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半导体二极管及其应用习题解答(修改)培训课件

半导体二极管及其应用习题解答(修改)培训课件
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半导体二极管及其应用习题解答(修改)

半导体二极管及其应用习题解答

自测题(一)

1.1 判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内

1. 半导体中的空穴是带正电的离子。()

2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。()

3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。()

4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()

5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。()

1.2 选择填空

1. N型半导体中多数载流子是;P型半导体中多数载流子是。

A.自由电子 B.空穴

2. N型半导体;P型半导体。

A.带正电 B.带负电 C.呈电中性

3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于,而少子的浓度则受的影响很大。

A.温度 B.掺杂浓度 C.掺杂工艺 D.晶体缺陷

4. PN结中扩散电流方向是;漂移电流方向是。

A.从P区到N区 B.从N区到P区

5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流飘移电流。

A.大于 B.小于 C.等于

6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。

A.大于 B.小于 C.等于

D.变宽 E.变窄 F.不变

7. 二极管的正向电阻,反向电阻。

A.大 B.小

8. 当温度升高时,二极管的正向电压,反向电流。

A.增大 B.减小 C.基本不变

9. 稳压管的稳压区是其工作在状态。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

1.3 有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2μA、0.5μA、5μA;在外加相同的正向电

压时,电流分别为10mA、 30mA、15mA。比较而言,哪个管子的性能最好?

1.4 试求图T1.4所示各电路的输出电压值U O,设二极管的性能理想。

5V VD

+

-

3kΩ

U O

VD

7V

5V

+

-

3kΩ

U O

5V1V

VD

+

-

3kΩ

U O

(a)(b)(c)

10V

5V

VD

3k Ω+

.

_O U 2k Ω6V

9V

VD VD +

-

12

3k Ω

U O

VD VD 5V

7V

+

-

12

3k Ω

U O

(d ) (e ) (f )

图T1.4

1.5 在图T1.5所示电路中,已知输入电压u i =5sin ωt (V ),设二极管的导通电压U on =0.7V 。分别画出它们的输出电压波形和传输特性曲线u o =f (u i )。

3k Ω

VD VD 1

2

++-

-

u u i o 3k Ω

VD +

+-

-

u u i o 3k Ω

VD

++-

-

u u i o ++

+

-

--

-U VD U VD

+

U VD1

U VD2

(a ) (b ) (c )

图T1.5

1.6 有两个硅稳压管,VD Z1、VD Z2的稳定电压分别为6V 和8V ,正向导通电压为0.7V ,稳定电流是5mA 。求图T1.6各个电路的输出电压U O 。

20V

+

-2k Ω

U O

VD VD z1

z2

20V

+

-U O

VD VD z1

z2

2k Ω

20V

+

-U O VD VD z1

z2

2k Ω

(a ) (b ) (c )

20V

+

-U O VD VD z1

z2

2k Ω

20V

+

-U O VD VD z1

z2

2k Ω

20V

+

-U O VD VD z1

z2

2k Ω

(d ) (e ) (f )

图T1.6

1.7

已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。

试求图T1.7所示电路中限流电阻R 的取值范围。

1.8 稳压管稳压电路如图T1.8所示,稳压管的稳定电压U Z =8V ,动态电阻r z 可以忽略,U I =20V 。试求:⑴ U O 、I O 、I 及I Z 的值。

⑵ 当U I 降低为15V 时的U O 、I O 、I 及I Z 的值。

U I

图T1.7 图T1.8

机械能说课稿完整版

各位评委好!我是17号。今天我说课的题目是《机械能及其转化》。我的说课主要从这六个方面进行,1说教材,2说教学目标和重难点,3说学生,4说教法,5说教学过程,6说板书。 一、说教材 《机械能及其转化》是人教版八年级下册第十一章第四节的内容,是前面所学《动能和势能》的延伸,又为后面《能量的转化和守恒》的学习奠定了基础。本节内容由“机械能及其转化”、“水能和风能的利用”两部分组成,后面的“科学世界”之“人造卫星”,拓展了学生的知识面,引导学生关注社会生活,关注科技发展,并认识到高科技成果中也包含着丰富的基础物理知识。 二、说教学目标和重难点 通过本节课的学习,我计划达到这样的三维教学目标 本节课的重点是动能和势能的相互转化,难点是对机械能守恒的理解。 三、说学生 通过近一年的物理学习,学生已经初步具备一定的实验、观察、分析概括能力,他们对问题的认识有了一定的深度和广度。但学生的抽象思维还不成熟。 四、说教法 为了达到本节课的教学目标,突破重难点,我在本节课中主要采用了讲授法、实验法、讨论法、自学法、多媒体教学法等。鉴于学生特点,教学过程中,我充分应用多媒体视频、现场实验等为学生创设情景、增强直观性和形象性,通过自主学习、合作探究等形式实现由感性到理性的飞跃。 五、说教学过程 (一)创设情景引入新课 根据课后动手动脑学物理的第四题,预先准备好实验器材,为了使学生能更明确认识到这个现象的反常,我先用一个普通罐子从同一斜坡上滚下来的现象做铺垫,然后向学生视频展示这个“奇怪的罐子”。通过前后两个现象的对比,吸引学生注意力,用看似违反常规的实验现象,让学生惊讶,激发学生对本节课的极大兴趣。 (二)探究新课释疑解惑 1、机械能:因为课本中给出的机械能的概念比较模糊,而且课本中的第一句话就直接告知学生“动能、重力势能和弹性势能统称为机械能。”所以,我在讲机械能的概念时,采取了先复习动能和势能的相关知识后,直接讲授的方法,并用图形结构的方式展示给学生,方便学生理解记忆。 2、机械能的相互转化:动能和势能的转化是本节的重点,根据循序渐进的原则,我在此分了三步进行。 (1)动能和重力势能的转化。为了体现新课标的要求,注重学生经历探究的过程,在实验室滚摆数量有限的情况下,我在课前布置学生用硬纸片或者其他物品如萝卜等,自制滚

最新1半导体二极管及其应用汇总

1半导体二极管及其 应用

模拟电子技术 电子技术:研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。 第一代电子器件 电真空器件:电子管和离子管 电子管的结构和工作原理 A :有密封的管壳,内部抽到高真空。 B :在热阴极电子管中,有个阴极。 C:阴极由灯丝加热,使温度升高发射出电子 D:电子受外加电场和磁场的作用下在真空中运动形成电子管中的电流。 电子管的主要特点电子管 A 体积大重量重耗电大寿命短 B 目前在一些大功率发射装置中使用 离子管 A:与电子管类似,也抽成真空管。 B:管子中的电流,除了电子外也有正离子。 第二代电子器件----晶体管

晶体管是用半导体材料制成的,也称为半导体器件(semiconductor device)or 固体器件(solid-state device)。 晶体管的主要特点 A体积小、重量轻 B寿命长、功耗低 C 受温度变化影响大 D过载能力较差。 E 加电压不能过高 2. 电子电路 电子器件与电阻、电感、电容、变压器、开关等元件适当连接起来所组成的电路。 电子电路的主要特点 控制方便工作灵敏响应速度快。 电子电路与普通电路的主要区别 1 电子电路包含电子器件 2.电子器件的特性往往是非线性的 3.电子电路必须采用非线性电路的分析方法分析

电子电路:分立电路集成电路 分立电路-----由各种单个的电子器件和元件构成的电路 主要特点 1 把许多元件和器件焊接在印刷电路板上 2焊点多,容易造成虚焊。 3体积大功耗大可靠性低 集成电路----(IC-integrated circuit)-----把许多晶体管与电阻等元件制作在同一块硅片上的电路 集成电路的主要特点 1 体积小重量轻 2 功耗小 3 可靠性高 4 寿命长 世界上第一块集成电路在1959年美国的德州仪器公司和西屋电气公司诞生,电路上仅集成了四只晶体管。

半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 1.1教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内 容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温 度的关系以及PN 结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表 第章教学内容与要求 1.2内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1 ?本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅 (Si)和锗 (Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为 电子空穴 对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指 数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2 ?杂质半导体 (1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成 的多子是自由电子,少子是空穴。 N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成 多子是空穴,少子是自由电子。 P 型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度, 大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 N 型半导体,N 型半导体中 P 型半导体。P 型半导体中的 掺入杂质越多,多子浓度就越

1.2.2 PN结及其特性 1.PN结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半

导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为 构成其它半导体器件的基础。 2. PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数 值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小, PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: I =ls(e UUT _1) 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从 P 区指向N 区;I s 在数值上等于 反向饱和电流; 5=KT /q ,为温度电压当量,在常温下, U T ~ 26mV 。 与反向电压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种 现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容 C j 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频 率较高时才 考虑结电容的作用。当 PN 结正向偏置时,扩散电容 C D 起主要作用,当 PN 结 反向偏置时,势垒电容 C B 起主要作用。 1.2.3半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、 面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压 U D 和流过二极管的电流 i D 之间的关 系。它的伏安特性与 PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采 用PN 结的 伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高 10 C , PN 结的正向压降约减 小(2~2.5) mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高 10 o C 左右时,反向饱 和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流 I F ;最高反向工作电压 U R ;反向电流I R ;最高工 作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此 手册上往往 给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种: PN 结。PN 结是 (1)正向特性 U 0的部分称为正向特性,如满足 U U T ,则 I : - I S e U U T , PN 结的 正向电流I 随正向电压 U 按指数规律变化。 (2)反向特性 U 0的部分称为反向特性,如满足 U R U T ,则 I 「I s ,反向电流

第1章__半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 自测题 判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。(?) 2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。(√) 3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。(?) 4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√) 5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。(√) 选择填空 1. N型半导体中多数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是B。 A.自由电子 B.空穴 2. N型半导体C;P型半导体C。 A.带正电 B.带负电 C.呈电中性 3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于B,而少子的浓度则受 A 的影响很大。 A.温度 B.掺杂浓度 C.掺杂工艺 D.晶体缺陷 4. PN结中扩散电流方向是A;漂移电流方向是B。 A.从P区到N区 B.从N区到P区 5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流C飘移电流。 A.大于 B.小于 C.等于 6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 7. 二极管的正向电阻B,反向电阻A。 A.大 B.小 8. 当温度升高时,二极管的正向电压B,反向电流A。 A.增大 B.减小 C.基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA、 30mA、15mA。比较而言,哪个管子的性能最好【解】:二极管在外加相同的正向电压下电流越大,其正向电阻越小;反向电流越小,其单向导电性越好。所以B管的性能最好。 题习题1 试求图所示各电路的输出电压值U O,设二极管的性能理想。

半导体二极管及其应用

第1章半导体二极管及其应用 本章要点 ●半导体基础知识 ●PN结单向导电性 ●半导体二极管结构、符号、伏安特性及应用 ●特殊二极管 本章难点 ●半导体二极管伏安特性 ●半导体二极管应用 半导体器件是近代电子学的重要组成部分。只有掌握了半导体器件的结构、性能、工作原理和特点,才能正确地选择和合理使用半导体器件。半导体器件具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性强等优点,在各个领域中得到了广泛的应用。半导体二极管和三极管是最常用的半导体器件,而PN结又是组成二极管和三极管及各种电子器件的基础。本章首先介绍有关半导体的基础知识,然后将重点介绍二极管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数以及应用电路等,为后面各章的学习打下基础。 1.1 PN结 1.1.1 半导体基础知识 1. 半导体特性 自然界中的各种物质,按其导电能力划分为:导体、绝缘体、半导体。导电能力介于导体与绝缘体之间的,称之为半导体。导体如金、银、铜、铝等;绝缘体如橡胶、塑料、云母、陶瓷等;典型的半导体材料则有硅、锗、硒及某些金属氧化物、硫化物等,其中,用来制造半导体器件最多的材料是硅和锗。 半导体之所以用来制造半导体器件,并不在于其导电能力介于导体与绝缘体之间,而在于其独特的导电性能,主要表现在以下几个方面。 (1) 热敏性:导体的导电能力对温度反应灵敏,受温度影响大。当环境温度升高时,其导电能力增强,称为热敏性。利用热敏性可制成热敏元件。 (2) 光敏性:导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时,导电能力增强,称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。 (3) 掺杂性:导体更为独特的导电性能体现在其导电能力受杂质影响极大,称为掺杂性。这里所说的“杂质”,是指某些特定的纯净的其他元素。在纯净半导体中,只要掺入极微量的杂质,导电能力就急剧增加。一个典型的数据是:如在纯净硅中,掺入百万分之

半导体二极管和三极管分析

第7章半导体二极管和三极管 7.1 半导体的基本知识 7.2 PN结 7.3 半导体二极管 7.4 稳压二极管 7.5 半导体三极管

第7章半导体二极管和三极管 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和 电流放大作用; 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;三、会分析含有二极管的电路。

对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。

7.1 半导体的基本知识 半导体的导电特性: (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强

7.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子,称为价电子。 Si Si Si Si 价电子

Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。 本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。 空穴温度愈高,晶体中产 生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。

二极管说课稿

《晶体二极管》说课稿 邯郸市涉县职教中心机电教研组张晓刚 尊敬的各位领导、评委老师,兄弟学校的老师们:大家上/下午好: 我是来自邯郸市涉县职教中心机电教研组电子电工专业青年教师张晓刚,很高兴能站在这里和各位兄弟学校的同专业老师一起交流学习,今天我说课的题目是《晶体二极管》。 下面我就从教材、教法、学法、教学程序和教学反馈等几个方面开始我今天的说课。 首先,说教材。现在我手中拿的这本书由高等教育出版社出版,张金华老师主编,本教材是中等职业教育课程改革国家规划教材,经全国中等职业教育教材审定委员会审定出版,是目前中等职业学校电子电工类专业的通用教材。本书的编写特点是:以学生发展为本,体现课程的基础性、通用性和职业性;以应用为主线,体现与生产生活的实际联系和职业技能标准的要求;在编写模式上体现?做中学,做中教?的职业教育教学特色;在内容方面贴近电工电子技术的新发展等特点。 本节内容?晶体二极管?选自本书第一章第一节第二课时内容。本节内容主要介绍晶体二极管的基础知识和二极管在工程技术中的应用;本节内容承上启下,一方面与pn结知识存在联系,另一方面是今后学习整流、稳压以及直流电源电路等后续课程知识的基础;是电子电工类专业所必备的专业基础知识和基本技能;这些知识不仅是进一步学习《电子技术与技能》的基础,也在生产、生活中起着举足轻重的 作用。 结合中职学生理论基础差,分析能力较弱,好奇心强和喜欢动手和实践操作的学生特点,我对教材做如下处理:简化理论知点的讲解,让学生学会原理性知识的应用,让学生在课堂中知道怎么做和做什么;先实践,然后给出理论知识点,让学生在学和做的过程中培养仔细观察、分组合作,协调配合,共同解决问题,完成项目的良好职业道德;在整个教学过程中我努力做到寓教于道,让学生在学习知识的同时,也学会如何与人相处,如何服务于社会。 通过以上对教材的分析处理,结合学生的专业特点和现有的专业知识水平,本着面向全体,使学生全面、主动发展的原则,我确定本节课教学目标如下: 即:知识目标,能力目标和情感目标。 首先通过本节课的教学内容确立知识目标:使学生了解晶体二极管的结构、符号和主要参数,知道二极管的单向导电性和伏安特性; 在教学过程中遵循从简单到复杂,从具体到抽象,从知识到技能的培养原则确立能力目标注重培养学生的观察能力,动手能力从而实现能力目标,即:掌握二极管极型辨别的方法,能简单分析和总结二极管的单向导电性和伏安特性; 确立情感目标,可通过举例介绍生活中学生们常见的手机充电器,led手电筒等实物,通过对专业知识的实用性的生动形象教学启发学生探究和讨论,激发学生学习专业的热情,培养学生专业学习的自信心和求知欲。 下面我说一下本节课的重点、难点及关键点 晶体二极管是电子技术基础与技能领域最常见的半导体元器件之一,结合它在日常生活中整流、稳压、检波、信号指示等广泛应用,鉴于晶体二极管的单向导电特性,结合本节课承上启下的教学作用,设立了本节课的教学重点、难点和关键点:重点让学生知道并掌握二极管具有单向导电性;难点是对二极管的伏安特性的理解及应用。解决重点和难点的关键是要学生克服难点,激发学生的学习兴趣,为了讲清楚重点和难点,完成设定的教学目标,我采用分组实验,共同讨论等方法来让学生通过本节课的学习,在知道二极管的单向导电性和伏安特性的基础上,学会如何判断二极管的管子质量好坏及正负极性的判别。 第二部分,我说一下本节课的教法,也就说是我怎么教的。 俗话说,?教无定法,但需得法?,教师的教和学生的学永远是一对矛盾的统一体。教师

3 半导体二极管的识别检测与选用(二)

[复习提问] 1、半导体二极管的结构、符号及分类? 2、半导体二极管的重要特性是什么? [导入新课]二极管是电路中的关键器件,种类繁多,应用十分广泛,识别常用半导体二极管,掌握检测质量及选用方法是学习电子技术必须掌握的一项基本技 能,下面我们来学习相关知识。 [讲授新课] 1.1半导体二极管的识别、检测与应用(二) 九、二极管的型号命名 1、国产二极管 国产二极管的型号命名分为五个部分,各部分的含义见下表。 第一部分用数字“2”表示主称为二极管。 第二部分用字母表示二极管的材料与极性。 第三部分用字母表示二极管的类别。 第四部分用数字表示序号。

例如: 2、日本半导体器件的型号命名(JIS-C-7012工业标准)由五部分组成,各部分含义见下表。 第一部分用数字表示器件的类型或有效电极数。 第二部分用字母S表示该器件已在日本电子工业协会(JEIA)注册登记。 第三部分用字母表示器件的类别。 第四部分用数字表示登记序号。 第五部分用字母表示产品的改进序号。 日本半导体器件型号命名及含义

例如: 2SA733(PNP型高频晶体管)2SC4706(NPN型高频晶体管)2——三极管2——三极管 S——JEIA注册产品S——JEIA注册产品A——PNP型高频管C——NPN型高频管733——JEIA登记序号4706——JEIA登记序号 3、美国半导体器件型号命名由四部分组成。各部分的含义见下表。 第一部分用数字表示器件的类别。 第二部分用字母“N”表示该器件已在EIA注册登记。 第三部分用数字表示该器件的注册登记号。 第四部分用字母表示器件的规格号。 美国半导体器件型号命名及含义 例如: lN 4007 2N 2907 A l——二极管2——晶体管 N——ElA注册标志N——ElA注册标志 4007——ElA登记号2907——ElA登记号 A——规格号 1、整流二极管 整流二极管主要用于整流电路,即把交流电变换 成脉动的直流电。整流二极管都是面结型,因此结 电容较大,使其工作频率较低。一般为3kHZ以下。 从封装上看,有塑料封装和金属封装两大类。常用 的整流二极管有2CZ型、2DZ型、IN400 X型及用于 高压、高频电路的 2DGL型等。

极管入门知识:二极管结构和工作原理

在自然界中,根据材料的导电能力,我们可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。常见的导体如铜和铝、常见的绝缘体如橡胶、塑料等。什么是半导体呢半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)。到此,请记住两种半导体材料:硅、锗。因为以后你会听说硅管、锗管。意思很明显,说明这种二极管或三极管是用硅或锗作为基材的。 半导体硅原子结构图 半导体有几个特性有必要了解一下:热敏性、光敏性和掺杂性; 半导体的热敏性:半导体的导电能力受温度影响较大,当温度升高时,半导体的导电能力大大增强,被称为半导体的热敏性。利用半导体的热敏性可制成热敏元件,在汽车上应用的热敏元件有温度传感器,如水温传感器、进气温度传感器等。 半导体硅的空穴和自由电子示意图 半导体的光敏性:半导体的导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时,导电能力增强,称为半导体光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。在汽车上应用的光敏元件有汽车自动空调上应用的光照传感器。 半导体的掺杂性:当在导体中掺入少量杂质,半导体的导电性能增加。 什么是本征半导体、P型半导体和N型半导体,有哪些区别 本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。 P型半导体:在本征半导体硅或锗中掺入微量的三价元素硼(B)或镓,就形成P型半导体。 P型半导体示意图-空穴是多数载流子 N型半导体:在本征半导体硅或锗中掺入微量的五价元素磷(P)就形成N型半导体。 N型半导体中自由电子是多数载流子

PN结和二极管 在半导体硅或锗中一部分区域掺入微量的三价元素硼使之成为P型,另一部分区域掺入微量的五价元素磷使之成为N型半导体。在P型和N型半导体的交界处就形成一个PN 结。一个PN结就是一个二极管,P区的引线称为阳极,N区的引线称为阴极。 二极管结构图:P区引线成为阳极、N区引线成为阴极 二极管的单向导电性能 二极管具前单向导电性能, (1)正向导通:当PN结加上正向电压,即P区接蓄电池正级,N区接蓄电池负极时,PN结处于导通状态,如图所示,试灯有电流通过,点亮。 二极管正向导通示意图 注意二极管正向导通时存在着电压降,什么意思呢如果蓄电池电压是12V,则试灯上的电压一定小于12V,大约是吧,哪在那里呢在二极管上,这就是二极管的电压降。二极管的电压降取决于二极管采用的是锗管还是硅管:锗管的电压降是左右;而硅管的电压降是左右。如果蓄电池电压低于二极管正常导通的电压降,则二极管将不能导通。这个原理的重要性在二极管你可能体会不到,但是到了三极管就显的非常重要了。 (2)反向截止:当PN结加上反正电压,即P区接蓄电池负极,N区接蓄电池正极时,PN结处于截止状态,如图所示,试灯没有电流通过,不能点亮。 二极管反向截止示意图 二极管接反向电压时,存在着一个耐压的问题:如果加在二极管的反向电压过高,二极管受不了,就会击穿,此时二极管不在处于截止状态,而是处于导通状态。如果我们设定一个击穿电压,当达到反向击穿电压时,二极管会击穿导通。如果现在电压又小于了

(完整版)2-任务2半导体二极管的识别与检测分析

学习情境一常用半导体器件的识别与检测 任务二半导体二极管的识别与检测 一、任务目的 1.了解半导体二极管导电特性; 2.了解半导体二极管的种类; 3.掌握半导体二极管的识别与检测。 二、任务的要求及技术指标 1. 了解本征半导体与杂质半导体的区别; 2.掌握PN结的形成与单向导电性; 3. 了解半导体二极管的结构类型和型号。 4.掌握半导体二极管的识别与检测。 三、半导体导电特性介绍 自然界的物质就其导电性能可分为导体、绝缘体、和半导体。 导体:导电性能良好的物质。如金、银铜等。 绝缘体:几乎不导电的物质。如陶瓷、橡胶、玻璃等。 图1-10 共价键示意图 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗。 半导体一般分为本征半导体和杂质半导体两种类型。 1.本征半导体 常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge) 。这种非常纯净的且原子排列整齐的半导体。

图1-10所示分别为硅(锗)的原子结构示意图及硅(锗)原子在晶体中的共价键排列。 如果共价键中的价电子受热激发获得足够能量,则可摆脱共价键的束缚而成为自由电子。这个电子原来所在的共价键的位置上就留下一个缺少负电荷的空位,这个空位称为空穴。空穴带正电。 2. 杂质半导体 本征半导体实际使用价值不大,但如果在本征半导体中掺入微量的某种杂质元素,就形成N型和P型半导体。 (1)N型半导体 在本征半导体(以硅为例)中掺入少量的5价元素,如磷(P)、砷(As)等。磷原子的最外层有5个价电子,其中4个价电子与相邻硅原子的最外层价电子组成共价键形成稳定结构,多余的电子很容易受激发成为自由电子。这种掺入5价元素的半导体称为N型半导体,如图1-11所示。N型半导体主要靠自由电子导电。 图1-11 N型半导体原理图 (2)P型半导体 在本征半导体(以硅为例)中掺入三价元素如硼(B),硼原子最外层的3个价电子工和相邻的3个硅原子形成共价键后,就留下一下空穴,空穴数量增多,自由电子则相对很少,这种掺入3价元素的半导体称为P型半导体,如图1-12所示。

最新《晶体二极管整流电路》说课稿

《晶体二极管整流电路》说课稿 宿城区职教中心王翠荣 一、教材分析: 1.地位和作用:本节内容选自陈其纯编著的《电子线路》§1.2内容,此内容既是第一章的重点和难点,也是整个教材的重点,教材的第一节介绍了晶体二极管的结构与特性,而整流电路正是晶体二极管单向导电性的具体应用。同时,该内容也是后面滤波、稳压电路的基础。因此,本节课的内容就显得尤为重要。 2.学生现状:所任班的学生,为电子专业二年级的学生,与平行班相比,学生学习习惯总体较好,相关的课程《电工基础》刚学完,由于《电子线路》这门专业课本身的特点,入门难,学生又是刚开始学,学生在学习过程中普遍感到困难,有少数学生学习较被动,还未 掌握好一定的学习方法。 3.学习目标及确立依据 (1)学习目标 (2)确立依据:首先根据现行教学大纲的要求,电路组成、整流工作原理及整流电路的计算是学生必须掌握的内容,由此确立了学习目标的知识目标。而根据学生的现状,学生虽有一定的学习能力,但学习方式仍较被动,还处于一种简单的记忆、接受和模仿的阶段,为了使学生的学习方式有所改变,引导学生主动参与、独立思考,学会合作探究、与人交流,从而提高学生主动获取新知识、分析和解决问题的能力,故确立了学习目标能力目标。 4.教学重点与难点:根据大纲及学生的实际情况确立了本节课的重点和难点。整流电路工作原理的分析需要学生在理解二极管的单向导电性的基础上,根据电位的高低判断二极管的状态,从而准确画出整流电流通路,此为分析电压和电流波形、计算负载上电压和电流及二极管选择的关键所在。而这又需要学生有一定的运用知识的能力,故工作原理的分析既 是难点也是重点。 二、教学设计理论基础及研究重点: 1.教学设计理论基础:(1)建构主义的教学理论,更加强调学习者的主观认识,更加重视建立有利于学习者主动探索知识的情境,始终保持教师与学生、学生与学生之间有效的互动过程。(2)根据探究教学理论,学生学习应在教师指导下运用探究的方法学习,让学生能够主动获取知识,从而发展学生的能力,培养学生的创新精神和实践能力。 2.研究重点与教学模式及方法:本节课采用的是“达标式问题情景的创设”的教学模式,该模式的关键是如何创设问题情境,故研究重点是问题情境的创设。《电子线路》课由于其理论性强,抽象不易理解,学生普遍感到难学,为了分解难点,创设便于学生学习的问题情境,通过一个个问题的解决,激发学生的求知欲望和学习兴趣,引导学生进入探索、认识、解决问题的情境,从而提高学生的自主学习的能力,加强学生的创新意识。 本节课采用启发讲授、实验演示、讨论、练习等教学方法。 三、教学过程的设计: (一)复习导入 设计了3个复习练习,通过复习题,让学生掌握二极管伏安特性,这既是上节课的重点内容,也是本节课学生学习的基础;而整流电路正是晶体二极管单向导电性的具体应用。由 此自然引入新课。 (二)新课内容 1、电路将电路直接呈现给学生,并让学生进行比较单相半波、变压器中心抽头式整 流电路,桥式电路。

半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表第1章教学内容与要求 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体 (1)N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。 (2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN结及其特性

1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。 (1) 正向特性 0>U 的部分称为正向特性,如满足U ??U T ,则T S U U e I I ≈,PN 结的正向电流I 随正向电压U 按指数规律变化。 (2) 反向特性 0>,则S I I -≈,反向电流与反向电 压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容C J 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN 结正向偏置时,扩散电容C D 起主要作用,当PN 结反向偏置时,势垒电容C B 起主要作用。 1.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压u D 和流过二极管的电流i D 之间的关系。它的伏安特性与PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采用PN 结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高1o C ,PN 结的正向压降约减小(2~)mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10 o C 左右时,反向饱和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流I F ;最高反向工作电压U R ;反向电流I R ;最高工作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种:

电路说课稿范文

电路说课稿范文 一、说教材九年级物理《电流和电路》说课稿王瞳中学 ----皮桂花 1、教材地位和作用: 《电流和电路》是义务教育教科书人教版九年级《物理》册第十五章第二节内容。电学在生产生活和科学技术中具有广泛和重要的应用,本章是学生在初中阶段学习电学知识的基础,而本节中的电流、电路、电路图的内容又是学习本章的基础,因此,掌握好本节的知识和技能,对今后电学内容的学习起着非常重要的作用。 2、说教学目标 根据课程标准对本章的要求以及学生的认知心理我确定本节的三维教学目标:知识与技能 ①知道电流的形成及其条件;知道电流方向的规定。 ②通过动手实验,认识断路、通路、短路,知道电路的组成;认识电源和用电器的作用,从电路的组成认识开关的作用;能画常见的电路元件符号。

③结合小灯泡、电子门铃等电路的实际连接;学会按实物电路连接图画出对应的电路图。过程与方法 在动手实验的过程中,学习观察实验现象,学习从现象中分析归纳出规律的方法,知道用电器符号、电路图可把具体的电路连接情况简洁明了地概括性表达出来。 情感态度与价值观 激发学生对认识电路组成,研究各元件的作用有强烈的兴趣;在学习连接电路,画电路图等基本技能的实践活动中,培养竞争意识、合作精神、安全操作意识。 3、说教学重难点 电流和电路的概念不但贯穿电学部分的始终,而且是本章的核心,电路的连接是初中学生实验操作必须具备的基本技能之一。本节又是初中阶段学生第一次接触电路连接;第一次进行物理作图,对于九年级初学物理的学生来说既陌生又重要。能否会认识电流的形成、电路的组成及正确连接电路和画电路图,将直接影响到今后电学各章

的学习。因此,认识电流的形成、电路的组成及正确连接电路和画电路图是本节的重点也是难点 二、说教学策略 1、说学情 九年级学生对“电”认识是肤浅的,不完整的,还没有上升到理性认识,没有形成科学的体系对于初中学生来说,虽然“电”不是陌生的东西,但是它却让人感到神秘,尽可能多地联系生活实际,使学生充分感受到,这些知识跟自己的生活很贴近,而且很有用,激发学生学习物理的兴趣和愿望,使学生认识到电是可操作的,并产生进一步探究其奥秘的兴趣。 2、说教法 电流是导体中自由电子的定向移动形成的,但电流是摸不着,看不到的;电路的连接是电学实验中必须具备的基本技能,根据学生的认知规律和心理特点,为了使学生更好地掌握电流和电路的知识,突破难点,结合本节课的目标,我采用的教学方法有:讲授法、演示法、转换法、引导法、类比法等。

半导体二极管及其应用习题解答

半导体二极管及其应用 习题解答 Document number:NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT

第1章半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表第1章教学内容与要求 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体

(1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N 型半导体,N 型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P 型半导体。P 型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P 型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN 结及其特性 1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。

半导体二极管培训讲学

课题 1.1 半导体二极管 课型 新课授课班级授课时数 2 教学目标 1.熟识二极管的外形和符号。 2.掌握二极管的单向导电性。 3.理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数。 教学重点 二极管的单向导电性。 教学难点 二极管的反向特性。 学情分析 教学效果 教后记

新课 A.引入 自然界中的物质,按导电能力的不同,可分为导体和绝缘体。人们又发现还有一类物质,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,那就是 半导体。 B.新授课 1.1半导体二极管 1.1.1什么是半导体 1.半导体:导电能力随着掺入杂质、输入电压(电流)、温度和光照条件的不同而发生很大变化,人们把这一类物质称为半导体。 2.载流子:半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”。 (1)自由电子:带负电荷。 (2)空穴:带正电荷。 特性:在外电场的作用下,两种载流子都可以做定向移动,形成电流。 3.N型半导体:主要靠电子导电的半导体。 即:电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 4.P型半导体:主要靠空穴导电的半导体。 即:空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 1.1.2PN结 1.PN结:经过特殊的工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面,称为PN结。 2.实验演示 (1)实验电路 (2)现象 所加电压的方向不同,电流表指针偏转幅度不同。 (3)结论 PN结加正向电压时导通,加反向电压时截止,这种特性称为PN结的单向导电性。 3.反向击穿:PN结两端外加的反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增大,称为PN结的反向击穿。 4.热击穿:若反向电流增大并超过允许值,会使PN结烧坏,称为热击穿。 5.结电容(讲解) (引入实验电路,观察现象)

“二极管”说课稿

“二极管“说课稿 大家好,今天我给大家带来的说课内容是应用电子专业《模拟电子技术基础》第一章第二节的内容:半导体二极管。 首先我对教材做一个简要的分析,本节课所学的二极管是对学生之前学习的pn结的深入和应用,为第四章将要学习的运算放大电路和第十章将要学习的整流电路打下基础;所以这一章学习的是重要的基础知识。 本节课的教学目标是:了解二极管,掌握其特性、主要参数;(这里分为知识与技能,过程与方法,情感态度与价值观三个方面来说) 教学的重点:二极管的伏安特性; 教学难点:二极管的等效电路; 基于以上分析,我采用以下教学手段:计算机辅助教学、实验教学、演示教学,培养学生的动手能力,探究问题、解决问题的能力。 本节课的内容主要分为三个部分:二极管正负极的识别、伏安特性、等效电路。以下是这节课的教学过程 一、课程引入 教师通过用课件举例在日常生活中和现代科技中经常遇到的许多由电子元件组成的自动控制装置,如:自动报警装置、路灯发光和熄灭的自动控制等,引起学生学习的兴趣,提高学习的积极性,以此引入新课。(这里应该有个能体现二极管特点的例子)首先是二极管阴极和阳极的识别,教师分发给学生几种不同外形结构的二极管,首先让学生通过二极管外部封装来识别其正负极,再次让学生运用万用表的欧姆档进行检测,以判断其极性。通过这个任务锻炼了学生万用表的使用和动手能力 二、伏安特性 在此基础之上,下面由老师进行演示,将二极管、灯泡、电阻、电源、开关组成一串联电路,这里要板书电路图。分别将二极管正向和反向接入电路,闭合开关,观察灯泡的亮灭情况。通过对以上两个实验的观察,师生间相互探讨,得出二极管具有单向导电的性质。基于对二级管这些特性的了解,让学生自己设计实验,绘制二极管的伏安特性曲线,在此过程中,教师对学生实验中遇到的典型问题进行讲解,回答学生的提问。实验完成之后根据所绘制出的特性曲线,老师和学生一起观察分析二极管的一些主要参数,比如开启电压、导通电压、反向饱和电流等。(从实际操作上来看,这里有问题,学生能不能设计出能达到要求的实验?) 三、等效电路的学习 通过以上学习了解到二极管的伏安特性具有非线性的性质,为了便于分析,常在一定条件下用线性元件所构成的电路来进行模拟二极管的特性,由于这部分内容是理论教学,学生听起来会比较抽象,所以要求在学生完全掌握二极管伏安特性的基础上紧密联系伏安特性曲线,电路图进行讲解,并做详细的板书。 课程的最后是练习巩固和知识小结,以强化课堂教学的效果。 最后是本次课的板书设计,黑板的左侧是实验设计方案和所得出的结论,中间用于绘制二极管的伏安特性曲线及相关等效电路图,右侧用于课后练习。(这里可以画图)

第一章 半导体二极管及其应用典型例题

第一章半导体二极管及其应用 【例1-1】分析图所示电路的工作情况,图中I为电流源,I=2mA。设20℃时二极管的正向电压降U D=660mV,求在50℃时二极管的正向电压降。该电路有何用途?电路中为什么要使用电流源? 【相关知识】 二极管的伏安特性、温度特性,恒流源。 【解题思路】 推导二极管的正向电压降,说明影响正压降的因素及该电路的用途。 【解题过程】 该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。其温度系数–2mV/℃。 20℃时二极管的正向电压降 U D=660mV 50℃时二极管的正向电压降 U D=660 –(2′30)=600 mV 因为二极管的正向电压降U D是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的正向电压降U D仅仅是温度一个变量的函数。

【例1-2】电路如图(a)所示,已知,二极管导通电压。试画出u I与u O的波形,并标出幅值。 图(a) 【相关知识】 二极管的伏安特性及其工作状态的判定。 【解题思路】 首先根据电路中直流电源与交流信号的幅值关系判断二极管工作状态;当二极管的截止时,u O=u I;当二极管的导通时,。 【解题过程】 由已知条件可知二极管的伏安特性如图所示,即开启电压U on和导通电压均为0.7V。 由于二极管D1的阴极电位为+3V,而输入动态电压u I作用于D1的阳极,故只有当u I高于+3.7V时 D1才导通,且一旦D1导通,其阳极电位为3.7V,输出电压u O=+3.7V。由于D2的阳极电位为-3V,而u I作用于二极管D2的阴极,故只有当u I低于-3.7V时D2才导通,且一旦D2导通,其阴极电位即为 -3.7V,输出电压u O=-3.7V。当u I在-3.7V到+3.7V之间时,两只管子均截止,故u O=u I。 u I和u O的波形如图(b)所示。

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