第一章、晶体二极管测试题1

第1章晶体二极管和二极管整流电路

单元测试题一（时限45分钟）

1、判断题：

1、在半导体内部，只有电子是载流子。（）

2、在N型半导体中，多数载流子是空穴。（）

3、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（）

4、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

（）

5、一般来说，硅二极管的死区电压（门槛电压）小于锗晶体二

极管的死区电压。（）

6、用万用表测某晶体二极管的正向电阻式、时，插在万用表

有“+”号插孔中测试表笔（红表笔）所连接的二极管的管脚是

二极管的阳极，另一极是阴极。（）

7、晶体管击穿后立即烧毁。（）

8、晶体二极管在反向电压小于击穿电压时，反向电流极小；当

反向电流大于反向击穿电压后，反向电流会迅速争大。（）

2、选择题：

1、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）。

A.少数载流子

B.多数载流子

C.暨有少数载流子又有多数载

流子

2、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）。

A.零偏

B.反偏

C.正偏

3、面接触型晶体二极管比较适合于（）。

A.小信号检波

B.大功率整流

C.大电流开关

4、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。

A.减小

B.增大

C.不变

5、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）。

A.R A.R A.R*100?或R*1K?挡

B.R*1?挡

C.R*10K?挡

6、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）。

A.P型半导体

B.本征半导体

C.N型半导体

7、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于（）。

A.大电阻

B.断开的开关

C.接通的开关

8、当硅二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）。

A.小阻值电阻

B.阻值很大的电阻

C.内部短路

三、填空题：

1、半导体是一种导电能力介于与之间的物体。

2、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通；加电压时PN结截止。

3、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向电压降为 V，锗二极管的正向压降为 V。

4、2AP系列晶体二极管是半导体材料制成的，2CP、2CZ系列晶体二极管是半导体材料制成的。

5、晶体二极管因所加电压过大而，并且出现的现象，称为热击穿。

6、把交流电转换成直流电的过程称为。原理是利用晶体二极管的性。常用的整流电路有：、、等。

7、硅稳压二极管的主要参数是：、、、。

8、滤波电路的作用是：。

9、常见的滤波器有：、、等。

第1章：晶体二极管和整流电路测试题

测试题一 一．填空题： 1．二极管的P 区接电位 端，极管的N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置，二极管截止；所二极管具有 性。 2．二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型； 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 3．普通二极管工作时要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。 4．单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。 5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 、 等。 6．W7805的输出电压为 V ，额定输出电流为 A ； 7．开关稳压电源的调整管工作在 状态，依靠调节调整管 的比例来实现稳压。 8．发光二极管能将电信号转换成 信号，它工作时需要加 偏置电压；光电二极管能将 转换成电信号，它工作时需要加 偏置电压； 二．判断题： 1．二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。 （ ） 2．稳压二极管在工作中只能作反向连接。 （ ） 3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。（ ） 4．在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开，输出电压的平均值变为原来的一半。 （ ） 5．二极管的反向漏电流越小，其单相导电性能越好。 （ ） 三．选择题： 1．图1.17所示符号中，表示发光二极管的为 （ ） 2．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。 （ ） A ．0 B ．死区电压 C ．反向击穿电压 D ．正向压降 3．．用万用表电阻挡测量小功率二极管性能好坏时，应把量程开关旋到 （ ）位置。 A ．R ×100 B ．R ×1K C ．R ×1 D ．R ×10K 4．直流稳压电源中，滤波电路的作用是 （ ） A ．将交流电变为较平滑的直流电 B ．将交流电变为稳定的直流电 C ．滤除直流电中的交流成分 D ．将交流电变为脉动直流电 5．开关稳压电源效率高的主要原因是 （ ） A ．调整管工作在开关状态 B ．输出端有LC 滤波电路 C ．省去电源变压器 D ．电路元件少 四．技能实践题： A . B . C .D .图1.17

第四章 半导体二极管和晶体管

第四章半导体二极管和晶体管 教学目标 本章课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 1.掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2.具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 教学内容 1、半导体基础知识 2、PN结特性 3、晶体管 教学重点与难点 1、PN结的单向导电性、伏安特性 2、二极管的伏安特性及主要参数 3、三极管放大、饱和、截止三种模式的工作条件和性能特点 一、电子技术的发展 电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。

电子管→半导体管→集成电路 半导体元器件的发展： 1947年贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年集成电路 1969年大规模集成电路 1975年超大规模集成电路 第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路中有40亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按10倍/6年的速度增长，到2015或2020年达到饱和。 二、模拟信号与模拟电路 1、电子电路中信号的分类： 数字信号：离散性。 模拟信号：连续性。大多数物理量为模拟信号。 2、模拟电路 模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放大电路。模拟电路多以放大电路为基础。 3、数字电路 数字电路主要研究数字信号的存储、变换等内容，其主要包括门电路、组合数字电路、触发器、时序数字电路等。 数字电路的发展与模拟电路一样经历了由电子管、半导体分立器件到集成电路等几个时代。但其发展比模拟电路发展的更快。

第1章 晶体二极管和二极管整流电路

第1章 晶体二极管和 二极管整流电路 教学重点 1．了解半导体的基本知识：本征半导体、掺杂半导体；掌握PN 结的基本特性。 2．理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3．了解几种常用的二极管：硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。 4．掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点；了解电容滤波电路的工作原理。 5．了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。 教学难点 1．PN 结的单向导电特性。 2．整流电路和滤波电路的工作原理。 3．硅稳压管稳压电路的稳压过程。 学时分配 1.1 晶体二极管 1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 ???体三极管等器件：晶体二极管、晶 等、变压器、电感电容、 元件：电阻电子元器件T)()()()(L C R

1．晶体二极管 (1) 外形 如图1.1.1(a )所示，晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。 (2) 图形、文字符号 如图1.1.1(b )所示，晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中，三角形表示正极，竖杠表示负极。V 为晶体二极管的文字符号。 2．晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性 (1) 正极电位＞负极电位，二极管导通； (2) 正极电位＜负极电位，二极管截止。 即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 [例1.1.1] 图1.1.3所示电路中，当开关S 闭合后，H 1、H 2两个指示灯，哪一个可能发光？ 解 由电路图可知，开关S 闭合后，只有二极管V 1 正极电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以H 1指示灯发光。 1.1.2 PN 结 二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结 1．半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si )或锗(Ge )半导体。 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： —载流子—均可运载电荷量的正电空穴：带与自由电子等自由电子：带负电???? ?? 载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴，统称载流子。如图1.1.4所示。 2．本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。 3．杂质半导体 为了提高半导体的导电性能，在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同，可分两种： 图1.1.4 半导体的两种载流子 图1.1.3 [例1.1.1]电路图 图1.1.1 晶体二极管的外形和符号

第一章 晶体二极管和二极管整流教案

课题 1.1.1～1.1.2 晶体二极管的基本特性课型新课授课班级17机电授课时数 2 教学目标1．熟识二极管的外形和符号2．掌握二极管的单向导电性 教学重点 二极管的单向导电性教学难点 二极管的反向特性 学情分析学生初步了解晶体管，理解起来有些难度学生具有半导体的相关知识 教学方法 实物观察法、图示法、实验总结法、多媒体演示法 教后记 通过知识讲解，学生对晶体二极管有了一定的认识，了解了二极管的单向导电性，并能利用所讲解的知识，熟练的根据外形读出二极管的正负极。

引入 1．观察二极管的外形 2．得出共性特征：具有两个电极，将其拉入电路中会出现何种特性呢？ 3．演示实验 （1）实验电路 （2）现象 灯亮或不亮，说明电路导通或不通。 结论：有一类器件能单方向导电，这类器件是晶体二极管。 1.1.1晶体二极管的单向导电性 1．结构：一个是正极，一个是负极 2．符号： 3．文字：V 4．结论： a．外加电压为正极高电位，负极低电位时二极管导通，正偏。 b．外加电压为负极高电位，正极低电位时，二极管截止，反偏。 单向导电性：晶体二极管加一定正向电压时导通，加反向电压时截止。 随堂练习 判断二极管是否导通 1.1.2PN结 1．本征半导体：不加杂质的纯净半导体，如硅、锗。 2．载流子：半导体中存在的两种导电的带电物体。 （1）自由电子：带负电。 （2）空穴：带正电。 特性：在外电场的作用下具有定向移动的效应，能形成电流。 3．P型半导体：在本征半导体中掺三价元素。 空穴数大于自由电子数。 即：多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 4．N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素。 即：多数载流子为电子，少数载流子为空穴。 注意：无论是P型、N型半导体，其正、负电荷总是相等的，整个半导体保持电中性。 5．PN结 采用掺杂工艺，使硅或锗的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体区域，在P区和N区的交界面形成一个具有特殊电性能的薄层，称为PN结。 将PN结加封装成二极管，从P区引出为正极，N区引出为负极。（展示各种二极管） （观察灯的发光情况） （引导） （讨论、回答、评析） （讲解）（讲解）（图形模

二极管与三极管练习

二极管、三极管练习 一、是非题：（8分） （）1、二极管是根据PN结的单向导电特性制成的，因此，二极管也具有单向导电性。 （）2、二极管的电流—电压特性关系可大概理解为反向偏置导通、正向偏置截止。 （）3、用万用表识别二极管的极性时，若侧的是二极管的正向电阻，那么和标有“+”号的测试笔相连的是二极管的正极，另一端是负极。 （）4、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（）5、晶体管由两个PN结组成，所以，能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。 （）6、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。 （）7、发射结处于正向偏置的晶体管，一定是工作在放大状态。 （）8、既然晶体管的发射区和集电区是由同一种类型的半导体构成，故E极和C极可以互换使用。 二、选择题：（20分） 1、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管（）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 2、如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管（）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 3、用万用表电阻档测量小功率二极管的特性好坏时，应把电阻档拨到（）。 A、R*100或R*1000档 B、R*1档 C、R*10K档 4、用万用表电阻档测试二极管的电阻时，如果用双手分别捏紧测试笔和二极管引线的接触处，测得二极管正、反向电阻，这种测试方法引起显著误差的是（）。 A、正向电阻 B、反向电阻 C、正、反向电阻误差同样显著 D、无法判断 5、当晶体管的两个PN结都反偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 6、当晶体管的两个PN结都正偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 7、当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 8、当晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。 A、随基极电流的增加而增加 B、随基极电流的增加而减小 C、与基极电流变化无关，只取决于U CC和R C

第一章 晶体二极管的使用

第一章晶体二极管及其应用检测题 姓名：______________ 班级：______________ 电子技术部分 一、填空题（每空1分，共15分） 1、半导体具有_______、_______、_______三大特性。 2、二极管具有_______特性，即加上_______偏时导通，加上_______偏压时截止。 3、将交流电变成__________的过程称为整流。整流是利用二极管的_______来实现。 4、已知一整流桥堆上标有“QL1A/200”,其中1A表示_________________，200表示 ____________________。 5、根据下列符号，写出二极管的名称 _________ __________ _________ __________ __________ 二、判断题（每题2分，共10分） 1、常用的半导体材料只有硅材料（） 2、光敏二极管就是利用半导体的光敏特性制成的( ) 3、二极管电压击穿后就已经损坏了（） 4、电感滤波电路输出波形比电容滤波电路输出波形更平滑，但输出电压却比电容滤波 要低得多（） 5、在测量二极好坏和判断引脚时，应将万用表打到R×10KΩ档（） 三、选择题（每题3分，共12分） 1、在测量二极管好坏时，测得二极管的正、反向电阻都比较大，表示二极管（） A、断路 B、击穿 C、质量差 D、质量好 2、稳压管就是利用二极管的（）特性来稳压的

A、正向特性 B、单向导电性 C、反向击穿特性 D、都不是 3、电容滤波电路是利用电容的（）进行滤波的 A、充电原理 B、放电原理 C、充放电有的是 D、端电压不变 4、已知一桥式整流电路的输入次级电压的有效值U2=10V，则其输出电压U0=（） A、4.5V B、9V C、12V D、14V 三、作图题（5分） 要据以下电路图，连接实物图 三、计算题（8分） 在如图所示电路中，已知次级电压的有效值U2=10V，负载RL=1KΩ 求：(1)当开关S断开时，该电路为什么电路？输出电压U0和输出电流I0是多少？ (2)当开关S闭合时，该电路为什么电路？输出电压U0和输出电流I0是多少？

第14章二极管和晶体管

第十四章二极管和晶体管 第十四章 二极管和晶体管 一、本章提要 介绍二极管和晶体管的基本结构、工作原理、特性和参数，PN结的构成是各种半导体器件的共同基础。此外本章还介绍了稳压管和几种光电器件。 二、本章课时安排 章节序号及名称主要内容学时分配本章总学时 14.1半导体的导电特性介绍本征半导体、杂质半导体、N型半导体和P 型半导体的基本概念。 1学时 14.2 PN结及其单向导电性1 PN结的构成； 2 PN结的单向导电性。 0.5学时 14.3 二极管二极管的结构、伏安特性和参数。 0.5学时14.4 稳压二极管 稳压管的工作原理、伏安特性和主要参数。 0.5学时14.5 晶体管晶体管的基本结构、电流分配和放大原理、伏安 特性和主要参数。 1学时 14.6 光电器件 光电器件：发光二极管、光电二极管和光电晶体 管。 0.5学时 4学时 14.1 半导体的导电特性 一、相关内容回顾 自1948年第一个晶体管问世以来，半导体技术有了飞跃的发展由于半导体器件具有重量轻、体积小、耗电少、寿命长、，工作可靠等突出优点，在现代工业、现代农业、现代国防和现代科学技术中获得了广泛的应用。 导体二极管和三极管是最常用的半导体器件，虽然在物理课中有所了解，但为了理论的系统化、我们还要从讨论半导体的导电特性和PN结的基本原理(特别是它的单向导电性)开始。因为PN结是构成各种半导体器件的共同基础，了解二极管和三极管的基本结构，工作原理、特性和参数，是学习电子技术和分析电子电路必不可少的基础。 二、重点及难点 1.教学重点： (1)本征半导体与杂质半导体的概念； (2)N型半导体和P型半导体的概念。 2.教学难点： (1)本征半导体和杂质半导体的特点和导电机理； (2)杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种，它们的特点和导电机理。 1

第一章 晶体二极管和二极管整流电路(习题一)

第一章 晶体二极管和二极管整流电路 一、填空 1．纯净的半导体称为 ；在纯净的半导体中掺入少量的硼元素，可形成 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，所以又称 型半导体，。 2．在本征半导体中掺入磷元素，可形成N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 。 3．如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时， 即称为 电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为 。若反向电压 继续增大，容易发生 现象。其中 稳压管一般工作在 区。 4．二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 _____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V 。 5．二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。 6．用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。 7．有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。 8．整流是指_______________________________________。 9．滤波是指 。 10．如图，V 为理想二极管。 状态 ， V AB = V 11 ．图中，V 为硅二极管。 与A 接通时， V 的状态 ，V MN = V 与B 接通时， 的状态 ，V MN = V 6V

第一章、晶体二极管测试题1

第1章晶体二极管和二极管整流电路 单元测试题一（时限45分钟） 1、判断题： 1、在半导体内部，只有电子是载流子。（） 2、在N型半导体中，多数载流子是空穴。（） 3、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（） 4、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （） 5、一般来说，硅二极管的死区电压（门槛电压）小于锗晶体二 极管的死区电压。（） 6、用万用表测某晶体二极管的正向电阻式、时，插在万用表 有“+”号插孔中测试表笔（红表笔）所连接的二极管的管脚是 二极管的阳极，另一极是阴极。（） 7、晶体管击穿后立即烧毁。（） 8、晶体二极管在反向电压小于击穿电压时，反向电流极小；当 反向电流大于反向击穿电压后，反向电流会迅速争大。（） 2、选择题： 1、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）。 A.少数载流子 B.多数载流子 C.暨有少数载流子又有多数载 流子 2、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 3、面接触型晶体二极管比较适合于（）。 A.小信号检波 B.大功率整流 C.大电流开关 4、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。 A.减小 B.增大 C.不变 5、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）。 A.R A.R A.R*100?或R*1K?挡 B.R*1?挡 C.R*10K?挡 6、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）。 A.P型半导体 B.本征半导体 C.N型半导体 7、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于（）。

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义

CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极

管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流

半导体二极管和晶体管

第6章集成运算放大器的单元电路 习题解答 【6-1】填空 1. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用耦合方式。 2. 若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30，则将它们连成两级放大电路，其放大倍数为（a. 600，b. 大于600，c. 小于600） 3. 在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u|= ，折合为dB。 解： 1.直接； 2. c 小于600； 3.105，100； 【6-2】填空 1．放大电路产生零点漂移的主要原因是。 2．在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路。这是由于。 3．差分放大电路是为了而设置的。 4．抑制零漂的主要措施有种，它们是。 解： 1. 环境温度变化引起参数变化； 2. 小；零点漂移是缓慢变化的信号，将难于通过耦合电容； 3. 克服（抑制）零点漂移； 4. 3，差分放大电路、调制解调放大器和温度补偿元件。 【6-3】某差分放大电路如题图6-3所示，设对管的β=50，r bb′=300Ω,U BE=0.7V，R W的影响可以忽略不计，试估算： 1．VT1，VT2的静态工作点； 2．差模电压放大倍数A ud； 3．仿真验证上述结果。 V EE =-12V 图6-3 题6-3电路图 解： 1．静态工作点计算，令 I1I20 u u ==

E E B E B 1B 2 b e 10.9μA 2(1)V U I I R R β-===++ C 1C 2B 1 0.54m A I I I ===β C E 1C E 2 C C E E C c e ()(2)7.70V U U V V I R R ==+-+≈ 2．be bb'E 26mV (1) 2.75k mA r r I β=++? ≈Ω o c ud I1I2b be 22.0U R A U U R r β==-≈--+ 【6-4】 在题图6-4所示的差分放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =1.2k Ω。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路； 2．求差模电压放大倍数ud A ； 3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR 。 V V EE 图6-4题6-4电路图 解： 1. 在共模交流通路中，电阻R 开路，故其半边电路的射极仅接有电阻R e ；在差模交流通路中，电阻R 的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为R e 和R /2 的并联。 + - Oc u 图6-4 （a ）共模 （b ）差模

实验二 晶体二极管和三极管的简单测试

实验二晶体二极管和三极管的简单测试 一、实验目的 1. 学习使用万用表检测晶体二极管和晶体三极管的好坏及判别管脚。 2. 加深巩固对元器件特性和参数的理解。 二、实验器材 万用表： 500型一只 二极管： 1N4001—1N4007型一只 三极管： 9012（PNP型硅管）、9013（NPN型硅管）各一只 质量差和坏的各类二极管、三极管若干只电阻： 100K 一只 三、实验原理内容及步骤 晶体二极管和晶体三极管是电子电路和电子设备中的基本器件，为了能正确的加以选用，必须了解它们的特性、参数以及测试方法，这里介绍使用万用表检测的方法。 使用万用表对器件进行检测时，一般应使用该表的R×1K或R×100档，用其它档位会造成晶体管损坏。还应注意，指针式万用表欧姆档红表笔正端（＋）接表内电池的负极，而黑表笔负端（－）接表内电池的正极。 （一）利用万用表测晶体二极管

1、判别二极管的极性 将万用表欧姆档的量程拨到R×1K、R×100档，并将两表笔分别接到二极管两端。如图1—1所示。如果二极管处于正向偏置，呈现低电阻，表针偏转大，此时万用表指示的电阻小于几千欧,若二极管处于反向偏置，呈现高电阻，表针偏转小，此时万用表指示的电阻将达几百千欧以上。正向偏置时，黑表笔所接的那一端是二极管的正极。 图2—1 2、判别二极管好坏 测得二极管的正向电阻相差越大越好，若测得正反向电阻均为无穷大，则表明二极管内部断路。如果测得正、反向电阻均为零，此时表明二极管被击穿或短路。 （二）用万用表测发光二极管 发光二极管和普通二极管一样具有单向导电性，正向导通时才能发光。发光二极管在出厂时，一根引线做得比另一根引线长，通常，较长引线表示正极（＋），另一根为负极（－）。 1、判别发光二极管的极性