贴片三极管的标记与型号对照表

贴片三极管的标记与型号对照表

标记三极管的型号

AA BCW60A

AB BCW60B

AB 2SA1312

AC 2SA1313

AC BCX51-10

AD BCW60D

AE 2SA1362

AE BCX52

AF BCX52-6

AG BCX70G

AG BCX52-10

AH BCX70H

AJ BCX70J

AK BCX70K

AL BCX52--16 AM BCX53-16

AN BCW60FN

AN 2SC2532

AO BCW60RA

AP BCW60RB

AR BCW60RC

AR1 BSR40

AR2 BSR41

AR3 BSR42

AR4 BSR43

AS BCW60RD

AS1 BST50

AS2 BST51

AS3 BST52

AT1 BST39

AU BCX70RG

AW BCX70RH

AX BCX70RJ

AY BCX70RK

B 2SC2880

BA BCW61A

BB BCW61B

BC BCW61C

BD BCW61D

BE BCX55

BF BCW61FF

BG BCX71G

BH BCX71H

BJ BCX71J

BK BCX71K

BL BCX56-16 BM BCX55-16 BN BCW61FN

BN MMBT3638A BO BCW61RA

BP BCW61RB

BR BCW61RC

BR1 BSR30

BR2 BSR31

BR3 BSR32

BR4 BSR33

BS BCW61RD

BS1 BST60

BS2 BST61

BS3 BST62

BT1 BST15

BT2 BST16

BU BCX71RG

BW BCX71RH

BX BCX71RJ

BY BCX71RK

B2 BSV52

B3 MMBC1621B3 B4 BSV52R

C 2SA1163

CA BCW61RA

CA BCX68

CB BCW61RB

CB BCX68-10 CC BF554

CC BCW61RC

CC 2SC3326

CD BSS81B

CD BCW61RD

CE BSS79B

CE 2SC3325

CE BCX69

CEC BC869

CF BSS79C

CF1 CF910

CF2 CF911

CF3 CF912

CF4 CF913

CF5 CF930

CF6 CF940

CG BSS81C

CG BCX71RG

CG 2SC3246

注意，标号相同，三极管的型号不一定相同，要看图纸

常用三极管的标志对应的型号

型号 标志 封装型号 标志 封装型号 标志 封装型号 标志 封装2PA1576Q FtQ SC-70BC808W 5Ht SOT323BC847BW 1Ft SOT323BC857B 3Fp SOT23 2PA1576R FtR SC-70BC808-16 5Ep SOT23BC847C 1Gp SOT23BC857BS 3Ft SC-88 2PA1576S FtS SC-70BC808-16W 5Et SOT323BC847CT 1G SC-75BC857BT 3F SC-75 2PA1774Q YQ SC-75BC808-25 5Fp SOT23BC847CW 1Gt SOT323BC857BW 3Ft SOT323 2PA1774R YR SC-75BC808-25W 5Ft SOT323BC847W 1Ht SOT323BC857C 3Gp SOT23 2PA1774S YS SC-75BC808-40 5Gp SOT23BC848 1Mp SOT23BC857CT 3G SC-75 2PB1219AQ DtQ SC-70BC808-40W 5Gt SOT323BC848A 1Jp SOT23BC857CW 3Gt SOT323 2PB1219AR DtR SC-70BC817 6Dp SOT23BC848AT 1J SC-75BC857W 3Ht SOT323 2PB1219AS DtS SC-70BC817W 6Dt SOT323BC848AW 1Jt SOT323BC858 3Mp SOT23 2PB709AQ BQ SC-59BC817-16 6Ap SOT23BC848B 1Kp SOT23BC858A 3Jp SOT23 2PB709AR BR SC-59BC817-16W 6At SOT323BC848BT 1K SC-75BC858AT 3J SC-75 2PB709AS BS SC-59BC817-25 6Bp SOT23BC848BW 1Kt SOT323BC858AW 3Jt SOT323 2PB710AQ DQ SC-59BC817-25W 6Bt SOT323BC848C 1Lp SOT23BC858B 3Kp SOT23 2PB710AR DR SC-59BC817-40 6Cp SOT23BC848CT 1L SC-75BC858BT 3K SC-75 2PB710AS DS SC-59BC817-40W 6Ct SOT323BC848CW 1Lt SOT323BC858BW 3Kt SOT323 2PC4081Q ZtQ SC-70BC818 6Hp SOT23BC848W 1Mt SOT323BC858C 3Lp SOT23 2PC4081R ZtR SC-70BC818W 6Ht SOT323BC849 2Dp SOT23BC858CT 3L SC-75 2PC4081S ZtS SC-70BC818-16 6Ep SOT23BC849B 2Bp SOT23BC858CW 3Lt SOT323 2PC4617Q ZQ SC-75BC818-16W 6Et SOT323BC849BW 2Bt SOT323BC858W 3Mt SOT323 2PC4617R ZR SC-75BC818-25 6Fp SOT23BC849C 2Cp SOT23BC859 4Dp SOT23 2PC4617S ZS SC-75BC818-25W 6Ft SOT323BC849CW 2Ct SOT323BC859A 4Ap SOT23 2PD1820AQ AtQ SC-70BC818-40 6Gp SOT23BC849W 2Dt SOT323BC859AW 4At SOT323 2PD1820AR AtR SC-70BC818-40W 6Gt SOT323BC850 2Hp SOT23BC859B 4Bp SOT23 2PD1820AS AtS SC-70BC846 1Dp SOT23BC850B 2Fp SOT23BC859BW 4Bt SOT323 2PD601AQ ZQ SC-59BC846A 1Ap SOT23BC850BW 2Ft SOT323BC859C 4Cp SOT23 2PD601AR ZR SC-59BC846AT 1A SC-75BC850C 2Gp SOT23BC859CW 4Ct SOT323 2PD601AS ZS SC-59BC846AW 1At SOT323BC850CW 2Gt SOT323BC859W 4Dt SOT323 2PD602AQ XQ SC-59BC846B 1Bp SOT23BC850W 2Ht SOT323BC860 4Hp SOT23 2PD602AR XR SC-59BC846BT 1B SC-75BC856 3Dp SOT23BC860A 4Ep SOT23 2PD602AS XS SC-59BC846BW 1Bt SOT323BC856A 3Ap SOT23BC860AW 4Et SOT323 BC807 5Dp SOT23BC846W 1Dt SOT323BC856AT 3A SC-75BC860B 4Fp SOT23 BC807W 5Dt SOT323BC847 1Hp SOT23BC856AW 3At SOT323BC860BW 4Ft SOT323 BC807-16 5Ap SOT23BC847A 1Ep SOT23BC856B 3Bp SOT23BC860C 4Gp SOT23 BC807-16W 5At SOT323BC847AT 1E SC-75BC856BT 3B SC-75BC860CW 4Gt SOT323 BC807-25 5Bp SOT23BC847AW 1Et SOT323BC856BW 3Bt SOT323BC860W 4Ht SOT323 BC807-25W 5Bt SOT323BC847B 1Fp SOT23BC856W 3Dt SOT323BC868 CAC SOT89 BC807-40 5Cp SOT23BC847BPN 13t SC-88BC857 3Hp SOT23BC868-10 CBC SOT89 BC807-40W 5Ct SOT323BC847BS 1Ft SC-88BC857A 3Ep SOT23BC868-16 CCC SOT89 BC808 5Hp SOT23BC847BT 1F SC-75BC857AT 3E SC-75BC868-25 CDC SOT89 BC857AW 3Et SOT323BC869 CEC SOT89 BC869-16 CGC SOT89BCV49 EG SOT89BCX51-10 AC SOT89BF820W 1Vt SOT323 BC869-25 CHC SOT89BCV61 1Mp SOT143B BCX51-16 AD SOT89BF821 1Wp SOT23 BCF29 C7p SOT23BCV61A 1Jp SOT143B BCX52 AE SOT89BF822 1Xp SOT23 BCF30 C8p SOT23BCV61B 1Kp SOT143B BCX52-10 AG SOT89BF822W 1Wt SOT323

贴片三极管上的印字与真实型号对照手册

贴片三极管上的印字与真实名称的对照表 印字器件厂商类型封装器件用途及参数 -28 PDTA114WU Phi N SOT323 pnp dtr -24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k -23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k -20 PDTC114WU Phi N SOT323 npn dtr -6 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906 -4 PMSS3904 Phi N SOT323 2N3904 0 2SC3603 Nec CX SOT173 Npn RF fT 7GHz 1 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 1 2SC3587 Nec CX - npn RF fT10GHz 1 BA277 Phi I SOD523 VHF Tuner band switch diode 2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA 2 MRF5711L Mot X SOT14 3 npn RF MRF571 2 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res 2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain 2 BAT62-02W Sie I SCD80 BAT16 schottky diode 2 2SC3604 Nec CX - npn RF fT8GHz 12dB@2GHz 3 Gali-3 MC AZ SOT89 DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 3 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 BAT60A Sie I SOD323 10V 3A sw schottky 3 BAT62-02W Sie I SCD80 - 4 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF521 4 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17. 5 dBm 4 BB664 Sie I SCD80 Varicap 42-2.5pF 5 SSTPAD5 Sil J - PAD-5 5pA leakage diode 5 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p 5 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA 6 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p 6 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA 9 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA 9 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA

AZG贴片三极管印字

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors KTA1505 TRANSISTOR （PNP ） FEATURES · Excellent h FE linearity: · Complementary to KTC3876 MAXIMUM RATINGS (T a =25 unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in T yp Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA,I E =0 -35 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA,I B =0 -30 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-100μA,I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-35V,I E =0 -0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V,I C =0 -0.1 μA h FE(1) V CE =-1V,I C =-100mA 70 400 DC current gain h FE(2) V CE =-6V,I C =-400mA 25 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-100mA,I B =-10mA -0.25V Base-emitter voltage V BE V CE =-1V,I C =-100mA -1 V Transition frequency f T V CE =-6V,I C =-20mA 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-6V,I E =0,f=1MHz 13 pF CLASSIFICATION OF h FE(1) Rank O Y GR Range 70-140 120-240 200-400 Marking AZO AZY AZG COLLECTOR ℃ A,May,2011 https://www.wendangku.net/doc/bd16546522.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】

贴片三极管封装上的印字,与真实名称的对照表

贴片三极管封装上的印字，与真实名称的对照表 印字器件名厂家类型封装器件用途及参数 T2 HSMS-286C HP D SOT323 dual series HSMS-286B T2 HSMS-2862 HP D SOT23 dual series HSMS-286B t23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k t24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k t2A PMBT3906 Phi N SOT23 2N3906 t2A PMST3906 Phi N SOT323 2N3906 t2B PMBT2907 Phi N SOT23 2N2907 t2D PMBTA92 Phi N SOT23 MPSA92 pnp Vce 300V t2D PMSTA92 Phi N SOT323 MPSA92 pnp Vce 300V t2E PMBTA93 Phi N SOT23 MPSA93 pnp Vce 200V t2E PMSTA93 Phi N SOT323 MPSA93 pnp Vce 200V t2F PMBT2907A Phi N SOT23 2N2907A t2F PMBT2907A Phi N SOT323 2N2907A t2G PMBTA56 Phi N SOT23 MPSA56 t2G PMSTA56 Phi N SOT323 MPSA56 t2H PMBTA55 Phi N SOT23 MPSA55 t2H PMSTA55 Phi N SOT323 MPSA55 t2L PMBT5401 Phi N SOT23 2N5401 pnp 150V t2L PMST5401 Phi N SOT323 2N5401 pnp 150V T2p BCX18 Phi N SOT23 BC328 t2T PMBT4403 Phi N SOT23 2N4403 t2T PMST4403 Phi N SOT323 2N4403 T2t BCX18 Phi N SOT23 BC328 t2U PMBTA63 Phi N SOT23 MPSA63 darlington t2V PMBTA* Phi H SOT23 MPSA* darlington t2X PMBT4401 Phi N SOT23 2N4401 t2X PMST4401 Phi N SOT323 2N4401 T3 BSS63 Phi N SOT23 BSS68 T3 HSMS-286E HP A SOT323 ca dual HSMS-286B T3 HSMS-2863 HP A SOT23 ca dual HSMS-286B t31 PDTA143XT Phi N SOT23 pnp dtr4k7+10k t32 PDTC143XT Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+10ks T32 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT @3V hfe 60-105 T33 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT @3V hfe 85-150 T34 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT @3V hfe 120-220 T4 BCX17R Phi R SOT23R BC327 T4 HSMS-286F HP B SOT323 cc dual HSMS-286B T4 HSMS-28* HP B SOT23 cc dual HSMS-286B T4 MBD330DW Mot DL SOT363 dual UHF schottky diode T42 2SC3545P Nec N - npn RF fT 2GHz hfe 50-100

印字16贴片三极管

A,Jun,2012 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT1616 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Audio frequency power amplifier z Medium speed switching MARKING:16· MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =10μA, I E =0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =2mA, I B =0 50 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =10μA, I C =0 6 V Collector cut-off current I CBO V CB = 60V, I E =0 100 nA Emitter cut-off current I EBO V EB =6V, I C =0 100 nA h FE(1) V CE =2V, I C =100mA 135 600 DC current gain h FE(2) V CE =2V, I C =1A 81 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =1A, I B =50mA 0.3 V Collector-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =1A, I B =50mA 1.2 V Base-emitter voltage V BE V CE =2V, I C =50mA 0.6 0.7 V Transition frequency f T V CE =2V,I C =100mA, f=100MHz 100 MHz Collector output capacitance C ob V CB =10V, I E =0, f=1MHz 19 pF CLASSIFICATION OF h FE(1) RANK Y G L RANGE 135~270 200~400 300~600 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 60 V V CEO Collector-Emitter Voltage 50 V V EBO Emitter-Base Voltage 6 V I C Collector Current 1 A P C Collector Power Dissipation 750 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 167 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150℃ https://www.wendangku.net/doc/bd16546522.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】

常用三极管型号及参数

常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应

二,三极管,IC印字对型号

贴片3个脚 C001 A06 M073 QFN-6封装 IC表面编码 CCQ 09K E7E0 AR982 SOT-143 61HL SOT-143 B83 4脚 10A10 22A15 F5H3 F5HE 222 SOT-23 MARK为ECIG,封装为SOT-23 BU1H SOT-323 39BBAE AO 4MQU，封装为SOT-23的IC B8SN7 SOT-23封装, 丝印:B8TX4 SOT-23封装, 丝印:W2H SOT-23封装, 丝印:ZTW SOT-23封装, 丝印:L231 SOT-23封装 ,丝印:EA2 SOT-23封装, 丝印:8F SOT-23封装 M762 SCD7 BE30C N611 10 8Z FJKB1 FJJK5 TFT 3H0015 BA7 sot-23封装的，上标是X1YV与他垂直是10，标有A1FV与他垂直是16的是什么管子 贴片二极管上写着ZE20J 贴片二极管CCD MZ 贴片二极管第一行03A 第2行F6 5D 贴片二极管ACX K7JA SOT-23

C251A 5V的稳压芯片，贴片封装,印字为8C032 NC SN 36W D.P S3 J7 P03B XP D:P 62Z A7 S3 KW 8C032 J7 27EI WC AFPL AFPL E601 E605 28C26 XB LY AP 2 ABNJ KS5R SOT23封装的丝印28G2G BAs87 BAs88 BAs89 W3W 贴片二极管封装是1206的丝印是T72是什么型号SOT－23的上面标有OOOI 贴片二极管标有16LE4 00BC，封装SOT-23 丝印Txw3F，这个x看不清，像0也像U，用x代替了与二极管上面写着D写或5.5 SOT-89的，上面丝印为：BD S2L 和 DD S3F 2314 贴片三极管印字76ee,8626 贴片三极管标HG18

全系列常用三极管型号参数资料(精)

全系列常用三极管型号参数资料 编者按：这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013

BV4贴片三极管印字

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2SB624 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z High DC current gain. h FE :200 TYP .(V CE =-1V,I C =-100mA) z Complimentary to 2SD596. MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -30 V V CEO Collector-Emitter Voltage -25 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -Continuous -700 mA P D Total Device Dissipation 200 mW T J Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25 unless otherwise specified ) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA,I E =0 -30 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C = -1mA, I B =0 -25 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E = -100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-30 V ,I E =0 -0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB = -5V , I C =0 -0.1 μA h FE(1)* V CE = -1V,I C = -100mA 110 400 DC current gain h FE(2)* V CE =-1V,I C = -700mA 50 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) * I C =-700 mA, I B = -70mA -0.6 V Base-emitter voltage V BE * V CE =-6V, I C =-10mA -0.6 -0.7 V Transition frequency f T V CE = -6V,I C = -10mA 160 MHz Collector Output Capacitance C ob V CB =-6V,I E =0,f=1MH Z 17 pF * Pulse test : Pulse width ≤350μs,Duty Cycle ≤2%. CLASSIFICATION OF h FE (1) Marking BV1 BV2 BV3 BV4 BV5 Range 110-180 135-220 170-270 200-320 250-400 ℃ A,May,2011

常用贴片三极管与直插三极管型号对应

1．直插贴片型号对应 直插封装的型号贴片的型号9011 1t 9012 2t 9013 j3 9014 j6 9015 m6 9016 y6 9018 j8 s8050 j3y s8550 2ty 8050 y1 8550 y2 2sa1015 ba 2sc1815 hf 2sc945 cr mmbt3904 1am mmbt3906 2a mmbt2222 1p mmbt5401 2l mmbt5551 g1 mmbta42 1d mmbta92 2d bc807-16 5a bc807-25 5b bc807-40 5c bc817-16 6a bc817-25 6b bc817-40 6c bc846a 1a bc846b 1b bc847a 1e bc847b 1f bc847c 1g bc848a 1j bc848b 1k bc848c 1l bc856a 3a bc856b 3b bc857a 3e bc857b 3f bc858a 3j

bc858b 3k bc858c 3l 2sa733 cs un2111 v1 un2112 v2 un2113 v3 un2211 v4 un2212 v5 un2213 v6 2sc3356 r23 2sc3838 ad 2n7002 702 2．直插贴片及极性、频率 直插封装的型号贴片的型号极性Ft VCEO Ic hfe 配对型号9011 1T NPN 150MHz 18V 100mA 28~132 9012 2T PNP 150MHz 25V 500mA 64~144 9013 9013 J3 NPN 9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60~400 9015 9015 M6 PNP 9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28~97 9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28~72 S8050 J3Y NPN 100MHz 25V 1.5A 45~300 S8550 S8550 2TY PNP 8050 Y1 NPN 100MHz 25V 1A 85~300 8550 8550 Y2 PNP 2SA1015 BA PNP 2SC1815 HF NPN 80MHz 50V 150mA 70~700 1015 2SC945 CR NPN 250MHz 50V 100mA 200~600 2SA733 CS MMBT3904 1AM NPN 300MHz 60V 100mA 300@10mA 3906 MMBT3906 2A PNP MMBT2222 1P NPN 250MHz 60V 600mA 100@150mA MMBT5401 2L PNP 100MHz 150V 500mA 40~200 5551 MMBT5551 G1 NPN MMBTA42 1D NPN 50MHz 300V 100mA 40@10mA MMBTA92 2D PNP BC807-16 5A PNP BC807-25 5B PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-25 BC807-40 5C PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-40 BC817-16 6A NPN BC817-25 6B NPN

常用二三极管丝印代码型对照表

贴片三极管型号查询 直插封装的型号贴片的型号9011 1T 9012 2T 9013 J3 9014 J6 9015 M6 9016 Y6 9018 J8 S8050 J3Y S8550 2TY 8050 Y1 8550 Y2 2SA1015 BA 2SC1815 HF 2SC945 CR MMBT3904 1AM MMBT3906 2A MMBT2222 1P MMBT5401 2L MMBT5551 G1 MMBTA42 1D MMBTA92 2D BC807-16 5A BC807-25 5B BC807-40 5C BC817-16 6A BC817-25 6B BC817-40 6C BC846A 1A BC846B 1B

BC847A 1E BC847B 1F BC847C 1G BC848A 1J BC848B 1K BC848C 1L BC856A 3A BC856B 3B BC857A 3E BC857B 3F BC858A 3J BC858B 3K BC858C 3L 2SA733 CS UN2111 V1 UN2112 V2 UN2113 V3 UN2211 V4 UN2212 V5 UN2213 V6 2SC3356 R23 2SC3838 AD 2N7002702 电源保护IC常销系列: MAX323EPE,MAX708,MAX485,MAX487,MAX488,MAX202CSE,MAX202CPE,MAX1487CPA,MAX1482CS D,MAX1232CSA,MAX809,MAX811,DS1302,DS1307,DS1232,SS8205G,SD8205S,FDS9926A,SD943 5,SD4953,SD4410.... 钽电容常销系列:

三极管型号及参数大全

这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 S9013是NPN型三极管，放大倍数分为六级，在三极管上有标识： D级：64-91 E级：78-112 F级：96-135 G级：112-166 H级：144-220 I级：190-300 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D63328NPN音频功放开关100V7A40W达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V0. 5A0. 625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150HM Z9015 9015 21 PNP 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150MHZ 9014 901821NPN高频放大30V0.05A0.4W1000MHZ 805021NPN高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 855021PNP高频放大40V1.5A1W100MHZ8050 2N222221NPN通用60V0.8A0.5W25／200NS 2N23694ANPN开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N29074ANPN通用60V0.6A0.4W26／70NS 2N305512NPN功率放大100V15A115WMJ2955 2N34406NPN视放开关450V1A1W15MHZ2N6609 2N377312NPN音频功放开关160V16A50W 2N390421ENPN通用60V0.2A 2N290621CPNP通用40V0.2A 2N2222A21铁NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N671821铁NPN音频功放开关100V2A2W 2N540121PNP视频放大160V0.8050三极管引脚图6A0.625W100MHZ2N5551 2N555121NPN视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5401 2N568512NPN音频功放开关60V50A300W 2N627712NPN功放开关180V50A250W 901221PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 2N667812NPN音频功放开关650V15A175W15MHZ 9012贴片PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 3DA87A6NPN视频放大100V0.1A1W 3DG6B6NPN通用20V0.02A0.1W150MHZ 3DG6C6NPN通用25V0.02A0.1W250MHZ 3DG6D6NPN通用30V0.02A0.1W150MHZ MPSA4221ENPN电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 MPSA9221EPNP电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA42 MPS2222A21NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下: