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ICN2012规格书

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深圳市聚明鑫科技有限公司

ICN2012 (LED 显示屏行驱动芯片)

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ICN2012LED 显示屏行驱动芯片

概述

ICN2012 是一款专为 LED 扫描屏设计的行驱动

管,集成 138 译码电路及功率 PMOS 管。

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ICN2012 采用 SOP16 的封装型式,内部集成防烧功

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率管、消上鬼影、LED灯珠保护等功能

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特性

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? 集成 138 泽码电路

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?集成8个功率PMOS输出PIN,导通电阻100

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m?,最大电流2A

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?输入开路、输入锁死自检功能,防烧功率PMOS管

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?LED 显示屏消除上鬼影

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? 改善 LED 显示屏灯珠短路串亮造成的毛毛虫现象

?集成防LED灯珠反向击穿稳压电路

?单颗支持1~8扫

?最大功耗<500mW @ VDD=5V & Ivdd=2A

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引脚说明

Pin 名称功能说明管脚号

OUT0~OUT7 P-mosfet 输出3,4,5,6,11,12,13,14

A0~A2 数据输入15,16,2

E1,使能控制7,10

E2

VDD 电源1,9

GND 地8

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逻辑图

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真值表

输入(input) 输出(output)

E1 A0 A1 A2 OUT0 OUT1 OUT2 OUT3 OUT4 OUT5 OUT6 OUT7 E2

L X X X X Z Z Z Z Z Z Z Z X H X X X Z Z Z Z Z Z Z Z

H L L L L H Z Z Z Z Z Z Z

H L H L L Z H Z Z Z Z Z Z

H L L H L Z Z H Z Z Z Z Z

H L H H L Z Z Z H Z Z Z Z

H L L L H Z Z Z Z H Z Z Z

H L H L H Z Z Z Z Z H Z Z

H L L H H Z Z Z Z Z Z H Z

H L H H H Z Z Z Z Z Z Z H

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电气参数

极限参数(Ta = 25℃)

参数符号范围单位

逻辑电源电压VDD -0.5 ~ +7.0 V

逻辑输入电压VI1 -0.5 ~ VDD+0.5 V

功率损耗PD <500 mW

工作温度Topt -40 ~ +80 ℃

储存温度Tstg -50 ~ +150 ℃

直流特性(Ta = -40 ~+80℃)

参数符号最小值典型值最大值单位测试条件

逻辑电源电压VDD 3.0 5.0 5.5 V -

高电平输入电压V IH 3.0 V VDD=5.0V

低电平输入电压V IL 2.0 V VDD=5.0V

静态电流损耗IDD 3 mA VDD=5.0V

输出端口驱动电流I OH 2 A VDD=5.0V

Pmosfet 导通电阻Ron 100 m?VDD=5.0V 交流特性

参数符号最小值典型值最大值单位测试条件

输出上升延时t PLH 50 nS VDD=5.0V

CL=2nF 输出下降延时t PHL 300 nS

输出上升沿t r 50 nS

输出下降沿t f 200 nS

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ICN2012LED 显示屏行驱动芯片

封装尺寸

(1) SOP16

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