北工大 10年 半导体物理 期末试卷

半导体物理2010-2011学年(2011.1.5)

一、简答题（8*6’=48’）

1.请填写下表中的数据：

2.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？示意画出掺杂浓度为Nd的N型半导体样品电子浓度n和本征载流子

浓度ni随T变化曲线。

3.“纯净的半导体中，掺入百万分之一的杂质，可以减小电阻率达1百万倍，”是估算说明之。

4.一块杂志补偿的半导体，受主杂质和施主杂质浓度相等。设杂质全部电离，判断当杂质浓度分别为

(a) Na=Nd=1014cm-3(b) Na=Nd=1018cm-3 时，哪种情况的电导率大？简述分析理由。

5.什么是载流子的平均自由时间τ？有两块Si半导体材料1和2，其中τ1>τ2，迁移率哪个大？

如果同一块半导体中，有两种机理的平均自由时间τ1和τ2，其总迁移率如何确定？

6.写出以n型样品为例少子空穴的连续性方程。

由连续性方程写出：不考虑电场的作用、无产生、稳态载流子扩散方程；

7.什么是PN结的势垒电容？定性说明掺杂浓度对势垒电容有何影响。

8.一个p-N异质结接触前能带图见图1。画出平衡状态下能带图。

二、（16’）

电阻率为7Ω·cm的p型硅，T=300K。

⑴试计算室温时多数载流子和少子浓度（可查图）。

⑵计算该半导体的功函数。

⑶不考虑界面态，在金属铝（功函数W Al=4.20eV）和金属铂（功函数W Pi=5.3eV）中选择制备肖特基二极管

的金属，给出选择理由。

⑷求金属一侧势垒高度的理论值qΦms和半导体一侧势垒高度qV D。

三、(16’)

室温下，一个Si的N-P结，N区一侧掺杂浓度为1017cm-3，P区为1015cm-3

⑴求该N-P结的接触电势差。

⑵画出平衡PN结、正向偏置PN结、反向偏置PN结空间电荷区中及边界处的载流子分布示意图。

⑶根据正向和反向少子分布情况，解释PN结正向导通，反向截止的饱和特性。

⑷写出理想PN结电流-电压关系公式，在对数坐标下，定性画出理想和实际I-V特性示意图。

四、（15’）

一理想的MOS结构的高频测量的C-V曲线如图2.

（1）判断该结构中，半导体的导电类型。

（2）说明图中1,2,3,4,5点的半导体一侧的状态，并示意画出每点半导体一侧的能带形状，以及金属和半导体一侧的电荷分布。

五、（5’）

任意论述一种能够测量下列半导体参数的实验方法和测量原理：半导体掺杂浓度、多子迁移率、少子迁移率、PN 结理想因子m。

附录：

1.物理常数：

2.Si材料的性质（300K）：

3.Si材料电阻率随掺杂浓度变化

华工半导体物理期末总结

一、p-n结 1.PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布 （1）按照杂质浓度分布，PN 结分为突变结和线性缓变结 突变结--- P区与N区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面处（x = 0）发生突变。 单边突变结---一侧的浓度远大于另一侧，分别记为PN+ 单边突变结和P+N 单边突变结。后面的分析主要是建立在突变结（单边突变结）的基础上 突变结近似的杂质分布。

线性缓变结--- 冶金结面两侧的杂质浓度均随距离作线性变化，杂质浓度梯 a 为常数。在线性区 () N x ax =- () 常数 = - = dx N N d a a d 线性缓变结近似的杂质分布。

空间电荷区：PN结中，电子由N区转移至P区，空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的，称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。 （2）电场分布 2.平衡载流子和非平衡载流子 （1）平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度为n0和p0。 （2）非平衡载流子--处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子 3. Fermi 能级，准Fermi 能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图 (1)Fermi 能级:平衡PN结有统一的费米能级。 （2）当pn结加上外加电压V后，在扩散区和势垒区范围内，电子和空穴没有统一的费米能级，分别用准费米能级。 （3）平衡PN结能带图

（4）非平衡PN结能带图

大一C语言期末考试试题

6.以下程序的输出结果为（D）。 main( ) { char c; int i; for(i=65;i<68;i++) { c=i+32; switch(c) { case ‘a’:printf("%c,",c);break; case ‘b’:case ‘e’:printf("ok,"); default: printf("end"); } } } A a,ok,end B a,ok,endend C a,ok,end,end D a,ok,ok 9.以下程序的输出结果为（B）。 #define A 3 #define B(a) (A+1)*a main() { int x; x=3*A+B(7); printf("x=%d\n",x); } A x=93 B x=37 C x=60 D x=90 三写出下列程序的运行结果（10分，每小题2分） 1.main( ) { char c1=‘A’,c2=‘\144’,c3=‘\x44’,c=0xf5,x=13,a; int i=0122,j=0xa4; printf(“c1=%c,c4=%c\tc5=%c\n”,c1,c2,c3); printf(“%d,%d\n”,i,j); i=-34; j=20; printf(“%d,%d,%d\n”,i%j,i&j<<2,sizeof(j)); printf(“c=%d\n”,c|x); a=c^x<<2;

printf(“a=%d\n”,a); } 2.main() { int x,y=1,z=10; if(y!=0) x=5; printf(“x=%d\t”,x); x=1; if(z<0) if(y>0) x=3; else x=5; printf(“x=%d\n”,x); if(z=y<0) x=3; else if(y==0) x=5; else x=7; printf(“x=%d\t”,x); printf(“z=%d\n”,z); } 3.main( ) { char s[20]=“I like it.”,t[20]=“Are you?”,c[20]; int i=0; while(s[++i]!=‘\0’) t[i]=s[i]; t[i]=0; printf(“string s:%s\n”,s); printf(“string t:%s\n”,t); } 4.int i=5; main( ) { int i=3; { int i=10; i++; printf(“%d\n”,i);

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1.Hello world. 输入：无 输出：Hello world. 程序： #include int main() { printf("Hello world.\n"); return 0; } 2.Welcome to Beijing. 程序： #include int main() { printf("Welcome\n"); printf("to\n"); printf("Beijing.\n"); return 0; } 3. 求A+B 输入：整数1 整数2

输出：整数1+整数2=和 程序： #include int main() { int a,b; scanf("%d",&a); scanf("%d",&b); printf("%d+%d=%d\n",a,b,a+b); return 0; } 4. 求 x 的 3次方 输入：一个整数。 输出：该整数的 3 次方值。 程序： #include int main() { int x; scanf("%d",&x); printf("%d\n",x*x*x); return 0; } 5. 学习打印你的第一个图形

编写一个小程序，要求输出的是 4 行由*号组成的等腰三角形。 程序： #include int main() { printf(" *\n"); printf(" ***\n"); printf(" *****\n"); printf("*******\n"); return 0; } 6. 一年级的算术题 输入：接受两个整数，每个整数之间使用空格分隔。例如输入格式为：123 444 输出：分别输出按照整型数据进行 +、-、*、/、* 之后的运行结果。 程序： #include int main() { int a,b; scanf("%d %d",&a,&b); printf("%d+%d=%d\n",a,b,a+b); printf("%d-%d=%d\n",a,b,a-b);

半导体物理器件期末考试试题(全)

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。 代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11

13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11

半导体物理学_课堂知识详细归纳总结

第一章、 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说 明之。 1-2、 试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征。 1-4、简述Ge 、Si 和GaAS 的能带结构的主要特征。 1-5、某一维晶体的电子能带为 [])sin(3.0)cos(1.01)(0ka ka E k E --= 其中E 0=3eV ，晶格常数a=5х10-11m 。求： （1） 能带宽度； （2） 能带底和能带顶的有效质量。 题解： 1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成 为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温 度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、 解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的 集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A 、荷正电：+q ； B 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； C 、E P =-E n D 、m P *=-m n *。 1-4、 解： （1） Ge 、Si: a ）Eg (Si ：0K) = 1.21eV ；Eg (Ge ：0K) = 1.170eV ； b ）间接能隙结构 c ）禁带宽度E g 随温度增加而减小； （2） GaAs ： a ）E g （300K ）= 1.428eV ，Eg (0K) = 1.522eV ； b ）直接能隙结构； c ）Eg 负温度系数特性： dE g /dT = -3.95×10-4eV/K ； 1-5、 解： （1） 由题意得： [][])sin(3)cos(1.0)cos(3)sin(1.002 2 20ka ka E a k d dE ka ka aE dk dE +=-=

大学计算机C语言期末试卷02

一、选择题，（1-50）每题1分，下列各题A）、B）、C）、D）四个选项中，只有一个选项是 正确的，请将正确选项涂写在试卷最后答题纸相应位置上，答在试卷上不得分。 (1) 用8位表示，-2的补码是D A) 10000001 B) 11111111 C) 00000001 D) 11111110 (2) 在VC中，实型float占用的字节数是c A) 1 B) 2 C) 4 D) 8 (3) unsigned short的取值范围是d A) 0~ 255 B) -128 ~ 127 C) -32768 ~ +32767 D) 0 ~ 65535 (4) 十六进制数FE的十进制结果为A A) 254 B) 512 C) 1024 D) 64 (5) 源程序ex1.c编译后生成的文件名为 C A) ex1.doc B) ex1.obj C) ex1.exe D) ex1.cpp (6) C语言源程序的后缀为B A) .cpp B) .c C) .exe D) .doc (7) 工程文件名的后缀为A A) .prj B) .c C) .cpp D) .bin (8) 字符’B’的ASCII值是A A) 66 B) 0x3A C) 0x42 D) 49 (9) 将十进制数132转为二进制数的结果是D A) 11001100 B) 110011011 C) 10101010 D) 10000100 (10) 终止死循环用组合键B A) Alt+F10 B) Ctrl+C或Ctrl+Break C) Ctrl+F1 D) Ctrl+Shit或Ctrl+ESC (11) 在VC中，编译的快捷键是B A) F7 B) Ctrl+F7 C) Ctrl+F5 D) F5 (12) 以下选项中可作为C语言合法整数的是D A) 10110B B) 0386 C) 0Xffa D) x2a2 (13) 以下不能定义为用户标识符的是D A) scanf B) Void C) _3com_ D) int (14) 以下程序 swap(int x, int y) {int temp; temp=x; x=y; y=temp; } main() {int a=10,b=20; swap(a,b); printf("a=%d,b=%d\n",a,b); } 的运行结果是B A)a=20,b=10 B)a=10,b=20 C)10,20 D)20,10 (15) 以下程序： main() {int a=0x55, b=0xaa; printf("%d\n", a^b); } 的运行结果是：C A) 0 B) 1 C) 255 D) 0xaa (16) 有以下程序 main() {int a=1,b=2,m=0,n=0,k; k=(n=b>a)||(m=a

半导体物理期末试卷含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

半导体物理知识点总结

半导体物理知识点总结 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在1.1节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。（重点掌握）在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。（重点掌握）在1.3节，引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。（重点掌握）在1.4节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。（重点掌握）在1.5节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。（理解即可）在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。（掌握能带结构特征）在1.7节，介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。（掌握能带结构特征）本章重难点： 重点： 1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点； 三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同：孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动，自由电子是在恒定为零的势场中运动，而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动（共有化运动），单电子近似认为，晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。 3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂，是形成半导体能带的原因，半导体能带的特点： ①存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带②低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一部分电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。

北工大 10年 半导体物理 期末试卷

半导体物理2010-2011学年(2011.1.5) 一、简答题（8*6’=48’） 1.请填写下表中的数据： 解理面 材料晶格结构布拉伐格子直接/间接 带隙 Si GaAs 2.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？示意画出掺杂浓度为Nd的N型半导体样品电子浓度n和本征载流子浓度ni随T变化曲线。 3.“纯净的半导体中，掺入百万分之一的杂质，可以减小电阻率达1百万倍，”是估算说明之。 4.一块杂志补偿的半导体，受主杂质和施主杂质浓度相等。设杂质全部电离，判断当杂质浓度分别为 (a) Na=Nd=1014cm-3(b) Na=Nd=1018cm-3 时，哪种情况的电导率大？简述分析理由。 5.什么是载流子的平均自由时间τ？有两块Si半导体材料1和2，其中τ1>τ2，迁移率哪个大？ 如果同一块半导体中，有两种机理的平均自由时间τ1和τ2，其总迁移率如何确定？ 6.写出以n型样品为例少子空穴的连续性方程。 由连续性方程写出：不考虑电场的作用、无产生、稳态载流子扩散方程； 7.什么是PN结的势垒电容？定性说明掺杂浓度对势垒电容有何影响。 8.一个p-N异质结接触前能带图见图1。画出平衡状态下能带图。

电阻率为7Ω·cm的p型硅，T=300K。 ⑴试计算室温时多数载流子和少子浓度（可查图）。 ⑵计算该半导体的功函数。 ⑶不考虑界面态，在金属铝（功函数W Al=4.20eV）和金属铂（功函数W Pi=5.3eV）中选择制备肖特基二极管的金属，给出选择理由。 ⑷求金属一侧势垒高度的理论值qΦms和半导体一侧势垒高度qV D 。 三、(16’) 室温下，一个Si的N-P结，N区一侧掺杂浓度为1017cm-3，P区为1015cm-3 ⑴求该N-P结的接触电势差。 ⑵画出平衡PN结、正向偏置PN结、反向偏置PN结空间电荷区中及边界处的载流子分布示意图。 ⑶根据正向和反向少子分布情况，解释PN结正向导通，反向截止的饱和特性。 ⑷写出理想PN结电流-电压关系公式，在对数坐标下，定性画出理想和实际I-V特性示意图。 四、（15’） 一理想的MOS结构的高频测量的C-V曲线如图2. （1）判断该结构中，半导体的导电类型。 （2）说明图中1,2,3,4,5点的半导体一侧的状态，并示意画出每点半导体一侧的能带形状，以及金属和半导体一侧的电荷分布。

c语言期末测试题(附答案)

课程代码：A100002座位号： 《计算机技术基础（C语言）》试卷A 姓名: 学号: 专业: 学院: 班级: 20 年月日 第一部分 选择题（共 30 分） 一、单项选择题（本大题共 15 小题，每题只有一个正确答案，答对一题得 2 分，共 30 分） 1、以下关于C语言标识符的描述中，正确的是【】。 A）标识符可以由汉字组成B）标识符只能以字母开头 C）关键字可以作为用户标识符D）Area与area是不同的标识符 2、使下列程序段输出“123，456，78”，键盘输入数据，正确的输入是【】。 int i,j,k; scanf(“%d,%3d%d”,&i,&j,&k); printf(“%d,%d,%d\n”,i,j,k); A）12345678 B）123，456，78 C）123，45678 D）123，*45678 3、判断char类型的变量c1是否为数字字符的正确表达式为【】。 A) (c1>=0)&&(c1<=9) B) (c1>=’0’)&&(c1<=’9’) C) ’0’<=c1<=’9’ D) (c1>=’0’)||(c1<=’9’) 4、若有语句int a=1,b=2,c=3；则以下值为0的表达式是【】。 A）’a’&&’b’ B）a<=b C）((a>b)||(b

A. *(a[0]+2) B. a[1][3] C . a[1][0] D. *(*(a+1)+2) 6、在循环语句的循环体中执行break语句，其作用是【】。A）跳出该循环体，提前结束循环 B）继续执行break语句之后的循环体各语句 C）结束本次循环，进行下次循环 D）终止程序运行 7、执行语句for(i=10;i>0;i--)；后，变量i的值为【】。A）10 B）9 C）0 D）1 8、若有int *p1, *p2，k; 不正确的语句是【】 A. p1=&k B. p2=p1 C. *p1=k+12 D. k=p1+p2 9、在函数中未指定存储类别的局部变量，其隐含的存储类别是【】 A. 静态（static） B. 外部（extern） C. 自动（auto）Ｄ. 寄存器（register） 10、如下程序的输出结果是【】 main( ) { int x=2,a=0,b=0; switch(x) { case 2: a++; b++; case 1: ++a; b--; break; case 0: b++;} printf("a=%d, b=%d\n", a, b);} A. a=2, b=0 B. a=2, b=1 C. a=1, b=1 D. a=1, b=0 11、表示关系a main() {int x; scanf(“%d”,&x); if(x<=3) ; else if(x !=10)printf(“%d\n”,x); } 程序运行时，输入的值在哪个范围才会有输出结果。【】

北京工业大学C语言作业3-分支

1. 计算个人所得税 1.1. 题目要求 输入一个职工的月薪salary，输出应交的个人所得税tax(保留2位小数)。tax = rate *(salary-850) 当 salary <= 850 时，rate = 0; 当 850 < salary <= 1350 时，rate =0.0 5; 当 1350 < salary <= 2850 时，rate = 0.10; 当 2850 < salary <= 5850 时，rate = 0.15; 当 5850 < salary 时，rate = 0.20; 1.2. 测试结果（输入结束回车符用<回车>表示） （1）输入：800<回车> 输出：tax=0.00 （2）输入：4010<回车> 输出：tax=474.00 （3）输入：2850<回车> 输出：tax=200.00 2. 输出水果单价 2.1. 题目要求 以下4种水果的单价分别是3.00元/公斤，2.50元/公斤，4.10元/公斤，10.20元/公斤。 [1] apples [2] pears [3] oranges [4] grapes 输入水果的编号，输出该水果的单价(保留2位小数)。如果输入不正确的编号，显示单价为0。 2.2. 测试结果（输入结束回车符用<回车>表示） （1）输入：3<回车> 输出： [1] apples [2] pears [3] oranges

[4] grapes price=4.10; （2）输入：5<回车> 输出： [1] apples [2] pears [3] oranges [4] grapes price=0.00 3. 输出大小写字母 3.1. 题目要求 输入一个字符，如果它是大写字母，输出相应的小写字母；如果它是小写字母，输出相应的大写字母；否则，原样输出。 3.2. 测试结果（输入结束回车符用<回车>表示） （1）输入：F<回车> 输出：f （2）输入：y<回车> 输出：Y （3）输入：=<回车 输出：= 附加题：（选做） 4. 计算旅途时间 4.1. 题目要求 输入2个整数time1和time2，表示火车的出发时间和到达时间，计算并输出旅途时间。 有效的时间范围是0000到2359，不需要考虑出发时间晚于到达时间的情

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分） 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分） 答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数

(完整版)半导体物理知识点及重点习题总结

基本概念题： 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。 答： 能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。 单电子近似： 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似： 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案： 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k

大一c语言期末试题及参考答案word版本

2004级信息学院《C语言设计》考试试题 一、判断下列语句或程序的对错。 10分√ 1 int x=y=z=’0’; （×） y,z没有定义 2 #include ; （×）不能有分号，#开头的结尾均不能有分号； 3 printf(“%s\n”,”c language”); （√） 4 float a[100]; int *p=a; （×）数据类型不匹配 5 char str[20]; 6 int data[4]={0,1,2,3,4}; （×）五个元素，但是只有四个单元 7 float x=1.45e+310L; （×）数值越界 8 int xyz-1=2; （×） 9 int x=‘\xae’ ; (√) 10 int *p,a[2][3] ; p=a ; （×）数据类型不匹配 二计算下列表达式的值 10分 设 unsigned int a=10,b=17,c=5,d=3; float f ; (1)f=b/c ( 3.0 ) (2)!(a+b)+c-1&&b+c/2 ( 1 ) (3)(a^b)+(c>>1+d) ( 0x1b ) (4)a+=b%=a=b ( 17 ) (5)a=2,b=a*++b ( 2 ) 三程序改错 10分 （1）求两个浮点数的平方和及平方差 #include float calculate (float x,float y,float *sub);添加函数原型声明 main () { float a,b； float add_reasult, sub_result； scanf (“%f,%f”,a,b)； add_result=calculate(a,b,&sub_result)； printf( “a*a+b*b=%d,a*a-b*b=%d\n”,add_result,sub_result)； } float calculate (float x,float y,float *sub) 添加函数类型 { float *temp; 应该直接定义为变量float temp; sub=a*a-b*b ; *sub=a*a-b*b;

北京工业大学c语言练习1

一、读程序写出运行结果： 1.若从键盘输入58，则以下程序段的输出结果是（）： int main(void) { int a; scanf(“%d”,&a); if (a>50) printf(“%d”,a); if(a>40) printf(“%d”,a); if(a>30) printf(“%d”,a); return 0; } 2.下列程序运行的输出结果是（）： int main(void) { char c=’b’; int k=4; switch(c) { case ‘a’: k=k+1; break; case ‘b’: k=k+2; case ‘c’: k=k+3; } printf(“%d\n”,k); return 0; } 二、编程题 1.键盘输入一个三位整数，输出该数的各位数字 本题要求编写程序，输出一个三位整数的个位数字、十位数字和百位数字的值。输入格式： 输入152。 输出格式： 按照以下格式输出：

2.将x的平方赋值给y 键盘输入x的值，计算x的平方并赋值给y，分别以“y = x ? x”和“x ? x = y”的形式输出x和y的值。 输入格式： 输入一个整数3 输出格式： 按照下列格式输出代入x=3的结果： y = x * x x * x = y 3. 本题目要求计算下列分段函数f(x)的值： 输入格式: 输入在一行中给出实数x。 输出格式: 在一行中按“f(x) = result”的格式输出，其中x与result都保留一位小数。 输入样例1: 输出样例1: 4.为了提倡居民节约用电，某省电力公司执行“阶梯电价”，安装一户一表的居民用户电价分为两个“阶梯”：月用电量50千瓦时（含50千瓦时）以内的，电价为0.53元/千瓦

半导体物理笔记总结 对考研考刘恩科的半导体物理很有用 对考研考刘恩科的半导体物理很有用

半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <10- 9 3 10~10- 9 10> cm ?Ω 此外，半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如：纯硅（Si ） 若温度从 30C 变为C 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C 27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。 另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上： ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电，微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体：常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体：非晶硅（太阳能电池主要材料） 晶体的基本性质：固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子（离子）在较大范围里（6 10-m ）按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶：主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶：由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体：没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序，仅在较小范围（几个原子距）存在结构有 序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能：失去一个价电子所需的能量。 亲和能：最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=（亲和能+电离能）18.0? （Li 定义为1） ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 ● 价电子向负电性大的原子转移 ⅠA 到ⅦA ，负电性增大，非金属性增强

南京邮电大学C语言期末试卷及答案

模拟试卷A 一、单选题 1、C语言中运算对象一定不能是double类型的运算符是___ 。 A、%= B、/ C、= D、<= 2、能正确表达数学逻辑关系"0b) c=0; else c=1; 等价于___。 A、c=(a>b)?1:0; B、c=a>b; C、c=a<=b; D、以上均不是 7、有如下定义语句：int a, b=5, *p=&a; 则能完成a=b赋值功能的语句是___。 A、a=*p; B、*p=*&b; C、a=&b; D、*p =&*p; 8、设int *ptr, x, array[5]={5,4,3,2,1}; ptr=array; 能使x的值为3的语句是___。 A、x=array[3]; B、x=*(array+3); C、x=*(ptr+2); D、array+=2; x=*array; 9、有函数原型为void f(int,int *);主函数中有变量定义：int a,*p=&a,b[10]; 则下列几种调用错误的是___。

北京工业大学c语言练习7-结构

练习7 结构 学号姓名 一、阅读程序 #include struct student{ int num; char name[10]; int computer, english, math; double average; }; void main(void) { int i, n; struct student s; printf("Input n: "); scanf("%d", &n); printf("Input the student’s number, name and course scores\n"); for(i = 1; i <= n; i++){ scanf("%d%s%d%d%d",&s.num,https://www.wendangku.net/doc/c24012014.html,,&s.math,&s.english,&https://www.wendangku.net/doc/c24012014.html,puter); s.average = (s.math + s.english + https://www.wendangku.net/doc/c24012014.html,puter) / 3.0; printf("num:%d, name:%s, average:%.2lf\n", s.num, https://www.wendangku.net/doc/c24012014.html,, s.average); } } (1)若在程序运行时输入： 1<回车> 20130101 张三 90 95 85<回车> 运行结果是: (2) 简述程序的主要功能: 二、程序填空 1. 该程序的功能是：输入某班学生的姓名及数学、英语成绩，计算每位学生的

平均分；然后输出平均分最高的学生的姓名及数学、英语成绩。 #include struct student{ char name[10]; int math,eng; double ave; }; int main(void ) { int i,n,max=0; struct student s[50]; scanf("%d",&n); for(i=0;i void main() { struct person