降低是其它行业产品所无法比较的。目前有不少用夏普或其它芯片替代SONY 芯片的。多数为磨去CCD上的产品标记，另做假标签等，造成以假乱真，欺骗消费者的恶劣行径。做过市场的基本上都知道，480线的SONY CCD摄像机，且不论是否有特别功能，仅一般的480线的SONY CCD摄像机在对工程公司的市场售价仅为三百多元人民币时，做真品的也就只有望而兴叹了。要有良性竞争就必须是在同一个起跑线上，来衡量竞争优势。为了让更多的中国安防行业从业人员对产品有所了解，这里贴出SONY产品型号及芯片组合并注明，希望能给市场一个公正的衡量标准。对消费者能有所教育。 1、A4212SP/G4212SP/D4212SP：芯片：CXD3141、CXD1267、CXA2096+ICX405； 2、A4512SP/G4512SP/D4512SP：芯片：CXD2163BR、CXD2006、CXD2480R+ICX405； 3、A4512SPE/G4512SPE/D4512SPE：芯片：CXD2163BR、CXD2006、CXD2480R+ICX405（调低照度；属假低照）； 4、A4812SP/G4812SP/D4812SP：芯片：CXD2163BR、CXD2006、CXD2480R+ICX409； 5、A4512SPEX/G4512SPEX/D4512SPEX：芯片：CXD2163BR、CXD2006、CXD2480R+ICX255； 6、A4812SPEX/G4812SPEX/D4812SPEX：芯片：CXD2163BR、CXD2006、CXD2480R+ICX259；市场问题： 1、用2163+ICX405冒充假高线；对策：教育客户真高线=2163+ICX409。 2、用2163+ICX405冒充假低照；对策：教育客户真低照=2163+ICX255。

RS485协议简介及MAX485芯片介绍

RS－485协议简介及MAX485芯片介绍 1 RS－485协议简介及MAX485芯片介绍由于RS－232的种种缺点，新的串行通讯接口标准RS－449被制定出来，与之相对应的是RS－485的电气标准。RS －485是美国电气工业联合会(EIA)制定的利用平衡双绞线作传输线的多点通讯标准。它采用差分信号进行传输；最大传输距离可以达到1.2 km；最大可连接32个驱动器和收发器；接收器最小灵敏度可达±200 mV；最大传输速率可达2.5 Mb /s。由此可见，RS－485协议正是针对远距离、高灵敏度、多点通讯制定的标准。 MAX485接口芯片是Maxim公司的一种RS－485芯片。采用单一电源+5 V工作，额定电流为300 μA，采用半双工通讯方式。它完成将TTL电平转换为RS－485电平的功能。其引脚结构图如图1所示。从图中可以看出,MAX485芯片的结构和引脚都非常简单,内部含有一个驱动器和接收器。RO和DI端分别为接收器的输出和驱动器的输入端，与单片机连接时只需分别与单片机的RXD和TXD相连即可；/RE和DE端分别为接收和发送的使能端，当/RE为逻辑0时，器件处于接收状态；当DE为逻辑1时，器件处于发送状态，因为MAX 485工作在半双工状态，所以只需用单片机的一个管脚控制这两个引脚即可；A端和B端分别为接收和发送的差分信号端,当A引脚的电平高于B时，代表发送的数据为1；当A的电平低于B端时，代表发送的数据为0。在与单片机连接时接线非常简单。只需要一个信号控制MAX485的接收和发送即可。同时将A和B端之间加匹配电阻，一般可选100Ω的电阻。 2用PC机实现与8031单片机的多点通讯用8031单片机实现与PC机之间的通讯时，必须使用电平转换接口芯片，因为单片机输出的是TTL电平，必须经过电平转换才能和PC机的一致。本文中采用的是RS－485协议，所以单片机需要采用RS－485接口；而在PC机侧使用的是RS－232与RS－485的电平转换接口。在本文中采用的是武汉新特电子公司的电平转换接口，该接口使用简便、无需外加电源、数据传输速率最高可达10 Mb/s，而且不用任何软件初始化和修改。另外实现多点通讯还需要了解器件的驱动能力，当器件的驱动能力足够大时，我们就可以根据需要加入所需要的节点。本文中所举的例子就是利用一台PC控制64块单片机的工作，采用多点通讯形式。通过发送控制字和工作方式字给相应的单片机，使其进行相应的操作。单片机在接收到数据后，进行数据的采集工作，等到PC机再发指令，将采集到的数据反馈给PC机，PC机对数据进行分析和计算。 PC机的程序可以采用Windows下任何一种面向对象的高级语言来编写，它比在DOS下的利用串口中断的方式进行更加简便，应用程序将控制权交向串口的驱动程序，接收和发送的中断完全由串口驱动程序来控制，减轻了编写过程中的很多麻烦。本程序中选用的是Delphi的串口通讯控件Spcomm来实现。参数的设置可以自动完成。单片机采用中断工作

全球重点芯片公司介绍

全球重点芯片公司介绍龙继军英特尔公司——全球最大的芯片制造商英特尔公司是全球最大的芯片制造商及国际领先的个人电脑网络产品和通信产品的生产商。自一九八五年进入中国市场以来，英特尔公司已在中国设立了十二个办事机构，并在上海兴建了世界一流的制造工厂。为了与中国的计算机行业共同发展，在上海和北京分别成立了英特尔上海软件实验室和英特尔中国研究中心。我们不仅努力发展新一代的微型处理器，更为各方人士的沟通，学习和生活作出多元化的改善。杰出的员工是我们成功的关键。英特尔公司以独特的企业文化，"业绩为本"的激励机制及每一位员工都能享受的股票期权计划，创造"良好的工作环境"，吸引最优秀的人才。我们身为高科技的先驱者，为您提供不可多得的工作机会。把握科技时代的脉搏，亲身体验探索尖端科技领域的乐趣，发掘具有创意的解决方案，在无止境的挑战中开拓人生的崭新境界，尽在英特尔世界。日本Elpida公司——全球最大芯片工厂日本硕果仅存的DRam芯片制造商Elpida内存公司表示，计划在未来三年最多投资5000亿日元（54亿美元）建立全球最大的芯片制造工厂之一。这一投资突出显示了DRam芯片制造商面临的压力，他们需要通过增加投资来保持竞争力。英飞凌、Nanya技术公司已经宣布将合作投资建立工厂，明年的产量将能达到50000个圆片。 Elpida希望这一投资能使公司进入市场领先者的行列。三星、美光、英飞凌目前主宰着市场。iSuppli 的数据显示，Elpida目前是全球第六大DRam芯片制造商，有4.3%的份额。Elpida是日立和NEC建立的合资企业，希望这家位于Hiroshima的工厂在2005年秋季能开始生产先进的300毫米圆片，主要用于数码产品，其中包括手机和数码电视。最初的产量将在每月一万个圆片左右，但是在2007年可望提高到每月六万个圆片。ING芯片分析师YoshihiroShimada表示：“这一投资是Elpida生存的条件。如果他们不能发展，就应该退出。所以，他们必须这么做。”Elpida在市场中还是一个轻量级选手，市场份额只有排名第三的英飞凌的四分之一。 Elpida目前仍然在调整第一座工厂的生产线，希望在年底将生产能力提高到28000个300毫米圆片。汇丰分析师史蒂夫-迈尔斯表示：“如果只有一个工厂，市场份额就会相对太低。”但是Elpida要募集新工厂的资金也面临着巨大的障碍，他们将通过银行贷款还将发行债券和新股，同时租赁一些设备。Elpida计划今年IPO上市，这是这一投资的先决条件。 IDC——全球第3大DRAM厂商据韩国媒体报道，市场研究公司IDC日前称，去年，德国的英飞凌科技公司已经超过韩国Hynix半导体公司成为全球第三大DRAM制造商。全球最大的内存片制造商三星电子公司，去年仍然保持了其在这一市场的领头地位，其市场份额是29.7%。美国的美光科技公司排列第二，市场份额是19.7%。 IDC还预计，今年全球科技发展投资与去年比将增长7%，而今年早些时候曾预计这个数字是4.9%。台湾TSMC——全球最大的芯片代工企业台湾积体电路制造公司（TSMC，简称台积电）是全球最大的芯片代工企业，该公司行政总裁及创始人张忠谋（MorrisChang）对芯片行业的健康状况有独特观点。张忠谋认为，尽管深深困扰芯片行业的3年低迷时期即将结束，但是该行业的前景还不能说是一片光明。他认为半导体行业在宽带、传感器和无线应用领域都有良好的发展机会，还有许多应用潜力有待开发。但是，看似光明的前景却处在一个令人担忧的背景之下。电子设备中的半导体含量已经饱和。1980年代，电子装备中半导体的平均含量仅为5%。随后该比例逐年上升，2000年达到最高点21%。目前该含量又开

SYN6288语音播放模块(终极版)

SYN6288语音播放模块制作 1、SYN6288语音芯片封装图： 2、通信方式：异步串行通讯（UART）接口 SYN 6288 提供一组全双工的异步串行通讯（UART）接口，实现与微处理器或PC 的数据传输。SYN 6288利用TxD 和RxD 以及GND 实现串口通信。其中GND 作为地信号。SYN 6288 芯片支持UART 接口通讯方式，

通过UART 接口接收上位机发送的命令和数据，允许发送数据的最大长度为206 字节。通讯传输字节格式 1、初始波特率：9600 bps 2、起始位: 1 3、数据位：8 4、校验位：无 5、停止位：1 6、流控制：无与51单片机通信时，可以用单片机的串行通信方式1。 3、硬件电路搭建：外接电源组接法备注：SYN 6288共有6组外接电源，每组电源均使用一个47uF和一个的电容；如果用户想节省成本，用户可以在每组电源上均使用的电容，并对VDDPP、和VDDA两组电源，各加上一47uF的电容。

复位电路及状态指示电路备注：Ready/Busy 此STATUS引脚信号为低电平时说明芯片正在等待接收数据。在系统设计时可以将此引脚接在MCU的中断输入源上，产生一个下降沿中断请求发送数据，以示上位机MCU可以向语音合成芯片发送数据。 SYN6288 的扬声器输出（1）为了在用户应用中输出声音, SYN6288 内置了推挽式（Push-Pull）的DAC ，可直接驱动喇叭，进行声音播报。并且SYN6288 内置的DAC 电路模块，使用了VDDPP/VSSPP 供电电源模块，具体电路说明部分请参见和节，其供电电压值可独立于其它电源组的供电。（见右图） SYN6288 外接高速晶振

usb2.0协议芯片

竭诚为您提供优质文档/双击可除 usb2.0协议芯片篇一：常用usb2.0读卡器芯片常用usb2.0读卡器芯片 [20xx-10-78:04:00|by:zhongruntian] 今天无聊逛到mobile01，看到台湾的网友有拆开m5，确定transcendm5使用的芯片是alcoRau6376，再上网搜索后，发现创见m3跟m5同样的芯片，m2则是采用gl819芯片。而我之前入手的ssk飚王水晶迷你全能王-0612读卡器则是alcoRau6371。这引发了我对读卡器芯片的兴趣，于是写下此文。因此首先介绍安国科技alcoR的芯片： au6371,au6375,au6376 通过官方资料对比au6371和au6376这两颗芯片 au6371:usb2.0singlelunmultipleFlashcardReadercontro ller au6376:usb2.0multi-lunFlashcardReadercontroller 支持的卡的类型一样，都支持sd2.0（sdhc）。不同在于

au6376是multi-lun的，并且增加了以下功能：支持插槽到插槽的读写操作 30mhz8051cpu 内置3.3vto1.8Vregulator电源调节器 Runsat12mhzcrystalavailablein100-pinlqFppackage 而au6376相对于au6375的改进在于对cF4.0和mmc4.2的支持。另一个经常提及的读卡器芯片厂商是创惟科技genesys 它的芯片主要有gl819，gl826。 gl819是创惟第三代的芯片，使用了60mhz8051，支持sdhc（早期版本不支持），支持通过usb接口升级firmware，采用0.25um制程。 gl826号称第四代芯片，采用0.18um制程，相对gl819的改进有：支持cF卡udma0-4mode；做成5个插槽时 (cF,sm/xd,sd/mmc8bit,ms/mspRo,microsd/mmcmicro4bit)，提供sd/mmc8bit与microsd/mmcmicor4bit两个sd插槽，可直接读取microsd，无需adapter。并且支持sd/mmc到 sd/mmc的读写；做成4个插槽时 (cF,sm/xd,sd/mmc8bit,ms/mspRo-hg8bit)，支持

这是一份我国芯片各细分领域龙头名单

这是一份我国芯片各细分领域龙头名单！今天来为大家梳理一下我国芯片产业链以及各细分领域的龙头企业。首先，我们来看看芯片的分类：日常生活中，我们可以发现芯片的种类比如有通信芯片、人工智能芯片、LED芯片、电脑芯片等等。芯片的产业链是这样的：根据产业链划分，芯片从设计到出厂的核心环节主要包括 6 个部分：（1）设计软件，芯片设计软件是芯片公司设计芯片结构的关键工具，目前芯片的结构设计主要依靠EDA（电子设计自动化）软件来完成；（2）指令集体系，从技术来看，CPU 只是高度集合了上百万个小开关，没有高效的指令集体系，芯片没法运行操作系统和软件；（3）芯片设计，主要连接电子产品、服务的接口；（4）制造设备，即生产芯片的设备；（5）圆晶代工，圆晶代工厂是芯片从图纸到产品的生产车间，它们决定了芯片采用的纳米工艺等性能指标；（6）封装测试，是芯片进入销售前的最后一个环节，主要目的是保证产品的品质，对技术需求相对较低。总体来看，在指令集、设计等产业环节中绝大多数技术壁垒比较高的环节，中国芯片产业地位非常薄弱，与欧美芯片产业企业存在较大差距，而在圆晶代工、封装测试等技术要求相对不高的

环节，中国凭借其劳动力优势，则有望率先崛起，成为有希望赶超世界平均水平的领域。国内芯片产业链及主要厂商梳理：图片来自：西南证券研报芯片的各个细分领域龙头有哪些呢？国内存储芯片设计龙头是兆易创新；国产GPU龙头是景嘉微；扬杰科技是我国半导体分立器件龙头；中芯国际是我国内地晶圆代工龙头；三安光电是全球LED芯片龙头；士兰微是国内IDM优质企业；北方华创是国产半导体设备龙头；至纯科技为A股唯一一家高纯工艺系统集成供应商；晶瑞股份是国内微电子化学品领先企业；中科曙光是国内高性能计算的龙头企业；紫光国芯是紫光集团旗下半导体行业上市公司，是目前国内领先的集成电路芯片设计和系统集成解决方案供应商；北京君正是嵌入式处理器芯片领先企业；中颖电子是国内优质的IC设计公司；汇顶科技是全球生物识别芯片领先企业；长电科技是国产半导体封测龙头；除了上面的细分领域龙头值得进一步研究之外，还可以关注国家集成电路产业基金（简称“大基金”）这几年的投资标的。光大证券对“大基金”投资标的进行了汇总，截至2018年1月19日，大基金已成为50多家公司股东，涉及18家A股公司、3家港股公司，目前大基金持股市值超200亿元。中国证券报也梳理了一些比较好的A股芯片公司。兆易创新：国产存储龙头