德国罗姆“尤特奇”

德国罗姆（Rohm）丙烯酸树脂（尤特奇）：

1、E100、EPO；L100-55、L100、S100（肠溶包衣）

2、RL100、RLPO、RL30D、RS100、RSPO、RS30D；NE30D、RD100（缓释配方）

尤特奇（EUDRAGIT）--药物制剂质量的保证

1.1尤特奇-世界著名品牌的药用辅料

尤特奇（EUDRAGIT）是合成药用辅料的商品名，它包括甲基丙烯酸共聚物和甲丙烯酸酯共聚物，在中国通称为丙烯酸树脂。

尤特奇广泛用于药物制剂的胃溶包衣、肠溶包衣、缓控释包衣、保护隔离包衣、缓释骨架材料和经皮给药制剂的骨架胶粘材料。

尤特奇自从第一个产品问世至今将近半个世纪，已广泛用于各种药物制剂，成为许多国际名牌制剂产品的重要辅料。尤特奇以其优良稳定的质量和真诚的应用技术服务，正在被越来越多的中国用户所采用。

各种尤特奇均由几种单体聚合而成。尤特奇E100由乳液聚合而成，尤特奇EPO是其微产物。尤特奇L 30D-55是乳液聚合的产物，尤特奇L100-55是前者的低温喷雾干燥产物。尤特奇L 100和尤特奇S 100都是乳液聚合再经喷雾干燥后的产物。尤特奇RL 100和尤特奇RS 100均是本体聚合产物，尤特奇RL PO和尤特奇RS PO分别是前两者的粉碎产物，尤特奇RL 30D和尤特奇RS 30D分别是它们在热水中直接乳化的产物。尤特奇NE 30D是乳液聚合产物。

1.3尤特奇薄膜包衣的特点

（1）有多种产品可供选用，适合于各种功能包衣(胃溶、肠溶、缓控释和保护隔离包衣等)；

（2）有4种水分散体产品和5种供用户配制的水分散体产品，用水分散体取代有机溶剂包衣液符合现代制剂生产发展方向；

（3）尤特奇能容纳2-3倍其它辅料，遮色能力较强；

（4）包衣耐磨、光亮；

（5）贮存过程中包衣性质稳定；

（6）不被人体吸收，无刺激性和毒性。

1.4水分散体---现代药物制剂包衣工艺的发展方向

尤特奇水分散体是一种粒度0.01-0.1um的聚合物乳胶粒在水中的分散体，聚合物含量为30%（w/w），粘度低，易于喷雾包衣操作。成膜过程中，乳胶粒形成堆积层，随水份蒸发，表面张力增大，使胶粒紧密聚集，在最低成膜温度以上环境中形成薄膜。这种膜的抗水渗透性优于用有机溶剂包衣液形成的膜。有机溶剂包衣液中溶剂的蒸发由于溶剂化热，需要消耗比水分散体中水蒸发更多的能量，加之后者固体含量高，所以水分散体包衣的能耗较低，有利于节约生产成本。显然，用水分散体包衣液代替有机溶剂包衣液，有利于安全生产和环境保护。

1.5尤特奇的水溶解性质

尤特奇L/S含有羟基，在水中很容易与碱生成盐而溶解。尤特奇L 100在大于pH6的溶液中溶解，尤特奇S 100在大于ph7的溶液中溶解。尤特奇L 100或尤特奇S 100包覆的肠溶片如果有水渗入到包衣和片芯之间，而片芯药物是强酸弱碱盐，则药物遇水会水解，释放出OH-离子渗入包衣，结果会削弱包衣的抗酸能力，加速肠液对包衣的溶解。要是片芯中的某些辅料使渗入包衣内侧的水变成酸性或碱性，也会出现上述现象。在包肠溶衣之前先包一层非离子包衣材料作为隔离层，可解决上述问题。当然，若包衣均匀完整，能阻止水渗入，就无需隔离层。

尤特奇E100在近中性（pH5-7）环境中不溶解，在pH5以下介质中很快溶解。由于其叔胺基有强亲水性，它在pH5以上的介质中有较大的溶胀性，所以即使在pH较高的胃液中仍能崩解。尤特奇E 100也可用于缓释包衣，只要在外面再包一层肠溶衣，药物便可在消化道内缓慢释放。利用尤特奇E100与柠檬酸或磷酸生成水溶性盐的性质，可用于速释包衣。尤特奇RL/RS在水中不溶，但能溶胀，在包衣中形成孔道。尤特奇RL的孔道直径为1---5um，尤特奇RS为0.1-0.6um。包衣内侧的药物通过这些孔道释放。调节这两种材料的配比和包覆量就可调整释药速率。在生理pH范围内（pH1-8），尤特奇RL/RS的亲水性与pH无关。盐浓度影响包衣溶胀，介质离子强度增大会使释药速度减慢。片芯中除氯离子以外的阴离子以外的阴离子以及释放度试验用缓冲液中的阴离子均会改变包衣制剂的释药带率，这与药物溶解改变有关，也与这些阴离子与聚合物的离子交换有关。片芯中加入二元酸，特别是加入丁二酸，可制成脉冲释药制剂。延缓时间取决于包衣厚度（小丸增重10-80%），可达6-12小时。在尤特奇RL/RS或尤特奇NE 30D中加入磷酸氢钙二水化合物（小于10um），成膜后会形成孔道。

EMT6中文资料

Transistors 1/4 Power management (dual transistors) EMF20/UMF20N 2SC4617and DTC144E are housed independently in a EMT6 or UMT6 package. z Application Power management circuit z Features 1) Power switching circuit in a single package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. z Structure Silicon epitaxial planar transistor z Equivalent circuits z External dimensions (Units : mm) z Package, marking, and packaging specifications Type EMF20EMT6F20T2R 8000Package Marking Code Basic ordering unit (pieces)UMF20N UMT6F20TR 3000

Transistors 2/4 z Absolute maximum ratings (T a=25°C) 120mW per element must not be exceeded. ?2 120mW per element must not be exceeded. Each terminal mounted on a recommended land. z Electrical characteristics (T a=25°C) Tr1 Parameter Symbol BV CBO BV CEO BV EBO I CBO I EBO h FE V CE (sat)Cob Min.60507??180?? ???????2 ???0.10.13900.43.5 V I C =50μA I C =1mA I E =50μA V CB =60V V EB =7V V CE =6V, I C =1mA I C /I B =50mA/5mA V V μA μA ?V PF Typ.Max.Unit Conditions f T ?180?V CE =12V, I E =?2mA, f =100MHz V CB =12V, I E =0A, f =1MHz MHz Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cutoff current Emitter cutoff current DC current transfer ratio Transition frequency Collector-emitter saturation voltage Output capacitance DTr2 Parameter Symbol Min.Typ.Max.Unit Conditions ? Transition frequency f T ?250?MHz V CE =10V, I E =?5mA, f =100MHz ?Characteristics of built-in transistor. V I(off)??0.5V V CC =5V, I O =100μA Input voltage V I(on) 3.0??V V O =0.3V, I O =2mA V O(on)?100300mV V O =10mA, I I =0.5mA Output voltage I I ??180μA V I =5V Input current I O(off)??500nA V CC =50V, V I =0V Output current R 132.94761.1k ??Input resistance G I 20???V O =5V, I O =5mA DC current gain ? R 2/R 1 0.8 1.0 1.2 ? Resistance ratio

ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET 全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家※开发出采用沟槽结构的 SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型 SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。 另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（日本京都市）。今后计划还将逐步扩充产品阵容。 ＜背景＞ 近年来，在全球范围寻求解决供电问题的大背景下，涉及到如何有效地输送并利用所发电力的"功率转换"备受关注。SiC功率器件作为可显著减少这种功率转换时的损耗的关键器件而备受瞩目。ROHM一直在进行领先行业的相关产品研发，于2010年成功实现SiC MOSFET的量产，并在持续推进可进一步降低功率损耗的元器件开发。 京都大学工学研究科电子工学专业木本恒畅教授表示 "Si（硅）材料已经接近其理论性能极限。对此，ROHM公司率先发力采用可实现高耐压、低损耗（高效率）的SiC（碳化硅：Silicon carbide）材料的SiC功率器件，一直在推进领先全球的开发与量产。 此次，采用可最大限度发挥SiC特性的沟槽结构的SiC-MOSFET在全球率先实现量产，其成功意义非常巨大，是划时代的里程碑。该SiC-MOSFET是兼备极其优异的低损耗特性与高速开关特性的最高性能的功率晶体管，功率转换时的效率更高，可"毫无浪费"地用电，其量产将为太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源等所有设备进一步实现节能化、小型化、轻量化做出贡献。" ＜特点＞ 1. 采用沟槽结构，实现低导通电阻功率器件

时钟发生器电路 ROHM

SAM3U系列时钟发生器 由以下部件组成： ?1个低功耗的频率为32768Hz的慢时钟振荡器，可以被旁路。 ?1个低功耗RC振荡器时钟。 ?1个频率为3-20MHz的晶体振荡器（使用USB时必须为12MHz），可以被旁路。 ?1个出厂已编程的快速RC振荡器，有3种输出频率可供选择：4、8或12MHz，默认情况下为 4Mhz。 ?1个480MHz UTMI PLL，为高速USB设备控制器提供时钟。 ?1个频率为96-192MHz的可编程PLL（输入频率为8-16MHz），可向处理器和外设提供MCK 时钟。 它能够提供如下时钟： ?SCLK，慢时钟，也即系统内唯一的常设时钟。 ?MAINCLK，主时钟振荡器（Main Clock Oscillator）选择单元的输出时钟：晶体振振荡器或 4/8/12MHz快速RC振荡器。 ?PLLACK，分频器和PLL（PLLA）的输出时钟，其中PLL（PLLA）的频率可编程为96- 192MHz。 ?UPLLCK，480MHz UTMIPLL（UPLL）的输出时钟。 时钟发生器用户接口内嵌在功耗管理控制器中，27.13节“功耗管理控制器（PMC）用户接口”中 描述了时钟发生器的用户接口。不过，时钟发生器寄存器命名的前缀为CKGR_。 461

26.2 2626--1.框图 Slow Clock SLCK Main Clock MAINCK PLLA Clock PLLACK UPLL Clock UPLLCK SAM3U 系列 62

SAM3U系列 由低速晶体振荡器或低速RC振荡器产生。 慢时钟源可通过设置供电控制器的控制寄存器（SUPC_CR）的XTALSEL位来选择。 默认情况下，选择RC振荡器。 26.6.33.1RC振荡器 默认情况下，慢时钟RC振荡器是被选中和允许的，用户必须考虑RC振荡器可能产生的漂移。更 多细节可以参考本数据手册“DC特性”小节中。 通过设置供电控制器的控制寄存器（SUPC_CR）中XTALSEL位可禁止慢时钟RC振荡器。 26.6.33.2晶振 时钟发生器集成了一个频率为32,768Hz的低功耗振荡器。XIN和XOUT引脚必须连接到一个频率为 32,768Hz的晶振上。如图26-2所示，此时还必须连接两个外部电容。更多细节可参考本产品数据 手册“DC特性”小节。 注意：用户不是必须得使用慢时钟晶振，可以使用RC振荡器来代替慢时钟晶振。在这种情况下，可 以不连接XIN和XOUT引脚。 26--2.典型慢时钟晶振连接 图26 慢时钟晶振，这样就不用连接晶振。在这种情况下，用户必须向XIN引脚提供外部时钟信号。在本产品手册电气特性章节中描述了XIN引脚在这些条件下的输入特性。 程序员必须确保将供电控制器模式寄存器（SUPC_MR）中的OSCBYPASS位和供电控制器控制 寄存器（SUPC_CR）中的XTALSEL位置1。 463

RTR040N03中文资料

Transistors 1/4 Switching (30V, 4.0A) RTR040N03 z Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). z Application Power switching, DC / DC converter. z Structure Silicon N-channel MOS FET z External dimensions (Unit : mm) z Absolute maximum ratings (T a=25°C) ?1?1?2Parameter V V DSS Symbol 30V V GSS 12A I D ±4.0A I DP ±16A I S 0.8A I SP 16W P D 1.0°C Tch 150°C Tstg ?55 to +150Limits Unit Drain-source voltage Gate-source voltage Drain current Total power dissipation Channel temperature Range of Storage temperature Continuous Pulsed Continuous Pulsed ?1 Pw ≤10μs, Duty cycle ≤1%?2 Mounted on a ceramic board Source current (Body diode) z Equivalent circuit z Thermal resistance (T a=25°C) °C / W Rth (ch-a) 125 Parameter Symbol Limits Unit Channel to ambient

315314_ROHM_BD37534FV

Structure: Silicon Monolithic Integrated Circuit Product: Sound Processor for car audio Type: BD37534FV Package: SSOP-B28 ●Feature 1. Reduce switching noise of input gain control, mute, main volume, fader volume, bass, middle, treble, loudness, by using advanced switch circuit [Possible to control all steps] 2. Built-in ground isolation amplifier inputs, ideal for external stereo input. 3. Built-in differential input selector that can make various combination of single-ended / differential input. 4. Built-in input gain controller reduce switching noise for volume of a portable audio input. 5. Decrease the number of external components by built-in 3-band equalizer filter,LPF for subwoofer, loudness filter, And, possible to control Q, Gv, fo of 3-band equalizer and fc of LPF,and fo, Gv of loudness by I2C BUS control freely. 6. I t is possible for the bass, middle, treble to the gain adjustment quantity of ±20dB and 1 dB step gain adjustment. 7. I t is equipped with output terminals of Subwoofer. Moreover, the stereo signal of the front and rear also can be output by the I2C BUS control. 8. B uilt-in mixing input and mixing attenuation. 9. Bi-CMOS process is suitable for the design of low current and low energy. And it provides more quality for small-scale regulator and heat in a set. 10. Package is SSOP-B28. Puttin g i nput-terminals together and output-terminals together can make PCB layout easier and can makes area of PCB smaller. 11. It is possible to control by 3.3V / 5V for I2C BUS. ●Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃) Parameter Symbol Limits Unit Power supply Voltage VCC10.0V Input voltage VIN VCC+0.3～GND-0.3V Power Dissipation Pd 1063※1mW Storage Temperature Tastg-55～+150℃ ※1 At Ta＝25°C or higher, this value is decreaced to 8.5mW/°C When Rohm standard board is mounted. Rohm standard board: Size：70×70×1.6(mm3) material：FR4 glass-epoxy substrate (copper foil area: not more than 3%). ●Operating Range Parameter Symbol Max. Unit Typ. Min. Power supply Voltage VCC 7.0 － 9.5 V － +85 ℃ Temperature Topr -40 ※Design against radiation-proof isn’t made.

ROHM OIS solution120222_for_

c 2012 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved Confidential for Truly ROHM OIS solution for compact camera module Feb 2012 Product management unit

Agenda1 1.ROHM’s approach to the Camera module lens driver 2. OIS controller line up 3. OIS product introduction 4.Roadmap 5. Wrap up

2 1.ROHM’s approach to the Camera module lens driver

3 1.ROHM’s approach to the Camera lens driver Web cam Smart phone DSC SHUTTER DVC ND FILTER FOCUS OIS ZOOM IRIS Feature phone

4 2. OIS controller line up

BU24205GWL BU63160GWL Outline Built-in high performance CPU. Add on OIS to the current AF system. AF driver with simple OIS Technology0.13μm CMOS0.18μm CMOS Size 2.5 x2.5 x 0.55mm (Ball pitch = 0.4) 2.7 x 2.7 x 0.55mm (Ball pitch = 0.4) External component4pcs5pcs Host interface I2C I2C OIS application Programmable CPU (Cortex-M0) Programmable DSP Servo/Gyro Programmable DSP Hall Hall amp (Xch/Ych) Constant current source(Xch/Ych) Hall amp (Xch/Ych) Constant current source Xch/Ych) Gyro Digital I/F Digital & Analog I/F Driver VCM Driver (Xch/Ych)VCM Driver (Xch/Ych) AF Driver Status ES = Apr‘12 MP = Aug ’12 MP

ROHM BU64241GWZ-标准规格书

PRODUCTS
TYPE
PAGE
Semiconductor IC
BU64241GWZ
1/5
STRUCTURE PRODUCT SERIES TYPE FEATURES
Silicon Monolithic Integrated Circuit Motor Driver for electronic camera module
BU64241GWZ
Linear current sink driver 10bit resolution current control 2 I C serial Interface Integrated current sense resistor Intelligent Slew Rate Control(ISRC) for mechanical ringing compensation
P P
Absolute maximum ratings Parameter Power supply voltage Power save input voltage Control input voltage 1 Power dissipation Operating temperature range Junction temperature Storage temperature range Output current
1
Symbol VCC VPS VIN Pd Topr Tjmax Tstg Iout
Limit -0.5 to +5.5 -0.5 to 5.5 -0.5 to 5.5 220 2 -25 to +85 125 -55 to +125 +200 3
P P
Unit V V V mW °C °C °C mA
VIN is I2C BUS input pin (SCL, SDA). 2 Reduced by 2.2 mW/°C over 25°C, when mounted on a glass epoxy board (50mm × 58mm × 1.75mm; 8 layers) 3 Must not exceed Pd, ASO, or Tjmax of 125°C.
Operating Conditions (Ta= -25°C to +85°C) Parameter Symbol Power supply voltage VCC Power save input voltage VPS Control input voltage VIN 2 I C Bus Frequency fCLK Output current Iout 4 Must not exceed Pd, ASO.
P P
Min. 2.3 0 0 -
Typ. 3.0 -
Max. 4.8 4.8 4.8 400 130 4
P
Unit V V V kHz mA
This product isn’t designed for protection against radioactive rays. Status of this document The Japanese version of this document is the formal specification. A customer may use this translation version only for a reference to help reading the formal version. If there are any differences in translation version of this document, formal version takes priority.
Application example ROHM cannot provide adequate confirmation of patents. The product described in this specification is designed to be used with ordinary electronic equipment or devices (such as audio-visual equipment, office-automation equipment, communications devices, electrical appliances, and electronic toys). Should you intend to use this product with equipment or devices which require an extremely high level of reliability and the malfunction of which would directly endanger human life (such as medical instruments, transportation equipment, aerospace machinery, nuclear-reactor controllers, fuel controllers and other safety devices), please be sure to consult with our sales representative in advance. ROHM assumes no responsibility for the use of any circuits described herein, conveys no license under any patent or other right, and makes no representations that the circuits are free from patent infringement.
DESIGN
CHECK
APPROVAL DATE : Apr. / 12 / 2011 SPECIFICATION No. :
TSZ02201-BU64241GWZ-1-2
REV.
A
TSZ22111?03

传感器IC--ROHM

Family Package RoHS 霍尔IC All BU52054GWZ UCSP35L1(BU52054GWZYes BU52055GWZ UCSP35L1(BU52055GWZYes BU52001GUL VCSP50L1(BU52001GUL Yes BU52011HFV HVSOF5Yes BU52021HFV HVSOF5Yes BU52015GUL VCSP50L1(BU52015GUL Yes BU52025G SSOP5Yes BU52056NVX SSON004X1216Yes BU52053NVX SSON004X1216Yes BU52061NVX SSON004X1216Yes BD7411G SSOP5Yes BU52004GUL VCSP50L1(BU52004GUL Yes BU52014HFV HVSOF5Yes BU52002GUL VCSP50L1(BU52002GUL Yes BU52003GUL VCSP50L1(BU52003GUL Yes BU52012NVX SSON004X1216Yes BU52012HFV HVSOF5Yes BU52013HFV HVSOF5Yes BU52040HFV HVSOF5Yes 照度传感器IC BH1600FVC WSOF6Yes BH1603FVC WSOF6Yes BH1620FVC WSOF5Yes BH1680FVC WSOF5Yes BH1621FVC WSOF5Yes BH1710FVC WSOF6Yes BH1715FVC WSOF6Yes BH1721FVC WSOF5Yes BH1750FVI WSOF6I Yes BH1751FVI WSOF6I Yes BH1780GLI WLGA04IW02Yes BH1730FVC WSOF6Yes 接近传感器IC BH1772GLC WLGA010V28Yes IC 小型/高精度大容量温度传感器IC BD1020HFV HVSOF5Yes BDE1100G SSOP5Yes BDE1000G SSOP5Yes BDE0900G SSOP5Yes BDE0800G SSOP5Yes BDE0700G SSOP5Yes BDE0600G SSOP5Yes BDJ0701HFV HVSOF5Yes BDJ0751HFV HVSOF5Yes BDJ0801HFV HVSOF5Yes BDJ0851HFV HVSOF5Yes BDJ0901HFV HVSOF5Yes BDJ0550HFV HVSOF5Yes BDJ0600HFV HVSOF5Yes

ROHM芯片BD9211F的中文应用文档

ROHM芯片BD9211F的应用文档 一、芯片各引脚基本功能： 本芯片包含18个引脚，各个引脚功能及说明如下： 图一IC内部结构图 1、VCC：芯片供电。电压范围：8V-18V；Vcc max=20V。VCC引脚对地电容必 须大于0.1uF，用于滤除噪声干扰。 2、STB：此引脚用于设置ON/OFF信号，当芯片关断时需要将其进行复位。 STB信号电压幅度需小于VCC电压幅度，若STB电压提前于VCC电压供给芯片，需要保证STB电压幅度小于4V。原因如下图二所示：当VCC未建立，且STB电压建立时，若电压太大，会导致STB 与VCC间二极管导通，此时STB 电压会串到VCC电压上，导致芯片误动作。 图二STB引脚内部结构图 STB引脚电压在0.8V和2V之间的状态为不定态，此电压有可能会使芯片

误动作，因此要避免STB电压在这个区域间的状态。 3、GND：小信号地，尽可能的与PGND分开走。这样可以保证在短的GND和 PGND回路上有更少的干扰信号，GND信号尽量靠近连接插座。 4、RT：设定IC内部的充放电电流从而决定工作频率； 改变RT引脚与地之间电阻的阻值，可以通过下图三公式设置基本驱动频率： 图三基本驱动频率理论计算公式 如：（①RT对地电阻33KΩ,基本频率为：178KHz； ②RT对地电阻47KΩ,基本频率为：126KHz； ③RT对地电阻51KΩ,基本频率为：116KHz； ④RT对地电阻56KΩ,基本频率为：106KHz；） 基本频率意思为N1、N2输出的频率仅由RT与GND之间的电阻决定。 频率会因为RT与FB之间的电阻Radj而改变。 下图四、图五中可以看出，改变FB与RT之间电阻RADJ的阻值可以调整频率范围。当RADJ=100KΩ,?Fout=84.46kHz. 图四电阻Radj的取值与频率范围关系（Radj=100K?）

ROHM车载领域LED灯亮必不可少的LED驱动器IC解决方案

ROHM车载领域LED灯亮必不可少的LED 驱动器IC解决方案 以前照灯和尾灯为代表的汽车外灯，也由传统的灯泡型外灯发展为LED （Light Emitting Diode，发光二极管）灯，光源技术正在取得长足进展。近年来，不仅让LED发挥照明的功用，通过控制LED灯光来提高安全性的产品也在日益普及。此外，两轮机动车的技术和产品更新也是日新月异，并且与汽车一样对品质的要求非常高。 在这种背景下，ROHM正在开发车载领域用的小型高可靠性LED以及控制LED灯亮必不可少的LED驱动器IC，并提供适用于汽车照明的解决方案。在本文中，将介绍ROHM拥有的相关特色技术和产品。 图1. 功耗方面的特性比较 2. LED驱动器IC的市场需求 2-1. 市场对LED灯的需求

外灯由灯泡型发展为LED灯，使得光源可以变得更小、更薄，越来越多的制造商致力于开发具有出色设计灵活性的LED灯。 要想提高LED灯的设计灵活性，就需要提高LED的输出功率，降低驱动LED 的控制电路的功耗并实现小型化。另外，延长使用寿命也非常必要。灯泡型外灯是以“达到一定寿命后可能会断线并需要更换”为设计前提的;而LED灯通常是LED和控制电路一体化的模块型产品，因此更换起来并不容易，故以“不会损坏”为设计前提，因此要求从元器件级别就必须确保可靠性。 对降低成本的要求也不容忽视。例如，在以两轮机动车为主要出行工具的东盟（ASEAN）和印度，两轮机动车的售价非常低廉。因此对每个模块的成本要求也非常严格，即使是LED灯也毫无例外。 2-2. 电阻电路和LED驱动器IC电路的区别 迄今为止，由于成本方面的优势，控制LED用的电路主要采用通过电阻来控制电流的电阻电路。由于电阻电路可以以类似于以往的灯泡型外灯同样简单的构造来使LED灯亮，因此成本很低。但是，存在诸如电路的热损耗导致的效率下降、以及无法检测出LED故障之类的问题。 而使用了近年来备受瞩目的LED驱动器IC的电路（以下称“LED驱动器IC 电路”），具有可实现更低功耗、可通过内置的保护功能检测LED故障以确保可靠性等优势，但存在部件成本增加的问题。 下面具体说明它们之间的差异。 ①功耗方面

ROHM罗姆代理

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ROHM代理株式会社为全球知名的半导体生产企业，ROHM代理公司总 部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM代理，于1967年和1969年逐步进入了晶体管、二极管领 域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM代理作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.加之年轻的、充满梦 想和激情的员工的艰苦奋斗，ROHM代理及ROHM代理代理商迅速发展。今天作为业内惯例被其它公司所接受。ROHM代理作为半导体、电子 零部件的全球知名的半导体生产企业，始终坚持品质第一的企业宗旨，从事着EEPROM、时钟发生器、复位IC、电机驱动器等电子元器件的 生产销售 罗姆代理株式会社在官方网页上开始实行网络销售，旨在把以中国企业为中心的非日系企业的营业额从30%提高到40%。罗姆代理方面希 望借助网络销售可轻松便利地购入样品的特点吸引中国顾客。 罗姆代理（ROHM代理）利用的网络销售平台为中国专业元器件在线 订购网站--Right IC。在此平台上，除了能购买到罗姆代理株式会社的产品外，还购买到罗姆代理集团旗下OKI SEMICONDUCTOR的产品。Right IC平台除支持现金支付和中国银联之外，也可支持支付宝、 快钱等第三方支付在内的多种支付方式，并可提供发票。除此之外，在罗姆代理的官方网页上还设置了覆盖全球的网络销售平台—— Digi-key、RS、chip1stop的链接。

罗姆(ROHM)企业介绍

罗姆企业介绍 一、罗姆集团 罗姆（ROHM）是全球著名半导体厂商之一，创立于1958年，是总部位于日本京都市的跨国集团公司。“品质第一”是罗姆的一贯方针。罗姆始终将品质放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献。 历经半个多世纪的发展，罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块产品、半导体应用产品、医疗器具。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。 罗姆十分重视中国市场，已陆续在全国设立多家代表机构，在大连和天津先后开设工厂，并在上海和深圳设立设计中心，在上海和香港设立品质保证中心，提供技术和品质支持。 二、罗姆在中国的业务发展 作为在中国市场的销售基地，最早于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司，随后，随着中国电子市场的扩大，在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司，2003年成立了罗姆半导体贸易（大连）有限公司，2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，至今已形成了以这4家销售公司和18家分公司为结构的销售网络（分公司：北京、天津、青岛、长春、南京、无锡、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、惠州、厦门、珠海、成都、重庆）。并且，作为技术支持基地，2000年开设了上海设计中心，2006年开设了深圳设计中心。作为生产基地，1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行晶体管、二极管、LED、激光二极管、LED 显示器、光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感头、图片链接模块、LED照明模块、光学传感器、LED显示器的生产，作为罗姆半导体集团的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。 此外，作为社会贡献活动中的一环，罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件最尖端技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内由罗姆捐资（建设费约20亿日元）建设“清华罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。除清华大学之外，罗姆还与西安交通大学、电子科技大学、浙江大学和同济大学等高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。 起初，罗姆进入中国市场的目的是为日本以及欧美、韩国等电子产品制造商的中国生产基地提供周到的销售支持、产品供给，以此展开业务。但是随着中国经济的发展，中国电子市场的壮大，正在面向发展壮大起来的中国电子制造商建立积极的销售体制。 为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的需求，在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。特别加强应对内陆地区，于2010年下半期至今新开设了西安、成都、重庆、武汉、长春５家分公司。并且，计划在今后以本地工程师为中心，

德国罗姆“尤特奇”

德国罗姆（Rohm）丙烯酸树脂（尤特奇）： 1、E100、EPO；L100-55、L100、S100（肠溶包衣） 2、RL100、RLPO、RL30D、RS100、RSPO、RS30D；NE30D、RD100（缓释配方） 尤特奇（EUDRAGIT）--药物制剂质量的保证 1.1尤特奇-世界著名品牌的药用辅料 尤特奇（EUDRAGIT）是合成药用辅料的商品名，它包括甲基丙烯酸共聚物和甲丙烯酸酯共聚物，在中国通称为丙烯酸树脂。 尤特奇广泛用于药物制剂的胃溶包衣、肠溶包衣、缓控释包衣、保护隔离包衣、缓释骨架材料和经皮给药制剂的骨架胶粘材料。 尤特奇自从第一个产品问世至今将近半个世纪，已广泛用于各种药物制剂，成为许多国际名牌制剂产品的重要辅料。尤特奇以其优良稳定的质量和真诚的应用技术服务，正在被越来越多的中国用户所采用。 各种尤特奇均由几种单体聚合而成。尤特奇E100由乳液聚合而成，尤特奇EPO是其微产物。尤特奇L 30D-55是乳液聚合的产物，尤特奇L100-55是前者的低温喷雾干燥产物。尤特奇L 100和尤特奇S 100都是乳液聚合再经喷雾干燥后的产物。尤特奇RL 100和尤特奇RS 100均是本体聚合产物，尤特奇RL PO和尤特奇RS PO分别是前两者的粉碎产物，尤特奇RL 30D和尤特奇RS 30D分别是它们在热水中直接乳化的产物。尤特奇NE 30D是乳液聚合产物。

1.3尤特奇薄膜包衣的特点 （1）有多种产品可供选用，适合于各种功能包衣(胃溶、肠溶、缓控释和保护隔离包衣等)； （2）有4种水分散体产品和5种供用户配制的水分散体产品，用水分散体取代有机溶剂包衣液符合现代制剂生产发展方向； （3）尤特奇能容纳2-3倍其它辅料，遮色能力较强； （4）包衣耐磨、光亮； （5）贮存过程中包衣性质稳定； （6）不被人体吸收，无刺激性和毒性。 1.4水分散体---现代药物制剂包衣工艺的发展方向 尤特奇水分散体是一种粒度0.01-0.1um的聚合物乳胶粒在水中的分散体，聚合物含量为30%（w/w），粘度低，易于喷雾包衣操作。成膜过程中，乳胶粒形成堆积层，随水份蒸发，表面张力增大，使胶粒紧密聚集，在最低成膜温度以上环境中形成薄膜。这种膜的抗水渗透性优于用有机溶剂包衣液形成的膜。有机溶剂包衣液中溶剂的蒸发由于溶剂化热，需要消耗比水分散体中水蒸发更多的能量，加之后者固体含量高，所以水分散体包衣的能耗较低，有利于节约生产成本。显然，用水分散体包衣液代替有机溶剂包衣液，有利于安全生产和环境保护。 1.5尤特奇的水溶解性质 尤特奇L/S含有羟基，在水中很容易与碱生成盐而溶解。尤特奇L 100在大于pH6的溶液中溶解，尤特奇S 100在大于ph7的溶液中溶解。尤特奇L 100或尤特奇S 100包覆的肠溶片如果有水渗入到包衣和片芯之间，而片芯药物是强酸弱碱盐，则药物遇水会水解，释放出OH-离子渗入包衣，结果会削弱包衣的抗酸能力，加速肠液对包衣的溶解。要是片芯中的某些辅料使渗入包衣内侧的水变成酸性或碱性，也会出现上述现象。在包肠溶衣之前先包一层非离子包衣材料作为隔离层，可解决上述问题。当然，若包衣均匀完整，能阻止水渗入，就无需隔离层。 尤特奇E100在近中性（pH5-7）环境中不溶解，在pH5以下介质中很快溶解。由于其叔胺基有强亲水性，它在pH5以上的介质中有较大的溶胀性，所以即使在pH较高的胃液中仍能崩解。尤特奇E 100也可用于缓释包衣，只要在外面再包一层肠溶衣，药物便可在消化道内缓慢释放。利用尤特奇E100与柠檬酸或磷酸生成水溶性盐的性质，可用于速释包衣。尤特奇RL/RS在水中不溶，但能溶胀，在包衣中形成孔道。尤特奇RL的孔道直径为1---5um，尤特奇RS为0.1-0.6um。包衣内侧的药物通过这些孔道释放。调节这两种材料的配比和包覆量就可调整释药速率。在生理pH范围内（pH1-8），尤特奇RL/RS的亲水性与pH无关。盐浓度影响包衣溶胀，介质离子强度增大会使释药速度减慢。片芯中除氯离子以外的阴离子以外的阴离子以及释放度试验用缓冲液中的阴离子均会改变包衣制剂的释药带率，这与药物溶解改变有关，也与这些阴离子与聚合物的离子交换有关。片芯中加入二元酸，特别是加入丁二酸，可制成脉冲释药制剂。延缓时间取决于包衣厚度（小丸增重10-80%），可达6-12小时。在尤特奇RL/RS或尤特奇NE 30D中加入磷酸氢钙二水化合物（小于10um），成膜后会形成孔道。

ROHM电阻命名规则

?共 12 篇日志 ?上一篇下一篇 ?ROHM电阻品名表示法（命名规则） ?2008-03-20 09:03:34 分类: 电阻浏览(245)评论(0) ?买家们经常问起我关于电阻、电容、电感的品名表示法，也就是规格号的命名规则了。我这里将这些品名表示法贴出来，方便大家查阅。 今天先贴ROHM电阻的。 先举个例子吧：MCR01MZPJ102，这是0402封装的1K的电阻，精度是5％。 MCR01就表示0402封装； MZP表示的是盘料的规格是每盘10000片； J表示精度5％； 102自然是表示阻值了，规则自然大家都清楚，10是有效数字，2是0的个数，连起来就是1000，单位欧姆，即1Kohm。如果有小数点用R表示。 如果是0hom则用000表示。 详细的说明如下： 紧凑型矩形贴片式电阻器 Part N o. Size (Inc h) Packag e Circu it Rated power (70oC) Limiting element vol tage (V) Resista nce toleran ce Resista nce range (Ω) Operatin g temperat ure range(o C) RoH S MCR006 0603 (020 1) 1/20W (0.05 W) 25 J(±5%) 1.0 to 10M -55 to + 125 Yes F(±1%) 10 to 1 0M Yes MCR01 1005 (040 2) 1/16W (0.063 W) 50 J(±5%) 1.0 to 10M -55 to + 155 Yes F(±1%) 10 to 2.2M Yes MCR03 1608 (060 3) 1/10W (0.1W) J(±5%) 1.0 to 10M Yes FX(± 1%) 10 to 1 0M Yes MCR10 2012 (080 1/8W (0.125 150 J(±5%) 1.0 to 10M Yes