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模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

第1章 常用半导体器件

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83

B.91

C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;

B.不变;

C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电

压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2

解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的

波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?

解:二极管的直流电流

()/ 2.6D D I V U R mA =-=

其动态电阻:

/10D T D r U I ≈=Ω

故动态电流的有效值:/1d

i D I U r mA =≈

1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?

解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 1、两个管子都正接。(1.4V )

2、6V 的管子反接,8V 的正接。(6.7V)

3、8V 的反接, 6V 的管子正接。(8.7V)

4、两个管子都反接。(14V ) (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

1、 两个管子都反接,电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接,一个反接,电压小的先导通。(0.7V )

1.8 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。

解:稳压管的最大稳定电流:

I ZM =P ZM / U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin

所以其取值范围为

Ω=-=

k 8.136.0Z

Z

I ~I U U R

1.9 已知图Pl.9 所示电路中稳压管的稳定电压6Z

U V =,最小稳定电流

min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。

(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值; (2)若35I

U V

=时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?

解:(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时,输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时,V U R R R U I L

L

O 3.3=+=

V U I 15=时,5L

O I L

R U U V R R =

=+;

V U I 35=时,11.7L

O I Z L

R U U V U R R =

≈>+,∴V

U U Z O 6==。

(2)当负载开路时,mA I mA R

U U I Z Z

I Z 2529max =>=-=,故稳压管将被烧毁。

1.11 电路如图P1.11(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。试分别画出u O1和u O2的波形。

2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'

100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时

的Q 点、

u A 、i R 和o R 。

解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为:

22CC BEQ

BEQ BQ b

s

V U U I A

R R μ-=

-

1.76CQ BQ I I mA β=≈

'26(1)

1.3be bb EQ

mV

r r k I β=++≈Ω 空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:

6.2CEQ CC CQ c U V I R V

=-≈;

308c

u be

R A r β=-

≈-

// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω; 93be

us u be s

r A A r R ≈?≈-+

5o c R R k ==Ω

3L R k =Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为:

(//) 2.3L

CEQ CC CQ c L L c

R U V I R R V

R R =

-≈+

(//)

115c L u be R R A r β=-

≈- 34.7be

us u be s

r A A r R ≈

?≈-+

// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。

2.8在图P2.7所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图P2.8(a )、(b )、(c )所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。

解:(a )饱和失真,增大R b ,减小R c 。 (b )截止失真,减小R b 。

(c )同时出现饱和失真和截止失真,应增大V CC 。

2.10 已知图P2.10所示电路中,晶体管β=100,be r =1.4kΩ。 (1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ,估算R b ;

(2)若测得i U 和o

U 的有效值分别为1mV 和100mV ,则负载电阻R L 为多少?

解:(1)mA R U V I c CE

CC C 2=-=

,A I I C B μβ20/==,

∴Ω=-=

k I U V R B

BE

CC b 565。

(2)由(//)

100o c L u

i be

U R R A U r β=-

=-=-, 可得: 2.625L R k =Ω。 图P2.10

2.13 电路如图P2.13所示,晶体管β=100,b b r '=100Ω。

(1)求电路的Q 点、u A 、i R 和

o

R ; (2)若改用β=200的晶体管,则Q 点如何变化?

(3)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?

解:(1)静态分析:

1

12

2b BQ CC b b R U V V

R R =

?=+

1BQ BEQ EQ f e

U U I mA R R -=

=+

101EQ BQ I I A μβ

=

=+

e (R ) 5.7CEQ CC EQ c

f U V I R R V

=-++= 图P2.13

动态分析:'26(1)

2.73be

bb EQ

mV

r r k I β=++≈Ω

(//)

7.7(1)c L u be f

R R A r R ββ=-

=-++

12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω

5o c R R k ==Ω

(2) β=200时,1

12

2b BQ

CC b b R U V V

R R =

?=+(不变);

1BQ BEQ EQ f e

U U I mA R R -=

=+(不变)

;51EQ BQ I I A μβ

==+(减小)

; e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V

=-++=(不变)。

(3) C e 开路时,(//)// 1.92(1)()c L c L

u

be e f e f

R R R R A r R R R R ββ=-

≈-=-++++(减小);

12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω(增大);

5o c R R k ==Ω(不变)。

2.12 电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,be r =1kΩ。 (1)求出Q 点; (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的

u A 、i R 和o R 。

解:(1)求解Q 点:

32.3(1)CC BEQ BQ b e

V U I A R R μβ-=

≈++

(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈

7.17CEQ CC EQ e U V I R V

=-≈

图P2.12

(2)求解放大倍数和输入、输出电阻:

R L =∞时;

(1)0.996

(1)e

u be e

R A r R ββ+=

≈++

//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈Ω

R L =3kΩ时;(1)(//)

0.992

(1)(//)e L u

be e L R R A r R R ββ+=

≈++

//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω

输出电阻:////

371s b be

o

e R R r R R β

+=≈Ω+

2.13 电路如图P2.13 所示,晶体管的β=60 ,

'100bb r =Ω。

(1)求解Q 点、u A 、i R 和o

R (2)设U s = 10mV (有效值),问?i U =,?

o U =

若C 3开路,则?i

U =,?o U =

解:(1) Q 点:

31(1)CC BEQ BQ b e

V U I A R R μβ-=

≈++

1.86CQ BQ I I mA β=≈

() 4.56CEQ CC EQ c e U V I R R V

≈-+≈

u A 、i R 和o

R 的分析: 图P2.13 '26(1)

952be bb EQ

mV

r r I β=++≈Ω, (//)95c L u be R R A r β=-

≈- //952i b be R R r =≈Ω , 3o c R R k ==Ω。

(2)设U s = 10mV (有效值),则

3.2i

i s s i

R U U mV R R =

?=+;

304o u i U A U mV =?=

若C 3开路,则:

//[(1)]51.3i b be e R R r R k β=++≈Ω , // 1.5c L

u e

R R A R ≈-

≈- 9.6i

i s s i

R U U mV R R =

?=+,

14.4o u i U A U mV =?=。

(c)

(d)

3.6图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,'

100bb r =Ω,

0.7BEQ U V

≈。

试求R w 的滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。

图P3.6

解:R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下: ∵22

W

BEQ

EQ EQ e EE R U I I R V +?

+= ∴0.51722

EE BEQ

EQ

W

e V U I mA R R -=

≈+

动态参数A d 和R i 分析如下:

'26(1)

5.18be bb EQ

mV

r r k I β=++≈Ω

98(1)/2

c

d b

e W R A r R ββ=-

≈-++

2(1)20.5i be W R r R k β=++≈Ω

3.7电路如图P3.7所示,T 1和T 2两管的β均为140,be r 均为4kΩ。试问:若输入直流信号

mV

u I 201=,mV

u I 102

=,则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动

态电压?

=?o

u

解:电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ?

分别为:12

152

I I IC

u u u mV +=

=;

1210Id I I u u u mV =-=

1752c

d be

R A r β=-

≈-; 1.75O d Id u A u V

?==-

4.1根据下列要求,将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运放的类型是:①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型 ⑦高精度型

(1)作低频放大器,应选用( ① )。 (2)作宽频带放大器,应选用( ③ )。

(3)作幅值为1μV 以下微弱信号的量测放大器,应选用( ⑦ )。 (4)作内阻为100k Ω。信号源的放大器,应选用( ② )。 (5)负载需5A 电流驱动的放大器,应选用( ⑥ )。 (6)要求输出电压幅值为±80V 的放大器,应选用( ⑤)。 (7)宇航仪器中所用的放大器,应选用( ④ )。

6.1选择合适答案填入空内。

(1)对于放大电路,所谓开环是指( B )。

A.无信号源

B.无反馈通路

C.无电源

D.无负载

而所谓闭环是指( B )

A.考虑信号源内阻

B.存在反馈通路

C.接入电源

D.接入负载

(2)在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ),则说明引入的反馈是负反馈。

A.输入电阻增大

B.输出量增大

C.净输入量增大

D.净输入量减小

(3)直流负反馈是指( C )。

A.直接耦合放大电路中所引入的负反馈

B.只有放大直流信号时才有的负反馈

C.在直流通路中的负反馈

(4)交流负反馈是指( C )。

A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈

B.只有放大交流信号时才有的负反馈

C.在交流通路中的负反馈

(5)为了实现下列目的,应引入

A.直流反馈

B.交流反馈

①稳定静态工作点,应引入( A );

②稳定放大倍数,应引入( B );

③改变输入电阻和输出电阻,应引入( B );

④抑制温漂,应引入( A );

⑤展宽频带,应引入( B )。

6.2选择合适答案填入空内。

A.电压

B.电流

C.串联

D.并联

(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入( A )负反馈;

(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入( B )负反馈;

(3)为了增大放大电路的输入电阻,应引入( C )负反馈;

(4)为了减小放大电路的输入电阻,应引入( D )负反馈;

(5)为了增大放大电路的输出电阻,应引入( B )负反馈;

(6)为了减小放大电路的输出电阻,应引入( A )负反馈;

6.3下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入括号内。

(1)只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。( ×)

(2)放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。( ×)

(3)反馈量仅仅决定于输出量。( √)

(4)既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压。( ×)

6.14已知一个负反馈放大电路A =105

,F =2×10-3

。试问: (1)?f

A =;(2)若A 的相对变化率为20%,则f

A 的相对变化率为多少?

解:(1)因为AF =200 > > 1 ,所以:

1

500f A F

= (2)根据题目所给数据,可知:

53

11

20%0.1%1110210

f f

dA dA A AF A -=

?=?≈++??

6.13已知负反馈放大电路的4

2

4510(1)(1)1010

A f f j j =

++。

试分析:为了使放大电路能够稳定工作(即不产生自激振荡), 反馈系数的上限值为多少?

解:根据放大倍数表达式可知,放大电路高频段有三个截止频率分别为

4110L f Hz =, 52310L L f f Hz ==

因为

23110L L L f f f ==,所以,在52310L L f f f Hz === 时,A

约为60d B ,附加

相移约为-180o ,为了使23L L f f f ==时的20lg AF

小于0d B ,即不满足自激振荡的幅值条件,

反馈系数20lg

F

的上限值应为-60d B ,即

F

的上限值为10-3

6.22在图P6.22所示电路中,已知A

为电流反馈型集成运放,试问:(1)中频电压放大倍数;(2)上限截止频率。

图P6.22 解图P6.18

解:画出图P6.22 所示电路中集成运放的等效电路如解图P6.18 所示。因为r o 很小,反相输入端电位为:

n i i o i U U I r U =-≈

将集成运放的内部电路替换为教材中图6.7.5 所示电路(参阅P310 ~P311 ) , 可得:i

o I j CU ω=

()()n f i f n n o o o

i o f f f f f

U R R U R R U U U U U I j CU R R RR R RR R ω++-≈

+=-=-= ∴ 1()

()f i f o f f

j R C U R R U R RR ω++≈

即:

1(1)1f o u i f R U A U R j R C

ω=

≈+?+

∴(1)1f u R A R

=+ ;(2)上限截止频率为:

1

2H f f R C

π=

7.1填空:

(1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u >1 的放大器。 (2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u <0 的放大器。 (3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 (4)( 同相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++,a 、b 和c 均大于零。 (5) ( 反相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++,a 、b 和c 均小于零。

(6)( 乘方 )运算电路可实现函数2Y

aX =。

7.11在图P7.11(a)所示电路中,已知输入电压u I 的波形如图(b)所示,当t =0时u C =0。 试画出输出电压u O 的波形。

(a) (b)

图P7.11

解:输出电压的表达式为2

1

11()t O I O t u u dt u t RC =-+?

当u I 为常量时:

2112112115711()()()()100()()1010

O I O I O I O u u t t u t u t t u t u t t u t RC -=-

-+=--+=--+?

若t =0时u O =0;则

当t =5mS 时,31005510 2.5O

u V V

-=-???=-。

当t =15mS 时,3[100(5)1010( 2.5)] 2.5O

u V V

-=-?-??+-=。

因此输出波形如解图P7.11所示。

解图P7.11

7.13试分别求解图P7.13所示各电路的运算关系。

(a)

(b)

(c) (d) 图P7.13

解:利用节点电流法,可解出各电路的运算关系分别为:

( a )

2111100O I I I I R u u u dt u u dt R R C =-

-=--?

? ( b ) 设两电容的充电电流为:111C I du du

i

C C dt dt

=?

=?(方向向右),则

311221()102I I

O I

I du C du u iR idt RC u u C dt C dt

-=-+

=--=--? ( c )反相端:1

O

N C P P u u u u u dt RC

=+=+

? 同相端:111

I P P C I

P u u u u dt u dt u dt C R RC RC -===-??? 代入上式,得31

10O I I u u dt u dt RC

==??? ( d )

12

1212

1()100(0.5)I I O I I u u u dt u u dt C R R =-

+=-+??

7.15试求出图P7.15 所示电路的运算关系。

图P7.15

解:设A 2的输出为u O2。因为R 1的电流等于C 的电流,所以:

211

2O I I u u dt u dt R C =-

=-?

?

又因为A 2组成以u O 为输入的同相比例运算电路,所以:

2

23

(1)2O O O R u u u R =+

= 比较以上两式,得:O I u u dt =-?

7.27所示各电路的传递函数,并说明它们属于哪种类型的滤波电路。

(a) (b) 图7.27

解:利用节点电流法可求出它们的传递函数。

在图(a)所示电路中

2211()11u R sR C

A s sR C

R sC

=-

=-

++

。 故其为高通滤波器。

在图(b)所示电路中22211211/()

1()1u R R R sC sC A s R R sR C

?

+=-

=-?

+。

故其为低通滤波器。

8.1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。 (1)在图T8.1所示方框图中,产生正弦波振荡的相位条件是A F ??=。( × )

(2)因为RC 串并联选频网络作为反馈网络时的0o F ?=,单管共集放大电路的0o A ?=,满足

正弦波振荡电路的相位条件π

??n A F

2=+,故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。( × )

(3)在RC 桥式正弦波振荡电路中,若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ,电容均为C ,则其振荡频率

1/o f RC =。( × )

(4)电路只要满足

1=F A

,就一定会产生正弦波振荡。( × ) (5)负反馈放大电路不可能产生自激振荡。( × )

(6)在LC 正弦波振荡电路中,不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。( √ )

8.2判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。

(1) 为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平,就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入正反馈。 ( √ )

(2)如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同,那么当它们的输入电压相同时,它们的输出电压波形也相同。( × )

(3)输入电压在单调变化的过程中,单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。( √ ) (4)单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。( × )

8.3选择合适答案填入空内。 A.容性 B.阻性 C.感性

(1)LC 并联网络在谐振时呈( B );在信号频率大于谐振频率时呈( A );在信号频率小于谐振频率时呈( C )。

(2)当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率时,石英晶体呈( B );当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈 ( C );其余情况下,石英晶体呈( A )。 (3)信号频率

o f f 时,RC 串并联网络呈( B )。

8.11分别标出图P8.10所示各电路中变压器的同名端,使之满足正弦波振荡的相位条件。

(a) (b)

(c) (d)

图P8.10

解:图P8.10所示各电路中变压器的同名端如解图P8.10所示。

(a) (b)

(c) (d)

解图P8.10

8.12分别判断图P8.11所示各电路是否可能产生正弦波振荡。

(a) (b)

(c) (d)

图P8.11

解:(a)可能(电容三点式)

(b)不能(电感与Re之间的连线应串入隔直电容)

(c)不能(①同(b),②同名端错误。)

(d)可能(电容三点式)

8.12改正图P8.11(b)、(c)所示两电路中的错误,使之有可能产生正弦波振荡。

解:应在(b)所示电路电感反馈回路中加耦合电容。

应在(c)所示电路放大电路的输入端(基极)加耦合电容,且将变压器的同名端改为原边的上端和副边的上端为同名端,或它们的下端为同名端。改正后的电路如解图P8.11(b)、(c) 所示。

模拟电路第三版课后习题答案详解

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的 正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。 习题1-2 假设一个二极管在50C时的反向电流为10卩A,试问它在 20C和80C时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10C, 反向电流大致增加一倍。 解:在20C时的反向电流约为:2°汉10卩A= 1.254 A 3 在80C时的反向电流约为: 2 10」A二80」A N7 习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示: ①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图 (b),此时二极管的电流I和电压U各为多少? ②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,贝V二极管的电流和电 压各为多少? 解:根据图解法求解 ①电源电压为1.5V时 1.5 二U I I 0.8A, U 0.7V ②电源电压为3V时 U I (b) I 2.2A, U 0.8V 可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,贝匸 极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。 1.5V 1k?

习题1-4 已知在下图中,U| = 10sin? t (V), R L=1k?,试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波 形,并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电 流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u,是大一些好还是小一一些好?答:动态电阻r Z愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数a u的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

《模拟电子技术》复习题10套及答案

. 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

. 图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 + + +++ +------Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V B=50 Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 ++++++ ------D2R Rb1Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Uo Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 图3-1

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用( A ),第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用( D ),第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B ),第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用( D ),第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000o ui i U A I =>,输出电阻R o <100 ,第一级应采用采用( C ),第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A .便于设计 B .放大交流信号 C .不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A .克服温漂 B .提高输入电阻 C .稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B )。 A .差模放大倍数数值增大 B .抑制共模信号能力增强 C .差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时 0.7BEQ U V ≈。试求: (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >,则应如何调节R c2的值才能使0O u =? 若静态0O u =V ,则R c2=?,电压放大倍数为多少?

模拟电子技术习题

一、选择题:(共10题,每题1分。合计10分) 第一章: 1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将( )。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在( )区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章: 1. 对于直接耦合基本放大电路,( )的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路,( )的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中,( )电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管,如果当C I 从1mA 变为1.9mA ,E I 从1.01mA 变为1.92mA ,那么它的 约为( )。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管,只能满足( ),管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术模电课后习题含答案第三版

第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 1、两个管子都正接。(1.4V ) 2、6V 的管子反接,8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接, 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。(14V ) (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。 1、 两个管子都反接,电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接,一个反接,电压小的先导通。(0.7V ) 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流: I ZM =P ZM / U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ~I U U R

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其 多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩 散电流 漂移电流,耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较,____________为电压控制器件,____________为电 流控制器件,____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过低,将会引起 失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中,稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于( ) A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 ( ) A . A 是基极, B 是发射极, C 是集电极,是NPN 管

B.A是集电极,B是基极,C是发射极,是PNP管 C.A是集电极,B是发射极,C是基极,是PNP管 D.A是发射极,B是集电极,C是基极,是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求() A、UGS>0,UDS>0 B、UGS<0,UDS<0 C、UGS>0,UDS<0 D、UGS<0,UDS>0 4、某仪表的放大电路,要求Ri很大,输出电流稳定,则应采用()形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re的作用是:() A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时,其K CMR将会()。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?() A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路,因晶体管损坏,采用β值为原来2倍的晶体管替换;问该放大电路的电压增益如何变化?() A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电路第三版课后习题答案详解

N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。 解:在20℃时的反向电流约为:3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为:321080 A A μμ ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好? 答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。解:20℃时,()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时,8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷

2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子 3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A.减小 B.基本不变 C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大 B.基本不变 C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器 1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √ ) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1.4 分析计算题 =,试写出各电路的输出电压Uo值。1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on) =(6—V= V。 解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U

模拟电子技术第4章习题答案

4基本放大电路 自我检测题 一.选择和填空 1.在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中,希望电压放大倍数绝对值大,可选 用 A 或 C ;希望带负载能力强,应选用 B ;希望从信号源索取电流小,应选用 B ;希望既能放大电压,又能放大电流,应选用 A ;希望高频响应性能好,应选用 C 。 ( A .共射组态, B .共集组态, C.共基组态) 2.射极跟随器在连接组态方面属共集电极接法,它的电压放大倍数接近 1 ,输入电阻很大,输出电阻很小。 3.H参数等效电路法适用低频小信号情况。 4.图解分析法适用于大信号情况。 5.在线性放大条件下,调整图选择题 5 所示电路有关参数,试分析电路状态和性能指 标的变化。 ( A .增大, B.减小, C.基本不变) ( 1)当 R c增大时,则静态电流 I CQ将 C ,电压放大倍数A v将A,输入电阻R i将C,输出电阻 R o将 A ; ( 2)当 V CC增大,则静态电流 I CQ将 A ,电压放大倍数A v将A,输入电阻R i将B,输出电阻 R o将 C 。 6.在图选择题5所示电路中,当输入电压为 1kHz 、 5mV 的正弦波时,输出电压波形 出现底部削平失真。回答以下问题。 (1)这种失真是 B 失真。 (A .截止, B.饱和, C.交越, D.频率) (2)为了消除失真,应 B 。 (A .增大R C,B.增大R b,C.减小R b,D .减小 +V CC R b Rc C2 C 1 T v o v i V CC,E.换用 β 大的管子)。R L 图选择题5 7.随着温度升高,晶体管的电流放大系数_A_ ,穿透电流I CEO _A_ ,在 I B不变的情况 下b-e 结电压 V BE_ B_。 ( A .增大, B.减小, C.不变) 8.随着温度升高,三极管的共射正向输入特性曲线将 C ,输出特性曲线将 A ,输出特性曲线的间隔将 E 。 ( A .上移,B.下移, C.左移, D .右移, E.增大, F.减小, G.不变) 9.共源极放大电路的v o与 v i反相位,多作为中间级使用。 10.共漏极放大电路无电压放大作用,v o与 v i同相位。 11.共栅极放大电路v o与 v i反相位。

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B ) 姓名 班级 学号 计分 1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分) 2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数A uf 。 (10分) (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0,C 1,C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12V 。 1. 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路? 2. A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V 的直流电压,则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大?(10分) V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6.电路如图所示,晶体管的 =100,' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分) r=100Ω,U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7.图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ,以及动态参数A d和R i。(15分)

模拟电子技术答案

模拟电子技术答案 TYYGROUP system office room 【TYYUA16H-TYY-TYYYUA8Q8-

四川农业大学网络教育课程考试 模拟电子技术试卷 注意:答案直接填写在word试卷上,保存后再上传到机考平台,点交卷完成考试。 一、问答题(每题4分,共24分) 1、PN结是如何形成的? 答:在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合, 载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一 边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩 散 ,达到平衡. 在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P 型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性. PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定 程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁. 反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于,有负的温度系数,后者击穿电压大于,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变. 2、二极管正、负极性的判断方法? 答:(1)观察法 查看管壳上的符号标记,通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头一端为正极、另一端为负极。对于点接触型玻璃外壳二极管,可透过玻璃看触针,金属触针的一头为正极。另外,在点接触型二极管的外壳上,通常标有色点(白色或红色),一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端为负极。 (2)万用表检测法 将万用表置于“R×100Ω,”挡或“R×1kΩ,”挡,然后将万用表两表笔分别接到二极管的两端引脚上,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。 ,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术习题答案1

模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2

第一章 绪论 一、填空题: 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路? 解: Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上 的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻R i =1MΩ,输出电阻R o =10Ω,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便? 解:直接将它与10Ω扬声器连接, 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用电压放大电路模型,则等效电路如下图所示

《模拟电子技术》复习题10套及答案

可编辑 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

可编辑 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示: (1)写出输入级、中间级、输出级的电路名称。

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第二章

第二章 放大电路基础 2.1 放大电路如图P 3.1所示,电流电压均为正弦波,已知Ω=600S R 、mV U S 30=、 mV U i 20=、Ω=k R L 1、V U 2.10=。求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻i R ;当L R 开路时,测得V U 8.10=,求输出电阻R 。 解:1、 S i S i i U R R R U += Ω =-?=-=k U U R U R i S S i i 2.12030600 20 2、 6002.02 .1=== i O u U U A dB A dB A u u 6.3578.12060log 20||log 20)(=?=== 3、 uA R U I i i i 7.162.120=== uA mA A R U I L 12002.10012.01012 .1300===?== 9.717.161200=== i O i I I A dB A dB A i i 2.3786.1209.71log 20log 20)(=?=== 4、uW I U P i i i 334.07.1602.0=?== uW I U P 1440 12002.1000=?== 4311334.01440=== i O P P P A dB A dB A P P 9.3669.3104311log 10log 10)(=?=== 5、其等效电路如图P3.1.2: 根据等效电路可得: 8 .12.10?+= L L R R R Ω=k R 5.00

2.2 放大电路如图P 3.2.1所示,已知三极管100=β、Ω=200'bb r 、V U BEQ 7.0=。试: (1)计算静态工作点CQ I 、CEQ U 、BQ I ;(2)画出H 小信号等效电路,求u A 、i R 、 0R (3)求源电压增益uS A 。 解:1、 V V R R R V CC B B B B 315104010 212=?+=+= mA R R R V I E E BEQ B CQ 1.21.017 .032 1=+-= +-= uA I I CQ BQ 211001 .2== = β V R R R I V U E E C C CC CEQ 4.6)1.013(1.215)(21=++?-=++-= 2、H 小信号等效电路如图P3.2.2: Ω=?++=++=14501.226 )1001(20026) 1('0EQ bb be I r r β 9 .151.010145.13 //7.4100)1('1-=?+?-=++-=E be L u R r R A ββ []Ω=?+=++=k R r R R R E be B B i 73.4)1.010145.1//(40//10)1(////121β Ω≈=k R R C 30 3、 35.1451.073.473 .49.1500-=+?-=+==== S i i u S i u S i i S uS R R R A U U A U U U U U U A 2.3 放大电路如图P 3.3.1所示,已知三极管80=β、Ω=200'bb r 设各电容对交流的容抗

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