三极管测试方法
三极管测试方法
若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。
①根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电
极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”；
②被测管的C.B.E按规定进行连接；
③将Y电流/度置于IC合适档级，X电压/度置于UC合适档级；
④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；
⑤集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合；
⑥选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；
⑦选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要进行选择；
⑧观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；
⑨其发射极IB-IC特性：
⑩根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；
11被测管的CBE按规定进行连接；
12将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“”的档级；
13测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节）；
14将Y。Y方式开关““调节零点位置；
15选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；
16对所显示的IB-IC曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算HFE值：
HFE=IC/IB IC=示波管刻度×档次读数IB=幅度/级×级数⑵、①反压特性测试及二极管特性测试：本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：
VCBO集电极基极间电压（发射极开路）VEBO发射极与基极间电压（集电极开路）VCEO 集电极与发射间电压（基极开路）VCER集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）VCES集电极与发射间电压（基极与发射极短）接C 接E 悬空b c e 接E 悬空b c e 接C 接E 悬空b c e 接C 接c 接E 接E b c e 接E 接E b c e 接c
①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位
置时，集电极电压为（=）极性；②被测管的CBE接上表的连接方法进行连接；③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA度档级）；④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；⑤将功耗限制电阻置于较大档级（一般置于10KΩ-100KΩ之间）；⑥选择测试A、B的位置；⑦选择合适的电压档级，峰值电压调为零，当测试时再按顺时针方向徐徐加大输出电压；
⑧对所显示的VDS-ID曲线波形进行读数或记录、观察；⑨如需要显示VGS-ID曲线可将X电压/度置于“”档级。⑷、可控硅特性测试：可控硅的测②试可根据需要对正向阻断峰值电压（PEV），正向漏电流（IPF），反向阻断峰值电压（PRV）反向漏电流（IR），控制极可触发电压（VGT），控制极可触发电流（IGE）正向电压降（VF）条参数进行测试。①将测试选择开关置于NPN，并将“”开关置于“常态”；②被测管的A接C、G接B、C接E；③将Y电流/度开关置于IC范围内的合适档级（实际为IF值）；X电压/度开关置于UD合格档级（实际上UA值）；
④测试A 与B搬向被测管的一边；⑤选择合适的功耗限制电阻（要求>0Ω），以免电流过大而使被测管烤坏；⑥按照V AC的要求值调节集电极峰值电压值，使显示值与右下方的零刻度重合；⑦选择合适的阶梯幅度/级开关置于电压/级的较小档级，再逐渐加大至达到可触发点；⑧对显示的V A-IF曲线（波形）进行观察、读取及记录；⑨如需要显示IGT-VGT曲线可将X电压/度置于VBE档级，Y电流/度置于“”档级。以下例举各种正常与非正常曲线（波形）以你供参考：
三极管的识别检测教学方案计划设计
《三极管的识别和检测》 教 学 设 计
江苏省靖江中等专业学校 教学设计思想 对于高职院校五年制大专电子专业的学生来讲，《电子产品的装配与调试》是一门理论与实践紧密结合的课程。这门功课是学生通向就业之路的大门，也是电子类学生必须掌握的一门专业技能课。 《电子产品的装配与调试》在专业学习中占据了比较重要的地位，但是它也是很多学生学习的难点。传统的授课方式无法满足学生的学习需要，实践性强是这门功课最显著的特点，因此，如何改变传统教学模式，围绕教、学、做为一体，项目式、一体化教学一直是我们探索和实践的方向。下面我通过三极管的识别和检测这一教学章节的具体教学实践，具体阐述我的教学思想和方案。 教学思想：采用项目引领，任务驱动的模式，通过任务驱动和教师引导让学生自主学习动手参与。 一、以“情境聚焦”激发学习兴趣 学生的学习兴趣是学生学习的动力，也是学好一门功课的基础。对于一门比较枯燥的专业课来讲，如何激发学生的学习兴趣至关重要。在设计这节课的教学环节时，所
有任务的提出都采用“情境聚焦”的方式，例如：由音乐门铃引出三极管，由实物、图片引出认识三极管。通过我们日常生活中常见的现象引出课题，同时在授课过程中多采用多媒体教学手段，以播放视频、动画等方式让学生集中注意力，这样就可以把学生的学习兴趣激发出来，让他们带着热情去了解枯燥的知识点。 二、以“项目总结”梳理学习要点 这节课的教学过程总共提出了三个学习任务及拓展任务，在每个教学环节结束，我都会根据学生看一看、听一听和做一做等学习步骤得出的结论进一步进行总结和归纳，形成学习要点。学生要做的就是掌握这些知识点并把这些知识点应用到具体的实践操作中去。 三、以“思考实践”巩固学习效果 做中学，教中做，教、做、学一体式本堂课的主要教学特点。课堂中，老师把大量的教学内容用提问的方式给出，引发学生思考，引导他们自己寻求答案，而老师只需要把他们的答案进行系统的总结归纳。学习效果的巩固则依靠操作过程来完成，真正使学生做到融学于做。 教学方案
三极管的判断方法
三极管的判断方法一，三极管类型
1. 先判定基极b(一般中间的就是)：先假定一个管脚是b，把 红表笔接这个b，用黑表笔分别接触另两个管脚，测得或者都是高阻值时，说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极，所以 当测得都是低阻值时，b是N型材料， 两端是P型材料，就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时，b是P型材料， 两端是N型材料，就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b，但另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c 极，红表笔接假设的e极，万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce；之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一
次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致，所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e，红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量：先转动开关至晶体管调节 Adj位置上，将红黑测试笔短接，调节欧姆调零电位器，使指针对准300hFE刻度线上，然后转动开关到hFE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内，指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座，P型插入P型插座。 5.
Proteus在模拟电路中仿真应用
Proteus在模拟电路中仿真应用Proteus在很多人接触都是因为她可以对单片机进行仿真，其实她在模拟电路方面仿真能力也很强大。下面对几个模块方面的典型带那路进行阐述。 第1部分模拟信号运算电路仿真 1.0 运放初体验 运算，顾名思义，正是数学上常见的加减乘除以及积分微分等，这里的运算电路，也就是用电路来实现这些运算的功能。而运算的核心就是输入和输出之间的关系，而这些关系具体在模拟电路当中都是通过运算放大器实现的。运算放大器的符号如图1所示。 同相输入端， 输出信号不反相 反相输入端， 输出信号反相 输入端 图1 运算放大器符号 运算器都工作在线性区，故进行计算离不开工作在线性区的“虚短”和“虚断”这两个基本特点。与之对应的，在Proteus中常常用到的放大器有如图2几种。 3 2 1 4 1 1 U1:A TL074 3 2 6 7 415 U5 TL071 3 2 6 7 415 U6 741图2 Proteus中几种常见放大器 上面几种都是有源放大器件，我们还经常用到理想无源器件，如图4所示，它的位置在“Category”—“Operational Amplifiers”—“OPAMP”。
图4 理想无源放大器件的位置 1.1 比例运算电路与加法器 这种运算电路是最基本的，其他电路都可以由它进行演变。 （1）反相比例运算电路，顾名思义，信号从反相输入端进入，如图5所示。 RF 10K R1 2K Volts -5.00 R1(1) 图5 反相比例运算电路 由“虚断”“虚短”可知：f o i 1 *R u u R =- 我们仿真的值：11(1)1 ,2,10i f U R V R K R K ====，
如何检测三极管的三个极
如何检测三极管的三个极 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型), 并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧 至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被 测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为 内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。 三极管的管型及管脚的判别 为了迅速掌握测判方法，结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面进行解释。 一、三颠倒，找基极 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管； 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位，红表笔正，黑表笔负。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的
半导体二极管三极管来料检验规程
半导体二极管三极管来 料检验规程 集团标准化工作小组 [Q8QX9QT-X8QQB8Q8-NQ8QJ8-M8QMN]
电子元器件来料检验规程（一） 半导体晶体管部分 1内容 本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。2范围 本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验和验收。 3引用标准 计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB2421 电工电子产品基本环境试验规程总则 电工电子产品基本环境试验规程试验Cb：恒定湿热试验方法 GB2421 电工电子产品基本环境试验规程试验N：温度变化试验方法 电工电子产品应用环境条件贮存 4检验测试设备和测试方法 测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等） 测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置 数字万用表、不锈钢镊子等应手工具 晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。 人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。 测试准备： 晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。 每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。 绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT 主要测试参数： IGBT的特性曲线 IGBT的饱和压降V CES IGBT的栅极阈值电压V GE（th） IGBT的击穿电压V CER 测试方法： 现将上述特性参数的测试方法分述如下。 测IGBT的输出特性曲线
三极管的检测及其管脚的判别
三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极（B极）。
图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知，对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，看图3。对于PNP管，当黑表笔（连表内电池负极）在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0.5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数（一般为1）。对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。
图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)
图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了，甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性，我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上，BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母。读数，再把它的另二脚反转，再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E 极。学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速。 图5万用表上的hFE档
模拟电子线路multisim仿真实验报告
MULTISIM 仿真实验报告
实验一单级放大电路 一、实验目的 1、熟悉multisim软件的使用方法 2、掌握放大器的静态工作点的仿真方法，及对放大器性能的影响。 3、学习放大器静态工作点、电压放大倍数，输入电阻、输出电阻的仿真方法，了解共 射级电路的特性。 二、虚拟实验仪器及器材 双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表 三、实验步骤 1.仿真电路图 V1 10mVrms 1kHz 0° R1 100kΩ Key=A 10 % R2 51kΩ R3 20kΩ R4 5.1kΩ Q1 2N2222A R5 100Ω R6 1.8kΩ C1 10μF C2 10μF C3 47μF 3 7 V2 12 V 4 5 2 1 R7 5.1kΩ 9 XMM1 6 E级对地电压25.静态数据仿真
仿真数据（对地数据）单位；V计算数据单位；V 基级集电极发射级Vbe Vce RP 2.834 6.126 2.2040.63 3.92210k 26.动态仿真一 1.单击仪表工具栏的第四个，放置如图，并连接电路。 V1 10mVrms 1kHz 0° R1 100kΩ Key=A 10 % R2 51kΩ R3 20kΩ R4 5.1kΩ Q1 2N2222A R5 100Ω R6 1.8kΩ C1 10μF C2 10μF C3 47μF 3 7 V2 12 V 4 5 2 R7 5.1kΩ XSC1 A B Ext Trig + + _ _+_ 6 1 9
2.双击示波器，得到如下波形 5.他们的相位相差180度。 27.动态仿真二 1.删除负载电阻R6 V1 10mVrms 1kHz 0° R1 100kΩ Key=A 10 % R2 51kΩ R3 20kΩ R4 5.1kΩ Q1 2N2222A R5 100Ω R6 1.8kΩ C1 10μF C2 10μF C3 47μF 3 7 V2 12 V 4 5 2 XSC1 A B Ext Trig + + _ _+_ 6 1 9 2.重启仿真。
三极管的识别与检测方法(2)
三极管的识别与检测方法（2） 课型：理论+实践 教学目标 1、熟悉三极管外形，图形符号和文字符号； 2、了解三极管的种类与特点； 3、了解三极管的特性与参数； 4、掌握常用三极管的命名方法； 教学重点与难点 1、掌握三极管的外形，图形符号和文字符号； 2、了解三极管的种类与特点； 教学方法 讲授法、演示法 教学安排：2课时 教学过程 一、项目实施 任务一：普通三极管的识别与检测 工作任务： 1.识别不同类别的三极管 2.测量三极管 工作步骤： 1.识别各种三极管(按功率) （1）普通小功率三极管 普通小功率三极管通常采用TO-92封装，如图所示为9013三极管，其引脚顺序为E、B、C（引脚向下，面向元件型号）。 （2）中功率三极管 图所示为NPN型中功率三极管TIP41，其引脚顺序为B、C、E（引脚向下，面向元件型号），中功率三极管通常采用TO-220封装。 （3）金属外壳三极管 如图所示为开关三极管2N2222A，该三极管为NPN型三极管，采用金属外壳封装TO-18或TO-39，其引脚顺序如图所示，引脚向下，从凸起位置依次为E、B、C。
（4）大功率金属外壳三极管 图为大功率金属外壳三极管，其封装形式通常为TO-3,其外壳通常为集电极（C），另外两个引脚分别为基极（B）和发射极（E）。 （5）贴片三极管 图为贴片三极管8550,8550为小功率PNP三极管,其贴片型号为2TY，引脚顺序如图所示。 2、识别各种三极管（按引脚的现状） （1）色点标志 （2）凸形标记 （3）三角排列 （4）三脚等距平面性 （5）带散热片的三极管 3.用指针式万用表测量三极管 步骤一：判断三极管的基极(B) 用万用表R×1K档或R×100档依次测量三极管各极之间的正反向阻值，并将测得阻值填入表中。然后分析表中测得数据，观察哪一个引脚与其他两个引脚之间的测得的阻值均较小，如果符合这一条件，则这个引脚就是三极管的基极（B）。 步骤二：判断三极管的管型(PNP还是NPN) 将万用表置于R×1K档或R×100档，将万用表的黑表笔接三极管的基极，红表笔在其他极，如果阻值均较小，则表明这是一个NPN型三极管。如果是高阻值，改用红表笔接三极管的基极，黑表笔在其他引脚，若阻值均较小，则表明这是一个PNP型三极管。 步骤三：辨别三极管的集电极(C)和发射极（E） 方法一：将万用表置于R×1K档或R×100档，用“鳄鱼夹”夹持管脚，或用两手分别捏住表笔和管脚，然后用舌尖舔基极，利用人体电阻作为基极偏流电阻，也可进行测量。指针偏转较大的那一次，黑表笔所接为集电极（NPN管），红表笔所接为发射极。PNP管正好相反。 方法二：将万用表置于HFE档，将三极管管按假定的E、C插入万用表的“三极管测量
模拟电子技术课程设计(Multisim仿真).
《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日
目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真（积分电路） (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真（三角波与方波发生器） (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)
一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题，解决问题的能力，提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后，学生应该达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。
模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定
模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定 三极管饱和问题总结： 1.在实际中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 2.集电极电阻越大越容易饱和； 3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制 问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。 对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表： 问题：如何判断饱和？
判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。 饱和的条件： 1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c 电压高的情况。 影响饱和的因素：1.集电极电阻越大越容易饱和；2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小； 饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地） 谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R，则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。 另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。 注意：饱和时Vb>Vc，但Vb>Vc不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数，有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数。例如：有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和，Ic/Ib<1应该属于深饱和了。 从晶体管特性曲线看饱和问题：我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。 以某晶体管的输出特性曲线为例。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。 如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：Ic = (V-Vce)/R 在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R（也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”）。这条斜线称为“静态负载线”（以下简称负载线）。各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见下图：
模拟电子电路multisim仿真(很全 很好)
仿真 1.1.1 共射极基本放大电路 按图7.1-1搭建共射极基本放大电路，选择电路菜单电路图选项（Circuit/Schematic Option ）中的显示/隐藏(Show/Hide)按钮，设置并显示元件的标号与数值等 。 １. 静态工作点分析 选择分析菜单中的直流工作点分析选项（Analysis/DC Operating Point）（当然，也可以使用仪器库中的数字多用表直接测量）分析结果表明晶体管Ｑ１工作在放大状态。 ２. 动态分析 用仪器库的函数发生器为电路提供正弦输入信号Vi(幅值为5mV,频率为10kH)，用示波器观察到输入，输出波形。由波形图可观察到电路的输入，输出电压信号反相位关系。再一种直接测量电压放大倍数的简便方法是用仪器库中的数字多用表直接测得。 ３. 参数扫描分析 在图７.１－１所示的共射极基本放大电路中，偏置电阻Ｒ１的阻值大小直接决定了静态电流ＩＣ的大小，保持输入信号不变，改变Ｒ１的阻值，可以观察到输出电压波形的失
真情况。选择分析菜单中的参数扫描选项（Analysis/Parameter Sweep Analysis），在参数扫描设置对话框中将扫描元件设为Ｒ１，参数为电阻，扫描起始值为１００Ｋ，终值为９００Ｋ，扫描方式为线性，步长增量为４００Ｋ，输出节点５，扫描用于暂态分析。 ４. 频率响应分析 选择分析菜单中的交流频率分析项（Analysis/AC Frequency Analysis）在交流频率分析参数设置对话框中设定：扫描起始频率为１Hz，终止频率为１GHz，扫描形式为十进制，纵向刻度为线性，节点５做输出节点。 由图分析可得：当共射极基本放大电路输入信号电压ＶＩ为幅值５mV的变频电压时，电路输出中频电压幅值约为０.５Ｖ，中频电压放大倍数约为－１００倍，下限频率（Ｘ１）为１４.２２Hz，上限频率（Ｘ２）为２５.１２MHz，放大器的通频带约为２５.１２MHz。 由理论分析可得，上述共射极基本放大电路的输入电阻由晶体管的输入电阻rbe限定，输出电阻由集电极电阻Ｒ３限定。 1.１.２共集电极基本放大电路（射极输出器） 图７.１－７为一共集电极基本放大电路，用仪器库的函数发生器为电路提供正弦输入信号ＶＩ（幅值为１Ｖ，频率为10 kHz）采用与共射极基本放大电路相同的分析方法获得电路的静态工作点分析结果。用示波器测得电路的输出，输入电压波形，选用交流频率分析项分析出电路的频率响应曲线及相关参数。
实验二二极管和三极管的识别与检测实验报告
实验二 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 （1）鉴别正负极性 万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源，r 为等效内阻，I 为被测回路中的实际电流。由图可见，黑表笔接表内电源的正端，红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档，并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示，即红表笔接二极管的负极，而黑表笔接二极管的正极，则二极管处于正向偏置状态，因而呈现出低电阻，此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之，若将红表笔接二极管的正极，而黑表笔接二极管的负极，则二极管被反向偏置，此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 （2）测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，可测得二极管的正向电阻，此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小，则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大，表明管子已断路；反之，二者都为零，表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 （1）判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间，分别是两个PN 结，而PN 结的反向电阻值很大，正向电阻值很小，因此，可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极，然后将红表笔先后接其余两个极，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的为NPN 型管子基极，如图所示，若测得电阻都很大，则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小，则黑表笔所接的电极不是三极管的基极，应另接一个电极重新测量，以便确定管子的基极。
模拟电子电路仿真
模拟电子电路仿真 1.1 晶体管基本放大电路 共射极，共集电极和共基极三种组态的基本放大电路是模拟电子技术的基础，通过EWB 对其进行仿真分析，进一步熟悉三种电路在静态工作点，电压放大倍数，频率特性以及输入，输出电阻等方面各自的不同特点。 1.1.1 共射极基本放大电路 按图7.1-1搭建共射极基本放大电路，选择电路菜单电路图选项（Circuit/Schematic Option ）中的显示/隐藏(Show/Hide)按钮，设置并显示元件的标号与数值等 。 １.静态工作点分析 选择分析菜单中的直流工作点分析选项（Analysis/DC Operating Point）（当然，也可以使用仪器库中的数字多用表直接测量）分析结果表明晶体管Ｑ１工作在放大状态。 ２.动态分析 用仪器库的函数发生器为电路提供正弦输入信号Vi(幅值为5mV,频率为10kH)，用示波器观察到输入，输出波形。由波形图可观察到电路的输入，输出电压信号反相位关系。再一种直接测量电压放大倍数的简便方法是用仪器库中的数字多用表直接测得。 ３.参数扫描分析 在图７.１－１所示的共射极基本放大电路中，偏置电阻Ｒ１的阻值大小直接决定了静态电流ＩＣ的大小，保持输入信号不变，改变Ｒ１的阻值，可以观察到输出电压波形的失真情况。选择分析菜单中的参数扫描选项（Analysis/Parameter Sweep Analysis），在参数扫描设置对话框中将扫描元件设为Ｒ１，参数为电阻，扫描起始值为１００Ｋ，终值为９００Ｋ，扫描方式为线性，步长增量为４００Ｋ，输出节点５，扫描用于暂态分析。 ４.频率响应分析 选择分析菜单中的交流频率分析项（Analysis/AC Frequency Analysis）在交流频率分析参数设置对话框中设定：扫描起始频率为１Hz，终止频率为１GHz，扫描形式为十进制，纵向刻度为线性，节点５做输出节点。 由图分析可得：当共射极基本放大电路输入信号电压ＶＩ为幅值５mV的变频电压时，
如何快速确定三极管的工作状态三极管的三种工作状态分析判断
如何快速确定三极管的工作状态三极管的三种工作状态分析判断有放大、饱和、截止三种工作状态，放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态，对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现，只要深刻理解三极管三种工作状态的特点，分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多，下面结合例题来进行分析。 一、三种工作状态的特点 1.三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC，所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V)，而UCES=0.3V，可见，UBE>0，UBC>0，也就是说，发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后，C、E 间的饱和电阻RCE=UCES/ICS，UCES 很小，ICS 最大，故饱和电阻RCES很小。所以说三极管饱和后G、E 间视为短路，饱和状态的NPN 型三极管等效电路如图1a 所示。 2.三极管截止状态下的特点要使三极管处于截止状态，必须基极电流IB=0，此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO 为穿透电流，极小)，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC，集电极与发射极间的电压UCE≈EC。 三极管截止时，基极电流IB=0，而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见，UBE≤0，UBC1V 以上，UBE>0，UBC 二、确定电路中三极管的工作状态 下面利用三极管三种工作状态的特点和等效电路来分析实际电路中三极管的工作状态。 例题：图2 所示放大电路中，已知EC=12V，β=50，Ri=1kΩ，Rb=220kΩ，Rc=2kΩ，其中Ri 为输入耦合电容在该位置的等效阻抗。问：1.当输入信号最大值为+730mV，最小值为-730mV 时，能否经该电路顺利放大?2.当β=150 时，该电路能否起到正常放大作用?
晶体管的检测方法
晶体管的检测方法 1、检测小功率晶体二极管 A、判别正、负电极 (a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。 (b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。 C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2、检测玻封硅高速开关二极管 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。 3、检测快恢复、超快恢复二极管 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。 4、检测双向触发二极管 A、将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。 5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测 A、用万用表R×1k挡测量管子的好坏 对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，
三极管的检测方法
三极管的检测方法 1、中、小功率三极管的检测 A、已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏 (a)、测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下： 万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡，对于PNP管，黑表管接e 极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。 (c)、测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用
表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。 另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。 B、检测判别电极 (a)、判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管。 (b)、判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 C、判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。 D、在路电压检测判断法
三极管工作状态 有图
NPN：放大，集电结反偏，发射结正偏； 截止，集电结反偏，发射结反偏； 饱和，集电结正偏，发射结正偏； PNP：放大，集电结正偏，发射结反偏； 截止，集电结正偏，发射结正偏； 饱和，集电结反偏，发射结反偏； 这是我脑子里的东西，你自己看一下是不是相反吧 简单的办法就是判断他们的电位变化的情况。以下以NPN硅管为例，PNP管正好相反。（1）截止，Ube<0.7V，也就是发射结反偏，Ube<0的时候是可靠截止。（2）放大，Ube>0.7V，Uce>Ube，Ubc<0，也就是发射结正偏，集电结反偏。（3）饱和，Ube>0.7V，Uce
三极管的识别与检测方法
极管的识别与检测方法（2） 课型：理论 +实践 教学目标 1 、 熟悉三极管外形，图形符号和文字符号； 2、 了解三极管的种类与特点； 3、 了解三极管的特性与参数； 4 、 掌握常用三极管的命名方法； 教学重点与难点 1、 掌握三极管的外形，图形符号和文字符号 2、 了解三极管的种类与特点； 教学方法 讲授法、 演示法 教学安排 ： 2 课时 教学过程 一、项目实施 任务一：普通三极管的识别与检测 工作任务： 1. 识别不同类别的三极管 2. 测量三极管 工作步骤： 1. 识别各种三极管 （按功率 ） （1）普通小功率三极管 普通小功率三极管通常采用 TO-92封装，如图所示为 9013三极管，其引脚顺序为 E 、B 、 下，面向元件型号） 。 （2）中功率三极管 图所示为NPN 型中功率三极管 TIP41,其引脚顺序为 B 、C 、E （引脚向下，面向元件型号） 三极管通 常采用 TO-220 封装。 （ 3）金属外壳三极管 如图所示为开关三极管 2N2222A ,该三极管为NPN 型三极管，采用金属外壳封装 T0-18或TO-39, 其引脚顺序如图所示，引脚向下，从凸起位置依次为 E 、B 、C 。 （ 4） 大功率金属外壳三极管 C （引脚向 ，中功率
图为大功率金属外壳三极管，其封装形式通常为T0-3其外壳通常为集电极（C）,另外两个引脚分别 为基极（B）和发射极（巳。 （5）贴片三极管 图为贴片三极管8550,8550为小功率PNP三极管,其贴片型号为2TY，弓I脚顺序如图所示。 识别各种三极管（按引脚的现状） 2 、 1) 色点标志 2) 凸形标记 3) 三角排列 4) 三脚等距平面性 5) 带散热片的三极管 3.用指针式万用表测量三极管步骤一：判断三极管的基极（B） 用万用表R X 1K档或R X 100档依次测量三极管各极之间的正反向阻值，并将测得阻值填入表中。然后分析表中测得数据，观察哪一个引脚与其他两个引脚之间的测得的阻值均较小，如果符合这一条件，则这个引脚就是三极管的基极（B）。 步骤二：判断三极管的管型（PNP还是NPN） 将万用表置于RX 1K当或R X 100档，将万用表的黑表笔接三极管的基极，红表笔在其他极，如果阻值均较小，则表明这是一个NPN 型三极管。如果是高阻值，改用红表笔接三极管的基极，黑表笔在其他引脚，若阻值均较小，则表明这是一个PNP型三极管。 步骤三：辨别三极管的集电极（C）和发射极（日 方法一：将万用表置于R X 1档或R X 100当，用“鳄鱼夹”夹持管脚，或用两手分别捏住表笔和管脚，然后用舌尖舔基极，利用人体电阻作为基极偏流电阻，也可进行测量。指针偏转较大的那一次，黑表笔所接为集电极（NPN管），红表笔所接为发射极。PNP管正好相反。
模拟电子秤仿真实验报告
阿坝师范高等专科学校电子信息工程系课程设计模拟电子秤仿真设计 学生姓名樊益明 专业名称计算机控制技术 班级计控班 学号20113079 阿坝师范高等专科学校电子信息工程系 二○一三年四月
模拟电子秤设计报告 一、设计原理及要求 设计原理： 电子秤系统设计框图大致如图 1 所示： 四个定值电阻加一 个电位器，模拟应 变式传感器，采 集微小的电压信号 利用差分放大电 路，对采集到的微小 电压放大到0~~5V 51单片机：处理和控制单元，整个模拟 仿真的灵魂原件。1、将ADC0832 转化来 的数据处理后存放在重量（Wight ）并用 LCD 显示；2、将键盘输入的数据赋给单 价（Price）；3、将总价（Total_price ） 计算出来，并显示 图 1 系统整体设计框图 设计要求： 1、要求单价由键盘输入； 2、重量的精度能够达到十分之一千克； 3、按键有提示音； 4、有去皮的功能； ADC0832：8位2进 制模数转换器；将放大 的电压信号转化为数值 信号，方便单片机的处 MM74C92：2 键盘解码器， 方便了对4x4 键盘的扫描。 键盘的作用主 要在单价的输 入上。
二、主要硬件及仿真软件 硬件： （一）、ADC0832 ADC0832 是一种8 位分辨率、双通道A/D 转换芯片。由于它体积小，兼容性，性价比高而深受单片机爱好者及企业欢迎。图 2.1为ADC0832 在Proteus中的逻辑符号 图 2.1 ADC0832 逻辑符号 芯片接口说明： CS 片选使能，低电平芯片使能； CH0 模拟输入通道0，或作为IN+/- 使用。 CH1 模拟输入通道1，或作为IN+/- 使用。 GND 芯片参考0 电位（地）。 DI 数据信号输入，选择通道控制。 DO 数据信号输出，转换数据输出。 CLK 芯片时钟输入。 Vcc/REF 电源输入及参考电压输入（复用）。 单片机对ADC0832 的控制原理： 正常情况下ADC0832 与单片机的接口应为 4 条数据线，分别是CS、CLK 、DO、DI但由于DO 端与DI 端在通信时并未同时有效并与单片机的接口是双向的，所以电路设计时可以将DO 和DI 并联在一根数据线上使用。（见图 3.6）当ADC0832 未工作时其CS 输入端应为高电平，此时芯片禁用，CLK 和DO/DI 的电平可任意。当要进行A/D 转换时，须先将CS 使能端置于低电平并且保持低电平直到转换完全结束。此时芯片开始转换工作，同时由处理器向芯片时钟输入端CLK 输入时钟脉冲，DO/DI 端则使用DI 端输入通道功能选择的数据信号。在第 1 个时钟脉冲的下沉之前DI 端必须是高电平，表示启始信号。在第2、3 个脉冲下沉之前DI 端应输入 2 位数据用于选择通道功 能，其功能项见表1。