文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › 电力电子技术期末考试试题及答案分享

电力电子技术期末考试试题及答案分享

电力电子技术期末考试试题及答案分享
电力电子技术期末考试试题及答案分享

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通,反相电压截止_。 5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 8.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区 对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 10.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘栅 双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、IGBT _; 属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可 控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第 2 章 整流电路
11.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 12.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
13.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和
_ 2U2 ;带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使
电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
14.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角 α 大于不导电角 时,晶闸管的导通角
导通角
=_π-2 _。
=_π-α- _; 当控制角 小于不导电角
时,晶闸管的
15.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流
连续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
16.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。
17.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低
_的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
18.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
19.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为__ 2U2 _,随负载加重 Ud 逐渐趋近于_0.9 U2_,通常设计时,应取 RC≥_1.5-2.5_T,
此时输出电压为 Ud≈__1.2_U2(U2 为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。
20.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_RC 3 _,电路中的二极管承受的最大反向电压为_ 6 _U2。
21.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
22.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
23.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。

24.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态,当电流连续时,电动机的机械特性为一组_平行的直线_,当电流断续时,电动机的理想空载转速将_抬高_,

的增加,进入断续区的电流_加大_。
25.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行,当其处于第一象限时,电动机作_电动__运行,电动机_正__转,正组桥工作在_整流_状态;当
其处于第四象限时,电动机做_发电_运行,电动机_反转_转,___正_组桥工作在逆变状态。
26.大、中功率的变流器广泛应用的是_晶体管__触发电路,同步信号为锯齿波的触发电路,可分为三个基本环节,即_脉冲的形成与放大__、_锯齿波的
形成与脉冲移相_和_同步环节_。
第 3 章 直流斩波电路
27.直流斩波电路的形成是直流到_直流_的变换。
28.直流斩波电路最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
29.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
30.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时,可使电动机工作于第_1、2、3、4_象限。
第 4 章 交流—交流电力变换电路
31.改变频率的电路称为_变频电路_,变频电路有交交变频电路和_交直交变频_电路两种形式,前者又称为_直接变频电路__,后者也称为_间接变频电路
_。
32.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角 的移相范围为_0-180O_,随
的增大, Uo_降低_,功率因数 _降低__。
33.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角 < ( =arctan( L/R) )时,VT1 的导通时间_逐渐缩短_,VT2 的导通时间__逐渐延长_。
34.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。
35.单相交交变频电路带阻感负载时,哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的,交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出
电压方向是否相同_决定的。
36.当采用 6 脉波三相桥式电路且电网频率为 50Hz 时,单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz__。
37.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是_全控_器件;控制方式是_斩控方式__。
38.请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 GTR
;可关断晶闸管 GTO
;功率场效应晶体管 MOSFET
;绝缘栅双极型晶体管
IGBT
;IGBT 是 MOSFET

GTR
的复合管。
39.晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 、 触发脉冲前沿要陡幅值要高
和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步

40.在电流型逆变器中,输出电压波形为 正弦波 波,输出电流波形为 方波波。
41.型号为 KS100-8 的元件表示双向晶闸管 晶闸管、它的额定电压为 800V
伏、额定有效电流为 100A 安。
42.当温度降低时,晶闸管的触发电流会 增加、 、正反向漏电流会 下降、
;当温度升高时,晶闸管的触发电流会 下降、 、正反向漏
电流会 增加

43.最常用的过电流保护措施是 快速熔断器

44.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为 电压型 型逆变器和
电流型
型逆变器。
45.直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 降压 斩波电路; 升压
斩波电路;
46.按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为 有源、
逆变器与 无源
升降压 逆变器两大类。
斩波电路。
47.有一晶闸管的型号为 KK200-9,请说明 KK 快速晶闸管 ; 200 表示表示
200A
,9 表示
900V 。
48.单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲
脉冲;主要用于驱动 小 功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲

冲;可以触发 大 功率的晶闸管。
49.直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用的控制方式有 等频调宽控制;等宽调频控制;脉宽与频率同时控制 三种。
50.在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是 0
,负载是阻感性时移相范围是

51.普通晶闸管的三个电极分别是 阳极 A , 阴极 K 和门极 G
晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了
足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流 IH 时,导通的晶闸管关断。.。 52.绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极;作为栅极,以 以电力晶体管集电极和发射极 复合而成。 53.在电力晶闸管电路中,常用的过电流保护有 快速熔断器;电路串电抗器;过流时快速移相;直流快速开关;等几种。
54.晶闸管的换相重叠角与电路的 触发角α;变压器漏抗 XB;平均电流 Id;电源相电压 U2。等到参数有关。
55.单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 2U2 。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 6U2
电压为 U2)
。(电源相
56.要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用
大于 60o小于 120o的宽脉冲,
触发;二是用 脉冲前沿相差 60o的双窄脉冲
触发。
57.三相桥式全控整流电路是由一组共 阴 极三只晶闸管和一组共 阳 极的三只晶闸管串联后构成的,晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。
每隔 60 度 换一次相,在电流连续时每只晶闸管导通 120 度。要使电路工作正常,必须任何时刻要有 两 只晶闸管同时导通,,一个
是共 阴
极的,另一个是共 阳 极的元件,且要求不是 不在同一桥臂上
的两个元件。
58.从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制角 角,用 α 表示。
59.交流零触发开关电路就是利用过零触发 方式来控制晶闸管导通与关断的。

60.型号为 KS100-8 的元件表示 双向晶闸管 管、它的额定电压为 800V、
伏、额定电流为 100A
安。
61.给晶闸管阳极加上一定的 正向 电压;在门极加上正向门极
电压,并形成足够的 门极触发 电流,晶闸管才能导通。
62.当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥,,
与 三相桥式半控整流桥 电路会出现
失控现象。
63.三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为 150
HZ;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为 300
HZ;这说明 三相桥式全控整流桥
电路的纹波系数比 三相半波可控流电路
电路要小。
64.对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般取 90o 度较合适;如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为 60o
度。
65.三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围 0o--150o ,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范围 0o--120o ,三相半控桥电阻性负
载时,电路的移相范围
0o--150

66.锯齿波触发电路的主要环节是由 同步环节;锯齿波形成;脉冲形成;整形放大;强触发及输出 环节组成。
电力电子技术问答分析题
67.晶闸管两端并联 R、C 吸收回路的主要作用有哪些?其中电阻 R 的作用是什么? R、C 回路的作用是:吸收晶闸管瞬间过电压,限制电流上升率,动态均压作用。R 的作用为:使 L、C 形成阻尼振荡,不会产生振荡过电压,减小晶闸管的开 通电流上升率,降低开通损耗。、 68.实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件? 直流侧必需外接与直流电流 Id 同方向的直流电源 E,其数值要稍大于逆变器输出平均电压 Ud,才能提供逆变能量。
逆变器必需工作在β<90o(α>90o)区域,使 Ud< 0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。 69.晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求?
A:触发信号应有足够的功率。 B 触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。
C:触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求。 70.单相桥式半控整流电路,电阻性负载。当控制角
α=90o时,画出:负载电压 ud、晶闸管 VT1 电压 uVT1、整流二极管 VD2 电压 uVD2,在一周期内的电压波形图。
6、什么是逆变失败?逆变失败后有什么后果?形成的原因是什么 逆变失败指的是:逆变过程中因某种原因使换流失败,该关断的器件末关断,该导通的器件末导 通。从而使逆变桥进入整流状态,造成两电源顺向联接,形成短路。逆变失败后果是严重的,会 在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流,损坏开关器件。产生逆变失败的原因:一是逆变角太 小;二是出现触发脉冲丢失;三是主电路器件损坏;四是电源缺相等。
71.为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求? A、触发电路必须有足够的输出功率;B、触发脉冲必须与主回路电源电压保持同步;C、触发脉冲要有一定的宽度,且脉冲前沿要陡;D、触发脉冲的移
相范围应能满足主电路的要求;
一、填空
72.请在正确的空格内标出下面元件的简称:
电力晶体管 GTR ;可关断晶闸管 GTO ;功率场效应晶体管 MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管 IGBT ;IGBT 是 MOSFET
和 GTR 的复合管。
73.晶闸管对触发脉冲的要求是
要有足够的驱动功率 、
触发脉冲前沿要陡幅值要高
和 触发脉冲要与晶闸管
阳极电压同步。
74.多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题,解决的方法是
串专用均流电抗器。
75.在电流型逆变器中,输出电压波形为 正弦波 ,输出电流波形为 方波 。
76.由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫(脉冲)换流。
77.有一晶闸管的型号为 KK200-9,请说明 KK 快速晶闸管 ; 200 表示表示 200A ,9 表示 900V 。
78.单结晶体管产生的触发脉冲是
尖脉冲 脉冲;主要用于驱动 小 功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触
发脉冲 脉冲;可以触发

功率的晶闸管。
79.普通晶闸管的图形符号是
,三个电极分别是 阳极 A , 阴极 K 和
条件是 阳极加正电压, 阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通
闸管阳极电流小于维持电流 IH 时,导通的晶闸管关断

门极 G
晶闸管的导通
;关断条件是
当晶

80.可关断晶闸管的图形符号是
;电力场效应晶体管的图形符号是

绝缘栅双极晶体管的图形符号是 81.单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在
;电力晶体管的图形符号是 0o—180o 变化,在阻感性负载时移相范围在
; —180o 变化。
82.变流电路的换流方式有
器件换流

电网换流 、
负载换流

强迫换流 等四种。
83.提高变流置的功率因数的常用方法有
减小触发角

增加整流相数

采用多组变流装置串联供


设置补偿电容 。
84.在电力晶闸管电路中,常用的过电流保护有
快速熔断器 ;
电路串电抗器 ; 过流时快速移相 ;和
直流
快速开关 等几种。
85.晶闸管的换相重叠角与电路的 触发角 α 、
变压器漏抗 XB 、
平均电流 Id

电源相电压 U2

参数有关。
86.单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为
2 2 U2
。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向
电压为
6 U2
。(电源相电压为 U2)
87.要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用
大于 60o小于 120o的宽脉冲
触发;二是

脉冲前沿相差 60o的双窄脉冲
触发。
88.在同步电压为锯齿波的触发电路中,锯齿波底宽可达
240o
度;实际移相才能达
0o-180 o
度。
89.软开关电路种类很多,大致可分成 零电压
电路、 零电流
电路两大类。
90.逆变器环流指的是只流经 两组反并联的逆变桥 、而不流经
负载
的电流,环流可在电路中加 采用串联电抗器
来限制。
91.绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极为栅极 作为栅极,以
以电力晶体管集电极和发射极 作为发射极与集电极
复合而成。
92.晶闸管的图形符号是
,三个电极分别是 阳极 A、 阴极 K 、和门极 G ,双向晶闸管的图形符号

,它的三个极分是 第一阳极 T1、 第二阳极 T2、和 门极 G

93.从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制角,用 α 表示。
94.同步电压为锯齿波的触发电路锯齿波底宽可达 240o 度;正弦波触发电路的理想移相范围可达 180o 度,实际移相范围只
有 150o 。
95.一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压,经常使用的保护方法是 阻容保护 而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,
目前常用的方法有压敏电阻和 硒堆 。
96.交流零触发开关电路就是利用
过零触发 方式来控制晶闸管导通与关断的。
97.电路如图所示,已知 I=1A,R=5Ω,U=_5 V
R=5 Ω I=1A
U
98.有只额定值分别为 40Ω、10W 的电阻,其电流为 0.5_ A,额定电压为 20_V。 99.三极管分别有放大、饱和、截止状态。 100.电容的基本符号单位有 f、uf、mf、pf、nf。 四、问答分析题 1、 在晶闸管两端并联 R、C 吸收回路的主要作用有哪些?其中电阻 R 的作用是什么? 答:(1)R、C 回路的作用是:吸收晶闸管瞬间过电压,限制电流上升率, 动态均压作用。
(2)R 的作用为:使 L、C 形成阻尼振荡,不会产生振 荡过电压,减小晶闸管的开通电流上升率,降低开通损耗。、 2、由下面单结晶体管的触发电路图画出各点波形。


答:
3、实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件? 答:(1)直流侧必需外接与直流电流 Id 同方向的直流电源 E,其数值要稍大于逆变器输出平均电压 Ud,才能提供逆变能量。
(2)逆变器必需工作在β<90o(α>90o)区域,使 Ud< 0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。 4、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求? 答:(1)触发信号应有足够的功率。
(2)触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。 (3)触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求。 5、对晶闸管的触发电路有哪些要求? 答:为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率;门极正向偏压愈小愈好;触发脉冲 的前沿要陡、宽度应满足要求;要能满足主电路移相范围的要求;触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压取得同步。 6、 正确使用晶闸管应该注意哪些事项? 答:由于晶闸管的过电流、过电压承受能力比一般电机电器产品要小的多,使用中除了要采取必要的过电流、过电压等保护措施外, 在选择晶闸管额定电压、电流时还应留有足够的安全余量。另外,使用中的晶闸管时还应严格遵守规定要求。此外,还要定期对设备进行 维护,如清除灰尘、拧紧接触螺钉等。严禁用兆欧表检查晶闸管的绝缘情况。 五、计算题 1、在下面两图中,一个工作在整流电动机状态,另一个工作在逆变发电机状态。 (1)、标出 Ud、ED 及 id 的方向。 (2)、说明 E 与 Ud 的大小关系。
(3)、当α与β的最小值均为 30 度时,控制角α的移向范围为多少? 解:
整流电动机状态: 电流方向从上到下,电压方向上正下负,反电势 E 方向上正下负,Ud 大于 E,控制角的移相范围 0°~90°。
逆变发电机状态: 电流方向从上到下,电压 Ud 方向上负下正,发电机电势 E 方向上负下正,Ud 小于 E,控制角的移相范围 90°~150°。
2. 单相桥式全控整流电路,U2 100V ,负载中 R 2,L 值极大,当 30时,要求:
(1)作出 ud 、 id 和 i2 的波形; (2)求整流输出平均电压U d 、平均电流 I d ,变压器二次电流有效值 I 2 ;

解:(1)作图。
(2)U d 0.9U 2 cos
当 30时,
U d 0.9U 2 cos 0.9 100 cos30 78V
Id
Ud R
78 39A 2
I 2 I d 39 A
3 在图 1 所示的降压斩波电路中,已知 E 200V , R 10 ,L 值极大, EM 30V 。(1)分析斩波电路的工作原理;(2)采用脉宽调制 控制方式,当T 50s , ton 20 s 时,计算输出电压平均值U o 、输出电流平均值U o 。
解:(1)参考书上简要说明。 (2)根据公式得
Uo
ton ton toff
E
ton T
E
20 200 50
80V
Io
UO EM R
80 30 5A 10
三、填空(每空 1 分,共 30 分)
1 、 请 在 空 格 内 标 出 下 面 元 件 的 简 称 : 电 力 晶 体 管 GTR
; 可 关 断 晶 闸 管 GTO
;功率场效应晶体管
MOSFET
;绝缘栅双极型晶体管 IGBT
;IGBT 是
MOSFET

GTR
的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是
要有足够的驱动功率
、 触发脉冲前沿要陡幅值要


触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步

3、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流
的问题,解决的方法是 串专用均流电抗器

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为 正弦
,输出电流波形为
方波

5 、 型 号 为 KS100-8 的 元 件 表 示 双 向 晶 闸 管
、它的额定电压为
800
伏、额定有效电流
为 100
安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_ 同一桥臂 上的上、下二个元件之间进行;而 120o导电型三相桥式逆变电路,
晶闸管换相是在_
不同桥臂
上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会 增加
、正反向漏电流会
下降
;当温度升高时,晶闸管的触发电流
会 下降
、正反向漏电流会
增加

8、
在有环流逆变系统中,环流指的是只流经
逆变电 源

逆变桥

而不流经
负载
采用控制角α 大于
的电流。环流可在电路中加 β的工作方式。
电抗器
来限制。为了减小环流一般

9、常用的过电流保护措施有 快速熔断器
、 串进线电抗器

接入直流快速开关 、
控制快速移相使输出电压下降
。(写出四种即可)
10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+ 、 Ⅰ- 、 Ⅲ+
Ⅲ-
四种 。
11、双向晶闸管的触发方式有:
I+ 触发:第一阳极 T1 接 正
T2 接

电压。
电压,第二阳极 T2 接

电压;门极 G 接

电压,
I- 触发:第一阳极 T1 接

电压,第二阳极 T2 接 负
电压;门极 G 接

电压,T2 接 正
电压。
Ⅲ+触发:第一阳极 T1 接
负 电压,第二阳极 T2 接 正 电压,门极 G 接

电压,T2 接
负 电压。
Ⅲ-触发:第一阳极 T1 接
负 电压,第二阳极 T2 接 正 电压;门极 G 接 负
电压,T2 接

电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有
负载
换流和
强迫(脉冲)
换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为 有源
逆变器与 无源
逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为 KK200-9,请说明 KK
快速晶闸管
; 200 表示表示
200A
,9 表示 900V 。
15、单结晶体管产生的触发脉冲是
尖脉冲
脉冲;主要用于驱动 小 功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生
的脉冲为 强触发脉冲
脉冲;可以触发

功率的晶闸管。
16、一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为 220V,流过晶闸管的电流有效值为 15A,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为
1.5 2倍 2220V
;晶闸管的额定电流可选 为
1.5 2倍 15 A
1.57

17 、 为 了 减 小 变 流 电 路 的 开 、 关 损 耗 , 通 常 让 元 件 工 作 在 软 开 关 状 态 , 软 开 关 电 路 种 类 很 多 , 但 归 纳 起 来 可 分 为
零电压电


零电流电路
两大类。
18、对异步电动机实施变频调速控制,通常的控制方式有恒压频控制。转差频率控制。 矢量控制。直接转矩控制 等四种。
19、PWM 逆变电路的控制方法有
计算法

调制法

跟踪控制

三种。其中调制法又可分为
异步调控法

同步调控

两种。
20 、 通 常 变 流 电 路 实 现 换 流 的 方 式 有
器件换流

电网换


负载换流

强迫换流
四种。
21 、 在 单 相 交 流 调 压 电 路 中 , 负 载 为 电 阻 性 时 移 相 范 围 是



0
,负载是阻感性时移相范围
22、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有
避雷器

阻容吸收

硒堆

压敏电阻

整流式阻容
吸收
等几种。
23 、 提 高 变 流 置 的 功 率 因 数 的 常 用 方 法 有
减小触发角

增加整流相


采用多组变流装置串联供电

设置补偿电

几种。
24、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有
GTO

GTR

MOSFET

IGBT
几种。
25、普通晶闸管的图形符号是
,三个电极分别是
阳极 A

阴极 K 和

极G
晶闸管的导通条件是
阳极加正电压,

阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导

;关断条件是
当晶闸管阳极电流小于维持电
流 IH 时,导通的晶闸管关断
.。
26、可关断晶闸管的图形符号是
;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是


;电力晶体管的图形符号

27、绝缘栅双极型晶体管是以
电力场效应晶体管栅极
作为栅极,以
电力晶体管集电极和发射极
作为发射极与集电极复合而成。
28 、 在 电 力 晶 闸 管 电 路 中 , 常 用 的 过 电 流 保 护 有
快速熔断器

电路串电抗


过流时快速移相
;和
直流快速开关
等几种。
29 、 晶 闸 管 的 换 相 重 叠 角 与 电 路 的
触发角α

变 压 器 漏 抗 XB

平均电流
Id

电源相电压 U2
等到参数有关。
30 、 双 向 晶 闸 管 的 图 形 符 号 是
,三个电极分别是
第 一 阳 极 T1

第二阳极
T2
和 门极 G
;双向晶闸管的的触发方式有
I+ 、 I- 、 III+ 、 III
31、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为
U2

三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 源相电压为 U2) 32、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用
U2 大于 60o小于 120o的宽脉冲
。(电 触
发;二是用
脉冲前沿相差 60o的双窄脉冲
触发。
33、在同步电压为锯齿波的触发电路中,锯齿波底宽可达
240o
度;实际移相
才能达
0o-180 o
度。
34 、 异 步 电 动 机 变 频 调 速 时 , 对 定 子 频 率 的 控 制 方 式 有
恒压频比控制

转差劲频率控

、 矢量控制

直接转矩控制

35、软开关电路种类很多,大致可分成
零电压
电路、
零电流
电路两大类。
36、
37、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制
角,用
a
表示。

38、一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压,经常使用的保护方法是
阻容保护
而对于能量较大的过电压,
还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有
压敏电阻

硒堆

39、交流零触发开关电路就是利用
过零触发
方式来控制晶闸管导通与关断的。
40 、 型 号 为 KS100-8 的 元 件 表 示
双向晶闸
管、它的额定电压为
800
伏、额定电流
为 100
安。
41、实现有源逆为的条件为
要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆
变桥直流侧输出的平均电压

逆变桥必须工作在β<90o(即α>90o)区间,使输出
电压极性与整流时相反,才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网

42、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组 整流

态、
逆变
状态、反组
整流
状态、 逆变
状态。
43、有源逆变指的是把
直流
能量转变成
交流
能量后送给
电网的
装置。
44、给晶闸管阳极加上一定的
正向
电压;在门极加上
正向门极
电压,并形成足够的
门极触

电流,晶闸管才能导通。
45、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时
单相桥式半控整流桥

三相桥式半控整流桥
电路会出现失控现象。
46、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为
150
HZ;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电
压波形脉动频率为
300
HZ ; 这 说 明
三相桥式全控整流

电路的纹波系数比
三相半波可控流电

电路要小。
47 、 造 成 逆 变 失 败 的 原 因 有
逆变桥晶闸管或元件损坏

供电电源缺


逆变角太小

触发脉冲丢失或未按时到达
等几种。

48、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于 掣住
电流之前,如去掉
触发
脉冲,晶闸管又会
关断。
49、对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般

90
度较合适;如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为
60 度。
50、三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围 0--150
,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范
围 0--120
,三相半控桥电阻性负载时,电路的移相范围 0--180

51、锯齿波触发电路的主要环节是由
同步环节

锯齿波形成

脉冲形


整形放大

强触发及输出
环节组成。
52、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为
电压
型逆变器和
电流
型逆变器,电压型逆变器
直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧
用 电容
器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的 本桥 元件之间换流,每只晶闸管导电的角度
是 180
度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用


滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在
异桥
元件之间换流,每只晶闸管导电的角
度是
120
度。
53、SPWM 脉宽调制型变频电路的基本原理是:对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制,使输出端得到
等高不等宽 脉
冲列来等效正弦波。
54、直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用的控制方式有 定频调宽控制

定宽调频控制 、 脉宽和频率同时控制
三种。
55、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为 ITn 等于 1.57
倍 IT(AV),如果 IT(AV)=100 安培,则它允许的有效电
流为 1.57
安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5--2
倍的裕量。
56、晶闸管的维持电流 IH 是指在 标准室温
须的最小 阳极
电流。
温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必
57、带平衡电抗器的双反星形电路,变压器绕组同时有 两
相导电;晶闸管每隔 60
度换一次流,每只晶闸管导通
120
度,变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端
相反
,所
以以两绕组的电流方向也
相反
,因此变压器的铁心不会被 磁化

58、三相桥式全控整流电路是由一组共 阴
极三只晶闸管和一组共

极的三只晶闸管串联后构成的,晶闸管
的换相是在同一组内的元件进行的。每隔
60° 换一次相,在电流连续时每只晶闸管导通
120
度。要使
电路工作正常,必须任何时刻要有

只晶闸管同时导通,,一个是共

极的,另一个是共 阳
极的元件,且要求不是
在同一桥臂上
的两个元件。
59、PWM 逆变电路的控制方式有
正弦波

单项正弦波

双极性正弦


60 、 直 流 斩 波 电 路 按 照 输 入 电 压 与 输 出 电 压 的 高 低 变 化 来 分 类 有
降压
斩波电路;


斩波电路;
升降
斩波电路。
一、填空题:
1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务,主要为①交流变直流(AC—DC)、②直流变交流(DC—AC)、③直流变直流(DC—DC)、④交流变 交流(AC—AC)四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率,电力电子器件一般都工作在 开关状态,但是其自身的功率损耗(开通损耗、关断损耗) 通常任远大于信息电子器件,在其工作是一般都需要安装 散热器 。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大,电力电子器件总是工作在开关状态,其损耗包括三个方面:通态损耗、断态损

耗和 开关损耗 。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压 UDRM 和反向重复峰值电压 URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时,额定电压要留 有一定的裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的 2~3 倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时,晶闸管才会由导通转为截止。导通:正向电压、触发电流 (移相触发方式)
8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路可能会出现 失控 现象,为了避免单相桥式半控整流电路的失控,可以在加 入 续流二极管 来防止失控。

9、整流电路中,变压器的漏抗会产生换相重叠角,使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为 180 度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为 90 度
11、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。(电源相电压为 U1) 三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 2.45U2 。(电源相电压为 U2)
为了保证三相桥式可控整流电路的可靠换相,一般采用 双窄脉冲 或者宽脉冲触发。
12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路,给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路,包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。(是否有交流环节) 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。
☆6 种斩波电路:电压大小变换:降压斩波电路(buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路
升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1 E β=1- ɑ

降压斩波电路输出电压计算公式: U=ɑE ɑ=占空比,E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是 PWM、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ,即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,调节输出电压有效值的电路, 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比,调节输出功率平均值的电路, 交流电力电子开关即 控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。 17、普通晶闸管(用正弦半波电流平均值定义)与双向晶闸管的额定电流定义不一样,双向晶闸管 的额定电流是用电流有效值来表示的。 (双向晶闸管工作在交流电路中,正反向电流都可以流过) 18、斩控式交流调压电路 交流调压电路一般采用全控型器件,使电路的功率因数接近 1。 19、 PWM 控制技术的理论基础是 (面积等效原理)冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同
20、PWM调制中常用的计算法有 特定谐波消去法 。
.
21、 PWM 逆变电路的控制方法有 计算法 、 调制法 和 规则采样法 三种。 其中调制法又可以分为 同步调制 和 异步调制 两种.(同步调制:载波比相等)
22、直流斩波电路的三种控制方式是PWM、 频率调制型 、 混合型 。
23、在调制信号上叠加 直流分量(三次谐波) 可以提高直流电压利用率。 ☆改变调制信号的频率就可以改变输出直流信号的频率 ☆改变调制比可以改变输出电压有效值
电力电子器件串联必须考虑静态和动态 均压 (每个器件并联一个电阻) 。 ☆ 静态均压:每个器件并联电阻 ☆动态均压:每个器件串联电容
☆并联时要考虑均流 方法:一般是串联电感
24、电力电子器件的驱动电路的目的是给器件施加 开通、关断 的信号,提供控制电路与主电路之间的 电气隔离 。(光隔离(光耦)、 磁隔离(变压器)等等) 25、电力 MOSFET 和 IGBT 由于具有正温度系数,所以在并联使用时能够实现 均流 。
26、晶闸管额定电流为 100A,通过半波交流电时,电流的波形系数为 Kf=1.57,电流的有效值计算为 Im / 2 ,则通过电流最大值 Im 为 314
A。
27、单相交流调压电阻性负载电路的移相范围在 0 度~ 180 度
内,在阻感性负载时移相范围在 功率因素角 ~ 180 度 内。
28、交流调压电路和交流调功电路异同点: 电路结构相同,控制方式不同,(交流调压电路采用移相触发对一个周期内导通角控制,调功
电路对导通周波数与阻断周波数的比值进行控制) 。
29、电压型逆变电路中的反馈二极管的作用是 给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道 。
30、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在 同一相上下两个桥臂 元件之间进行;而 120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸
管换相是在 上桥臂或者下桥臂组内 上的元件之间进行的。
31、在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有 SCR ,全控型器件有 GTO、GTR、MOSFET、IGBT ,电流驱动器件有
SCR、GTO、GTR 。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电力电子技术汇总题库

南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库

第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV,则其额定电压应为60V。(不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。) 2、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是导通损耗;另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中,常设置缓冲电路,其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流,过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。(√) 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。(×) 3、晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。(×) 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。(√) 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后,去掉门极触发信号,晶闸管级能维护导通。(×) 6、在GTR 的驱动电路设计中,为了使GTR 快速导通,应尽可能使其基极极驱动电流大些。(×) 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。(√) 8、IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。(×) 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。(×) 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。(√) 三、选择题 1、下列元器件中,( BH )属于不控型,( DEFIJKLM)属于全控型,( ACG )属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中,( c )最适合用在小功率,高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有( ad ) A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么? 答:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流或脉冲(uak>0且ugk>0)。

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
编辑版 word

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分,共50分) 1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是:晶闸管_________________和阴极间施加正向电压,并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。 19、温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而__________,正反向漏电流随温度升高而__________,维持电流I H会____________________,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定,负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有: ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有: (1)_________________________________________,(2)______________________________________,(3)_________________________________________,(4)_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为__________________________,它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

电力电子技术试题(二)

电力电子技术 试题(A ) 注:卷面 85分,平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入表中。(8分) 选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….) A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×” 。(6分) (1) 某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V ,反向重复峰值电压700V ,则该晶 闸管的额定电压是700V 。( ) 第 1 页 (共 8 页) 试 题:电力电子技术 班号: 姓名:

(2) 对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。( ) (3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势” 负载,已知60β=o ,2100U V =, 50E V =,电路处于可逆变状态。 ( ) 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。(6分) 第 2 页 (共 8 页) 试 题: 电力电子技术 班号: 姓名:

二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制要求下, 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图 (要标明反电势极性)。(5分) 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V , Ω=5R ,当60α=o 时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。(5分) 第 3 页 (共 8 页) 试 题:电力电子技术 班号: 姓名: u u u 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α=o 且负载电流连 续,请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。(5分) i VT10

电力电子技术试卷3份答案

《电力电子技术》试卷1答案 一、填空(每空1分,36分) 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可) 10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ-四种。 二、判断题,(每题1分,10分)(对√、错×) 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失 控现象。(√) 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中 一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。(×) 3、晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。(×) 4、逆变角太大会造成逆变失败。(×) 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。(√) 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。(×) 7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。(×) 8、在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定电压应取U2。(×) 9、在三相半波可控整流电路中,电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。(×) 10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。 (√) 三、选择题(每题3分,15分)

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷 一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时, _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大 的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。 8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5 时间段内,电流的通路为___VD1____;

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电力电子技术复习试题与答案

电力电子技术复习2011 一、选择题(每小题10分,共20分) 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°, B、60°, c、360°, D、120° 2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0度, B,60度, C,30度, D,120度, 3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。 6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中,逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o, B、=35o∽90o, C、 =0o∽90o, 8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。

A、U相换相时刻电压u U , B、V相换相时刻电 压u V , C、等于u U +u V 的一半即: 9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C =0,改变C的大小,可使 直流电动机负载电压U d =0,使触发角α=90o。达到调定移相控制围,实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压, B、控制电压, C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能(C) A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V, 则该晶闸管的额定电压应为(B) A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是( D )

最新电力电子技术试题及答案(1)

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择(每题1.5分,共60分) 1、 晶闸管内部有( )个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路符号的是( ) 6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ) A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( ) A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在( )条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( ) A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、

王兆安版电力电子技术试卷及答案

20××-20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) (时间90分钟 满分100分) (适用于 ××学院 ××级 ××专业学生) 一、 填空题(30分,每空1分)。 1.如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是________,属于半控型器件的是________,属于全控型器件的是________;属于单极型电力电子器件的有________,属于双极型器件的有________,属于复合型电力电子器件得有 ________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作频率最高的是________,属于电压驱动的是________,属于电流驱动的是________。(只写简称) 2.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为 _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ;带阻感负载时,α角移相范围为 ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3.直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4.升降压斩波电路呈现升压状态时,占空比取值范围是__ _。 5.与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时,单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7.三相交交变频电路主要有两种接线方式,即 _和 。 8.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ;控制方式是 。 9.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为 型逆变器和 型逆变器。 10.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题(18分,每题6分)。 1.逆变电路多重化的目的是什么?如何实现?串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合? 2.交流调压电路和交流调功电路有什么异同? 3.功率因数校正电路的作用是什么?有哪些校正方法?其基本原理是什么? 三、计算题(40分,1题20分,2题10分,3题10分)。 1.一单相交流调压器,电源为工频220V ,阻感串联作为负载,其中R=0.5Ω,L=2mH 。 试求:①开通角α的变化范围;②负载电流的最大有效值;③最大输出功率及此时电源侧的功率因数;④当2πα=时,晶闸管电流有效值,晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2..三相桥式电压型逆变电路,工作在180°导电方式,U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 .如图所示降压斩波电路E=100V ,L 值极大,R=0.5Ω,E m =10V ,采用脉宽调制控制方式,T=20μs ,当t on =5μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值

相关文档
相关文档 最新文档